KR100252023B1 - 위상 시프트층을 갖는 포토마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 위상 시프트 포토마스크의 제조공정수를 줄여 위상 시프터 패턴등의 결함 발생율을 적게 함과 동시에 원가절감을 가능하게 한 위상 시프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 관한 것이다.

예를들면 기판상에 도전층과 차광성 박막이 순서대로 형성된 구조의 포토마스크 블랭크스를 사용하고 그것에 형성된 차광 패턴상에 스핀 온 글라스의 출발원료를 균일하게 도포하고 도포된 스핀 온 글라스층을 전자선 노광장치등의 에너지선으로 직접 묘화하고 에너지선에 의한 묘화후의 기판을 용제로 현상하여 전리방사선을 조사한 부분이외의 스핀 온 글라스를 씻어내고 현상기판을 소성하여 위상 시프터 패턴을 형성한다.

Description

위상 시프트층을 갖는 포토마스크 제조방법

본 발명은 LSI, 초LSI 등의 고밀도 집적회로의 제조에 사용되는 포토마스크 제조방법에 간한 것으로, 특히 미세한 패턴을 고정밀도로 형성할 때의 위상 시프트층을 갖는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.

IC, LSI, 초LSI 등의 반도체 집적회로는 Si웨이퍼 등의 피가공기판상에 레지스트를 도포하고 스텝퍼(stepper) 등에 의해 소정의 패턴을 노광한 후, 현상, 에칭을 하는 이른바 리소그래피공정을 반복함으로써 제조된다.

이와 같은 리소그래피공정에 사용되는 레티클이라고 불리우는 포토마스크는 반도체집적회로의 고성능화, 고집적화에 따라 점점 고정밀도가 요구되고 있으며, 대표적인 LSI인 DRAM을 예로 들면 1M비트 DRAM의 5배 레티클, 즉 노광하는 패턴의 5배 크기를 갖는 레티클에서의 치수의 이동은 평균치 ±3σ(σ는 표준편차)를 취한 경우에 있어서도 0.15㎛의 정밀도가 요구되고, 마찬가지로 4M비트 DRAM용의 5배 레티클은 0.1~0.15㎛의 치수정밀도가, 16M비트 DRAM용 5배 레티클은 0.05~0.1㎛의 치수정밀도가 요구되고 있다.

또한, 이들 레티클을 사용하여 형성되는 디바이스페턴의 선폭은 1M비트 DRAM에서 1.2㎛, 4M비트 DRAM에서는 0.8㎛, 16M비트 DRAM에서는 0.6㎛로 점점 미세화가 요구되고 있으며, 이와 같은 요구에 부응하기 위해 여러가지 노광방법이 연구되고 있다.

그런데, 예를 들면 64M비트 DRAM 클라스의 차세대 디바이스 패턴으로 되면 지금까지의 레티클을 상요한 스탭퍼 노광방식에서는 레지스트 패턴의 해상한계로 인하여 예를 들면 특허공개공보 소화 58-173744호, 특허공고공보 소화 62-59296호 등에 나타나 있는 바와 같은 위상 시프트 마스크라는 새로운 방법의 레티클이 제안되고 있다. 이 위상 시프트 레티클을 사용하는 위상 시프트 리소그래피는 레티클을 투과하는 광의 위상을 조작함으로써 투영상의 분해능 및 콘트래스트를 향상시키는 기술이다.

위상 시프트 리소그래피를 도면에 따라 간단히 설명한다. 제2도는 위상 시프트법의 원리를 나타낸 도면, 제3도는 종래법을 나타낸 도면으로, 제2(a)도 및 제3(a)도는 레티클의 단면도, 제2(b)도 및 제3(b)도는 레티클상의 광의 진폭, 제2(c)도 및 제3(c)도는 웨이퍼상의 광의 진폭, 제2(d)도 및 제3(d)도는 웨이퍼상의 광강도를 각각 나타내고, 1은 기판, 2는 차광막, 3은 위상 시프터, 4는 입사광을 나타낸다.

종래법에 있어서는 제3(a)도에 나타낸 바와 같이 유리 등으로 된 기판(1)에 크롬 등으로 된 차광막(2)이 형성되어 소정 패턴의 광투과부가 형성되어 있을 뿐이지만, 위상 시프트 리소그래피에서는 제2(a)도에 나타낸 바와 같이 레티클상의 인접하는 광투과부의 한쪽에 위상을 반전(위상차 180°)시키기 위한 투과막으로 된 위상 시프터(3)가 설치되어 있다. 따라서 종래법에 있어서는 레티클상의 광의 진폭은 제3(b)도에 나타낸 바와 같이 같은 위상으로 되고 웨이퍼상의 광의 진폭도 제3(c)도에 나타낸 바와같이 같은 위상으로 되므로, 그 결과 제3(d)도와 같이 웨이퍼상의 패턴을 분리할 수 없는 데 반해, 위상 시프트 리소그래피에 있어서는 위상 시프트를 투과한 광은 제2(b)도에 나타낸 바와같이 인접패턴 사이에서 서로 반대위상으로 이루어지므로 패턴의 경계부에서 광강도가 0으로 되어 제2(d)도에 나타낸 바와 같이 인접하는 패턴을 명료하게 분리할 수 있다. 이와 같이 위상 시프트 리소그래피는 종래는 분리할 수 없었던 패턴도 분리가능하게 되어 해상도를 향상시킬 수 있다.

다음에 위상 시프트 레티클의 종래 제조공정의 일예를 도면을 참조하여 설명한다. 제14도는 위상 시프트 레티클의 제조공정을 나타내는 단면도로, 우선 제14(a)도에 나타낸 바와 같이 광학연마된 기판(11)에 크롬막(12)을 형성하고 또 전리 방사선 레지스트를 통상의 방법으로 균일하게 도포하고 가열건조처리를 하여 레지스트층(13)을 형성한다. 다음에 제14(b)도에 나타낸 바와 같이 레지스트층(13)에 전리방사선(14)으로 패턴을 묘화하고 현상한 후 린스하여 제14(c)도에 나타낸 바와 같은 레지스트패턴(15)을 형성한다.

다음에 필요에 따라 가열처리 및 디스컴(descum) 처리를 하여 레지스트패턴(15)에 에지부분 등에 잔존한 레지스트 조각과 같은 불필요한 레지스트를 제거한 후 제14(d)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(15)의 개구부에서 노출하는 피가공부분, 즉 크롬층(12)을 에칭가스 플라즈마(16)에 의해 드라이 에칭하여 크롬패턴(17)을 형성한다. 이와 같이 하여 에칭한 후 제14(e)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(15), 즉 잔존하는 레지스트를 산소 플라즈마(18)에 의해 회화(灰化)제거하여 제14(f)도에 나타낸 바와 같은 포토마스크를 완성시킨다.

그다음에 상기 포토마스크를 검사하고 필요에 따라 패턴수정을 가해 세정한 후 제14(g)도에 나타낸 바와 같이 크롬패턴(17)상에 SiO₂등으로 된 투명막(19)을 형성한다. 다음에 제14(h)도에 나타낸 바와 같이 투명막(19)상에 상기와 동일한 방법으로 전리방사선 레지스트층(20)을 형성하고, 제14(i)도에 나타낸 바와 같이 레지스트층(20)에 얼라인먼트를 하고 전리방사선(21)으로 소정의 패턴을 묘화하고 현상한 후 린스하여 제14(j)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(22)을 형성한다. 다음에 필요에 따라 가열처리 및 디스컴(descum) 처리를 한 후 제14(k)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(22)의 개구부에서 노출하는 투명막(19)부분을 에칭가스 플라즈마(23)에 의해 드라이 에칭하여 위상 시프터 패턴(24)을 형성한다. 다음에 잔존한 레지스트를 제14(l)도에 나타낸 바와 같이 산소 플라즈마(25)에 의해 회화제거한다. 이상의 공정에 의해 제14(m)도에 나타낸 바와 같은 위상 시프터 (24)를 갖튼 위상 시프트 마스크가 완성된다.

그러나, 상기한 종래의 위상 시프트 마스크의 제조방법에 있어서는 크롬패턴(17)상에 위상 시프터로서 작용하는 노광장치 등의 전리방사선으로 패턴묘화하고 현상한 후 위상 시프터를 에칭(습식 또는 드라이에칭)하여 위상 시프터 패턴(24)을 형성한 후 잔존한 레지스트를 제거하지 않으면 안된다. 그러므로 제조공정수가 많아 위상 시프터패턴 등에 결함이 발생할 가능성이 높아지고 원가도 높아진다. 따라서 제조공정수를 줄일 수 있으면 상기 결함의 발생을 막을 수 있고 또 원가절감이 가능해진다.

또, 상술한 바와 같은 종래의 위상 시프트 레티클의 제조방법에 있어서 위상 시프터를 형성하기 전의 통상의 레티클은 결함이 발생해도 이미 수정방법이 확립되어 있었다. 그런데 위상 시프트 레티클의 위상 시프터에 관해서는 수정방법이 전혀 개발되어 있지 않아 위상 시프트 레티클을 형성하여도 결함이 발생한 경우 실용에는 전혀 이용할 수 없다는 문제가 있었다.

본 발명은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 위상 시프트 포토마스크의 제조공정수를 줄여 위상 시프트 패턴 등의 결함발생율을 적게함과 동시에 원가절감을 가능하게 한 위상 시프트층을 갖는 포토마스크 제조방법을 제공하는 것이다.

제1도는 본 발명의 제1위상 시프트 포토마스크 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.

제2도는 위상 시프트법의 원리를 나타내는 도.

제3도는 종래법의 원리를 나타내는 도.

제4도는 가열형성후의 SOG구조의 예를 나타내는 도.

제5도는 본 발명의 위상 시프트 포토마스크의 수정방법을 설명하기 위한 공정단면도.

제6도는 제2제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.

제7도는 제2제조방법에 사용하는 도전성 화합물의 일예의 구조를 나타내는도.

제8도는 수직침지법에 의한 LB막의 누적방법을 나타내기 위한 도.

제9도는 수평부착법에 의한 LB막의 누적방법을 나타내기 위한 도.

제10도는 실시예 4의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.

제11도는 실시예의 5의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.

제12도는 자기정합형 위상 시프트 마스크의 일예의 단면도.

제13도는 실시예 6의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.

제14도는 종래의 위상 시프트 마스크의 제조공정을 설명하기 위한 공정단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

30 : 기판 31 : 도전층

32 : 차광층 33 : 레지스트층

34 : 전리방사선 35 : 레지스트 패턴

36 : 에칭가스 플라즈마 37 : 차광패턴

38 : 산소 플라즈마 39 : 투명막

40 : 에너지선 41 : 위상 시프트 패턴

본 발명의 제조방법을 설명하기 전에 SOG에 대해 간단하게 설명한다.

SOG(spin on glass)는 유기실리콘화합물의 유기용매용액을 도포, 건조, 가열하여 산화실리콘으로 변화시킨 막을 말한다. SOG의 출발원료로서는 트리에톡시실란(Si(OC₂H₅)₄) 등의 금속 알콕사이드, 물, 메탄올 등의 양극성 용매, 염산이 사용된다. 또 SOG 내에 메틸기(-CH₃)를 남기기 위해 트리에톡시메틸실란(CH₃Si(OC₂H₅)₃)이나 디에톡시메틸실란(CH₃)₂Si(OC₂H₅)₂), 트리메틸에톡시실란(CH₃)₃Si(OC₂H₅))도 테트라에톡시실란에 대해 수%~수십% 첨가된다. 이들 출발원료의 혼합비의 일예를 들면,

이와 같은 출발원료의 혼합에 의해 가수분해반응과 축중합이 시작된다. 이 반응은 형식적으로는 다음과 같이 나타난다.

이와 같은 가수분해축중합에 의해 분자량이 낮은 Si-O폴리머(폴리실리케이트)를 얻는다. 메틸기를 가진 SOG의 경우는 출발원료에 Si(OC₂H₅)₄, CH₃Si(OCH₅)₃혼합물을 사용하므로 고분자 메틸기가 남는다. 이 반응은 형식적으로 다음과 같이 나타난다.

이 저분자량의 SOG를 기판상에 스핀 코팅하고 소프트 베이크(80°~120°)함으로써 SOG의 분자량을 조금 상승시킨다.

또 이 기판을 400℃~500℃로 가열하면 탈수, 탈알코올반응이 일어나 분자량이 급격하게 커져 치밀한 SOG막이 된다.

메틸기를 포함한 SOG는 400℃~500℃ 가열후에도 막 안에 메틸기가 남는다. 400℃~500℃에서 가열후 SOG구조의 일예를 제4도에 나타냈다.

상기의 소프트 베이크 후, 전자 빔, 이온 빔, x선, r선, SOR 등의 방사광, 레이저 등의 광(이하, 에너지선이라 함)을 조사하면 조사부분에서 중합이 일어나 분자량이 증가한다. 이 SOG를 에너지선 조사 후 알코올 등의 용제로 현상하면 분자량의 차에 의해 에너지선을 조사한 SOG부분이 남는 성질을 가진다.

그런데 SOG에 트리페닐술포늄트리플레이트, 테트라브로모비스페놀A, 1,1-비스파라클로로페닐-2, 2,2-트리클로르에탄 등의 할로겐산, 오늄염 등의 산 발생제를 함유시켜 두고 소프트 베이크 후에 에너지선을 조사하면 산 발생제에서 산이 발생하고 이 산이 SOG에 남아 있는 수산기(-OH), 에톡시기(-OC₂H₅)에 작용하여 탈수 또는 탈알코올반응이 진행되어 분자량이 증가한다. 이 때문에 산 발생제를 함유하지 않는 경우와 비교해보면 산 발생제를 함유하는 SOG는 에너지선의 조사량이 적어도 분자량이 증가하는(고감도로 됨) 성질을 가지고 있다.

이하 본 발명의 제조방법을 도면을 사용하여 설명한다. 제1도는 본 발명에 관한 위상 시프트층을 갖는 포토마스크 제조방법의 공정을 나타내는 단면도로, 도면중 30은 기판, 31은 도전층, 32는 차광층, 33은 레지스트층, 34는 전리방사선, 35는 레지스트 패턴, 36은 에칭가스 플라즈마, 37은 차광패턴, 38은 산소 플라즈마, 39는 투명막, 40은 에너지선, 41은 위상 시프트 패턴을 나타낸다.

우선 제1(a)도에 나타낸 바와 같이 광학연마된 기판(30)상에 1~30㎚ 두께의 균일한 도전층(31), 50~200㎚ 두께의 차광층(32)을 순차적으로 형성하고, 또 클로로메틸화 폴리스틸렌 등의 전리방사선 레지스트를 스핀 코팅 등의 통상의 방법으로 균일하게 도포하고 가열건조처리하여 두께 0.1~2.0㎛정도의 레지스트층(33)을 형성한다. 이 경우 기판(30)으로는 위상 시프트 마스크가 i선이나 엑시머 레이저 등의 단파장용임을 고려하면 석영 또는 고순도 합성석영이 바람직하지만, 그 외에도 저팽창유리, 백판, 청판(SL), MgF₂, CaF₂등을 사용할 수 있다. 또 도전층(31)은 탄탈 또는 몰리브덴 또는 텅스텐, ITO 메사 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또, 차광층(32)은 크롬박막을 단층 또는 다층으로 형성함으로써 형성할 수 있지만, 그 외에도 질화크롬, 산화크롬, 텅스텐, 몰리브덴, 몰리브덴 실리사이드 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또 가열건조처리는 레지스트의 종류에 따라 다르지만, 통상 80~150℃에서 20~60분 정도 행한다.

다음에 제1(b)도에 나타낸 바와 같이, 레지스트층(33)에 통상의 방법에 따라 전자선 묘화장치 등의 전리방사선(34)에 의한 노광장치로 소정의 패턴을 묘화하고 에틸세로솔브나 에스테르 등의 유기용제를 주성분으로 하는 현상액으로 현상 후 알코올로 린스하면 제1(c)도에 나타낸 바와 같은 레지스트패턴(35)이 형성된다.

다음에 필요에 따라 가열처리 및 디스컴처리를 하여 레지스트패턴(35)의 에지부분 등에 잔존한 레지스트 조각과 같은 불필요한 레지스트를 제거한 후 제1(d)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(35)의 개구부에서 노출하는 피가공부분, 즉 차광층(32)을 에칭가스 플라즈마(36)에 의해 드라이 에칭하여 차광패턴(37)을 형성한다. 또 이 차광패턴(37)의 형성은 에칭가스 플라즈마(36)에 의한 드라이 에칭을 대신하여 습식에칭으로 해도 좋다.

이와 같이 에칭한 후 제1(e)도에 나타낸 바와 같이 잔존하는 레지스트를 산소 플라즈마(38)에 의해 회화제거하고 제1(f)도에 나타낸 바와 같이 기판(30)상의 도전층(31)이 형성되고 또 그 위에 소정의 차광패턴(37)이 형성된 포토마스크를 작성한다. 또 이 처리는 산소 플라즈마(38)에 의한 회화처리를 대신하여 용제박리에 의해 하는 것도 가능하다.

계속하여 상기 포토마스크를 검사하고 필요에 따라서는 패턴을 수정하여 세정한 후 제1(g)도에 나타낸 바와 같이 차광패턴(37)상에 SOG를 사용하여 투명막(39)을 스핀 코팅하고 프리 베이크(소프트 베이크)한다. 이 투명막(39)을 형성하기 위한 재료로서는 에너지선 노광장치의 에너지선에 감광하여 고체화하고 또 굴절율이 높은 재료이면 좋다. 특히 SOG에대해 수%의 상기한 바와 같은 산 발생제를 넣으면 산 발생제를 넣지 않은 통상의 SOG에 비해 현저한 감도의 상승(수백배)이 보여져 특히 바람직한 재료이다. 여기에서 에너지선으로서는 전자 빔, 이온 빔, x선, r선, SOR 등의 방사광, 레이저 등의 광이 포함된다. 또한 투명막(39)의 막 두께(d)는 투명막(39)을 형성하는 재료의 굴절율은 n, 노광파장을 λ로 하면 d = λ/2(n-1)로 주어지는 값이다.

투명층(39)을 형성한 기판을 통상의 방법에 따라 얼라인먼트를 하고 제1(h)도에 나타낸 바와 같이 전자선 노광장치 등의 에너지선(40)에 의해 위상 시프터를 형성해야 할 위치에 소정의 패턴묘화를 직접 하여 메탄올 등의 유기용제로 현상한다. 산 발생제를 함유한 SOG를 사용하고 있는 경우에도 제1(i)도에 나타낸 바와 같이 80~100℃로 노광 후 베이크(포스트 엑스포져 베이크;42)를 한 후에 현상을 한다. 이렇게 하여 위상 시프터 패턴(41)의 SOG를 남기고 다른 SOG를 제거하고 이어서 이 기판을 소성하여 SiO₂를 생성하기 위한 소성온도로서는 통상 400℃~500℃의 고온이 필요한데, 위상 시프터로서 적정한 물성을 얻기 위해서는 사용하는 SOG의 종류에 따라 다르지만, 150℃~450℃에서 3~120분의 소성으로 충분하다. 이렇게 하여 제1(j)도에 나타낸 바와 같은 고정밀도의 위상 시프트 레티클을 작성할 수 있다. 이때 패턴을 묘화하는 에너지선(40)의 전하가 도전층(31)을 통하여 접지되므로 충전 등은 일절 발생하지 않는다. 또 제14도에 나타낸 바와 같은 제조방법에 있어서도 차광층(12)의 기판(11) 측에 동일한 도전층(31)을 설치하면 도전층(31)은 상기 충전방지 이외에 투명막(19)의 에칭시 에칭 스톱퍼층으로서의 기능을 가지므로 기판(11)의 오버 에칭에 의한 결함을 방지할 수 있다.

계속하여 상기 포토마스크를 검사하여 필요에 따라서는 예를 들면 다음에 서술하는 바와 같이 패턴을 수정하여 세정한 후 위상 시프트 포토마스크가 완성된다.

이하, 본 발명의 위상 시프트 레티클의 위상 시프터의 결핍부분을 안정하게 수정하는 방법에 대해 제5도를 참조로 하여 설명한다.

제5도는 본 발명에 관한 위상 시프트 포토마스크(레티클)의 위상 시프트층 수정방법의 공정을 나타내는 단면도로, 도면중 30은 기판, 37은 차광층, 41은 위상 시프터, 43은 위상 시프터 결핍부분, 44는 SOG 박막, 45는 노광부분, 46은 에너지선, 47은 레이저 빔을 나타낸다. 우선 제5(a)도에나타낸 바와 같이 스핀 코팅 등의 방법에 의해 SOG를 도포하고 가열건조처리를 하여 SOG 막(44)을 형성한다.

여기에서 SOG 층(44)은 포토마스크의 사용파장이나 SOG 층(44)의 굴절율 등에 근거하여 다르지만 통상 그 두께는 중합 후에 0.3~0.6㎛ 정도로 되도록 도포한다. 가열건조처리는 SOG의 종류에도 근거하지만, 통상 100℃~180℃에서 30분 정도이다. 또, 상기 SOG 층(44)의 두께에 관해서는 위상 시프트층(41)의 작용에서도 분명하게 나타난 바와 같이 수정 후의 위상 시프트층(41)이 수정부분을 포함하여 소정의 위상 시프트량(180°)이 되는 두께로 선택할 필요가 있다.

그리고 SOG 도포, 건조 후 제5(b)도에 나타낸 바와 같이 위상 시프트층(41)의 결핍부분(43)에 그 크기에 따라 에너지선(46)을 조사하여 노광부분(45)의 분자량을 증가시켜 현상 후에 그 부분(45)이 남도록 한다. 또, 이와 같이 조사하는 에너지선(46)으로서는 전자선, 레이저, 이온 빔, x선, r선, SOR 등의 방사선 및 그밖의 어느 것이라도 좋다.

다음에 상기 기판을 알코올에 5분간 침지하여 현상해서 제5(c)도에 나타낸 바와 같이 위상 시프트층(41)의 결핍부분(43)이 SOG(45)에 의해 복원된 위상 시프트 레티클을 얻는다.

계속하여 상기 기판을 소성하여 SiO₂를 주성분으로 하는 SOG 막을 형성한다.

이때 SiO₂를 생성하기 위한 소성온도로서는 통상 400℃~500℃의 고온이 필요한데, 위상 시프터로서 적정한 물성을 얻기 위해서는 사용하는 SOG의 종류에도 근거하지만, 150℃~450℃에서 30~120분의 소성으로 충분하다.

이상의 공정으로 위상 시프트(41)의 결핍부분(43)의 수정은 기본적으로는 완료되지만, 보다 정형성이 좋은 위상 시프터나 표면의 성질과 상태를 좋게 한 것을 얻기 위해서는 제5(d)도에 나타낸 바와 같이 수정부분(45)에 레이저 빔 또는 이온 빔 등을 조사하여 정형함으로써 제5(e)도에 나타낸 바와 같은 고정밀도의 위상 시프트 레티클을 작성할 수 있다.

또, 상기와 같이 SOG의 SiO₂화에 의해 결핍부(43)가 수정되는 위상 시프트층(41)의 재질과 그 형성방법은 제5도의 경우에 한정되지 않고 어느 것이라도 좋지만, 수정부의 결핍부에 놓인 SOG와 그것에 인접하는 위상 시프트층(41) 사이의 굴절율의 차가 크면 경계면에서 반사가 일어나 바람직하지 않으므로 이 방법은 위상 시프트층(41)이 SOG, 스퍼터링, 증착, CVD 등에 의해 형성된 SiO₂로 된 위상 시프트 레티클에 특히 적합하다고 할 수 있다.

이하 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.

[실시예 1]

광학연마된 5인치각의 고순도합성 석영유리기판상에 200㎚ 두께의 도전층으로서의 Ta박막과 차광층으로서 800㎚ 두께의 크롬박막과 400㎚ 두께의 저반사크롬박막의 2층구조를 형성한 마스크 기판상에 클로로메틸화 폴리스틸렌의 레지스트 용액을 스핀 코팅법에 의해 도포하고 120℃에서 30분간 프리베이크하여 두께 0.6㎛의 균일한 레지스트막을 얻었다.

다음에 가속전압 20kV의 전자선에 의해 20μC/㎠의 조사량으로 노광하고 패턴묘화를 하였다. 노광 후 이 기판을 초산 이소아밀과 에틸세로솔브의 혼합액으로 된 현상액으로 60초간 현상 후 이소프로필 알코올로 30초간 린스하여 레지스트 패턴을 얻었다. 계속하여 이것을 140℃에서 30분간 포스트 베이크한 후, 1Torr, 100W의 산소 플라즈마로 2분간 디스컴하고 레지스트 패턴을 마스크로 하여 노출한 피가 공기판을 출력 300W로 사염화탄소와 산소로 된 플라즈마 안에서 8분간 드라이 에칭했다. 다음에 잔존한 레지스트를 2Torr, 400W의 산소 플라즈마로 회화제거하고 위상 시프터 형성 전의 포토마스크를 얻었다. 이렇게 하여 제조한 포토마스크의 품질 확인을 한 후 이 마스크상에 SOG를 막두께 d (= λ/2(n-1)·λ: 노광파장, n: SOG의 굴절율)로 되도록 스핀 코팅하여 가열건조처리한다. 다음에 가속전압 30keV의 전자선 묘화장치로 포토마스크상의 얼라인먼트 마크를 검출하면서 소정의 위치에 패턴 묘화를 직접 하였다. 묘화 후 이 기판을 메탄올을 현상액으로 하여 30초간 현상하여 450℃에서 1시간 소성한다. 이와 같이 하여 SOG에 의한 SiO₂시프터층을 갖는 위상 시프트 포토마스크를 얻었다.

이렇게 하여 제조한 위상 시프트 포토마스크의 위상 시프터층의 위치이동은 평균치3σ(σ는 표준편차)를 취한 경우에 ±0.1㎛ 이내라는 값을 나타내는 것으로, 고정밀도의 위상 시프트 포토마스크가 얻어진 것이 확인되었다.

또, 마스크 주변부에 있어서도 패턴의 변형 등은 전혀 관측되지 않았다.

[실시예 2]

실시예 1에 의해 제조된 것으로 위상 시프터의 일부가 결핍된 결함부를 갖는 위상 시프트 레티클상에 SOG를 스핀 코팅법에 의해 도포하고 150℃에서 30분간 프리베이크하여 두께 450㎚의 SOG 막을 얻었다.

다음에 가속전압 150kV의 이온 빔에 의해 위상 시프터의 결핍부분을 결핍패턴의 형에 노광했다. 노광 후 이 기판을 에탄올로 5분간 현상하고, 이소프로필알코올로 2분간 씻어 노광부분 이외의 SOG를 씻어냈다.

계속하여 이 기판을 250℃에서 30분간, 450℃에서 60분간 가열처리하여 SOG를 소성했다.

이상과 같이 하여 위상 시프터의 결함부분은 완전하게 복원되었다.

이와 같이 하여 수정한 위상 시프트 레티클을 i선 스텝퍼로 노광사용한 결과, 수정부분은 전혀 문제없이 사용되었다.

본 발명의 위상 시프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 의하면 위상시프터로 되는 SOG 자신이 에너지선 조사에 의해 고체화하는 특성을 사용하여 종래의 제조공정에서 행해지고 있었던 SOG 도포 후의 레지스트 도포, 노광, 현상, SOG의 에칭, 잔존레지스트의 박리라는 과정을 생략하고 SOG 도포 후에 노광, 현상, 소성 과정을 하는 것만으로, 종래의 전리방사선 리소그래피에 의한 포토마스크의 제조공정을 대폭으로 변경할 필요없이 제조공정으로 줄여 원가절감, 결합발생율의 저감화가 가능하게 되었다.

또, 본 발명의 수정방법에 의하면 상기한 바와 같이 SOG 박막의 형성과 에너지선 노광이라는 통상의 리소그래피기술의 연장에 의해 위상 시프터의 결핍부를 간단하게 수정할 수 있는 것으로, 위상 시프트 포토마스크의 실용화를 용이하게 함과 동시에 종래 결함이 있는 것에 의해 불량품으로 처리되고 있었던 위상 시프트 포토마스크를 다시 고품질인 상태로 사용할 수 있도록 할 수 있다.

다음에 이상과의 관련으로 위상 시프트 레티클의 위상 시프터 형성시의 충전 현상을 효과적으로 방지하여 충전현상에 의한 패턴변형을 없애 고정밀도의 위상 시프트 레티클을 제조할 수 있는 보다 실용적인 위상 시프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 대해 실시예 3으로 설명한다.

[실시예 3]

제6도는 상기 포토마스크 제조방법의 일실시예의 공정을 나타내는 단면도로, 우선 레티클상에 SOG 또는 스퍼터법 등에 의해 SiO₂막을 시프터층(54)으로 형성한다[도면 (a)]. 계속하여 상기 위상 시프터층(54)상에 전리방사선 레지스트를 스핀 코팅 등의 방법에 의해 균일하게 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 0.1~2.0㎛ 정도의 레지스트층(55)을 형성한다[도면 (b)]. 가열건조처리는 사용하는 레지스트의 종류에도 근거하지만, 통상 80~200℃에서 20~60분정도를 한다. 다음에 상기 레지스트층(55)상에 도전층(56)을 형성한다. 도전층(56)은 테트라시아녹노지메탄(TCNQ)복합체 등의 경우에는 시크로헥산 등의 유기용제에 용해하여 스핀코팅 등의 통상 방법에 의해 균일하게 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 0.05~0.5㎛ 정도의 도전층(56)을 형성한다[도면 (b)]. 가열건조처리는 사용하는 TCNQ복합체의 종류에도 근거하지만, 50~100℃에서 2~10분 정도 한다.

도전층(56)으로 금속막을 사용하는 경우는 알루미늄, 티탄, 크롬, 금, 구리 등의 금속을 증착법 또는 스퍼터법 등으로 레지스트층(55)상에 200~3000Å의 두께로 형성하는 것으로 충분한 도전성을 가진 것이라 할 수 있다.

다음에 제6(c)도에 나타낸 바와 같이 레지스트층(55)에 통상의 방법에 따라 얼라인먼트를 하고 전자선 묘화장치 등의 노광장치를 사용하여 전리방사선(57)에 의해 패턴 묘화를 한다. 이 때 레지스트층(55)상에 형성된 도전층(56)이 여분의 전하를 접지하므로 얼라인먼트마크도 검출하기 쉽고 또 충전현상도 없이 고정밀도로 묘화할 수 있다.

계속하여 소정의 현상액으로 현상하고 소정의 린스액으로 린스하여 제6(d)도에 나타낸 바와 같이 같은 레지스트패턴(58)을 형성한다. 통상의 알칼리현상타입의 레지스트를 사용하고 있으면 상기 현상시 도전층(56)도 동시에 박리된다. 또한 도전층(56)이 현상액에 용해되지 않는 타입의 레지스트를 사용하고 있는 경우에는 도전층(56)을 유기용제로 박리하고 나서 소정의 현상액으로 현상하여 패턴을 형성할 수 있다.

다음에 필요에 따라 가열건조처리 및 디스컴 처리를 한 후, 제6(d)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(58)의 개구부에서 노출하는 투명막(54) 부분을 에칭가스 플라즈마(59)에 의해 드라이 에칭하고 위상 시프터 패턴(54)을 형성한다[제6(e)도]. 다음에 잔존한 레지스트를 제6(f)도에 나타낸 바와 같이 산소 플라즈마(60)에 의해 회화제거한다. 이상의 공정에 의해 제6(g)도에 나타낸 바와 같은 위상 시프터(54)를 갖는 위상 시프트 마스크가 완성된다.

이와 같이 하여 형성된 위상 시프트 패턴은 패턴 노광시의 충전현상에 의한 위치이동이나 정밀도 열화가 없는 고품질의 위상 시프트 마스크가 된다.

그런데, 도면(b)에서의 도전층(56)을 스핀 코팅 등의 통상의 방법에 의해 도포하는 경우, 도전막의 막 두께가 100~300㎚로 두껍고 또 막 두께 균일성(±5㎚)도 나빠 레지스트층의 해상도가 나빠지고 치수의 면내이탈도 커져버릴 우려가 있다. 또한, 도포기술에 관해서는 예를 들면, 유기용제계의 도전성 고분자를 수용성 레지스트상에 스핀 코팅법으로 도포하는 경우, 폴리비닐알코올과 같은 수용성의 중간층을 사용할 필요가 있으므로 여분의 공정이 필요하게 되고 막 두께도 두꺼워져 이 점에서도 레지스트층의 해상도가 나빠질 우려가 있다.

그래서 도전층(56)을 랭뮤어·브로제트법(LB법)에 의해 도포할 수도 있다. 제7도는 이 경우에 사용하는 도전성 화합물의 일예인 N-도코실필리듐·(TCNQ)₂의 구조를 나타내는 것이다. 그 밖의 유기도전성재료로서의 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리피로올, 폴리티아딜, 폴리아즈렌, 폴리인덴, 폴리인도올, 폴리파라페닐렌, 폴리나프틸렌, 폴리안트라센, 폴리아닐린, 폴리프탈로시아닌, 폴리페로센 등이 있다.

도전층(56)에 사용하는 LB도전막의 작성방법을 설명하면 제7도에 나타낸 바와 같은 도전성 화합물을 클로로포름용액으로 수면상에 전개하여 단분자막을 형성한다. 이 단분자막을 시프터층(54)을 패터닝하기 위한 레지스트층(55)상에 제8도에 나타낸 바와 같은 수직침지법 또는 제9도에 나타낸 수평부착법에 의해 누적막을 작성한다.

수직침지법에 대해 설명하면 제8(a)도 내지 제8(c)도에 나타낸 방법은 소수기(61)와 친수기(62)로 된 단분자막을 형성한 하층수(63)의 표면에 피스톤압(64)을 부가한 상태로 스테아린산철 등으로 소수화처리를 한 기판(65)을 액면에 수직으로 침지하면 소수기(61)면이 기판(65)측배열되어 단분자막이 옮겨진다. 한편 끌어올릴 때에는 막은 옮겨지지 않는다. 이와 같은 막을 X막이라 한다. 제8(d)도 내지 제8(f)도에 나타낸 바와 같이 침지시 끌어올릴 때의 어느 쪽에서나 막이 옮겨진 막을 Y막이라 한다. 또한 제8(g)도 내지 제8(i)도에 나타낸 바와 같이 침지시에는 막이 부착하지 않고 끌어올릴 때만 막이 옮겨진 막을 Z막이라 한다.

또한, 수평부착법에 대해 설명하면 제9(a)도 내지 제9(d)도에 나타난 바와 같이 제1격벽(66)에 의해 구획된 수면상에 형성한 단분자막에 피스톤압(64)을 가하여 단분자막에 기판(65)을 수평으로 접촉하여 소수기(61)를 기판(65)면에 부착시킨(a)후에 기판(65)의 제1격벽(66)에 접촉하는 부분과는 반대부분에 제2격벽(67)을 이동시켜 기판(65)을 끌어올린다(b,c). 그 다음에 (a) 내지 (c)의 조작을 반복하여 소정의 막두께의 누적막을 형성하는(d) 방법이다. 이 경우는 X막만이 형성된다.

다음에 위상 시프트 패턴을 가진 위상 시프트 포토마스크의 제조방법에 대해 실시예 4,5로 설명한다.

[실시예 4]

제10도는 이 위상 시프트 레티클 제조공정 중 하나를 나타내는 단면도로, 제10(a)도에 나타낸 바와 같이 유리기판(73)상에 차광막인 크롬·저반사크롬(2)층막으로 된 차광패턴(75)을 갖는 크롬레티클을 준비한다. 또, 층(74)은 충전방지 등을 위한 투명도전막이다.

다음에 제10(b)도에 나타낸 바와 같이 크롬 레티클상 전면에 SOG 막(76)을 d (= λ/2(n-1)으로 충족시키는 막 두께로 형성한다. 이 SOG 막(76) 대신에 스퍼터 SiO₂, CVD SiO₂, SiN 막을 사용해도 좋다.

그리고, SOG 막(76)을 갖는 크롬 레티클상에 염료를 함유하고 노보락수지를 주성분으로 하는 전리방사선 레지스트층을 형성하고 통상의 방법에 따라 얼라인먼트를 하고 전자선 노광장치 등의 전리방사선에 의해 소정의 패턴을 묘화하고 현상, 린스하여 제10(c)도에 나타낸 바와 같이 전리방사선 레지스트패턴(77)을 형성한다. 전리방사선 레지스트로서는 노보락 수지를 주성분으로 하는 것 이외에도 광의 투과율을 저하시키는 작용을 가진 것이면 사용할 수 있다.

다음에 제10(d)도에 나타낸 바와 같이 전리방사선 레지스트패턴(77)이 형성된 크롬 레티클 전면에 노보락 수지를 주성분으로 하는 포토레지스트(78)를 코팅한다. 노보락 수지를 주성분으로 하는 포토레지스트 이외에도 내(耐)드라이 에칭성이 있는 레지스트이면 사용할 수 있다.

다음에 마스크 배면에서 전면 노광(79)을 하여 제10(e)도에 나타낸 바와 같이 포토레지스트패턴(78)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(78)을 형성하는 경우, 시프터층(76)상에 형성된 전라방사선 레지스트(77)에 염료가 들어간 레지스트를 사용하면 전리방사선 레지스트(77)가 광을 흡수하여 전라방사선 레지스트(77)가 형성되어 있는 부분이 투과율이 저하한다. 이 때문에 전리방사선 레지스트(77)상에는 포토레지스트(78)가 충분히 남으므로 에칭 마스크로서 충부난 두께를 가진다.

다음에 제10(f)도에 나타낸 바와 같이 형성된 포토레지스트 패턴(78)을 마스크로 하여 SOG 막(76)을 반응성 플라즈마(80)를 사용하여 드라이 에칭해서 위상 시프터층(76)을 형성한다.

다음에 제10(g)도에 나타낸 바와 같이 잔존하는 레지스트를 산소 플라즈마에의해 회화제거하여 위상 시프트 포토마스크가 완성된다.

또한, 이상의 공정에서 전리방사선 레지스트(77)에 사용하는 레지스트가 내(耐)드라이 에칭성을 갖는 경우에도 그 레지스트에 염료를 반드시 함유시킬 필요는 없다. 염료를 함유하지 않은 내드라이 에칭성 레지스트를 사용하는 경우에는 제10(d)도, 제10(e)도에 있어서 마스크 배면으로부터의 전면노광(79)에 의해 형성되는 포토레지스트 패턴(78)은 차광패턴(75)상에만 형성된다. 그리고 제10(f)도에서의 드라이 에칭시 차광패턴(75)상의 포토레지스트 패턴(78)과 위상 시프터가 형성되어야 할 위치상에 있는 전리방사선 레지스트(77)이 드라이 에칭 마스크로서 작용하여 차광층(75) 및 위상 시프터층(76)을 에칭으로부터 보호하게 된다.

[실시예 5]

실시예 4는 차광패턴(75)을 형성한 기판상에 위상 시프터층(76)을 설치한 위상 시프트 포토마스크의 예였으나, 위상 시프터층을 형성한 기판상에 차광 패턴을 설치한 위상 시프트 포토마스크에 상기 제조방법을 적용할 수도 있다.

즉, 제11도를 사용하여 설명하면 제11(a)도에 나타낸 바와 같이 석영기판(81)상에 투명도전막(82)이 형성된 기판을 준비한다. 다음에 제11(b)도에 나타낸 바와 같이 이 위에 SOG 막(83)을 d (= λ/2(n-1)을 충족시키는 막 두께로 형성하고 그 위에 크롬.저반사 크롬으로 된 차광막(84)을 형성한다.

이 기판상에 제11(c)도에 나타낸 바와 같이 전리방사선 레지스트(85)를 코팅하고 전자선 노광장치 등의 전리방사선(86)에 의해 차광막 패턴에 따라 묘화를 한다. 현상, 린스하여 제11(d)도에나타낸 바와 같이 전리방사선 레지스트 패턴(85)을 형성한다. 이 레지스트패턴(85)을 마스크로 하여 크롬·저반사크롬(84)을 에칭하고 제11(e)도에 나타낸 바와 같은 차광막 패턴(84)을 형성한다.

이 기판상에 제11(f)도에 나타낸 바와 같이 염료를 함유한 전리방사선 레지스트(85)를 코팅하고 다음에 통상의 방법으로 얼라인먼트를 하고 위상 시프터에 대응하는 부분을 전자선 노광장치 등의 전리방사선(88)에 의해 묘화한다. 현상, 린스하여 제11(g)도에 나타낸 바와 같이 전리방사선 레지스트 패턴(87)을 형성한다.

다음에 제11(h)도에 나타낸 바와 같이 이 레티클 전면에 포토레지스트(89)를 코팅한다. 그리고 마스크 배면에서 적외선(90)에 의해 전면 노광한다. 다음에 현상, 린스를 하여 제11(i)도에 나타낸 바와 같이 위상 시프터 패턴과 크롬 패턴(84)에 대응하는 부분에 포토레지스트 패턴(89)을 형성한다.

다음에 제11(j)도에 나타낸 바와 같이 형성된 포토레지스트 패턴(89)을 마스크로 하여 SOG 막(83)을 드라이 에칭하여 위상 시프터 패턴(83)을 형성한다. 그리고 제11(k)도에 나타낸 바와 같이 잔존하는 레지스트를 산소 플라즈마에 의해 회화제거하여 위상 시프트 포토마스크가 완성된다.

이상의 실시예 4,5의 방법에 있어서는 드라이 에칭을 위한 마스크는 자기정합적으로 형성되므로 드라이 에칭시에 있어서의 차광막의 손상을 막을 수 있다. 즉, 차광막의 흑화농도저하 및 표면반사율의 저하가 억제된다. 또한 위상 시프터 패턴의 측면을 수직으로 할 수 있다. 따라서 차광막의 저반사층의 손상을 막고 광학농도의 저하를 막음으로써 웨이퍼상에 전사되는 패턴의 열화를 막을 수 있다.

그런데 제2도에 나타낸 바와 같은 위상 시프트법은 단순한 패턴의 경우는 목적을 충분히 달성하지만, 통상의 디바이스 패턴과 같은 복잡한 패턴에서는 시프터 패턴의 설계가 곤란하거나 패턴의 배치에 따라서는 시프터를 설계할 수 없는 경우가 있다.

그래서, 최근 자기정합형(셀프 얼라인먼트형)의 위상 시프트 마스크가 고안되어 왔다(「NIKKEI MICORODEVICES」1990년 1월호 pp.78~79). 이 자기정합형의 위상 시프트 마스크는 제12도에 단면을 나타낸 바와 같이 각각의 패턴(17)의 주위에 소정 폭만큼 차양 모양으로 돌출해 있는 위상 시프트층(24)을 설치함으로써 위상 시프트법과 같은 원리에 의해 패턴 에지부분의 콘트래스트를 강조하여 해상성을 향상시키고자 하는 것이다.

이하 실시예 6으로 본 발명에 의한 자기정합형의 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법에 대해 설명한다.

[실시예 6]

제13도는 상기 위상 시프트층을 갖는 포토마스크 제조방법의 공정을 나타내는 단면도로, 우선 제13(a)도에 나타낸 바와 같이 광학연마된 기판(30)상에 1~100nm두께의 균일한 에칭 스톱퍼층(91)과 100~1000nm 두께의 투명박막(92)과 50~200nm의 차광막(93)을 순차적으로 형성하여 포토마스크 블랭크스를 구성한다.

그 다음에 상기 포토마스크 블랭크스상에 클로로메틸화 폴리스틸렌 등의 전리방사선 레지스트를 스핀 코팅 등의 통상의 방법으로 균일하게 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 0.1~2.0㎛ 정도의 레지스트층(94)을 형성한다.

여기에서 에칭 스톱퍼층(91)은 탄탈, 몰리브덴, 텅스텐, 질화 실리콘 등의 박막이 바람직하다. 또, 레지스트의 가열건조처리는 레지스트의 종류에도 근거하지만, 통상 80~200℃에서 20~60분 정도를 한다.

다음에 제13(b)도에 나타낸 바와 같이 레지스트층(94)에 통상의 전자선 묘화장치 등의 전리방사선(96)에 의한 노광장치로 소정의 패턴을 묘화하고 에틸세로솔브나 에스테르 등의 유기용제를 주성분으로 하는 현상액으로 현상 후 알코올로 린스하면 제13(c)도에 나타낸 바와 같은 레지스트 패턴(95)이 형성한다.

다음에 필요에 따라 가열처리 및 디스컴 처리를 하여 레지스트 패턴(95)의 에지 부분 등에 잔존한 레지스트조각과 같은 불필요한 레지스트를 제거한 후 제13(c)도에 나타낸 바와 같이 레지스트 패턴(95)의 개구부에서 노출하는 피가공부분, 즉 차광층(93)을 에칭가스 플라즈마(97)에 의해 드라이 에칭하여 차광 패턴(98)을 형성한다[도면 (d)].

이와 같이 하여 에칭한 후 제13(d)도에 나타낸 바와같이 잔존하는 레지스트(95)를 산소 플라즈마(99)에 의해 회화제거하여 제13(e)도에 나타낸 바와 같은 기판(30)상에 에칭 스톱퍼층(91)이 형성되고 그 위에 시프터층(92)이 형성되고 또, 그 위에 소정의 차광 패턴(98)이 형성된 포토마스크가 작성된다.

게속하여 상기 포토마스크를 검사하여 필요에 따라서는 패턴을 수정하여 세정한 후 제13(f)도에 나타낸 바와 같이 차광 패턴(98)상에 OFPR-800 등의 포토레지스트를 스핀 코팅 등의 통상의 방법으로 균일하게 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 1~2㎛ 정도의 레지스트층(100)을 형성한다.

그 다음에 유리기판(30)측에서 레지스트층(100)을 백(back) 노광(101)하고 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드를 주성분으로 하는 알칼리 수용액으로 현상하고 순수(純水)로 린스하여 차광 패턴(98)상에 레지스트 패턴이 얹힌 패턴을 형성한다.

다음에 제13(g)도에 나타내는 바와 같이 상기 레지스트 패턴의 개구부에서 노출하는 피가공부분, 즉 시프터층(92)을 에칭가스 플라즈마(102)에 의해 드라이 에칭하여 시프터 패턴(93)을 형성한다[제13(h)도].

계속하여 상기 기판을 초산제이세륨암모늄을 주성분으로 하는 에칭액으로 처리하여 시프터(103)와 레지스트(100)에 끼워진 차광막(98)을 사이드 에칭한다. 이 사이드 에칭량은 패턴의 종류나 크기에도 근거하지만, 통상 0.1~0.5㎛ 정도이다.

이와 같이 하여 에칭한 후, 제13(i)도에 나타낸 바와 같이 잔존하는 레지스트(100)를 산소 플라즈마(104)에 의해 회화제거하여 제13(j)도에 나타낸 바와 같은 자기정합형의 위상 시프트 마스크가 완성된다.

상기 제조방법에서는 피가공판으로서 유리 등의 기판상에 에칭 스톱퍼층과 투명막층과 차광성 박막이 순서대로 형성된 구조의 포토마스크 블랭크스를 사용함으로써 고분해능, 고콘트래스트, 고정밀도이면서도 검사나 수정이 쉬운 위상 시프트 마스크를 안정하고 용이하게 제조할 수 있는 것이다.

Claims (2)

1. 포토마스크상에 위상 시프터층을 형성한 기판상에 레지스트 박막을 형성하고 이 레지스트 박막에 전리방사선으로 패턴 묘화를 하고 패턴 묘화 후의 레지스트 박막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 노출한 위상 시프터층을 에칭하고 에칭 종료후 잔존한 레지스트를 제거하는 위상 시프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 있어서, 상기 레지스트 박막의 위 또는 아래에 도전성 박막을 형성하고 나서 전리방사선으로 패턴 묘화하는 것을 특징으로 하는 위상 시프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 박막이 랭뮤어·브로제트막으로 전개하여 상기 레지스트 박막의 위 또는 위상 시프터층의 위에 부착하여 이루어진 도전성 박막인것을 특징으로 하는 위상 시프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.