KR100298609B1 - 위상쉬프트층을갖는포토마스크의제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상쉬프터층 드라이에칭용 레지스트패턴의 형성에 있어서, 1회의 포토리소그래피공정으로 위상쉬프터패턴부와 차광패턴표면보호부를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 위상쉬프터층(33)상에 차광패턴(40)을 형성하고, 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막(41)을 형성하고, 이 레지스트박막(41)에 전리방사선(42)으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고, 이어서 상반전을 하기 위한 노광후 베이크를 한 후, 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광(44)으로 차광패턴을 마스크로 한 전면노광을 하고, 레지스트박막(41)을 현상하여 레지스트패턴(45)을 형성한다.

Description

위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법
제1도는 본 발명에 관한 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크 제조방법의 공정단면도.
제2도는 위상쉬프트법의 원리를 나타낸 도면.
제3도는 종래법을 나타낸 도면.
제4도는 종래의 위상쉬프트 포토마스크의 제조공정을 나타낸 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 석영기판 32 : 에칭 스톱퍼층
33 : 위상쉬프터층 34 : 금속박막층
35 : 레지스트박막 36 : 전리방사선
37 : 레지스트패턴 38 : 에칭가스 플라즈마
39 : 산소 플라즈마 40 : 차광패턴
41 : 레지스트박막 42 : 전리방사선
43 : 네가티브패턴의 잠상 44 : 자외광
45 : 레지스트패턴 46 : 에칭가스 플라즈마
47 : 레지스트박막 48 : 산소 플라즈마
49 : 위상쉬프터패턴
본 발명은 LSI, 초LSI등의 고밀도집적회로의 제조에 사용되는 포토마스크의 제조방법에 관한 것으로, 특히 미세한 패턴을 고정밀도로 형성할 때의 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 관한 것이다.
IC, LSI, 초LSI등의 반도체집적회로는 실리콘 웨이퍼등의 피가공기판상에 레지스트를 도포하고, 스텝퍼(stepper)등에 의해 원하는 패턴을 노광한 후, 현상, 에칭, 도핑, CVD등을 행하는 이른바 리소그래피공정을 반복함으로써 제조되고 있다.
이와 같은 리소그래피공정에 사용되는 레티클(reticle)이라고 불리우는 포토마스크는 반도체집적회로의 고성능화, 고집적화에 따라 점점 고정밀도가 요구되는 경향에 있으며, 예컨대 대표적인 LSI인 DRAM을 예로들면, 1M비트 DRAM의 5배 레티클, 즉 노광하는 패턴의 5배 크기를 갖는 레티클에 있어서의 치수의 차이는 평균치 ±3σ(σ는 표준편차)를 취하였을 경우에 있어서도 0.15㎛의 정밀도가 요구되고, 마찬가지로 4M비트 DRAM용의 5배 레티클은 0.1~0.15㎛의 치수정밀도가, 16M비트 DRAM용 5배 레티클은 0.05~0.1㎛의 치수정밀도가, 64M비트 DRAM용 5배 레티클은 0.03∼0.07㎛의 치수정밀도가 요구되고 있다.
또한 이들 레티클을 사용하여 형성되는 디바이스패턴의 선폭은 1M비트 DRAM에서 1.2㎛, 4M비트 DRAM에서는 0.8㎛, 16M비트 DRAM에서는 0.6㎛, 64M비트 DRAM에서는 0.35㎛m로 점점 미세화가 요구되고 있으며, 이와같은 요구에 부응하기 위하여 여러가지 노광방법이 연구되고 있다.
그런데 예를들어 64M DRAM클라스의 차세대 디바이스패턴으로 되면, 지금까지의 레티클을 사용한 스텝퍼노광방식으로는 레지스트패턴의 해상한계로 되어, 이 한계를 극복하는 것으로서, 예컨대 일본국 특개소58-173744호 공보, 특공소62-59296호 공보등에 나타나 있는 바와 같이 위상쉬프트 레티클이라고 하는 새로운 방식의 레티클이 제안되고 있다. 위상쉬프트 레티클을 사용하는 위상쉬프트 리소그래피는 레티클을 투과하는 광의 위상을 조작함으로써 투영상의 분해능 및 콘트라스트를 향상시키는 기술이다.
위상쉬프트 리소그래피를 도면에 따라 간단하게 설명한다. 제2도는 위상쉬프트법의 원리를 나타낸 도면, 제3도는 종래법을 나타낸 도면으로서, 제2(a)도 및 제3(a)도는 레티클의 단면도, 제2(b)도 및 제3(b)도는 레티클을 투과한 광의 진폭, 제2(c)도 및 제3(c)도는 웨이퍼상의 광의 진폭, 제2(d)도 및 제3(d)도는 웨이퍼상의 광강도를 각각 나타내고, 도면부호 1은 기판, 2는 차광막, 3은 위상쉬프터, 4는 입사광을 나타낸다.
종래법에 있어서는 제3(a)도에 나타낸 바와 같이 유리등으로 된 기판(1)에 크롬등으로된 차광막(2)이 형성되어 소정 패턴의 광투과부가 형성되어 있을 뿐이지만, 위상쉬프트 리소그래피에서는 제2(a)도에 나타낸 바와 같이 레티클상의 인접하는 광투과부의 일부에 위상을 반전(위상차 180°)시키기 위한 투과막으로 된 위상쉬프터(3)가 설치되어 있다. 따라서 종래법에 있어서는 레티클상의 광의 진폭은 제3(b)도에 나타낸 바와 같이 동위상이 되고, 웨이퍼상의 광의 진폭도 제3(c)도에 나타낸 바와 같이 동위상이 되므로, 그 결과 제3(d)도와 같이 웨이퍼상의 패턴을 분리할 수 없는 데 반해, 위상쉬프트 리소그래피에 있어서는 위상쉬프터를 투과한 광은 제2(b)도에 나타낸 바와 같이 인접패턴사이에서 서로 역위상으로 되기 때문에, 패턴의 경계부에서 광강도가 0이 되어 제2(d)도에 나타낸 바와 같이 인접하는 패턴을 명료하게 분리할 수 있다. 이와 같이 위상쉬프트 리소그래피에 있어서는 종래에는 분리할 수 없었던 패턴도 분리가능하게 되어 해상도를 향상시킬 수 있는 것이다.
이와 같은 위상쉬프트층을 갖는 위상쉬프트 마스크는 여러가지의 구조가 연구되고 있는데, 각기 일장일단(一長一短)이 있다. 여기에서는 한계해상도의 향상에 가장 효과가 큰 시부따니(谷)·레벤손형에 대하여 종래의 제조방법을 설명한다.
위상쉬프트 레티클의 종래 제조공정의 일예를 도면을 참조하여 설명한다. 이하에 제4도를 사용하여 설명하는 공정은 본 발명의 청구항 2가 관련되는 위상쉬프터층이 차광금속박막층의 상층에 위치하는 형의 위상쉬프트 레티클의 제조공정을 나타낸 단면도로서, 도면중 11은 기판, 12는 차광금속박막층, 13은 레지스트층, 14는 전리방사선, 15는 레지스트패턴, 16은 에칭가스 플라즈마, 17은 차광금속박막패턴, 18은 산소 플라즈마, 19는 위상쉬프터층, 20은 레지스트층, 21은 전리방사선, 22는 레지스트패턴, 23은 쉬프터층 에칭가스 플라즈마, 24는 위상쉬프터패턴, 25는 산소 플라즈마를 나타낸다.
우선 제4(a)도에 나타낸 바와 같이 광학연마된 기판(11)에 금속박막층(12)을 형성하고, 이어서 클로로메틸화 폴리스틸렌등의 전리방사선 레지스트를 회전도포법등으로 균일하게 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 0.1~0.2㎛정도의 레지스트층(13)을 형성한다. 가열건조처리는 레지스트의 종류나 사용하는 장치에 따라 다르나, 온도는 80∼180℃, 시간은 오븐의 경우 20~60분, 열판의 경우 1∼30분정도 행한다.
다음에 제4(b)도에 나타낸 바와 같이 레지스트층(13)에 통상의 방법에 따라 전자선 노광장치등에 의한 전리방사선(14)으로 패턴묘화하고, 에틸셀로솔브나 에스테르등의 유기용제를 주성분으로 하는 현상액으로 현상한후, 알코올등으로 린스하여 제4(c)도에 나타낸 바와 같은 레지스트패턴(15)을 형성한다.
계속하여 필요에 따라 가열처리 및 디스컴(descum)처리를 하여 레지스트패턴(15)의 에지부분등에 남아 있는 잔사, 스컴등의 불필요한 레지스트를 제거한 후, 제4(d)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(15)의 개구부를 통해 노출된 금속박막층(12)을 에칭가스 플라즈마(16)로 드라이 에칭하여 차광금속박막패턴(17)을 형성한다. 아울러 이 금속박막층의 에칭공정은 드라이 에칭 대신에 웨트 에칭(wet etching)으로 해도 된다.
이후에 제4(e)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(15)을 산소 플라즈마(18)로 회화(化)제거하고, 제4(f)도에 나타낸 바와 같은 금속박막층에 의해 차광패턴(17)이 형성된 포토마스크를 완성시킨다. 아울러 이 공정은 산소 플라즈마에 의한 회화(化)처리 대신에 용제박리로 행하는 것도 가능하다.
계속하여 이 포토마스크를 검사하고 필요에 따라 수정하여 세정한 후, 제4(g)도에 나타낸 바와 같이 차광패턴의 상층에 위상쉬프터층(19)을 형성한다. 다음에 제4(h)도에 나타낸 바와 같이 위상쉬프터층(19)상에 상기와 동일한 방식으로 전리방사선 레지스트층(20)을 형성하고, 제4(i)도에 나타낸 바와 같이 레지스트층(20)에 대하여 전자선 노광장치등에 의해 차광패턴(17)에 대한 얼라인먼트를 한 묘화를 한다. 그 후에 현상, 린스하여 제4(j)도에 나타낸 바와 같은 소정의 레지스트패턴(22)을 얻는다.
다음에 필요에 따라 가열처리 및 디스컴처리를 한 후, 제4(k)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(22)의 개구부를 통해 노출된 위상쉬프터층(19)을 에칭가스 플라즈마(23)로 드라이 에칭하여 위상쉬프터패턴(24)을 형성한다. 아울러 이 위상쉬프터패턴(24)의 형성은 에칭가스 플라즈마(23)에 의한 드라이 에칭 대신에 웨트 에칭으로 해도 된다.
다음에 남아 있는 레지스트를 제4(l)도에 나타낸 바와 같이 산소플라즈마(25)로 회화제거한다.
이상의 공정에 의해 제4(m)도에 나타낸 바와 같은 위상쉬프터층(24)을 갖는 위상쉬프트 레티클이 완성된다.
상기한 종래의 위상쉬프트 레티클의 제조방법에 있어서는 위상쉬프터를 형성하기 위하여 위상쉬프터층상에 레지스트층을 형성하고, 전자선노광장치 또는 레이저묘화장치로 얼라인먼트를 하여 패턴묘화하고 현상한 후, 레지스트패턴을 마스크로 하여 위상쉬프터층을 드라이 에칭할 때, 차광막패턴의 질화산화크롬등이 일부 노출되어 있으면 그 표면이 손상을 입는다고 하는 문제가 있었다. 이 문제는 본 발명의 청구항 1이 관련되는 위상쉬프터층이 차광금속박막층의 하층에 있는 경우라도 마찬가지이다.
이 손상은 포토마스크로 현재 주로 이용되고 있는 차광층의 표층을 저반사화하기 위한 산화, 질화, 탄화한 크롬막에서 현저하고, 이 문제를 해결하려면 본 출원인이 일본국 특원평3-47850호에서 제안한 드라이 에칭시에 차광막의 표면을 보호하는 방법이 유효하다.
그런데 이 방법으로는 위상쉬프터층의 드라이 에칭전에 포토리소그래피공정이 2회(패턴묘화와 백 노광) 필요하게 되어 공정수가 증대한 만큼 스루풋의 저하, 결함발생의 증대등의 다른 문제를 일으킬 가능성이 있었다.
본 발명은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 그 목적은 위상쉬프트 레티클의 위상쉬프터층을 드라이 에칭할 때의 레지스트패턴 형성에 있어서, 1회의 포토리소그래피공정으로 위상쉬프터패턴부와 차광패턴표면보호부를 형성함으로써, 공정수를 줄여 고정밀도이고 고품질인 위상쉬프트 레티클을 제조할 수 있는 보다 실용적인 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자는 상기 문제를 감안하여 종래의 위상레티클의 제조공정을 대폭 변경하는 일 없이 고정밀도의 위상쉬프트 레티클을 안정되게 제조하는 방법을 개발하기 위하여 검토한 결과, 본 발명에 도달한 것이다.
이하에 본 발명의 내용을 위상쉬프터층이 차광금속박막층의 하층에 위치하는 경우를 예로들어 제1도의 제조공정을 나타낸 단면도를 사용하여 설명한다.
우선 제1(a)도에 나타낸 바와 같이 광학연마된 석영기판(31)상에 위상쉬프터층(33) 에칭시의 에칭 스톱퍼층(32)을 형성하고, 그 상층에 위상쉬프터층(33)을 형성하고, 계속하여 위상쉬프터층(33)상에 크롬, 몰리브덴, 실리콘, 알루미늄등을 주성분으로 하는 차광막으로된 금속박막층(34)을 형성하고, 그 위에 레지스트박막(35)을 형성한다.
그 다음에 제1(b)도에 나타낸 바와 같이 이 레지스트박막(35)에 전자선 또는 레이저노광장치등에 의한 전리방사선(30)으로 패턴묘화를 하고, 패턴묘화후의 레지스트박막(35)을 현상하여 제1(c)도에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴(37)을 형성하고, 이 레지스트패턴(37)을 마스크로 하여 제1(d)도에 나타낸 바와 같이 노출된 금속박막층(34)을 에칭가스 플라즈마등(38)으로 에칭하고, 제1(e)도에 나타낸 바와 같이 남아 있는 레지스트를 산소 플라즈마등(39)으로 회화제거한 후, 형성된 금속패턴을 검사, 수정하여 제1(f)도에 나타낸 바와 같이 차광패턴(40)을 형성한다.
다음에 제1(g)도에 나타낸 바와 같이 이 기판상에 상반전공정(image reversal process)이 가능한 레지스트(41)를 도포한다. 상반전공정이 가능한 레지스트(41)는 최초에 노광부분이 현상액에 녹게 되는 포지티브형의 것이 그 후의 베이크[PEB(Post Exposure Bake : 노광후 베이크)]에 의해 최초의 노광부분이 현상액에 녹지 않게 되는 네가티브형 레지스트로 전환되는 것이고, 미노광부분에 대해서는 PEB후의 전면노광에 의해 현상액에 녹게 되는 것이다. 이 레지스트박막(41)에 제1(h)도에 나타낸 바와 같이 차광패턴(40)상의 얼라인먼트 마크를 검출하면서 전자선 또는 레이저노광장치등의 전리방사선(42)으로 패턴묘화를 하고 상을 반전하기 위한 PEB(노광후 베이크)를 하여 제1(i)도에 나타낸 바와 같이 레지스트박막(41)중에 네가티브패턴의 잠상(43)을 발생시킨다.
또한 제1(j)도에 나타낸 바와 같이 차광패턴(40)에서 노출되는 위상쉬프터층(33)의 에칭해야할 부분만 레지스트박막(41)을 현상액에 녹게 하기 위하여 자외광(44)으로 백 노광한 후, 제1(k)도에 나타낸 바와 같이 레지스트(41)를 현상함으로써 레지스트패턴(45)을 제작한다.
이와 같이 하여 제작한 레지스트패턴(45)을 마스크로 하여 제1(l)도에 나타낸 바와 같이 그 마스크에서 노출된 위상쉬프터층(33)을 에칭가스 플라즈마(46)로 에칭하고, 에칭종료후에 제1(m)도에 나타낸 바와 같이 남아 있는 레지스트박막(47)을 산소 플라즈마등(48)으로 회화제거하여, 제1(n)도에 나타낸 바와 같은 위상쉬프터패턴(49)을 갖는 레티클을 제조할 수 있다.
이상의 제조방법에 있어서, 상반전공정이 가능한 레지스트로는, 예를들면 나프트퀴논디아지드-4-슬폰산에스테르를 감광재로 사용한 노보락레진베이스의 레지스트를 사용할 수 있는데, 이 레지스트의 감도향상과 레지스트현상후 패턴의 단면형상이 수직인 것을 얻기 위하여 레지스트성분중에 0.2에서 15wt%의 폴리에틸렌글리코올을 혼합한 것을 사용하거나, 레지스트 도포후에 레지스트박막에 폴리에틸렌글리코올을 도포 또는 침지처리를 한후, 전리방사선으로 노광을 하도록 하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명자는 포지티브, 네가티브 겸용의 레지스트를 얻기 위하여 연구한 결과, 화학증폭형 레지스트를 노광후에 알칼리로 처리함으로써 발생한 산을 중화하고, 그 후에 기판의 전면을 전리방사선으로 노광함으로써 상반전할 수 있는 포지티브, 네가티브형 겸용 레지스트를 제조할 수 있는 것을 발견하였다.
즉, 포지티브형 화학증폭계 레지스트의 경우는 이와 같은 레지스트를 도포후 전리방사선으로 묘화하여 노광부의 산발생제에서 산이 발생된다. 그 다음에 노광후 베이크를 행함으로써 발생된 산에 의해 레지스트가 현상액에 용해되는 형태로 변화하여 용해됨으로써 패턴형성을 할 수 있다. 이것이 통상의 포지티브패턴 형성방법인데, 레지스트를 전리방사선으로 묘화하고 산을 발생시킨 후에 암모니아등의 알칼리성 분위기에 노출하여 발생된 산을 중화시킨다. 다음에 물등으로 린스하여 남은 알칼리를 씻어내고, 다음에 레지스트 전면을 전리방사선으로 노광하면 최초에 전리방사선으로 묘화한 곳이외에 산이 발생하고, 이어서 노광후 베이크를 하면 그 부분이 현상액에 용해되는 형태로 변화하므로 상을 반전시킬 수 있다.
또한 네가티브형에 있어서도 마찬가지로서, 산발생제에서 발생한 산을 알칼리로 중화하고, 이어서 물등으로 린스하여 과잉의 알칼리를 씻어내고, 다음에 레지스트 전면을 전리방사선으로 노광하면 최초에 전리방사선으로 묘화한 곳이외에 산이 발생하고, 그 다음에 노광후 베이크를 하면 그 부분이 가교함으로써 상을 반전시킬 수 있다.
본 발명에 사용하는 상반전공정이 가능한 레지스트로서, 이와 같은 포지티브형 화학증폭계 레지스트도 사용할 수 있다. 구체적인 포지티브형 화학증폭계 레지스트의 예로서는 산발생제, 용해억지제, 노보락수지의 3성분으로 된 것이다. 예를들면 히다찌가세이(주)제 RE5100P가 있다. 이 경우, 도포후의 가열건조처리는 80℃정도에서 10분간정도 하고, 또 노광에 사용하는 전리방사선은 전자선, 자외선을 사용한다. 그 후의 알칼리처리에는 암모니아증기를 사용하고, 노광후 베이크는 80℃정도에서 5분간정도 한다. 또한 노광후 베이크 다음에 하는 기판이면에서의 노광에는 자외선을 사용하고, 현상에는 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 또는 인산나트륨을 사용한다.
아울러 이상의 제조방법은 위상쉬프터층이 차광금속박막층의 상층에 위치하는 경우에 대해서도 마찬가지로 적용할 수 있다.
이상의 설명에서 분명히 나타난 바와 같이, 본 발명 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법은 투명기판상에 기판측에서 위상쉬프터패턴, 차광패턴의 순서로 형성된 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 있어서, 위상쉬프터패턴을 형성하는 위상쉬프터층상에 차광패턴을 형성한 후, 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막을 형성하고, 이 레지스트박막에 전리방사선으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고, 이어서 상반전을 하기 위한 노광후 베이크를 한 후, 상기 노광에 의해 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광으로 차광패턴을 마스크로한 전면노광을 하고, 그 후에 레지스트박막을 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 노출된 위상쉬프터층을 에칭해서 위상쉬프터패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
또한 다른 제조방법은 투명기판상에 기판측에서 차광패턴, 위상쉬프터패턴의 순서로 형성된 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 있어서, 기판상에 차광패턴을 형성한 후, 위상쉬프터패턴을 형성하는 위상쉬프터층을 형성하고, 그 후에 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막을 형성하고, 이 레지스트박막에 전리방사선으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고, 이어서 상반전을 하기 위한 노광후 베이크를 한 후, 상기 노광에 의해 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광으로 차광패턴을 마스크로 한 전면노광을 하고, 그 후에 레지스트박막을 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 노출된 위상쉬프터층을 에칭해서 위상쉬프터패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
상기와 같은 경우, 위상쉬프터패턴을 석영기판을 에칭함으로써 형성할 수 있다.
또한 상기와 같은 경우, 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막으로서, 나프트퀴논디아지드-4-슬폰산에스테르를 감광재로 사용한 노보라레진베이스의 레지스트를 사용할 수 있다. 그 때, 레지스트성분중에 0.2에서 15wt%의 폴리에틸렌글리코올을 혼합한 것을 사용하거나, 레지스트도포후에 레지스트박막에 폴리에틸렌글리코올을 도포 또는 침지처리를 한 후, 전리방사선으로 노광을 하도록 하면, 레지스트감도가 향상되고 레지스트 현상후 패턴의 단면형상이 수직인 것이 얻어지므로 더욱 바람직하다.
또한 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막으로서, 포지티브형 화학증폭계 레지스트를 사용할 수도 있다.
본 발명에 있어서는 위상쉬프터층을 에칭할 때의 레지스트로서 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트를 사용하고, 이 레지스트박막에 전리방사선으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고, 이어서 상을 반전하기 위한 노광후 베이크를 하고, 그 후에 상기 노광에 의해 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광으로 차광패턴을 마스크로 한 전면노광을 하고 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 노출된 위상쉬프터층을 에칭하므로, 에칭시에 차광막패턴의 노출이 없어 그 표면의 손상이 야기되지 않는다. 또한 공정수가 줄어 결함률이 낮아져서 고정밀도이고 고품질인 위상쉬프트 레티클을 제조할 수 있다.
이하에 본 발명 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법을 실시예를 사용하여 구체적으로 설명한다.
[실시예 1]
광학연마된 5인치각, 0.09인치두께의 초고순도합성석영유리기판상에 약 100nm두께의 알루미나박막으로 된 에칭 스톱퍼층을 스퍼터링법으로 형성하고, 그 상층에 SOG(스핀 온 글라스)를 스핀 코팅으로 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 약 400nm의 SOG로 된 위상쉬프터층을 형성했다. 가열건조처리는 90℃에서 30분, 150℃에서 30분, 400℃에서 60분 하였다. 이 때의 SOG막두께(dSOG)는,
[λ/{2(n-1)}] × 0.9 ≤ dSOG≤ [λ/{2(n-1)}] × 1.1
(λ : 노광파장, n : 노광파장에서의 SOG의 굴절율)
을 충족시킨다.
이 SOG로 된 위상쉬프터층을 형성한 기판상에 스퍼터링법으로 약 100nm두께의 금속크롬박막과 약 10~20nm두께의 질화산화크롬박막의 4층구조를 형성하고, 그 기판상에 전자선레지스트 EBR-9를 스핀 코팅법으로 도포하고 200℃에서 30분 가열처리하여 두께 500nm의 균일한 레지스트박막을 얻었다.
다음에 이 기판에 통상의 방법에 따라 전자선노광장치로 패턴묘화를 하였다. 이 때의 가속전압은 10kV이고, 노광량은 5μC/cm2로 노광했다.
계속하여 메틸이소부틸케톤과 이소프로필알코올을 주성분으로 하는 유기용제로 현상하고, 이소프로필알코올로 린스하여 레지스트패턴을 형성했다.
다음에 150℃에서 30분간 포스트베이크하고, 3분간 산소 플라즈마로 디스컴처리한 후, 레지스트패턴의 개구부에서 노출된 질화산화크롬과 금속크롬의 2층으로된 차광층을 질산제이세륨암모늄용액으로 웨트 에칭하고, 남아 있는 레지스트를 산소 플라즈마로 회화제거하여 차광패턴을 완성시켰다.
계속하여 이 패턴을 통상의 포토마스크용 장치를 사용하여 검사, 수정을 하였다. 세정한 후, 크롬패턴상에 상반전용 레지스트(헥스트사제: AZ-5200)를 스핀 코팅법으로 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 500nm의 위상쉬프터패턴 및 크롬패턴표면의 마스킹용 레지스트층을 형성했다. 가열건조처리는 오븐에 의해 90℃, 30분 행했다.
이어서 통상의 레이저노광장치를 사용하여 통상의 방법에 따라 얼라인먼트묘화를 하였다. 이 때의 노광량은 i선환산으로 40∼80mJ/cm2였다.
그 후에 상반전을 하기 위하여 PEB를 오븐에 의해 120℃, 30분 행했다.
계속하여 크롬패턴상의 레지스트는 모두 남기고, 묘화후의 PEB에 의해 패턴이미지가 네가티브상태로 변환된 위상쉬프터패턴부분이외에서 노광을 받지 않은 크롬패턴개구부의 레지스트가 현상에 의해 용해되도록 기판이면에서 원자외광에 의한 노광을 통상의 밀착노광장치로 하였다. 이 때의 노광량은 원자외광환산으로 15∼35aJ/cm2였다.
이어서 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드를 주성분으로 하는 알칼리수용액으로 현상하고 순수(純水)로 린스하여 레지스트패턴을 형성했다. 이 레지스트패턴의 단면형상을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 수직인 패턴형상이 얻어졌다.
계속하여 레지스트패턴의 개구부에서 노출된 위상쉬프터층을 불소화알킬을 주성분으로 하는 에칭가스로 약 20분간 드라이 에칭하고, 남아 있는 레지스트를 에탄올 아민을 주성분으로 하는 레지스트박리액으로 제거하여 위상쉬프트층을 갖는 레티클을 완성시켰다.
이렇게 하여 완성된 위상쉬프트 레티클은 위상쉬프터의 치수정밀도가 3σ에서 0.036㎛라는 고정밀도인 것이었다. 또한 주사전자현미경으로 관찰한 질화산화크롬의 표면에 손상은 보이지 않았다. 또 위상쉬프터의 단면형상도 수직이었다.
[실시예 2]
광학연마된 5인치각, 0.09인치두께의 초고순도합성석영유리기판상에 스퍼터링법으로 약 100nm두께의 금속크롬박막과 약 10∼20nm두께의 질화산화크롬박막의 2층구조막을 형성했다. 이 기판상에 전자선레지스트 EBR-9를 스핀 코팅법으로 도포하고 200℃에서 30분 가열처리하여 두께 500nm의 균일한 레지스트박막을 얻었다.
다음에 이 기판에 통상의 방법에 따라 전자선노광장치로 패턴묘화를 하였다. 이 때의 가속전압은 10kV이고, 노광량은 5μC/cm2로 노광했다.
계속하여 메틸이소부틸케톤과 이소프로필알코올을 주성분으로 하는 유기용제로 현상하고, 이소프로필알코올로 린스하여 레지스트패턴을 형성했다.
다음에 150℃에서 30분간 포스트베이크하고, 3분간 산소 플라즈마로 디스컴처리한 후, 레지스트패턴의 개구부에서 노출된 질화산화크롬과 금속크롬의 2층으로된 차광층을 질산제이세륨암모늄용액으로 웨트 에칭하고, 남아 있는 레지스트를 산소 플라즈마로 회화제거하여 차광패턴을 완성시켰다.
계속하여 이 패턴을 통상의 포토마스크용 장치를 사용하여 검사, 수정을 하였다.
세정한 후, 크롬패턴상에 상반전용 레지스트(헥스트사제:AZ-5200)를 스핀 코팅법으로 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 500nm의 위상쉬프터패턴 및 크로패턴표면의 마스킹용 레지스트층을 형성했다. 가열건조처리는 오븐에 의해 90℃, 30분 행했다.
이어서 통상의 레이저노광장치를 사용하여 통상의 방법에 따라 얼라인먼트묘화를 하였다. 이 때의 노광량은 i선환산으로 40∼80mJ/cm2였다. 그 후에 상반전을 하기 위하여 PEB를 오븐에 의해 120℃, 30분 행했다.
계속하여 크롬패턴상의 레지스트는 모두 남기고, 묘화후의 PEB에 의해 패턴 이미지가 네가티브상태로 변환된 위상쉬프터패턴부분이외의 레지스트가 현상에 의해 용해되도록 기판이면에서 원자외광에 의한 노광을 통상의 밀착노광장치로 하였다. 그 때의 노광량은 원자외광환산으로 15∼35mJ/cm2였다.
이어서 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드를 주성분으로 하는 알칼리수용액으로 현상하고 순수(純水)로 린스하여 레지스트패턴을 형성했다. 이 레지스트패턴의 단면형상을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 수직인 패턴형상이 얻어졌다.
계속하여 레지스트패턴의 개구부에서 노출된 석영기판을 CF4가스를 사용한 반응성이온에칭으로 d=λ/2(n-1)(d:에칭깊이, λ:노광파장, n:노광파장에서의 석영기판의 굴절율)을 충족시키는 깊이만큼 드라이 에칭하고, 남아 있는 레지스트를 매탄올 아민을 주성분으로 하는 레지스트박리액으로 제거하여 위상쉬프트층을 갖는 레티클을 완성시켰다.
이렇게 하여 완성된 위상쉬프트 레티클은 위상쉬프터의 치수정밀도가 3σ에서 0.036㎛라는 고정밀도인 것이었다. 또한 주사전자현미경으로 관찰한 질화산화크롬의 표면에 손상은 보이지 않았다. 또 위상쉬프터의 단면형상도 수직이었다.
[비교예]
광학연마된 5인치각, 0.09인치두께의 초고순도합성석영유리기판상에 약 100nm두께의 알루미나박막으로된 에칭 스톱퍼층을 스퍼터링법으로 형성하고, 그 상층에 SOG를 스핀 코팅에 의해 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 약 400nm의 SOG로된 위상쉬프터층을 형성했다. 가열건조처리는 90℃에서 30분, 150℃에서 30분, 400℃에서 60분 행했다.
이 SOG로된 위상쉬프터층을 형성한 기판상에 스퍼터링법으로 약 100nm두께의 금속크롬박막과 약 10∼20nm두께의 질화산화크롬박막의 4층구조를 형성하고, 그 기판상에 전자선레지스트 EBR-9를 스핀 코팅법으로 도포하고 200℃에서 30분 가열처리하여 두께 500nm의 균일한 레지스트박막을 얻었다.
다음에 이 기판에 통상의 방법에 따라 전자선노광장치로 패턴묘화를 하였다. 이 때의 가속전압은 10kV이고, 노광량은 5μC/cm2로 노광했다.
계속하여 메틸이소부틸케톤과 이소프로필알코올을 주성분으로 하는 유기용제로 현상하고, 이소프로필알코올로 린스하여 레지스트패턴을 형성했다.
다음에 150℃에서 30분간 포스트베이크하고, 3분간 산소 플라즈마로 디스컴처리한 후, 레지스트패턴의 개구부에서 노출된 질화산화크롬과 금속크롬의 2층으로된 차광층을 질산제이세륨암모늄용액으로 웨트 에칭하고, 남아 있는 레지스트를 산소 플라즈마로 회화제거하여 차광패턴을 완성시켰다.
계속하여 이 패턴을 통상의 포토마스크용 장치를 사용하여 검사, 수정을 하였다. 세정한 후, 크롬패턴상에 i선포지티브형 레지스트(도오꾜오 오까고오교사제:THMR-iP1800)를 스핀 코팅법으로 도포하고 가열건조처리를 하여 두께 500nm의 위상쉬프터패턴용 레지스트층을 형성했다. 가열건조처리는 오븐에 의해 90℃, 30분 행했다.
이어서 통상의 레이저노광장치를 사용하여 통상의 방법에 따라 얼라인먼트묘화를 하였다. 이 때의 노광량은 i선환산으로 75∼105mJ/cm2였다.
계속하여 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드를 주성분으로 하는 알칼리수용액으로 현상하고 순수로 린스하여 레지스트패턴을 형성했다.
계속하여 크롬차광패턴과 레지스트패턴에 의해 마스킹되어 있는 부분 이외의 노출되어 있는 위상쉬프터층을 불소화알킬을 주성분으로 하는 에칭가스로 약 20분간 드라이 에칭하고, 남아 있는 레지스트를 에탄올 아민을 주성분으로 하는 레지스트박리액으로 제거하여 위상쉬프트층을 갖는 레티클을 완성시켰다.
이렇게 하여 완성된 위상쉬프트 레티클을 주사전자현미경으로 관찰한 결과, 위상쉬프터패턴의 단면형상은 거의 수직이었다. 그런데 위상쉬프터층의 드라이 에칭시에 노출되어 있었던 질화산화크롬의 표면은 반사율의 증가가 확인되어 에칭가스 플라즈마에 의한 손상을 입고 있었다.
[실시예 3]
히다찌가세이(주)제 화학증폭 포지티브형 레지스트 RE5100P를 크롬기판상에 도포하여 막두께 500nm의 균일한 레지스트막을 얻었다. 다음에 가속전압 20kV의 전자선에 의해 노광량 2μC/cm2로 묘화한 후에 1규정의 암모니아수를 넣은 용기의 상부에 레지스트를 액면측으로 하여 암모니아분위기에 10분간 노출하고, 이어서 순수로 린스했다. 다음에 저압수은등으로 10분간 전면노광하고, 열판으로 90℃에서 5분간 가열처리했다. 마지막에 2.38% 수산화테트라메틸암모늄수용액으로 8분간 현상하고 순수로 60초간 린스함으로써 상이 반전된 네가티브패턴을 형성할 수 있었다.
이상의 설명에서 분명히 알 수 있는 바와 같이, 본 발명 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 의하면, 위상쉬프터층을 에칭할 때의 레지스트로서 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트를 사용하고, 이 레지스트박막에 전리방사선으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고, 이어서 상반전을 하기 위한 노광후 베이크를 행한 후, 상기 노광에 의해 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광으로 차광패턴을 마스크로 한 전면노광을 하고 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 노출된 위상쉬프터층을 에칭하므로, 에칭시에 차광막패턴의 노출이 없어 그 표면의 손상이 야기되지 않는다. 또한 공정수가 줄어 결함률이 낮아져서 고정밀도이고 고품질인 위상쉬프트 레티클을 제조할 수 있다.

Claims (11)

  1. 투명기판상에 기판측에서 위상쉬프터패턴, 차광패턴의 순서로 형성된 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 있어서, 위상쉬프터패턴을 형성하는 위상쉬프터층상에 차광패턴을 형성한 후, 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막을 형성하고, 이 레지스트박막에 전리방사선으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고. 이어서 상반전을 하기 위한 노광후 베이크를 한 후, 상기 노광에 의해 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광으로 차랑패턴을 마스크로 한 전면노광을 하고, 그 후에 레지스트박막을 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 노출된 위상쉬프터층을 에칭해서 위상쉬프터패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  2. 투명기판상에 기판측에서 차광패턴, 위상쉬프터패턴의 순서로 형성된 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법에 있어서, 기판상에 차광패턴을 형성한 후, 위상쉬프터패턴을 형성하는 위상쉬프터층을 형성하고, 그 후에 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막을 형성하되, 이 레지스트박막에 전리방사선으로 차광패턴의 개구 일부를 포함하는 소정영역을 노광하고, 이어서 상반전을 하기 위한 노광후 베이크를 한 후, 상기 노광에 의해 노광되지 않은 차광패턴의 개구부분의 레지스트만을 용해가능하게 하기 위하여 기판이면에서 자외광으로 차광패턴을 마스크로 한 전면노광을 하고, 그 후에 레지스트박막을 현상하여 레지스트패턴을 형성하고, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 노출된 위상쉬프터층을 에칭해서 위상쉬프터패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상쉬프터패턴이 석영기판을 에칭함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서. 상기 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전 공정이 가능한 레지스트박막으로서 나프트퀴논디아지드-4-슬폰산에스테르를 감광재로 사용한 노보락레진베이스의 레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 레지스트로서 레지스트성분 중에 0.2에서 15wt%의 폴리에틸렌글리코올을 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서, 레지스트 도포 후에 레지스트박막에 폴리에틸렌글리코올을 도표 또는 침지처리를 한 후, 전리방사선으로 노광을 하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전 공정이 가능한 레지스트박막으로서 포지티브형 화학증폭계 레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  8. 제3항에 있어서, 상기 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막으로서 포지티브형 화학증폭계 레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  9. 제3항에 있어서, 상기 포지티브형에서 네가티브형으로의 상반전공정이 가능한 레지스트박막으로서 나프트퀴논디아지드-4-슬폰산에스테르를 감광재로 사용한 노보락레진베이스의 레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 레지스트로서 레지스트성분 중에 0.2에서 15wt%의 폴리에틸렌글리코올을 혼합한 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 레지스트 도포 후에 레지스트박막에 폴리에틸렌글리코올을 도표 또는 침지처리를 한 후, 전리방사선으로 노광을 하는 것을 특징으로 하는 위상쉬프트층을 갖는 포토마스크의 제조방법.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970004429B1 (ko) * 1993-10-29 1997-03-27 현대전자산업 주식회사 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법
JP3351485B2 (ja) * 1993-12-10 2002-11-25 富士通株式会社 位相シフトマスクの製造方法
US5536603A (en) * 1993-12-21 1996-07-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase shift mask and method of fabricating the same
KR0128827B1 (ko) * 1993-12-31 1998-04-07 김주용 위상반전마스크 제조방법
KR970005675B1 (en) * 1994-01-19 1997-04-18 Hyundai Electronics Ind Fabrication method of phase shift mask
KR0143707B1 (ko) * 1994-06-23 1998-08-17 김주용 마스크 가장자리에서 투과되는 광의 강도를 보상하기 위한 위상반전 마스크
US6096484A (en) * 1997-10-15 2000-08-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Pattern forming method using chemically amplified resist and apparatus for treating chemically amplified resist
US6358672B2 (en) * 1998-02-05 2002-03-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming semiconductor device pattern including cross-linking and flow baking a positive photoresist
KR100307631B1 (ko) * 1999-06-01 2001-09-29 윤종용 반도체소자의 미세패턴 형성방법
KR100309209B1 (ko) * 1999-07-31 2001-09-29 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
US7115523B2 (en) * 2000-05-22 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching photomasks
US6645677B1 (en) * 2000-09-18 2003-11-11 Micronic Laser Systems Ab Dual layer reticle blank and manufacturing process
US7150854B2 (en) * 2002-03-19 2006-12-19 Engelhard Corporation Device for generating aqueous chlorine dioxide solutions
US7399709B1 (en) * 2002-09-27 2008-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Complementary replacement of material
US6924069B2 (en) * 2003-01-15 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for repairing attenuated phase shift masks
CN100537053C (zh) * 2003-09-29 2009-09-09 Hoya株式会社 掩膜坯及掩膜坯的制造方法
JP2007149768A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法
JP4678383B2 (ja) * 2007-03-29 2011-04-27 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2023515509A (ja) 2020-02-19 2023-04-13 サーモ エレクトロン サイエンティフィック インスツルメンツ エルエルシー 構造化照明のための位相マスク

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3712335A1 (de) * 1987-04-11 1988-10-20 Vdo Schindling Verfahren zur herstellung einer struktur
US4948706A (en) * 1987-12-30 1990-08-14 Hoya Corporation Process for producing transparent substrate having thereon transparent conductive pattern elements separated by light-shielding insulating film, and process for producing surface-colored material
DE69131878T2 (de) * 1990-09-21 2000-07-20 Dainippon Printing Co Ltd Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungs-Photomaske
US5244759A (en) * 1991-02-27 1993-09-14 At&T Bell Laboratories Single-alignment-level lithographic technique for achieving self-aligned features
DE69228585T2 (de) * 1991-11-22 1999-08-19 At & T Corp Herstellung einer lithographischen Maske mit Phasensprung

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