JP4678383B2 - 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4678383B2 JP4678383B2 JP2007087243A JP2007087243A JP4678383B2 JP 4678383 B2 JP4678383 B2 JP 4678383B2 JP 2007087243 A JP2007087243 A JP 2007087243A JP 2007087243 A JP2007087243 A JP 2007087243A JP 4678383 B2 JP4678383 B2 JP 4678383B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist composition
- bis
- chemically amplified
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Description
即ち、本発明は、下記一般式(1)及び一般式(2)
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜50,000である高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物である。このレジスト組成物を用いて得たレジスト膜は、パターン形成時にブリッジ問題を生じにくく、高い解像性を与える。
また、上記電子吸引基として最も好ましいものとして、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができる。これらの元素は、高分子化合物に導入した際、レジストパターンの基板付近におけるアンダーカット問題、また微細パターン間でのブリッジ発生問題が大きく改善される。
で示される繰り返し単位を含むことができる。この単位を含むことにより、高いエッチング耐性が得られ、レジスト膜の薄膜化が可能となる。
更に、上述の化学増幅ネガ型レジスト組成物に含まれる上記高分子化合物の重量平均分子量は、より好ましくは、2,000〜8,000である。分子量が小さすぎると、得られるパターンの熱変形が起き易くなってしまう場合があり、また、大きすぎると、材料によっては現像時にブリッジが発生し易くなる。
また、より好ましくは、上記高分子化合物がが、重合により得られる高分子化合物の低分子成分を分別除去することで、分子量分布を表す分散度(Mw=重量平均分子量/Mn=数平均分子量)の値を1.7以下としたものである。低分子成分を除いて分散度を1.7以下とすることにより、レジストパターンの形状が改善され、特に基板依存性によるアンダーカット問題が改善される。
更に、本発明は、下記一般式(1)及び一般式(2)
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜50,000である高分子化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて表面が遷移金属化合物を主構成材料とする基板上でレジストパターンを得ることを特徴とするレジストパターン形成方法である。フォトマスクブランクの表面を構成する材料の代表的なものの1つは遷移金属に酸素や窒素を含有させた材料であるが、上記レジスト組成物は、基板表面付近でのパターン形状異常を生じ易い遷移金属化合物上のパターン形成に用いた場合でも、好ましい形状のパターンを形成することができる。
上記電子吸引基のベンゼン環に直接結合する活性構造は、ハロゲン原子である。
で示される繰り返し単位を含んでいてもよい。上記一般式(3)の繰り返し単位を含むことにより、比較的エッチング選択比がとりにくい遷移金属化合物をエッチングする際にも、レジスト膜の薄膜化が可能となる。
上記遷移金属化合物の具体例としては、クロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブより選ばれる1以上の遷移金属、又は、更に該遷移金属に加えて酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を1以上含む材料を挙げることができる。これらの化合物は、フォトマスクブランクの表面を構成する材料として一般に用いられ、エッチングマスク、遮光膜、反射防止膜等として使用される。
一方、フォトマスク基板加工時に、基板表面が遷移金属化合物である場合、形成されるレジストパターンにはアンダーカットの問題が生じ易いが、本発明の上記ネガ型レジスト組成物を用いると、得られるパターンの基板依存性が小さく、遷移金属化合物上においても良好な形状のレジストパターンが得られる。
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜50,000である。
で示される繰り返し単位を含むことができる。
−CO−OR5 (6)
(式中、R5は置換基を有していてもよい、炭素数1〜15の直鎖、分岐又は環状のアルキル基を表す。)
で示されるアルコキシカルボニル基は、特に合成上も有利であり、良好な特性も得ることができる。
また、上記例示の電子吸引基の中では、塩素、臭素、ヨウ素を用いた場合、特に高いパターン形状の改善効果、ブリッジ発生の抑制効果が得られる。
また、上記一般式(3)の単位は、上述の通り、エッチング耐性を向上させる目的で導入される単位であることから、R3、R4にその他の機能を持たせても、持たせなくてもよいが、R3、R4として例示された置換可ヒドロキシ基の具体例としては、水酸基、炭素数1〜15のアルコキシ基、炭素数2〜15のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数7〜15のアリールカルボニルオキシ基、炭素数1〜15のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数6〜15のアリールスルホニルオキシ基等を挙げることができる。
また、高分子化合物(1)には、上記一般式(3)以外に、レジスト用高分子化合物用構成単位として常用されている繰り返し単位等を加えることもできる(特許文献1:特開2006−201532号公報他)。一般式(1)〜(3)以外の繰り返し単位が許容される組成比は、それがアルカリ可溶性基を持たない場合、例えば公知技術で開示されているアルキル置換スチレン単位や、(メタ)アクリル酸エステル単位を用いる場合、一般式(1)の繰り返し単位の組成比が全繰り返し単位中30〜90モル%、より好ましくは50〜80モル%の範囲に入るように設定される。但し、本発明の効果を得るためには、一般式(2)の繰り返し単位が、全繰り返し単位に対して3モル%以上含まれる必要があり、より好ましくは5モル%以上である。一方、一般式(1)〜(3)以外の繰り返し単位がアルカリ可溶性基を持つ場合には、予め異なるモル比を導入したモデル高分子化合物を調製し、好ましい溶解速度を与える組成比を求める基礎検討を行う必要がある。この場合にも、酸による架橋反応活性を得るために、一般式(1)の繰り返し単位の組成比は、全繰り返し単位中30モル%以上であることが好ましく、50モル%以上であることがより好ましい。また、本発明の効果を得るためには、一般式(2)の繰り返し単位が、高分子化合物を構成する全構成単位に対し、3モル%以上含まれる必要があり、より好ましくは5モル%以上である。
更に、本発明の高分子化合物においては、重合により得られる高分子化合物の低分子成分を分別除去することで、分子量分布を表す分散度(Mw=重量平均分子量/Mn=数平均分子量)の値を1.7以下としたものを用いることが好ましい。低分子量部分を除くことにより分散度1.7以下とした場合、マスクブランクス上でのパターン形状が良好、特にアンダーカット問題の改善幅がよくなり、それにともない実質上の解像性も向上する。
また、上記重合手法により得られた高分子化合物の分散度は、得られた高分子化合物を良溶媒に溶解、このポリマー溶液を貧溶媒に攪拌中に投入後、貧溶媒中の低分子成分を分別除去することで、分散度を1.7以下とすることができる。この分画工程で使用する良溶媒、貧溶媒はアセトン、酢酸エチル、酢酸メチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ヘキサン、ペンタン、トルエン、ベンゼン等があげられ、これらのなかから分画工程に使用するポリマーの親油性、親水性に合わせて適宜選択することができる。加えて分別除去方法としては、貧溶媒中にポリマーを析出させる方法、良溶媒(得られるポリマー成分を含む)と貧溶媒(除去する低分子成分を含む)とに2層分離させる方法等が挙げられる。
但し、これら合成手法に限定されるものではない。
ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシル基のすべてをトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、2,2,2−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、4−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、4−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。
レジスト組成物に用いられる架橋剤の反応性等により最適な発生酸のアニオンは異なるが、一般的には揮発性がないもの、極端に拡散性の高くないものが選ばれる。この場合好適なアニオンは、ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、4−(4−トルエンスルホニルオキシ)ベンゼンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、2,2,2−トリフルオロエタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ヘプタデカフルオロオクタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンである。
上記架橋剤は単独又は2種以上混合して用いることができる。更に露光波長における透過率が低い架橋剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。
N(X)n(Y)3-n (B)−1
式中、n=1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異なっていてもよく、下記一般式(X)−1〜(X)−3で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子、又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X同士が結合して環を形成してもよい。
R303は単結合、又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル、エステル基、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。
トリス(2−メトキシメトキシエチル)アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(2−メトキシエトキシメトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−メトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシエトキシ)エチル}アミン、トリス{2−(1−エトキシプロポキシ)エチル}アミン、トリス[2−{2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ}エチル]アミン、4,7,13,16,21,24−ヘキサオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.8.8]ヘキサコサン、4,7,13,18−テトラオキサ−1,10−ジアザビシクロ[8.5.5]エイコサン、1,4,10,13−テトラオキサ−7,16−ジアザビシクロオクタデカン、1−アザ−12−クラウン−4、1−アザ−15−クラウン−5、1−アザ−18−クラウン−6、トリス(2−フォルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−ホルミルオキシエチル)アミン、トリス(2−アセトキシエチル)アミン、トリス(2−プロピオニルオキシエチル)アミン、トリス(2−ブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−イソブチリルオキシエチル)アミン、トリス(2−バレリルオキシエチル)アミン、トリス(2−ピバロイルオキシキシエチル)アミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(アセトキシアセトキシ)エチルアミン、トリス(2−メトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス(2−tert−ブトキシカルボニルオキシエチル)アミン、トリス[2−(2−オキソプロポキシ)エチル]アミン、トリス[2−(メトキシカルボニルメチル)オキシエチル]アミン、トリス[2−(tert−ブトキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス[2−(シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ)エチル]アミン、トリス(2−メトキシカルボニルエチル)アミン、トリス(2−エトキシカルボニルエチル)アミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(エトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−ヒドロキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−アセトキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(メトキシカルボニル)メトキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(2−オキソプロポキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−(テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−アセトキシエチル)2−[(2−オキソテトラヒドロフラン−3−イル)オキシカルボニル]エチルアミン、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)2−(4−ヒドロキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(4−ホルミルオキシブトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−ホルミルオキシエチル)2−(2−ホルミルオキシエトキシカルボニル)エチルアミン、N,N−ビス(2−メトキシエチル)2−(メトキシカルボニル)エチルアミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−ヒドロキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−アセトキシエチル)ビス[2−(エトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−ヒドロキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(3−アセトキシ−1−プロピル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−(2−メトキシエチル)ビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(メトキシカルボニル)エチル]アミン、N−ブチルビス[2−(2−メトキシエトキシカルボニル)エチル]アミン、N−メチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−エチルビス(2−アセトキシエチル)アミン、N−メチルビス(2−ピバロイルオキシキシエチル)アミン、N−エチルビス[2−(メトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、N−エチルビス[2−(tert−ブトキシカルボニルオキシ)エチル]アミン、トリス(メトキシカルボニルメチル)アミン、トリス(エトキシカルボニルメチル)アミン、N−ブチルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、N−ヘキシルビス(メトキシカルボニルメチル)アミン、β−(ジエチルアミノ)−δ−バレロラクトンを例示できるが、これらに制限されない。
溶剤としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを添加する際には、全溶剤に対して50質量%以上とすることが好ましく、乳酸アルキルエステルやプロピレングリコールアルキルエーテルを添加する際には全溶剤に対して50質量%以上とすることが好ましい。また、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルやプロピレングリコールアルキルエーテルの混合溶剤を溶剤として用いる際には、その合計量が全溶剤に対して50質量%以上であることが好ましい。この場合、更に好ましくは、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを5〜40質量%、乳酸アルキルエステルやプロピレングリコールアルキルエーテルを60〜95質量%の割合とすることが好ましい。プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが少ないと、塗布性劣化等の問題があり、多すぎると溶解性不十分、パーティクル、異物の発生の問題がある。乳酸アルキルエステルやプロピレングリコールアルキルエーテルが少ないと溶解性不十分、パーティクル、異物の増加等の問題があり、多すぎると粘度が高くなり塗布性が悪くなる上、保存安定性の劣化等の問題がある。
これら溶剤の添加量は化学増幅ネガ型レジスト組成物のベース樹脂100質量部に対して300〜2,000質量部、好ましくは400〜1,000質量部であるが、既存の成膜方法で可能な濃度であればこれに限定されるものではない。
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物の界面活性剤の添加量としては、ベース樹脂100質量部に対して2質量部以下、好ましくは1質量部以下である。
被加工基板及びその最表層を構成する材料は特に限定されるものではないが、例えば半導体用ウエハの場合、シリコンウエハを用いることができ、最表層となる材料の例としては、Si,SiO2,SiN,SiON,TiN,WSi,BPSG,SOG,有機反射防止膜等が挙げられる。
塗布膜厚は、目的とするパターン形状の最小線幅や、被加工基板のエッチング速度を考慮して設定するが、通常、最小線幅の1倍以上、8倍以下程度の厚さを選択する。
また、塗布後、レジスト膜に残存する不要な有機溶剤を除くためにホットプレート、加熱炉等でプリベークと呼ぶ加熱を行う。加熱条件は基板によって異なり、一概に決めることはできないが、ホットプレートを使用する場合には、目安として60〜150℃、1〜10分間、好ましくは80〜120℃、1〜5分間プリベークする。
パターン露光された基板は、再びポストエクスポージャーベーク(PEB)と呼ばれる加熱を行い、酸触媒による架橋反応を促進させる。加熱条件としては、例えばホットプレートを使用した場合には、60〜150℃、1〜20分間、好ましくは80〜120℃、1〜10分間の加熱により、露光部が好ましく硬化される。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン238.0g、4−クロロスチレン22.6g、インデン189.4g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.5g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体311gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を取り出し、濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解し、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体187gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロロスチレン:インデン=76.0:6.5:17.5
重量平均分子量(Mw)=4200
分子量分布(Mw/Mn)=1.59
これを(poly−A)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン212.0g、4−ブロモスチレン20.4g、インデン188.1g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.5g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体320gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体191gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−ブロモスチレン:インデン=77.7:5.4:16.9
重量平均分子量(Mw)=4100
分子量分布(Mw/Mn)=1.58
これを(poly−B)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン222.0g、4−メトキシカルボニルスチレン37.1g、インデン178.3g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.1g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体299gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体165gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−メトキシカルボニルスチレン:インデン=74.9:10.0:15.1
重量平均分子量(Mw)=4700
分子量分布(Mw/Mn)=1.63
これを(poly−C)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン254.1g、4−t−ブトキシカルボニルスチレン32.0g、インデン163.8g、溶媒としてトルエンを600g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を39.0g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体318gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール548gとアセトン112gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール548gとアセトン112gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン990gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体178gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−t−ブトキシカルボニルスチレン:インデン=77.8:7.0:15.1
重量平均分子量(Mw)=5000
分子量分布(Mw/Mn)=1.61
これを(poly−D)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン354.4g、4−クロロスチレン95.6g、溶媒としてトルエンを1500g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤としてAIBN(和光純薬製)を23.6g加え、65℃まで昇温後40時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール20.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体420gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。分画工程として反応溶液を濃縮後、メタノール822gとアセトン168gの混合溶媒に溶解し、この溶解溶液にヘキサン1485gを10分間かけて滴下投入した。この混合白濁溶液に対し静置分液を行い、下層(ポリマー層)を濃縮した。更に再び濃縮されたポリマーをメタノール822gとアセトン168gに溶解し、この溶解溶液にヘキサン1485gを用いる分散、分液操作を行い、得られた下層(ポリマー層)を濃縮した。この濃縮液を酢酸エチル1300gに溶解し、水375gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水375gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン375gに溶解、水20Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体280gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロロスチレン=75.8:24.2
重量平均分子量(Mw)=5200
分子量分布(Mw/Mn)=1.62
これを(poly−E)とする。
3Lのフラスコにアセトキシスチレン238.0g、4−クロロスチレン22.0g、インデン190.7g、溶媒としてトルエンを675g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル):V−65(和光純薬製)を40.5g加え、45℃まで昇温後20時間反応させ、次に55℃まで昇温後、更に20時間反応させた。この反応溶液を1/2まで濃縮し、メタノール15.0L溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、40℃で減圧乾燥し、白色重合体309gを得た。
このポリマーをメタノール488g、テトラヒドロフラン540gに再度溶解し、トリエチルアミン162g、水32gを加え、60℃で40時間脱保護反応を行った。この反応溶液を濃縮後、酢酸エチル870gに溶解し、水250gと酢酸98gの混合液で中和分液洗浄を1回、更に水225gとピリジン75gで1回、水225gで4回の分液洗浄を行った。この後、上層の酢酸エチル溶液を濃縮し、アセトン250gに溶解、水15Lに沈殿させ、濾過、50℃、40時間の真空乾燥を行い、白色重合体220gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:4−クロロスチレン:インデン=75.6:7.5:16.9
重量平均分子量(Mw)=4700
分子量分布(Mw/Mn)=1.88
これを(poly−F)とする。
上記合成例と同様の手法により、poly−G、poly−H、poly−I、poly−Jを合成した。
ヒドロキシスチレン:インデン=74.5:25.5
重量平均分子量(Mw)=4400
分子量分布(Mw/Mn)=1.60
これを(poly−G)とする。
ヒドロキシスチレン:4−イソプロピルオキシスチレン:インデン=73.9:11.6:14.5
重量平均分子量(Mw)=4100
分子量分布(Mw/Mn)=1.70
これを(poly−H)とする。
ヒドロキシスチレン:3,5−ジメトキシスチレン:インデン=70.8:15.6:13.6
重量平均分子量(Mw)=4300
分子量分布(Mw/Mn)=1.65
これを(poly−I)とする。
ヒドロキシスチレン:4−アセトキシスチレン:インデン=74.6:10.6:14.8
重量平均分子量(Mw)=4500
分子量分布(Mw/Mn)=1.65
これを(poly−J)とする。
表1、2に示す化学増幅ネガ型レジスト組成物を調製した。表中の値は、それぞれの質量比で混合したことを示す。このときの、表1、2に挙げるレジスト組成物の成分は次の通りである。
架橋剤1:テトラメトキシメチルグリコールウリル
架橋剤2:ヘキサメトキシメチルメラミン
PAG1:トリフェニルスルホニウム2,5−ジメチルベンゼンスルホネート
PAG2:トリフェニルスルホニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホネート
塩基性化合物:トリス(2−メトキシエチル)アミン
界面活性剤A:KH−20(旭硝子)
溶剤A:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
溶剤B:乳酸エチル
次いで、このマスクブランクスを110℃のホットプレートで10分間ベークした。更に、電子線露光装置(株式会社日立ハイテクノロジーズ製、HL−800D 加速電圧50keV)を用いて露光し、120℃で10分間ベーク(PEB:post exposure bake)を施し、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ネガ型のパターン(実施例1〜5、参考例1,2、比較例1〜4)を得ることができた。
0.20μmのラインアンドスペースのトップとボトムを1:1で解像する露光量を最適露光量(感度:Eop)として、この露光量における、マスクブランクス上でパターン倒れをおこさず分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像したレジストパターンの形状は、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察した。
加えて、ラインアンドスペースのレジスト断面において、スペース間にレジストの溶解残渣(レジストの現像液への溶け残り)によるブリッジが確認される直前の線幅をブリッジマージンとして、数値が小さいほどスペース部の解像性が良好である指標とした。
Prees:250mJ,RF Power:800W,Gas:
1)CHF3 20sccm
2)CF4 20sccm
3)Ar 400sccm,エッチング時間:2分30秒
図2に比較例2より得られたレジストパターン(0.1μmのラインアンドスペース)を示す。強いアンダーカットによりパターンが一部転倒していると共に、ブリッジが発生した後、崩れることにより、パターンより小さな角状の突き出しが出ていることが観察される。
Claims (8)
- 下記一般式(1)及び一般式(2)
で示される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜50,000である高分子化合物を含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。 - 上記Xの電子吸引基が、塩素、臭素、ヨウ素より選ばれる1以上である請求項1記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 上記高分子化合物が、更に下記一般式(3)
で示される繰り返し単位を含む、請求項1又は2に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。 - 上記高分子化合物の重量平均分子量が2,000〜8,000である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 上記高分子化合物の分散度Mw/Mnが1.7以下である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程、露光前加熱工程、光,軟X線又は電子線で露光する工程、露光後加熱工程、水性アルカリ溶液による現像工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
- 上記基板が、透明基板上に機能性膜が積層されたフォトマスクブランクであって、該機能性膜の最表層の材料が遷移金属化合物材料であることを特徴とする請求項6記載のパターン形成方法。
- 上記遷移金属化合物材料が、クロム、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、タングステン、チタン、ニオブより選ばれる1以上の遷移金属、又は、更に該遷移金属に加えて酸素、窒素、炭素より選ばれる元素を1以上含む材料であることを特徴とする請求項7記載のパターン形成方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087243A JP4678383B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
EP08005856.3A EP1975711B1 (en) | 2007-03-29 | 2008-03-27 | Chemically amplified negative resist composition and patterning process |
KR1020080028972A KR20080088504A (ko) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
CN2013100546779A CN103176353A (zh) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | 化学放大的负性抗蚀剂组合物和图案形成方法 |
CNA2008101737999A CN101387831A (zh) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | 化学放大的负性抗蚀剂组合物和图案形成方法 |
TW097111189A TWI416259B (zh) | 2007-03-29 | 2008-03-28 | 化學增幅型負型光阻組成物及圖型之形成方法 |
US12/058,967 US20080241751A1 (en) | 2007-03-29 | 2008-03-31 | Chemically amplified negative resist composition and patterning process |
US13/074,680 US9075306B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-29 | Chemically amplified negative resist composition and patterning process |
KR1020130103095A KR20130103693A (ko) | 2007-03-29 | 2013-08-29 | 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
KR1020140060531A KR101661803B1 (ko) | 2007-03-29 | 2014-05-20 | 화학 증폭 네가티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007087243A JP4678383B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008249762A JP2008249762A (ja) | 2008-10-16 |
JP4678383B2 true JP4678383B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=39642741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007087243A Active JP4678383B2 (ja) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20080241751A1 (ja) |
EP (1) | EP1975711B1 (ja) |
JP (1) | JP4678383B2 (ja) |
KR (3) | KR20080088504A (ja) |
CN (2) | CN101387831A (ja) |
TW (1) | TWI416259B (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5290129B2 (ja) | 2008-12-25 | 2013-09-18 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP5177434B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2013-04-03 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5439030B2 (ja) | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法 |
JP5445320B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4955732B2 (ja) | 2009-05-29 | 2012-06-20 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4950252B2 (ja) | 2009-07-01 | 2012-06-13 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
EP2311888B1 (en) | 2009-10-13 | 2013-11-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Deprotection method of protected polymer |
JP5584573B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2014-09-03 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5054089B2 (ja) | 2009-12-10 | 2012-10-24 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5472072B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-04-16 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5598350B2 (ja) | 2010-02-16 | 2014-10-01 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用又はeuv用化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5007846B2 (ja) | 2010-02-26 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5611652B2 (ja) * | 2010-05-06 | 2014-10-22 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料、パターン形成方法及びフォトマスクブランク |
JP5368392B2 (ja) | 2010-07-23 | 2013-12-18 | 信越化学工業株式会社 | 電子線用レジスト膜及び有機導電性膜が積層された被加工基板、該被加工基板の製造方法、及びレジストパターンの形成方法 |
JP5434980B2 (ja) | 2010-07-28 | 2014-03-05 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5397343B2 (ja) | 2010-07-28 | 2014-01-22 | 信越化学工業株式会社 | 重合性単量体 |
JP5365651B2 (ja) | 2011-02-28 | 2013-12-11 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5445488B2 (ja) | 2011-02-28 | 2014-03-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5597616B2 (ja) * | 2011-10-03 | 2014-10-01 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型化学増幅レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク |
US9244348B2 (en) | 2012-02-13 | 2016-01-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified negative resist composition and pattern forming process |
JP6010564B2 (ja) | 2014-01-10 | 2016-10-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
WO2015127353A1 (en) * | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Tokyo Electron Limited | Metrology for measurement of photosensitizer concentration within photo-sensitized chemically-amplified resist |
JP6524388B2 (ja) | 2014-02-24 | 2019-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 光増感化学増幅レジストで酸ショットノイズとして複製されるeuvショットノイズの軽減 |
JP6758575B2 (ja) | 2014-02-24 | 2020-09-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 感光性化学増幅レジスト化学物質およびプロセスを使用する方法および技術 |
JP6895600B2 (ja) | 2014-02-25 | 2021-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像可能な底部反射防止コーティングおよび着色インプラントレジストのための化学増幅方法および技術 |
JP6059675B2 (ja) | 2014-03-24 | 2017-01-11 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
EP3081988B1 (en) | 2015-04-07 | 2017-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Negative resist composition and pattern forming process |
JP6531684B2 (ja) | 2015-04-13 | 2019-06-19 | 信越化学工業株式会社 | 新規オニウム塩化合物を用いた化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6609193B2 (ja) * | 2016-01-25 | 2019-11-20 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物、積層体、パターン形成方法、及び化合物 |
US10429745B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-10-01 | Osaka University | Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) simulation |
US10048594B2 (en) | 2016-02-19 | 2018-08-14 | Tokyo Electron Limited | Photo-sensitized chemically amplified resist (PS-CAR) model calibration |
TWI657314B (zh) | 2016-05-13 | 2019-04-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 藉由使用光敏化學品或光敏化學增幅型光阻劑之臨界尺寸控制 |
TWI662360B (zh) | 2016-05-13 | 2019-06-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 藉由使用光劑之臨界尺寸控制 |
JP6561937B2 (ja) | 2016-08-05 | 2019-08-21 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US10416558B2 (en) * | 2016-08-05 | 2019-09-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition, resist pattern forming process, and photomask blank |
JP7009980B2 (ja) | 2016-12-28 | 2022-01-26 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6922849B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、ポリマー、ネガ型レジスト組成物、フォトマスクブランク、及びレジストパターン形成方法 |
JP6874738B2 (ja) | 2018-05-25 | 2021-05-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7099250B2 (ja) | 2018-10-25 | 2022-07-12 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2021034567A1 (en) | 2019-08-16 | 2021-02-25 | Tokyo Electron Limited | Method and process for stochastic driven defectivity healing |
JP7444049B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-03-06 | 信越化学工業株式会社 | アルコール化合物、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7415972B2 (ja) | 2021-02-12 | 2024-01-17 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US11490995B2 (en) | 2021-03-25 | 2022-11-08 | Brius Technologies, Inc. | Orthodontic treatment and associated devices, systems, and methods |
JP2022175368A (ja) | 2021-05-13 | 2022-11-25 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物、フォトマスクブランク、レジストパターンの形成方法、及び高分子化合物の製造方法 |
JP2023177048A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2023177272A (ja) | 2022-06-01 | 2023-12-13 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001281864A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線またはx線用レジスト組成物 |
JP2002174904A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線レジスト組成物 |
JP2002278068A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
JP2003121999A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2004101811A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2005062800A (ja) * | 2002-12-18 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 重合性組成物及び平版印刷版原版 |
JP2006201532A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007140070A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2008077057A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-04-03 | Jsr Corp | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3476295A (en) * | 1968-01-03 | 1969-11-04 | Henri E Telfer | Liquid dispensing apparatus having a dispensing top closure |
US5380609A (en) * | 1992-07-30 | 1995-01-10 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating photomasks having a phase shift layer comprising the use of a positive to negative resist, substrate imaging and heating |
EP1204001B1 (en) * | 2000-11-01 | 2013-09-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US6595021B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-07-22 | Chuck Skinner | Ice cube catcher |
KR100402604B1 (ko) * | 2001-09-07 | 2003-10-17 | 주식회사 엘지이아이 | 냉장고 도어의 외장재 |
JP3877605B2 (ja) * | 2002-02-08 | 2007-02-07 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4056332B2 (ja) * | 2002-09-06 | 2008-03-05 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物 |
KR100488074B1 (ko) * | 2003-03-22 | 2005-05-06 | 엘지전자 주식회사 | 냉장고의 도어구조 |
JP4088784B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2008-05-21 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料 |
KR20050026740A (ko) * | 2003-09-06 | 2005-03-16 | 엘지전자 주식회사 | 디스펜서를 구비한 냉장고 |
JP4478589B2 (ja) | 2005-02-02 | 2010-06-09 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5439030B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法 |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007087243A patent/JP4678383B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-27 EP EP08005856.3A patent/EP1975711B1/en active Active
- 2008-03-28 TW TW097111189A patent/TWI416259B/zh active
- 2008-03-28 CN CNA2008101737999A patent/CN101387831A/zh active Pending
- 2008-03-28 KR KR1020080028972A patent/KR20080088504A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-03-28 CN CN2013100546779A patent/CN103176353A/zh active Pending
- 2008-03-31 US US12/058,967 patent/US20080241751A1/en not_active Abandoned
-
2011
- 2011-03-29 US US13/074,680 patent/US9075306B2/en active Active
-
2013
- 2013-08-29 KR KR1020130103095A patent/KR20130103693A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-05-20 KR KR1020140060531A patent/KR101661803B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001281864A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線またはx線用レジスト組成物 |
JP2002174904A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線レジスト組成物 |
JP2002278068A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電子線又はx線用ネガ型レジスト組成物 |
JP2003121999A (ja) * | 2001-10-12 | 2003-04-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2004101811A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Fuji Photo Film Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
JP2005062800A (ja) * | 2002-12-18 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 重合性組成物及び平版印刷版原版 |
JP2006201532A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2007140070A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2008077057A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-04-03 | Jsr Corp | 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200912536A (en) | 2009-03-16 |
CN103176353A (zh) | 2013-06-26 |
US9075306B2 (en) | 2015-07-07 |
EP1975711A1 (en) | 2008-10-01 |
KR20080088504A (ko) | 2008-10-02 |
EP1975711B1 (en) | 2015-08-19 |
KR101661803B1 (ko) | 2016-09-30 |
TWI416259B (zh) | 2013-11-21 |
US20080241751A1 (en) | 2008-10-02 |
US20110177464A1 (en) | 2011-07-21 |
JP2008249762A (ja) | 2008-10-16 |
KR20130103693A (ko) | 2013-09-24 |
KR20140083936A (ko) | 2014-07-04 |
CN101387831A (zh) | 2009-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4678383B2 (ja) | 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 | |
JP5183903B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP4396849B2 (ja) | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3865048B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4088784B2 (ja) | 高分子化合物の製造方法及びレジスト材料 | |
JP4557159B2 (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP3844069B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP5385017B2 (ja) | レジストパターン形成方法及びフォトマスクの製造方法 | |
JP4582331B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3877605B2 (ja) | ネガ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法 | |
KR20020034930A (ko) | 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 | |
JP2006225476A (ja) | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3821217B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4614089B2 (ja) | ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP3981830B2 (ja) | レジスト材料及びパターン形成方法 | |
JP4198351B2 (ja) | 高分子化合物の製造方法及び該高分子化合物を用いたレジスト材料 | |
JP5348062B2 (ja) | 化学増幅ポジ型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法及びメッキパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090826 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090902 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100825 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110105 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4678383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 3 |