JP2016161873A - パターン形成方法および制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パターン欠陥を高精度で修正することができるパターン修正方法を提供すること。
【解決手段】実施形態のパターン修正方法では、基板上に形成された第1膜上に形成するレジストパターンが形成される。この工程では、前記第1膜上の第1領域内でパターンが欠損した第1パターンを有するレジストパターンが形成される。つぎに、前記第1領域内の前記第1パターン上に保護膜が堆積される。また、前記レジストパターン及び前記保護膜を用いて、前記第1領域外の第2領域内の前記第1膜に、第2パターンが転写される。そして、前記第1領域内の前記第1膜に、第3パターンが形成される。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態のパターン修正方法では、基板上に形成された第1膜上に形成するレジストパターンが形成される。この工程では、前記第1膜上の第1領域内でパターンが欠損した第1パターンを有するレジストパターンが形成される。つぎに、前記第1領域内の前記第1パターン上に保護膜が堆積される。また、前記レジストパターン及び前記保護膜を用いて、前記第1領域外の第2領域内の前記第1膜に、第2パターンが転写される。そして、前記第1領域内の前記第1膜に、第3パターンが形成される。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、パターン形成方法および制御装置に関する。
半導体製造のリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクやインプリント工程に用いられるテンプレート(原版)は、欠陥の無いパターンを形成しておく必要がある。そのため、フォトマスクやテンプレートが製造される際には、パターン欠陥が修正されている。
例えば、フォトマスクの製造工程では、マスク基板上のレジスト膜に所望パターンが描画され、その後、エッチングによってマスク基板上にパターンが形成される。この後、欠陥検査装置によって、パターン欠陥が検出されると、検出されたパターン欠陥が荷電粒子ビーム修正装置などによって修正される。
所望パターンに対して膜残りまたはエッチング不足が発生している欠陥は、黒欠陥と呼ばれる。また、所望パターンに対して膜欠損またはエッチングオーバーが発生している欠陥は、白欠陥と呼ばれる。
近年、黒欠陥のパターン修正に対しては、加工精度要求を満たす技術が確立されている。しかしながら、白欠陥のパターン修正に対しては、nmオーダーの精度かつ基板と同じ材料で所望形状のパターンを形成することはできない。
本発明が解決しようとする課題は、パターン欠陥を高精度で修正することができるパターン形成方法および制御装置を提供することである。
実施形態によれば、パターン形成方法が提供される。前記パターン形成方法では、基板上に形成された第1膜上に形成するレジストパターンが形成される。この工程では、前記第1膜上の第1領域内でパターンが欠損した第1パターンを有するレジストパターンが形成される。つぎに、前記第1領域内の前記第1パターン上に保護膜が堆積される。また、前記レジストパターン及び前記保護膜を用いて、前記第1領域外の第2領域内の前記第1膜に、第2パターンが転写される。そして、前記第1領域内の前記第1膜に、第3パターンが形成される。
以下に添付図面を参照して、実施形態に係るパターン形成方法および制御装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の実施形態で用いられる模式図は模式的なものであり、実際のサイズの比率を表すものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法の処理手順を示す図である。図1の(a)〜(e)では、それぞれ、上段側に基板の断面図を示し、下段側に基板の上面図を示している。図1の(a)〜(e)に示す各断面図は、それぞれ下段側の上面図を点線の位置で切断した場合の断面図である。
図1は、第1の実施形態に係るパターン形成方法の処理手順を示す図である。図1の(a)〜(e)では、それぞれ、上段側に基板の断面図を示し、下段側に基板の上面図を示している。図1の(a)〜(e)に示す各断面図は、それぞれ下段側の上面図を点線の位置で切断した場合の断面図である。
本実施形態では、後述するパターン形成装置1Aが、基板上の白欠陥を含む領域に保護膜を堆積させる。そして、保護膜上から基板がエッチングされることによって、基板上に黒欠陥を含むパターンが形成される。その後、黒欠陥を含むパターンが荷電粒子ビーム修正装置などによって修正される。
パターン修正される対象(基板)は、例えば、マスクブランクス(リソグラフィ原版)上のレジストパターンである。マスクブランクスは、石英ガラス基板10と、石英ガラス基板10上に成膜された遮光膜11とを備えている。遮光膜11は、例えば、Cr(クロム)膜またはCr/Ta(タンタル)膜などである。
マスクブランクスは、遮光膜11がパターニングされることによってマスクパターンが形成される。マスクブランクスは、マスクパターンが形成されることによってフォトマスクとなる。
図1の(a)に示すように、マスクブランクスからフォトマスクが形成される際には、遮光膜11上にマスクパターンに対応するレジストパターン12が形成される。このレジストパターン12は、例えば、EB(Electron Beam)描画装置および現像装置などを用いて形成される。
レジストパターン12には、パターン欠陥が含まれる場合がある。パターン欠陥は、所望のパターン形状とは異なるパターン形状を有したパターンである。パターン欠陥には、白欠陥(膜欠損欠陥)と黒欠陥(膜残り欠陥)とがある。
白欠陥(clear defect)は、所望パターンに対して膜欠損またはエッチングオーバーが発生している欠陥である。また、黒欠陥(opaque defect)は、所望パターンに対して膜残りまたはエッチング不足が発生している欠陥である。
図2は、白欠陥および黒欠陥を説明するための図である。図2の(a)は、所望パターンL0の形状を示す上面図である。また、図2の(b)は、白欠陥パターンLxの形状を示す上面図であり、図2の(c)は、黒欠陥パターンLyの形状を示す上面図である。
所望パターンL0に対して膜欠損などが発生しているパターンが、白欠陥パターンLxである。また、所望パターンL0に対して膜残りなどが発生しているパターンが、黒欠陥パターンLyである。
レジストパターン12が形成された後、パターン形成装置1Aによって、レジストパターン12のパターン欠陥の位置情報が抽出される。本実施形態では、白欠陥の発生している領域が、白欠陥領域の位置情報として抽出される。白欠陥領域は、白欠陥の全てを包含する領域であり、例えば、円形領域である。
そして、図1の(b)に示すように、白欠陥領域のレジストパターン12上に保護膜(堆積膜)20が形成される。保護膜20は、エッチングの際に遮光膜11を保護する膜である。保護膜20は、樹脂などのレジストであってもよいし、レジスト以外の膜であってもよい。保護膜20は、例えば、レジストパターン12と同様の材料で構成されている。
保護膜20は、パターン形成装置1Aがインクジェット方式で保護剤(液滴)を白欠陥領域に滴下することによって堆積される。パターン形成装置1Aは、白欠陥領域の全領域が保護膜20で覆われるよう、保護剤を白欠陥領域上に滴下する。換言すると、白欠陥を全て覆うように保護膜20が形成される。
この後、レジストパターン12および保護膜20をマスクとして遮光膜11がエッチングされる。これにより、レジストパターン12が形成されておらず、かつ保護膜20が形成されていない領域、つまり保護膜20が形成された領域外の領域内は、図1の(c)に示すように、遮光膜11がエッチングされて除去される。一方、レジストパターン12および保護膜20の少なくとも一方が形成されている領域は、遮光膜11が残る。
この後、レジストパターン12および保護膜20が剥離されると、図1の(d)に示すように、レジストパターン12および保護膜20に対応する遮光膜パターン21が石英ガラス基板10上に残る。この結果、レジストパターン12および保護膜20に対応するパターンが、遮光膜パターン21に転写される。
遮光膜パターン21のうち、保護膜20に対応する領域は、黒欠陥を含んでいる。換言すると、遮光膜パターン21のパターン欠陥は、黒欠陥のみとなり白欠陥を含んでいない。このため、黒欠陥が形成されたパターンが荷電粒子ビーム修正装置などによって修正される。これにより、図1の(e)に示すように、パターン欠陥のない遮光膜パターン22が形成される。この結果、パターン欠陥が高精度で修正されたフォトマスクが形成される。
本実施形態のパターン形成方法では、レジストパターン12が形成された後、再度、レジストパターンを形成する必要はない。したがって、容易にフォトマスクを形成することができる。また、白欠陥と黒欠陥が混在している領域に対しても、保護膜20の形成処理と黒欠陥の修正処理とを用いて、容易にパターン欠陥を修正することができる。
ここで、保護剤の滴下位置について説明する。図3は、保護剤の滴下位置を説明するための図である。インクジェット方式で吐出される保護剤(液滴)は、レジストパターン12上で円形形状を有した保護膜20となる。保護膜20のサイズは、上面から見た場合の滴下後の直径が、例えば、1〜15μmである。
例えば、インクジェット方式で堆積できる保護剤の最小サイズ(保護膜20の直径)が、R0であるとする。また、ある白欠陥C1の中心位置が中心Pcであり、この白欠陥C1の全領域を包含するのに必要な円形領域の最小サイズ(膜堆積サイズの直径)が、Rxであるとする。
R0>Rxの場合、保護膜20を堆積させるサイズRnは、Rn=R0に設定される。換言すると、R0>Rxの場合、R0の直径を有した保護膜20が、白欠陥C1上に形成される。このときの保護膜20の中心位置Pnは、白欠陥C1の中心Pcと同じ位置である。これにより、白欠陥C1の全領域が保護膜20によって覆われる。
なお、保護膜20の中心位置Pnは、白欠陥C1の中心Pcを基準位置として、(R0−Rx)/2までの距離なら移動させてもよい。換言すると、保護膜20の中心位置Pnは、中心Pcを中心とした半径(R0−Rx)/2の範囲内であれば、何れの位置に移動させてもよい。
保護膜20の中心位置Pnは、例えば、次の工程で生じる黒欠陥が形成されたパターン領域の面積が最小となるよう設定される。例えば、白欠陥C1の近くに黒欠陥がある場合には、白欠陥C1および黒欠陥を含む位置に保護膜20の中心位置Pnが設定される。
また、R0≦Rxの場合、Rn(保護膜20を堆積させるサイズ)≧Rx(白欠陥C1のサイズ)、かつPn=Pcとなるよう、複数の保護剤(液滴)が滴下される。なお、R0≦Rxの場合、保護剤の複数液滴は、異なる位置に滴下されてもよい。
ところで、保護剤の滴下位置には、位置ずれが発生する場合がある。この場合、滴下位置の位置ずれを考慮して、保護膜20を堆積させるサイズRnおよび保護膜20の中心位置Pnが設定されてもよい。
つぎに、パターン形成装置1Aの構成について説明する。図4は、第1の実施形態に係るパターン形成装置の構成を示す図である。パターン形成装置1Aは、レジストパターン12が形成されたマスクブランクス100などに、保護膜20となる保護剤(レジストなど)を滴下する装置である。パターン形成装置1Aが滴下する保護剤は、光硬化性の樹脂などである。
パターン形成装置1Aは、インクジェット方式でマスクブランクス100上に保護剤を滴下する。マスクブランクス100は、図1の(a)に示したように、石英ガラス基板10と遮光膜11とを備えている。マスクブランクス100に形成されるレジストパターン12は、マスクブランクス100に転写される回路パターンなどである。
パターン形成装置1Aは、パターン検出機構2、液滴化機構3、制御装置4A、試料ステージ5A、基板チャック6A、UV光源7を備えている。パターン検出機構2は、画像の撮像装置などを備えており、マスクブランクス100の表面に形成されているパターン形状を検出する。パターン検出機構2は、例えば、レジストパターン12を撮像し、撮像結果(レジストパターン画像)を制御装置4Aに送る。
液滴化機構3は、インクジェット方式によってマスクブランクス100の表面に保護剤を滴下する。液滴化機構3が備えるインクジェットヘッド(図示せず)は、保護剤の液滴を噴出する微細孔を有している。液滴化機構3は、マスクブランクス100に対し、制御装置4Aから指示のあった位置に保護剤を滴下する。
試料ステージ5Aは、マスクブランクス100を載置するとともに、載置したマスクブランクス100と平行な平面内(水平面内)を移動する。試料ステージ5A上には、基板チャック6Aが設けられている。基板チャック6Aは、マスクブランクス100を試料ステージ5A上の所定位置に固定する。
UV光源7は、UV光を照射する光源であり、基板チャック6Aの上方に設けられている。UV光源7は、マスクブランクス100上の保護剤にUV光を照射する。保護剤は、UV光が照射されることによって硬化し、保護膜20となる。
制御装置4Aは、パターン形成装置1Aの各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。制御装置4Aは、例えば、パターン検出機構2、液滴化機構3、試料ステージ5A、UV光源7を制御する。
マスクブランクス100に対してパターン形成(パターン修正)が行われる際には、マスクブランクス100が基板チャック6A上に固定される。そして、パターン検出機構2が、マスクブランクス100の表面に形成されているレジストパターン12を撮像し、撮像したレジストパターン画像を制御装置4Aに送る。
制御装置4Aは、パターン検出機構2から送られてくるレジストパターン画像に基づいて、白欠陥領域を検出する。そして、制御装置4Aは、白欠陥領域に基づいて保護剤の滴下位置を設定し、設定した滴下位置を液滴化機構3に送る。
これにより、液滴化機構3は、制御装置4Aに指示された滴下位置に保護剤を滴下する。マスクブランクス100に保護剤が滴下される際には、試料ステージ5Aに載せられたマスクブランクス100が液滴化機構3の直下まで移動させられる。そして、液滴化機構3が、マスクブランクス100上の所定位置に保護剤を滴下する。
マスクブランクス100上に滴下された保護剤は、UV光源7からのUV光の照射によって硬化し、保護膜20となる。パターン形成装置1Aでは、保護剤の滴下と、UV光の照射とが順番に繰り返される。なお、保護剤が複数個所に滴下された後に、複数個所にまとめてUV光が照射されてもよい。
つぎに、制御装置4Aの構成について説明する。図5は、第1の実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。制御装置4Aは、画像入力部41と、設計パターン記憶部42と、欠陥領域抽出部43と、滴下位置設定部44Aと、滴下指示出力部45Aとを備えている。
画像入力部41は、パターン検出機構2から送られてくるレジストパターン画像を受信して欠陥領域抽出部43に送る。設計パターン記憶部42は、マスクブランクス100に形成するマスクパターン(レジストパターン12)の設計レイアウトを記憶するメモリなどである。設計レイアウトは、所望パターンの形状、位置および寸法を示すデータである。レジストパターン12は、設計レイアウトで示される形状、位置および寸法に対応する形状、位置および寸法となるよう形成されている。したがって、レジストパターン12にパターン欠陥が無い場合には、設計レイアウトのパターン形状とレジストパターン12のパターン形状とは略同じになる。
欠陥領域抽出部43は、画像入力部41から送られてくるレジストパターン画像と、設計パターン記憶部42内の設計レイアウトと、に基づいて、白欠陥領域に関する欠陥情報を抽出する。具体的には、欠陥領域抽出部43は、レジストパターン画像と、設計レイアウトと、を比較する。そして、欠陥領域抽出部43は、設計レイアウトに含まれるパターンであってレジストパターン12に含まれていないパターンに関する情報を、白欠陥領域に関する欠陥情報としてレジストパターン12から抽出する。換言すると、欠陥領域抽出部43は、レジストパターン12と設計レイアウトとを比較し、レジストパターン12のうち膜欠損などの発生している箇所を白欠陥領域に関する欠陥情報として抽出する。
また、欠陥領域抽出部43は、レジストパターン12と設計レイアウトとを比較し、レジストパターン12のうち膜残りなどの発生している箇所を黒欠陥領域に関する欠陥情報として抽出する。具体的には、欠陥領域抽出部43は、レジストパターン画像と、設計レイアウトと、を比較する。そして、欠陥領域抽出部43は、レジストパターン12に含まれるパターンであって設計レイアウトに含まれていないパターンに関する情報を、黒欠陥領域に関する欠陥情報としてレジストパターン12から抽出する。換言すると、欠陥領域抽出部43は、レジストパターン12と設計レイアウトとを比較し、レジストパターン12のうち膜残りなどの発生している箇所を黒欠陥領域として抽出する。
欠陥領域抽出部43は、抽出した白欠陥領域に関する欠陥情報および黒欠陥領域に関する欠陥情報を滴下位置設定部44Aに送る。欠陥情報は、白欠陥の形状、位置および寸法と、黒欠陥の形状、位置および寸法と、を含んでいる。
滴下位置設定部44Aは、白欠陥領域および黒欠陥に関する欠陥情報に基づいて、レジストパターン12上への保護剤の滴下位置を設定する。滴下位置設定部44Aは、被覆対象の白欠陥の全てが覆われ、かつエッチング後に黒欠陥の面積が最小となるよう保護剤の滴下位置を設定する。
滴下位置設定部44Aは、白欠陥の周囲に黒欠陥が無い場合には、保護膜20によって多くのレジストパターン12が覆われる位置に滴下位置の中心を設定する。例えば、白欠陥と黒欠陥との距離が所定値よりも離れている場合には、白欠陥の全てを覆う位置に滴下位置の中心を設定すると、保護膜20は、黒欠陥の一部でさえも覆うことができない。このような場合には、滴下位置設定部44Aは、白欠陥の全てを覆う位置で、且つできるだけ多くのレジストパターン12が覆われる位置に滴下位置の中心を設定する。
一方、滴下位置設定部44Aは、白欠陥の周囲に黒欠陥がある場合には、保護膜20によって多くの黒欠陥およびレジストパターン12が覆われる位置に滴下位置の中心を設定する。例えば、白欠陥と黒欠陥との距離が所定値よりも近い場合には、白欠陥の全てを覆う位置に滴下位置の中心を設定すると、保護膜20は、黒欠陥の一部を覆うことができる場合がある。このような場合には、滴下位置設定部44Aは、白欠陥の全てを覆う位置で、且つできるだけ多くの黒欠陥およびレジストパターン12が覆われる位置に滴下位置の中心を設定する。
また、所定の面積よりも大きな白欠陥領域がある場合には、滴下位置設定部44Aは、所定の面積よりも大きな白欠陥領域に対して複数の滴下位置を設定する。例えば、1つの白欠陥領域を包含することができる最小の円形領域が、保護膜20の直径より大きい場合には、滴下位置設定部44Aは、上記1つの白欠陥領域に対して複数の滴下位置を設定する。この場合において、滴下位置設定部44Aは、複数の滴下位置を同一の座標に設定してもよいし、異なる座標に設定してもよい。
滴下位置設定部44Aは、設定した滴下位置と、この滴下位置での液滴数を滴下指示出力部45Aに送る。滴下指示出力部45Aは、滴下位置設定部44Aから送られてきた滴下位置に保護剤を滴下させる指示(滴下指示)を出力する。滴下指示出力部45Aが出力した滴下指示は、液滴化機構3に送られる。
レジストパターン12に保護剤が滴下される際には、パターン検出機構2が、レジストパターン12を撮像して画像入力部41に送る。そして、欠陥領域抽出部43が、レジストパターン画像と設計レイアウトとに基づいて、白欠陥領域および黒欠陥領域に関する欠陥情報を抽出する。さらに、滴下位置設定部44Aが、白欠陥領域および黒欠陥に関する欠陥情報に基づいて、保護剤の滴下位置をレジストパターン12上に設定する。そして、滴下指示出力部45Aが、設定された滴下位置に保護剤を滴下させる指示を液滴化機構3に送る。
なお、本実施形態では、パターン修正される基板が、透過型マスクのマスクブランクスである場合について説明したが、パターン修正される基板は、反射型マスクのマスクブランクスであってもよい。
図6は、反射型マスクのマスクブランクスの構成を示す図である。マスクブランクス101は、反射型マスクの形成に用いられる原版である。反射型マスクは、例えば、EUV(Extreme Ultraviolet Lithography)露光で用いられるEUVマスクなどである。
マスクブランクス101は、石英ガラス基板50と、EUV反射膜51Aと、吸収膜51Bとを備えている。マスクブランクス101では、石英ガラス基板50上にEUV反射膜51Aが形成され、EUV反射膜51A上に吸収膜51Bが形成されている。
EUV反射膜51Aは、MoSi(モリブデンシリサイド)多層膜などで形成されており、EUV光を反射する。吸収膜51Bは、Ta(タンタル)などで形成されており、EUV光を吸収する。
EUVマスクは、マスクブランクス101の吸収膜51Bがパターニングされることによって形成される。吸収膜51Bがパターニングされる際には、吸収膜51B上にレジストパターン52が形成される。このとき、パターン形成装置1Aは、レジストパターン52から白欠陥領域と黒欠陥領域を抽出し、白欠陥領域上に保護膜20を形成する。そして、レジストパターン52および保護膜20上から吸収膜51Bがエッチングされ、その後、吸収膜51Bで黒欠陥が形成されたパターンが修正される。
また、マスクブランクス100は、バイナリマスクの形成に用いられるマスクブランクスに限らずハーフトーンマスクの形成に用いられるマスクブランクスであってもよい。この場合、マスクブランクス100には、遮光膜11の代わりにMoSi膜などのハーフトーン膜(半透過)が配置される。
また、パターン修正される基板は、NIL(Nanoimprint lithography)などで用いられるインプリント用ブランクスであってもよい。図7は、インプリント用ブランクスの構成を示す図である。インプリント用ブランクス102は、インプリント工程に用いられるテンプレートの原版である。
インプリント用ブランクス102は、石英ガラス基板60を備えている。テンプレートは、インプリント用ブランクス102に凹凸パターン(テンプレートパターン)が形成されることによって形成される。
インプリント用ブランクス102に凹凸パターンが形成される際には、インプリント用ブランクス102上にレジストパターン62が形成される。このとき、パターン形成装置1Aは、レジストパターン62から白欠陥領域と黒欠陥領域に関する欠陥情報を抽出し、白欠陥領域上に保護膜20を形成する。そして、レジストパターン62および保護膜20上からインプリント用ブランクス102がエッチングされて凹凸パターンが形成され、その後、凹凸パターンの黒欠陥が修正される。
なお、インプリント用ブランクス102上にエッチング時のハードマスクとなるハードマスク層などが形成されていてもよい。ハードマスク層は、例えば、クロム層などである。インプリント用ブランクス102上にハードマスク層が配置されている場合、ハードマスク層上にレジストパターン62が形成される。そして、パターン形成装置1Aは、レジストパターン62の白欠陥領域上に保護膜20を形成する。この後、レジストパターン62および保護膜20上からハードマスク層がエッチングされる。そして、ハードマスク層で形成されたパターンの黒欠陥が修正される。この後、ハードマスク層上からインプリント用ブランクス102がエッチングされて凹凸パターンが形成される。なお、凹凸パターンの黒欠陥が修正されてもよい。この場合、ハードマスク層で形成されたパターンの黒欠陥に対しては、修正が行われなくてもよい。
また、レジストパターン12,52,62などは、EBリソグラフィ以外の方法で形成されてもよい。レジストパターン12,52,62は、X線リソグラフィ、フォトリソグラフィ、EUVリソグラフィ、インプリントリソグラフィ、DSA(Directed Self-Assembly)技術などを用いて形成されてもよい。
図8は、DSA技術を用いて形成されたレジストパターンを説明するための図である。レジストパターン12,52,62の構成は同様なので、ここでは、マスクブランクス100にDSA技術を用いてレジストパターン12を形成する場合について説明する。
誘導型自己組織化を利用したDSAプロセスが実行される際には、マスクブランクス100上にガイドパターン(中性化膜)70が形成される。このガイドパターン70は、形成したいレジストパターン12の形状や寸法に応じたパターンである。
ガイドパターン70が形成され後、ガイドパターン70上にDSA材料が塗布される。これにより、DSA材料の親油性部および親水性部は、ガイドパターン70に応じた位置に集合する。そして、親油性部または親水性部の一方がエッチングで除去され、他方が残される。これにより、親油性部または親水性部の集合でレジストパターン12が形成される。DSA技術を用いて形成されるフォトマスクも、図1などで説明した手順でパターン修正が行われる。
なお、ガイドパターン70に対してパターン修正が行われてもよい。この場合、ガイドパターン70を形成する際に用いられるレジストパターンの白欠陥領域に対して保護膜20が形成される。
パターン形成装置1Aによるパターンの修正は、例えばウエハプロセスのレイヤ毎に行われる。そして、必要に応じてパターンが修正されたマスク(フォトマスクやEUVマスク)などを用いて半導体装置(半導体集積回路)が製造される。具体的には、レジストの塗布されたウエハに、パターン修正されたマスクを用いて露光が行なわれる。その後、ウエハが現像されてウエハ上にレジストパターンが形成される。なお、NILが用いられる場合には、レジストの塗布されたウエハに、パターン修正されたテンプレートを用いてNILが行なわれる。
レジストパターンが形成された後、レジストパターンをマスクとしてレジストパターンの下層側がエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウエハ上に形成される。半導体装置を製造する際には、上述したパターン修正、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。
なお、本実施形態では、パターン形成装置1Aが、白欠陥領域および黒欠陥領域に関する欠陥情報を抽出する場合について説明したが、パターン形成装置1Aとは異なる装置(欠陥検査装置)が白欠陥領域および黒欠陥領域に関する欠陥情報を抽出してもよい。この場合、パターン形成装置1Aは、画像入力部41や設計パターン記憶部42を備えていなくてもよい。パターン形成装置1Aは、欠陥検査装置から取得した白欠陥領域および黒欠陥領域を用いて、保護剤の滴下位置を設定する。
また、滴下位置設定部44Aは、黒欠陥領域の情報を用いることなく白欠陥領域の情報に基づいて、レジストパターン12上に保護剤の滴下位置を設定してもよい。
また、本実施形態では、欠陥情報に基づいて、1つの白欠陥領域に対して滴下する保護剤の液滴数が設定される場合について説明したが、滴下位置設定部44Aが、欠陥情報に基づいて、1つの白欠陥領域に対して滴下する保護剤の量を設定してもよい。この場合、液滴化機構3は、制御装置4Aからの指示に応じた量の保護剤を滴下する。
このように、本実施形態では、レジストパターン12で検出された白欠陥を含む領域に保護膜20が堆積され、保護膜20上からエッチングが行われる。そして、エッチング後、黒欠陥が形成されたパターンは修正される。
本実施形態の修正方法によれば、黒欠陥が形成されたパターンを修正すればよいので、フォトマスクやテンプレートのパターンを容易に修正することが可能となる。この結果、フォトマスクやテンプレートの作り直しが不要となる。
また、NILで用いられるテンプレートの場合、従来の方法によって白欠陥が修正されると、テンプレートパターンよりも高い凹凸が発生する。この場合、テンプレートをレジストに押し当てた際に所望膜厚のレジストパターンを得ることができない。一方、本実施形態では、黒欠陥を修正しているので、テンプレートパターンよりも高い凹凸が発生することはない。したがって、本実施形態では、テンプレートをレジストに押し当てた際に所望膜厚のレジストパターンを得ることができる。
このように第1の実施形態では、パターン形成装置1Aが、基板上に形成された基板上パターン(レジストパターン12など)の欠損を白欠陥に関する欠陥情報として抽出している。そして、パターン形成装置1Aが、白欠陥領域に保護膜20を堆積させている。さらに、基板上パターンおよび保護膜20を基板上に転写させた転写パターン(遮光膜パターン21など)が形成され、転写パターンに対して黒欠陥が形成されたパターンが修正されている。
このように、白欠陥領域に保護膜20を堆積させているので、転写パターンには白欠陥が発生しない。このため、黒欠陥が形成されたパターンを修正すればパターン修正ができるので、パターン欠陥を高精度で修正することが可能となる。
(第2の実施形態)
つぎに、図9〜図12を用いて第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、保護膜20の代わりに金属膜または金属酸化膜をEB修正機構によって白欠陥領域に堆積させる。
つぎに、図9〜図12を用いて第2の実施形態について説明する。第2の実施形態では、保護膜20の代わりに金属膜または金属酸化膜をEB修正機構によって白欠陥領域に堆積させる。
図9は、第2の実施形態に係るパターン形成装置の構成を示す図である。図9の各構成要素のうち図4に示す第1の実施形態のパターン形成装置1Aと同一機能を達成する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。
パターン形成装置1Bは、マスクブランクス100などに、金属膜などの保護膜(後述する保護膜30)を堆積させる装置である。パターン形成装置1Bが堆積させる保護膜30は、保護膜20と同様の機能を有した膜である。したがって、保護膜30は、遮光膜11などをエッチングした後にマスクブランクス100から除去可能であり、且つエッチング耐性のある膜である。保護膜30は、例えば、金属膜または金属酸化膜である。パターン形成装置1Bは、EB修正機構(荷電粒子ビーム修正装置)を用いて保護膜30を堆積させる。
パターン形成装置1Bは、パターン検出機構2、制御装置4B、試料ステージ5B、基板チャック6B、EB(荷電粒子)照射機構8、ガス照射機構9を備えている。このうち、EB照射機構8およびガス照射機構9が、EB修正機構である。パターン検出機構2は、レジストパターン12を撮像し、撮像したレジストパターン画像を制御装置4Bに送る。
試料ステージ5Bは、マスクブランクス100を載置するとともに、載置したマスクブランクス100と平行な平面内(水平面内)を移動する。試料ステージ5B上には、基板チャック6Bが設けられている。基板チャック6Bは、マスクブランクス100を試料ステージ5A上の所定位置に固定する。
EB照射機構8は、白欠陥領域に荷電粒子ビームを照射する。また、ガス照射機構9は、白欠陥領域にプロセスガスを照射する。ガス照射機構9が照射するプロセスガスは、荷電粒子ビームが照射されることによって保護膜30(金属膜または金属酸化膜)となるガスである。EB修正機構は、荷電粒子ビームにプロセスガスを反応させることによって保護膜30を白欠陥領域に堆積させる。
制御装置4Bは、パターン形成装置1Bの各構成要素に接続され、各構成要素を制御する。制御装置4Bは、例えば、パターン検出機構2、試料ステージ5B、EB照射機構8、ガス照射機構9を制御する。
マスクブランクス100に対してパターン修正が行われる際には、マスクブランクス100が基板チャック6B上に固定される。そして、パターン検出機構2が、マスクブランクス100の表面に形成されているレジストパターン12を撮像し、撮像したレジストパターン画像を制御装置4Bに送る。
制御装置4Bは、パターン検出機構2から送られてくるレジストパターン画像に基づいて、白欠陥領域を検出する。そして、制御装置4Bは、白欠陥領域に基づいて保護剤の堆積位置(荷電粒子ビームの照射位置およびプロセスガスの照射位置)を設定する。制御装置4Bは、保護剤の堆積位置に対応する荷電粒子ビームの照射位置を、EB照射機構8に送る。また、制御装置4Bは、保護剤の堆積位置に対応するプロセスガスの照射位置の照射位置を、ガス照射機構9に送る。
これにより、EB照射機構8は、制御装置4Bに指示された照射位置に荷電粒子ビームを照射する。また、ガス照射機構9は、制御装置4Bに指示された照射位置にプロセスガスを照射する。
EB修正機構がマスクブランクス100に保護膜30を堆積させる際には、試料ステージ5Bに載せられたマスクブランクス100がEB修正機構の直下まで移動させられる。そして、EB修正機構が、マスクブランクス100上の所定位置に保護膜30を堆積させる。
本実施形態の制御装置4Bは、白欠陥領域の形状、位置および寸法と、黒欠陥領域の形状、位置および寸法とに基づいて、保護膜30を堆積させる領域および保護膜30の膜厚を設定する。そして、制御装置4Bは、設定した領域に設定した膜厚以上の保護膜30を堆積させる指示をEB修正機構に送る。
図10は、第2の実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。図10の各構成要素のうち図5に示す第1の実施形態の制御装置4Aと同一機能を達成する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。
制御装置4Bは、画像入力部41と、設計パターン記憶部42と、欠陥領域抽出部43と、照射位置設定部46Bと、照射指示出力部47Bとを備えている。欠陥領域抽出部43は、抽出した白欠陥領域および黒欠陥領域に関する欠陥情報を照射位置設定部46Bに送る。
照射位置設定部46Bは、欠陥情報に基づいて、荷電粒子ビームおよびプロセスガスの照射位置(照射領域)を設定する。照射位置設定部46Bによって設定された照射位置が、保護膜30の堆積位置となる。また、照射位置設定部46Bは、設定した照射位置での保護膜30の膜厚を設定する。照射位置設定部46Bは、設定した照射位置と膜厚を照射指示出力部47Bに送る。
照射指示出力部47Bは、照射位置設定部46Bから送られてきた照射位置に荷電粒子ビームおよびプロセスガスを照射させる指示(照射指示)を出力する。照射指示出力部47Bは、設定した膜厚に対応する時間だけ荷電粒子ビームおよびプロセスガスを照射させる照射指示(照射開始指示および照射終了指示)を出力する。
滴下指示出力部45Aが出力した荷電粒子ビームの照射指示は、EB照射機構8に送られる。滴下指示出力部45Aが出力したプロセスガスの照射指示は、ガス照射機構9に送られる。
ここで、保護膜30の膜厚について説明する。図11は、EB修正機構が堆積させる保護膜の膜厚を説明するための図である。図11では、上段側に基板の断面図を示し、下段側に基板の上面図を示している。図11の断面図は、下段側の上面図を点線の位置で切断した場合の断面図である。
石英ガラス基板10および遮光膜11を備えた基板上にレジストパターン13が形成された後、保護膜30が白欠陥領域Sx上に堆積される。この場合において、堆積させる保護膜30のエッチング耐性に必要な膜厚をHxとする。Hxの値は、保護膜30の種類およびエッチングプロセスの種類によって変わる。
欠陥領域抽出部43は、白欠陥領域Sxを抽出した後、白欠陥領域SxにHxよりも厚い膜厚を設定する。これにより、EB修正機構は、白欠陥領域Sxに対してHxよりも厚い膜厚を有した保護膜30を堆積させる。なお、図11に示すように白欠陥領域Sxの膜厚がHx以上あれば膜厚の精度は問わない。
つぎに、制御装置4A,4Bのハードウェア構成について説明する。なお、制御装置4A,4Bは、それぞれ同様のハードウェア構成を有しているので、ここでは制御装置4Aのハードウェア構成について説明する。
図12は、制御装置のハードウェア構成を示す図である。制御装置4Aは、CPU(Central Processing Unit)91、ROM(Read Only Memory)92、RAM(Random Access Memory)93、表示部94、入力部95を有している。制御装置4Aでは、これらのCPU91、ROM92、RAM93、表示部94、入力部95がバスラインを介して接続されている。
CPU91は、コンピュータプログラムである滴下位置設定プログラム97を用いて、保護剤の滴下位置を設定する。滴下位置設定プログラム97は、コンピュータで実行可能な、滴下位置を算出するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な記録媒体(nontransitory computer readable medium)を有するコンピュータプログラムプロダクトである。滴下位置設定プログラム97では、前記複数の命令が滴下位置を算出することをコンピュータに実行させる。
表示部94は、液晶モニタなどの表示装置であり、CPU91からの指示に基づいて、設計レイアウト、レジストパターン12、欠陥情報、保護剤の滴下位置、遮光膜パターン21などを表示する。入力部95は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報(滴下位置の設定に必要なパラメータ等)を入力する。入力部95へ入力された指示情報は、CPU91へ送られる。
滴下位置設定プログラム97は、ROM92内に格納されており、バスラインを介してRAM93へロードされる。図12では、滴下位置設定プログラム97がRAM93へロードされた状態を示している。
CPU91はRAM93内にロードされた滴下位置設定プログラム97を実行する。具体的には、制御装置4Aでは、使用者による入力部95からの指示入力に従って、CPU91がROM92内から滴下位置設定プログラム97を読み出してRAM93内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。CPU91は、この各種処理に際して生じる各種データをRAM93内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。
制御装置4Aで実行される滴下位置設定プログラム97は、滴下位置設定部44Aを含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。なお、第2の実施形態で説明した制御装置4Bは、照射位置設定部46Bに対応する照射位置算出プログラムを用いて、荷電粒子ビームの照射位置およびプロセスガスの照射位置を設定する。
このように第2の実施形態では、EB修正機構を用いて白欠陥上に保護膜30を堆積させるので保護膜30を堆積させる領域を制限することが可能となる。したがって、保護膜30に起因する黒欠陥の面積を抑制することができる。この結果、黒欠陥の修正量を減らすことができるので、パターン修正の時間を短縮することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1A,1B…パターン形成装置、2…パターン検出機構、3…液滴化機構、4A,4B…制御装置、8…EB照射機構、9…ガス照射機構、10,50,60…石英ガラス基板、11…遮光膜、12,13,52,62…レジストパターン、20,30…保護膜、21,22…遮光膜パターン、41…画像入力部、42…設計パターン記憶部、43…欠陥領域抽出部、44A…滴下位置設定部、45A…滴下指示出力部、46B…照射位置設定部、47B…照射指示出力部、51A…EUV反射膜、51B…吸収膜、70…ガイドパターン、100,101…マスクブランクス、102…インプリント用ブランクス、C1…白欠陥、Lx…白欠陥パターン、Ly…黒欠陥パターン、Sx…白欠陥領域。
Claims (9)
- 基板上に形成された第1膜上に形成するレジストパターンを形成する工程であって、前記第1膜上の第1領域内でパターンが欠損した第1パターンを有するレジストパターンを形成する工程と、
前記第1領域内の前記第1パターン上に保護膜を堆積させる工程と、
前記レジストパターン及び前記保護膜を用いて、前記第1領域外の第2領域内の前記第1膜に、第2パターンを転写する工程と、
前記第1領域内の前記第1膜に、第3パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジストパターンは、第3の領域内に所望の量より多い膜材で形成された第4パターンを有し、前記第1パターンの位置およびサイズと、前記第4パターンの位置およびサイズと、に基づいて、前記保護膜を堆積させる位置が設定されることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- さらに、前記レジストパターン及び前記保護膜を除去する工程を有し、
前記第3パターンは、前記レジストパターン及び前記保護膜を除去した後に形成することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。 - 前記第3パターン形成後に、前記第1膜をハードマスクとして前記第3パターン形成後の前記第1膜よりも下層側をエッチングする工程をさらに含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
- 前記保護膜は、インクジェット方式で前記第1領域上に保護剤が滴下されることによって堆積されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
- 前記保護膜は、荷電粒子ビームにプロセスガスを反応させることによって、前記第1パターン上に堆積されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
- 前記レジストパターンは、前記第2領域内の第3の領域内に所望の量より多い膜材で形成された第4パターンを有し、
前記保護膜の量は、前記第1パターンの位置およびサイズと、前記第4パターンの位置およびサイズと、に基づいて設定されることを特徴とする請求項5に記載のパターン形成方法。 - 基板上に形成された基板上パターンの欠損したパターンの位置情報を抽出する欠陥抽出部と、
前記位置情報に基づいて、前記基板上で保護膜を堆積させる堆積位置を設定する位置設定部と、
前記堆積位置に前記保護膜を堆積させる指示を出力する指示出力部と、
を備えることを特徴とする制御装置。 - 基板上に形成された基板上パターンの欠損を白欠陥として抽出する工程と、
前記基板上で、前記白欠陥を含む白欠陥領域に保護膜を堆積させる工程と、
前記基板上パターンおよび前記保護膜を前記基板上に転写させた転写パターンを形成する工程と、
前記転写パターンに対して黒欠陥を修正する工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
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