JP2021057361A - 欠陥修正方法およびテンプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】修正を容易に行うことができる基板の欠陥修正方法およびテンプレートの製造方法を提供する【解決手段】実施の形態に係る欠陥修正方法は凹凸パターンを有する第１の基板の前記凹凸パターンの欠陥位置情報を取得する工程と、前記欠陥位置情報に基づいて前記第１の基板の前記凹凸パターンのうち欠陥を含むパターンを含む領域を加工領域として設定する工程と、前記加工領域を加工する工程と、 前記加工後の第１の基板の前記凹凸パターンを第２の基板へ転写する工程と、前記第２の基板上の前記加工領域に対応する領域の修正を行う工程とを含む。【選択図】 図２
Description
本発明の実施形態は、欠陥修正方法およびテンプレートの製造方法に関する。
半導体デバイス製造のリソグラフィ工程において、光リソグラフィに替わるパターンの
転写方法としてナノインプリント技術が提案されている。ナノインプリント技術では、液
状の有機材料を塗布した基板にパターンが形成されたテンプレートを直接押し当ててパタ
ーンを転写する。転写するテンプレート上のパターンに欠陥が存在する場合、その欠陥も
基板上に転写されてしまう。そのため、テンプレートの製造工程には欠陥修正工程が含ま
れる。
転写方法としてナノインプリント技術が提案されている。ナノインプリント技術では、液
状の有機材料を塗布した基板にパターンが形成されたテンプレートを直接押し当ててパタ
ーンを転写する。転写するテンプレート上のパターンに欠陥が存在する場合、その欠陥も
基板上に転写されてしまう。そのため、テンプレートの製造工程には欠陥修正工程が含ま
れる。
本実施形態が解決しようとする課題は、修正を容易に行うことができる欠陥修正方法お
よびテンプレートの製造方法を提供することである。
よびテンプレートの製造方法を提供することである。
実施形態に係る欠陥修正方法は、凹凸パターンを有する第１の基板の前記凹凸パターン
の欠陥位置情報を取得する工程と、前記欠陥位置情報に基づいて前記第１の基板の前記凹
凸パターンのうち欠陥を含むパターンを含む領域を加工領域として設定する工程と、前記
加工領域を加工する工程と、前記加工後の第１の基板の前記凹凸パターンを第２の基板へ
転写する工程と、前記第２の基板上の前記加工領域に対応する領域の修正を行う工程と、
を含む。
の欠陥位置情報を取得する工程と、前記欠陥位置情報に基づいて前記第１の基板の前記凹
凸パターンのうち欠陥を含むパターンを含む領域を加工領域として設定する工程と、前記
加工領域を加工する工程と、前記加工後の第１の基板の前記凹凸パターンを第２の基板へ
転写する工程と、前記第２の基板上の前記加工領域に対応する領域の修正を行う工程と、
を含む。
以下、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載にお
いて、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模
式的なものであり、厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なる。
いて、同一または類似の部分には同一または類似の符号を付している。ただし、図面は模
式的なものであり、厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なる。
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。本実施形態に係る欠陥修正方法は、例えば、
テンプレートの製造工程において発生したパターンの欠陥を修正するために用いられる。
まず、第１の実施形態について説明する。本実施形態に係る欠陥修正方法は、例えば、
テンプレートの製造工程において発生したパターンの欠陥を修正するために用いられる。
次に、本実施形態において欠陥修正の対象となるテンプレートについて説明する。図１
は本実施形態のテンプレートを説明するための断面図である。テンプレートはナノインプ
リント技術に用いられ、半導体装置を製造するための微細加工を行う原版である。光イン
プリントの場合、テンプレートは、例えば、石英（透明材料）を主成分とする。
は本実施形態のテンプレートを説明するための断面図である。テンプレートはナノインプ
リント技術に用いられ、半導体装置を製造するための微細加工を行う原版である。光イン
プリントの場合、テンプレートは、例えば、石英（透明材料）を主成分とする。
テンプレートは、例えば、図１に示すように、基材部１０の主面１１の上にメサ構造１
２を備える。メサ構造１２の上面には凹部と凸部を含むパターンが形成されたパターン面
１３を有する。
２を備える。メサ構造１２の上面には凹部と凸部を含むパターンが形成されたパターン面
１３を有する。
テンプレートには、テンプレートを製造するための原版となるマスターテンプレートと
、マスターテンプレートのパターンが転写されることによって製造されるレプリカテンプ
レートとがある。半導体装置の製造にはレプリカテンプレートが用いられる。レプリカテ
ンプレートの製造において、原版となるマスターテンプレートに欠陥パターンが生じると
、欠陥パターンがレプリカテンプレートにも転写されてしまうため、欠陥パターンの修正
が必要となる。
、マスターテンプレートのパターンが転写されることによって製造されるレプリカテンプ
レートとがある。半導体装置の製造にはレプリカテンプレートが用いられる。レプリカテ
ンプレートの製造において、原版となるマスターテンプレートに欠陥パターンが生じると
、欠陥パターンがレプリカテンプレートにも転写されてしまうため、欠陥パターンの修正
が必要となる。
以下、第１の実施形態に係る欠陥修正方法を図２−図８を参照して説明する。実施形態
の欠陥修正方法は、レプリカテンプレートの製造工程の一環として実施される。
の欠陥修正方法は、レプリカテンプレートの製造工程の一環として実施される。
図２は、第１の実施形態に係る欠陥修正方法を示すフローチャートである。また、図３
−図８は、第１の実施形態に係る欠陥修正方法を説明するための図である。図３−図５、
図７−図８の各々において、上の図は平面図、下の図は断面図を示している。
−図８は、第１の実施形態に係る欠陥修正方法を説明するための図である。図３−図５、
図７−図８の各々において、上の図は平面図、下の図は断面図を示している。
［ステップS１、図３］
マスターテンプレート２１に対して欠陥検査を行う。欠陥検査は周知の欠陥検査装置を
用いて行われる。欠陥検査装置では、テンプレートのパターン面１３（図１に記載）にお
いて、設計データ等から得られる所望のパターンとは異なる部分が欠陥として検出され、
欠陥位置情報として抽出される。
マスターテンプレート２１に対して欠陥検査を行う。欠陥検査は周知の欠陥検査装置を
用いて行われる。欠陥検査装置では、テンプレートのパターン面１３（図１に記載）にお
いて、設計データ等から得られる所望のパターンとは異なる部分が欠陥として検出され、
欠陥位置情報として抽出される。
なお、パターンの欠陥には、不要な余剰パターンや異物が存在しているもの（黒欠陥）
と、本来必要なパターンが欠損もしくは欠落しているもの（白欠陥）とがある。
と、本来必要なパターンが欠損もしくは欠落しているもの（白欠陥）とがある。
ここでは、欠陥検査の結果、図３に示すように黒欠陥２２を含む欠陥パターン２３が発
見された場合について説明する。図３は欠陥パターン２３を含むパターン面１３（図１に
記載）の一部を示している。図３に示すように、マスターテンプレート２１のパターン面
１３には、基準面２４の上に凸形状のパターン（以下、「凸パターン」と称する）が複数
形成されている。凸パターンには、欠陥パターン２３と正常パターン２６が含まれる。
見された場合について説明する。図３は欠陥パターン２３を含むパターン面１３（図１に
記載）の一部を示している。図３に示すように、マスターテンプレート２１のパターン面
１３には、基準面２４の上に凸形状のパターン（以下、「凸パターン」と称する）が複数
形成されている。凸パターンには、欠陥パターン２３と正常パターン２６が含まれる。
なお、本実施形態では基準面２４に設けられた凸パターンをピラー構造としているが、
基準面２４に形成される凸パターンは、ピラー構造には限定されず、ライン構造でもよい
。
基準面２４に形成される凸パターンは、ピラー構造には限定されず、ライン構造でもよい
。
また、図３に示されたマスターテンプレート２１は、テンプレート全体ではなくその一
部であり以降の図も同様にテンプレートの一部を用いて説明する。
部であり以降の図も同様にテンプレートの一部を用いて説明する。
［ステップS２、図４］
欠陥パターン２３を加工するため、マスターテンプレート２１のパターン面１３（図１
に記載）において加工領域を設定する。加工領域の設定は、加工装置を用いて行われる。
欠陥パターン２３を加工するため、マスターテンプレート２１のパターン面１３（図１
に記載）において加工領域を設定する。加工領域の設定は、加工装置を用いて行われる。
加工装置には、ステップS１で取得した欠陥位置情報が入力される。図４に示すように、
加工装置では、欠陥位置情報に基づいて、マスターテンプレート２１上の欠陥パターン２
３全体を含む領域が加工領域２５に設定される。加工領域２５は欠陥パターン２３全体を
含むのであればその大きさは任意に設定することが可能である。
加工装置では、欠陥位置情報に基づいて、マスターテンプレート２１上の欠陥パターン２
３全体を含む領域が加工領域２５に設定される。加工領域２５は欠陥パターン２３全体を
含むのであればその大きさは任意に設定することが可能である。
［ステップS３、図４−図５］
欠陥パターン２３を含む加工領域２５を加工する。より具体的には、加工装置を用いて
加工領域２５内に位置するパターンを全て除去する。図５の破線部分は加工によって除去
された加工領域２５内の欠陥パターン２３およびその周辺部を示している。加工領域２５
の加工は周知の方法により行われる。加工領域２５の加工についてさらに説明すると、加
工装置を用いて、加工領域２５内の欠陥パターン２３を基準面２４に到達するまでエッチ
ングする。エッチングは、例えば、荷電粒子ビームと二フッ化キセノン（XeF2）などのア
シストガスを用いて行われる。荷電粒子ビームは、例えば、電子ビーム（EB：Electron B
eam）や、イオンビーム(Gas Field Ion Source - Focused Ion Beam)などが考えられる。
欠陥パターン２３を含む加工領域２５を加工する。より具体的には、加工装置を用いて
加工領域２５内に位置するパターンを全て除去する。図５の破線部分は加工によって除去
された加工領域２５内の欠陥パターン２３およびその周辺部を示している。加工領域２５
の加工は周知の方法により行われる。加工領域２５の加工についてさらに説明すると、加
工装置を用いて、加工領域２５内の欠陥パターン２３を基準面２４に到達するまでエッチ
ングする。エッチングは、例えば、荷電粒子ビームと二フッ化キセノン（XeF2）などのア
シストガスを用いて行われる。荷電粒子ビームは、例えば、電子ビーム（EB：Electron B
eam）や、イオンビーム(Gas Field Ion Source - Focused Ion Beam)などが考えられる。
この時、荷電粒子ビームが欠陥パターン２３を含む加工領域２５全体に照射されるため、
図５に示すように被加工領域は基準面２４よりわずかに窪む場合がある。
図５に示すように被加工領域は基準面２４よりわずかに窪む場合がある。
［ステップS４、図６−７］
加工後のマスターテンプレート２１を用いてレプリカテンプレート３１を作成する。レ
プリカテンプレート３１は、例えば、ナノインプリントリソグラフィの技術を用いて作成
される。図６（ａ）−図６（ｅ）に示すように、加工後のマスターテンプレート２１を原
版として、マスターテンプレート２１とは凹凸パターンが反転したレプリカテンプレート
３１が作成される。
加工後のマスターテンプレート２１を用いてレプリカテンプレート３１を作成する。レ
プリカテンプレート３１は、例えば、ナノインプリントリソグラフィの技術を用いて作成
される。図６（ａ）−図６（ｅ）に示すように、加工後のマスターテンプレート２１を原
版として、マスターテンプレート２１とは凹凸パターンが反転したレプリカテンプレート
３１が作成される。
例えば、図６（ａ）に示すように、まず、基板４０の上に光硬化性の樹脂層５０が形成
された被転写基板３０を準備する。
された被転写基板３０を準備する。
次に、図６（ｂ）に示すように、加工後のマスターテンプレート２１を基板４０の上に
形成された樹脂層５０に接触させ、光６０を照射して樹脂層５０が硬化した樹脂パターン
５１を形成する。その後、図６（ｃ）に示すようにマスターテンプレート２１を離型する
。
形成された樹脂層５０に接触させ、光６０を照射して樹脂層５０が硬化した樹脂パターン
５１を形成する。その後、図６（ｃ）に示すようにマスターテンプレート２１を離型する
。
次いで、図６（ｄ）に示すように、樹脂パターン５１をマスクに用いて基板４０をエッ
チングする。基板４０のエッチングは、例えば、酸素ガスなどの反応性ガス７０を用いた
RIE（Reactive Ion Etching）による異方性ドライエッチングによって行われる。エッチ
ングにより、図６（ｅ）に示すように、マスターテンプレート２１とは凹凸パターンが反
転したレプリカテンプレート３１が作成される。ステップＳ３で生じる被加工領域の窪み
は樹脂パターン５１に転写されるが、その後のエッチングの過程で窪みの被転写パターン
の形状は基板に転写されず、最終的には無視できる。
チングする。基板４０のエッチングは、例えば、酸素ガスなどの反応性ガス７０を用いた
RIE（Reactive Ion Etching）による異方性ドライエッチングによって行われる。エッチ
ングにより、図６（ｅ）に示すように、マスターテンプレート２１とは凹凸パターンが反
転したレプリカテンプレート３１が作成される。ステップＳ３で生じる被加工領域の窪み
は樹脂パターン５１に転写されるが、その後のエッチングの過程で窪みの被転写パターン
の形状は基板に転写されず、最終的には無視できる。
レプリカテンプレート３１では、図７に示すようにマスターテンプレート２１の加工領
域２５に対応する被転写領域がパターンを持たない略平坦な欠損領域３２となる。
域２５に対応する被転写領域がパターンを持たない略平坦な欠損領域３２となる。
［ステップS５、図７−８］
図７に示されたレプリカテンプレート３１の欠損領域３２を修正する。修正は周知の修
正装置を用いて行われる。修正装置には、ステップＳ３で用いた加工装置と同一の装置を
用いることが可能である。
図７に示されたレプリカテンプレート３１の欠損領域３２を修正する。修正は周知の修
正装置を用いて行われる。修正装置には、ステップＳ３で用いた加工装置と同一の装置を
用いることが可能である。
修正の結果、図８に示すように欠損領域３２は修正パターン３３へと修正される。欠損
領域３２の修正は周知の方法により行われる。欠損領域３２の修正は、欠損領域３２の周
辺に存在する所望のパターンの大きさ、高さ等をガイドパターンとして実施することが可
能である。これにより、所望のパターン形状を有するレプリカテンプレートが製造される
。
領域３２の修正は周知の方法により行われる。欠損領域３２の修正は、欠損領域３２の周
辺に存在する所望のパターンの大きさ、高さ等をガイドパターンとして実施することが可
能である。これにより、所望のパターン形状を有するレプリカテンプレートが製造される
。
以上述べた本実施形態の欠陥修正方法によれば、マスターテンプレートのパターン面上
において加工領域内の欠陥パターンがすべて除去された後にレプリカテンプレートへのパ
ターン面の転写が行われる。そのため、レプリカテンプレートに転写された欠陥パターン
を所望のパターンに修正する方法と比較して、レプリカテンプレートのパターン面上にお
いて加工領域に対応した修正する領域が全て略平坦な面になっていることから、修正条件
の設定を簡便化することが可能である。また、略平坦な面にパターンを形成する修正は、
すでに形成された欠陥パターンを所望のパターンに修正するよりも容易に行うことができ
るため、修正成功率の向上を図ることができる。
において加工領域内の欠陥パターンがすべて除去された後にレプリカテンプレートへのパ
ターン面の転写が行われる。そのため、レプリカテンプレートに転写された欠陥パターン
を所望のパターンに修正する方法と比較して、レプリカテンプレートのパターン面上にお
いて加工領域に対応した修正する領域が全て略平坦な面になっていることから、修正条件
の設定を簡便化することが可能である。また、略平坦な面にパターンを形成する修正は、
すでに形成された欠陥パターンを所望のパターンに修正するよりも容易に行うことができ
るため、修正成功率の向上を図ることができる。
なお、本実施形態は、マスターテンプレートが凸パターンを有していれば、白欠陥と黒
欠陥のいずれにも適応することが可能である。
欠陥のいずれにも適応することが可能である。
また、本実施形態では、インプリント用のテンプレートにおける欠陥修正方法を例に挙
げて説明したが、実施形態はインプリント用のテンプレートに限定されず、その他の基板
の欠陥修正にも適用できる。
げて説明したが、実施形態はインプリント用のテンプレートに限定されず、その他の基板
の欠陥修正にも適用できる。
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る欠陥修正方法を図９−図１４を参照して説明する。第２の実施形
態に係る欠陥修正方法が第１の実施形態と異なる点は、マスターテンプレートが凹形状の
パターン（以下、「凹パターン」と称する）を有する点と、テンプレートの加工および修
正がエッチングではなく膜の堆積によって行われる点である。
第２の実施形態に係る欠陥修正方法を図９−図１４を参照して説明する。第２の実施形
態に係る欠陥修正方法が第１の実施形態と異なる点は、マスターテンプレートが凹形状の
パターン（以下、「凹パターン」と称する）を有する点と、テンプレートの加工および修
正がエッチングではなく膜の堆積によって行われる点である。
図９は、第２の実施形態に係るテンプレートの欠陥修正方法を示すフローチャートであ
る。また、図１０−図１４は、第２の実施形態に係るテンプレートの欠陥修正方法を説明
するための図である。図１０−図１４の各々において、上の図は平面図、下の図は断面図
を示している。以下では、第１の実施形態と同様な説明は省略する。
る。また、図１０−図１４は、第２の実施形態に係るテンプレートの欠陥修正方法を説明
するための図である。図１０−図１４の各々において、上の図は平面図、下の図は断面図
を示している。以下では、第１の実施形態と同様な説明は省略する。
［ステップS１１、図１０］
凹パターンを有するマスターテンプレート８１に対して欠陥検査を行う。
凹パターンを有するマスターテンプレート８１に対して欠陥検査を行う。
ここでは、欠陥検査の結果、図１０に示すように黒欠陥８２を含む欠陥パターン８３が
発見された場合について説明する。図１０は欠陥パターン８３を含むパターン面１３（図
１に記載）の一部を示している。図１０に示すように、マスターテンプレート８１のパタ
ーン面１３には、基準面８４の下に凹パターンが複数形成されている。凹パターンには、
欠陥パターン８３と正常パターン８６が含まれる。
発見された場合について説明する。図１０は欠陥パターン８３を含むパターン面１３（図
１に記載）の一部を示している。図１０に示すように、マスターテンプレート８１のパタ
ーン面１３には、基準面８４の下に凹パターンが複数形成されている。凹パターンには、
欠陥パターン８３と正常パターン８６が含まれる。
なお、本実施形態ではパターン面１３（図１に記載）に設けられた凹パターンをホール
構造としているが、基準面８４に形成される凹パターンは、ホール構造には限定されず、
溝構造でもよい。
構造としているが、基準面８４に形成される凹パターンは、ホール構造には限定されず、
溝構造でもよい。
［ステップS１２、図１１］
欠陥パターン８３を加工するため、マスターテンプレート８１のパターン面１３（図１
に記載）において加工領域８５を設定する。加工領域８５の設定の詳細については第１の
実施形態のステップＳ２で説明したため省略する。
欠陥パターン８３を加工するため、マスターテンプレート８１のパターン面１３（図１
に記載）において加工領域８５を設定する。加工領域８５の設定の詳細については第１の
実施形態のステップＳ２で説明したため省略する。
［ステップS１３、図１１−図１２］
欠陥パターン８３を含む加工領域８５を加工する。より具体的には、加工装置を用いて
加工領域８５内に位置する凹パターンの内部を膜の堆積によって全て埋める。図１２の破
線部分は加工によって凹パターンが全て埋められた加工領域８５内の欠陥パターン８３と
その周辺部を示している。加工領域８５の加工は周知の方法により行われる。加工領域８
５の加工についてさらに説明すると、加工装置を用いて、加工領域８５内の欠陥パターン
８３に対して基準面８４に到達するまで膜の堆積を行う。膜の堆積は、例えば、荷電粒子
ビームとテトラエトキシシラン（TEOS）などのガスを用いて行われる。荷電粒子ビームは
、例えば、電子ビームや、イオンビームなどが考えられる。この時、荷電粒子ビームが欠
陥パターン８３を含む加工領域８５全体に照射されるため、図１２に示すように被加工領
域は基準面８４よりわずかに盛り上がる場合がある。
欠陥パターン８３を含む加工領域８５を加工する。より具体的には、加工装置を用いて
加工領域８５内に位置する凹パターンの内部を膜の堆積によって全て埋める。図１２の破
線部分は加工によって凹パターンが全て埋められた加工領域８５内の欠陥パターン８３と
その周辺部を示している。加工領域８５の加工は周知の方法により行われる。加工領域８
５の加工についてさらに説明すると、加工装置を用いて、加工領域８５内の欠陥パターン
８３に対して基準面８４に到達するまで膜の堆積を行う。膜の堆積は、例えば、荷電粒子
ビームとテトラエトキシシラン（TEOS）などのガスを用いて行われる。荷電粒子ビームは
、例えば、電子ビームや、イオンビームなどが考えられる。この時、荷電粒子ビームが欠
陥パターン８３を含む加工領域８５全体に照射されるため、図１２に示すように被加工領
域は基準面８４よりわずかに盛り上がる場合がある。
［ステップS１４、図１３］
加工後のマスターテンプレート８１を用いてレプリカテンプレート９１を作成する。レ
プリカテンプレート９１の作成の詳細については第１の実施形態のステップＳ４で説明し
たため省略する。
加工後のマスターテンプレート８１を用いてレプリカテンプレート９１を作成する。レ
プリカテンプレート９１の作成の詳細については第１の実施形態のステップＳ４で説明し
たため省略する。
レプリカテンプレート９１では、図１３に示すようにマスターテンプレート８１の加工
領域８５に対応する被転写領域がパターンを持たない略平坦な欠損領域９２となる。
領域８５に対応する被転写領域がパターンを持たない略平坦な欠損領域９２となる。
［ステップS１５、図１３−１４］
図１３に記載されたレプリカテンプレート９１の欠損領域９２を修正する。修正装置に
は、ステップＳ１３で用いた加工装置と同一の装置を用いることが可能である。
図１３に記載されたレプリカテンプレート９１の欠損領域９２を修正する。修正装置に
は、ステップＳ１３で用いた加工装置と同一の装置を用いることが可能である。
修正の結果、図１２のように欠損領域９２は修正パターン９３へと修正される。欠損領
域９２の修正は、欠損領域９２の周辺に存在する所望のパターンの大きさ、高さ等をガイ
ドパターンとして実施することが可能である。これにより、所望のパターン形状を有する
レプリカテンプレートが製造される。
域９２の修正は、欠損領域９２の周辺に存在する所望のパターンの大きさ、高さ等をガイ
ドパターンとして実施することが可能である。これにより、所望のパターン形状を有する
レプリカテンプレートが製造される。
以上述べた本実施形態の基板の欠陥修正方法によれば、第１の実施形態と同様に修正条
件の設定を簡便化し、修正成功率の向上を図ることが可能である。
件の設定を簡便化し、修正成功率の向上を図ることが可能である。
なお、本実施形態は、マスターテンプレートが凹パターンを有していれば、白欠陥と黒
欠陥のいずれにも適応することが可能である。
欠陥のいずれにも適応することが可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したも
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
のであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その
他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や
要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる
。
１０…基材部、１１…主面、１２…メサ構造、１３…パターン面、２１、８１…マスタ
ーテンプレート、２２、８２…黒欠陥、２３、８３…欠陥パターン、２４、８４…基準面
、２５、８５…加工領域、２６、８６…正常パターン、３０…被転写基板、３１、９１…
レプリカテンプレート、３２、９２…欠損領域、３３、９３…修正パターン、４０…基板
、５０…樹脂層、５１…樹脂パターン、６０…光、７０…反応性ガス
ーテンプレート、２２、８２…黒欠陥、２３、８３…欠陥パターン、２４、８４…基準面
、２５、８５…加工領域、２６、８６…正常パターン、３０…被転写基板、３１、９１…
レプリカテンプレート、３２、９２…欠損領域、３３、９３…修正パターン、４０…基板
、５０…樹脂層、５１…樹脂パターン、６０…光、７０…反応性ガス
Claims (4)
- パターンを有する第１の基板の前記パターンの欠陥位置情報を取得する工程と、
前記欠陥位置情報に基づいて前記第１の基板の前記パターンのうち欠陥を含むパターン
を含む領域を加工領域として設定する工程と、
前記加工領域を加工する工程と、
前記加工後の第１の基板の前記パターンを第２の基板へ転写する工程と、
前記第２の基板上の前記加工領域に対応する領域の修正を行う工程と、
を含む、欠陥修正方法。 - 前記転写は、光硬化性の樹脂層が形成された前記第２の基板に前記加工後の第１の基板
を接触させ、光を照射して前記樹脂層を硬化させる工程と、
前記硬化した樹脂層から前記第１の基板を離型する工程と、
前記硬化した樹脂層をマスクに用いて前記第２の基板をエッチングする工程と、
を含む、請求項１に記載の欠陥修正方法。 - 前記加工および修正は、荷電粒子ビーム照射によって行われる請求項１または２に記載
の欠陥修正方法。 - 第１のテンプレートのパターンを第２のテンプレートに転写するテンプレートの製造方
法であって、
前記第１のテンプレートに対して欠陥検査を行う工程と、
前記欠陥検査の結果、欠陥が発見された場合に請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
欠陥修正方法を用いて前記第２のテンプレートのパターンを修正する工程と、
を含む、テンプレートの製造方法。
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