JP2012009623A - テンプレート作製方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えたテンプレートを容易に作製する。
【解決手段】第1のテンプレートからインプリント法により第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する被処理基板上のパターン形成領域に第1のレジストを塗布し、第1のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第2のレジストを選択的に塗布する。レジストが塗布された被処理基板上に第1のテンプレートを密着させて、第1のテンプレートの凹部に第1のレジストを浸透させる。第1及び第2のレジストを硬化させ、硬化されたレジストをマスクに用いて被処理基板を加工する。
【選択図】 図4
【解決手段】第1のテンプレートからインプリント法により第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する被処理基板上のパターン形成領域に第1のレジストを塗布し、第1のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第2のレジストを選択的に塗布する。レジストが塗布された被処理基板上に第1のテンプレートを密着させて、第1のテンプレートの凹部に第1のレジストを浸透させる。第1及び第2のレジストを硬化させ、硬化されたレジストをマスクに用いて被処理基板を加工する。
【選択図】 図4
Description
本発明の実施形態は、インプリント法に使用されるテンプレートを作製するためのテンプレート作製方法に関する。
近年、半導体集積回路の微細加工を実現するためのパターン転写技術として、光インプリント法(SFIL:Step and Flash Imprint Lithography)が注目されている。この光インプリント法では、同一形状のテンプレートを複数準備し、規定の回数の使用、或いは転写欠陥の発生具合に応じてテンプレートを切り替えて使用するという手順が一般的に用いられている。
しかし、電子ビームリソグラフィーを使用したテンプレート作製方法では、1つのテンプレートを作製するのにも非常に長い描画時間が必要となる。このため、電子ビームリソグラフィーを用いて親テンプレートを作製した後、この親テンプレートを基にインプリント手法により子テンプレートを複数作製するという方法で同一形状の複数のテンプレートを準備する。そして、基板上へのパターン形成は子テンプレートで行うという手法が一般的に用いられている。
一方、光インプリント法を使用してパターン形成を行う製造工程を考えた場合、使用されるテンプレートの種類、履歴などを管理するために、テンプレートには個々の識別を行うことが可能な何らかの固有マークが付与されていることが望ましい。しかし、光インプリント法を使用して作製された子テンプレートは、凹凸が反転する以外は親テンプレートからの忠実な複製となるために、パターン加工時にテンプレート毎に異なるIDを付与することができない。
親テンプレートからインプリント法により子テンプレートを作製することができ、且つ個別識別マークを備えたテンプレートを容易に作製する。
実施形態によれば、第1のテンプレートからインプリント法により第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する被処理基板上のパターン形成領域に第1のレジストを塗布し、前記第1のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する前記被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第2のレジストを選択的に塗布した後、前記第1及び第2のレジストが塗布された前記被処理基板上に前記第1のテンプレートを密着させて、前記第1のテンプレートの凹部に前記第1のレジストを浸透させ、次いで前記第1及び第2のレジストを硬化させ、前記硬化された第1及び第2のレジストをマスクに用いて前記被処理基板を加工する。
実施形態を説明する前に、光インプリント法の基本について説明しておく。
光インプリント法では、図1に示すような所望するパターンを形成するための型となるテンプレートを事前に用意しておく必要がある。図1(a)はテンプレートの構成を示す斜視図、図1(b)は図1(a)の矢視A−A’断面図である。テンプレートは、石英などの透過性を有する材料からなる基板11の表面に、所望のパターン15が凹凸形状で形成されたものである。
図2は、光インプリント法によるパターン形成工程の一例を図示したものである。まず、図2(a)に示すように、パターン加工を行う石英等の基板21上にCr薄膜22を成膜し、その上に光硬化性樹脂23を塗布する。次いで、図2(b)に示すように、予め準備したテンプレート10を光硬化性樹脂23に押し当てる。この状態で、図2(c)に示すように、毛細管現象によって光硬化性樹脂23がテンプレート10の凹部に充填するまで待つ。
次いで、図2(d)に示すように、テンプレート10の裏面側から光を照射して光硬化性樹脂23を硬化させる。最後に、図2(e)に示すように、テンプレート10を基板21から引き離すと、硬化した樹脂23により、テンプレート10上に形成されていたパターンとは凹凸反転した形で基板21上に樹脂23のパターンが形成される。
この樹脂23のパターンをマスクとしてエッチング処理等のプロセス処理を施すことにより、基板21上にパターンを形成することが可能となる。即ち、樹脂23のパターンをマスクにCr薄膜22を選択エッチングし、Cr薄膜22のパターンをマスクに基板21を選択エッチングすることにより、基板21にテンプレート10の凹凸と反転したパターンが形成される。
インプリント法としては、光硬化性樹脂の代わりに熱効果性樹脂を使用して加熱によりパターンを形成する手法など幾つかの手法が提案されているが、何れもテンプレート上に形成されたパターンを基板上に転写することにより所望のパターンを形成している。このように、インプリント法においてはテンプレートを作製する技術が重要である。
図3は、光インプリント法で使用されるテンプレートを電子ビームリソグラフィーで作製するフローの例を図示したものである。
まず、図3(a)に示すように、テンプレートを作製するテンプレート基板11を準備する。このテンプレート基板11の表面にCr薄膜12を成膜し、その表面に電子ビーム感光性のレジスト13を塗布する。
テンプレート基板11の部材としては、合成石英が一般的に用いられている。これは、光硬化性樹脂の硬化工程においてパターン裏面から光を照射して樹脂を硬化させるため、照射光に対して透明性が得られる部材である必要があるためである。
次いで、図3(b)に示すように、準備されたテンプレート基板11上に電子ビーム露光装置を使用して所望パターンを描画し、テンプレート基板表層のレジスト13を選択的に露光させる。描画完了したテンプレート基板11を現像処理し、図3(c)に示すように、電子ビーム露光部のレジスト13を除去する。
次いで、図3(d)に示すように、レジスト13をマスクとしてCr薄膜12をエッチングする。その後、残ったレジスト13を剥離処理して除去する。
次いで、図3(e)に示すように、パターンが加工されたCr薄膜12をマスクとして、基板11を所望の深さまでエッチング処理により掘り込む。最後に、図3(f)に示すように、表面のCr薄膜13を除去する。これにより、所望のパターンがテンプレート基板11上の凹凸形状で形成されたテンプレート10が作製される。
以上のような手順で作製されたテンプレート10を使用して、前述した光インプリント法によるパターン形成手順を用いることにより、所望の基板21上には固化した光硬化性樹脂23によりテンプレート上に形成されたパターンが凹凸反転した形状でパターンが転写される。その後、基板21上に形成された光硬化性樹脂23によるパターンをマスクとして、基板21に対してエッチング等のプロセスを施すことにより、基板21上に所望のパターンを形成することが可能となる。
前述の光インプリント法によるパターン形成手順で示した通り、インプリント法ではテンプレートを光硬化性樹脂等へ物理的に接触させることによりパターンの形成を行っている。このため、使用頻度に従う磨耗、テンプレート上のパターン凹部の目詰まり、インプリント時に基板とテンプレートとの間に硬質な異物が挟まるなどの原因によるテンプレート10の破損などといった理由により、正確なパターン転写ができなくなることがある。このため、同一形状のテンプレートを複数準備し、規定の回数の使用、或いは転写欠陥の発生具合に応じてテンプレートを切り替えて使用するという手順が一般的に用いられている。
しかしながら、前記テンプレート作製手順で示した、電子ビームリソグラフィーを使用したテンプレート作製方法では、電子ビームによるパターン描画には非常に長い描画時間が必要となる。例えば、65mm×65mmの領域内にハーフピッチ20nmのラインアンドスペースパターンを敷き詰めたパターンを、現在広く使用されている加速電圧100keVのガウシャンビーム描画装置を用いて描画すると、約1ヶ月の描画時間を要することとなる。このため、電子ビームリソグラフィーを用いて作製しテンプレートを作製した後、このテンプレートを親テンプレートとして、インプリント手法により子テンプレートを複数作製する、或いは更に子テンプレートから孫テンプレートを複数作製するという方法で同一形状の複数のテンプレートを準備し、基板上へのパターン形成は子テンプレート、孫テンプレートで行うという手法が一般的に用いられている。
一方、インプリント法を使用してパターン形成を行う製造工程を考えた場合、製造工程内で使用されるテンプレートの種類、履歴などを管理するために、テンプレートには個々の識別を行うことが可能な何らかの固有マークが付与されていることが望ましい。このため、テンプレートには識別を行うための固有マーク、固有文字列等のIDを刻印する必要がある。
しかしながら、前記インプリント法を使用して作製された子テンプレート、孫テンプレートなどは凹凸が反転する以外は親テンプレートからの忠実な複製となるためにパターン加工時にテンプレート毎に異なるIDを付与することができない。テンプレートを保管するケースに識別可能な名称を付与するなど、間接的な手順により識別を行うことは可能であるが、例えば半導体デバイス製造工程のように、多種のパターンを大量に使用するような場合にはテンプレートの取り間違いなどのリスクを起こす可能性が高い。
そこで、テンプレート作製後にテンプレートに追加工してIDを刻印するという手法が考案された。しかしながら、この方法ではID作製のために工程が増加し、テンプレート製造のために要する時間が増大すると共に、追加工を行う際に発生したゴミがパターン上に付着する可能性、追加工の作業自体によってテンプレート上のパターンを傷つけるなどのリスクが発生するという問題があった。
以下、上記の問題を解決し、第1のテンプレート(親テンプレート)から識別マーク付きの第2のテンプレート(子テンプレート)を作製する実施形態を説明する。
(第1の実施形態)
第1の実施形態では、光インプリント法を使用して第1のテンプレートから被加工基板にパターンを転写して、第2のテンプレートを作製する際に、第2のテンプレート上に識別可能なマークを形成する手法を示す。なお、第1のテンプレートを作製する手法については、既存の技術を使用するものとし、本実施形態では詳述しない。また、被加工基板上に光硬化性樹脂によりパターンを形成した後のエッチング処理等のプロセスに関しては、既存の技術を使用するものし、本実施例では詳述しない。
第1の実施形態では、光インプリント法を使用して第1のテンプレートから被加工基板にパターンを転写して、第2のテンプレートを作製する際に、第2のテンプレート上に識別可能なマークを形成する手法を示す。なお、第1のテンプレートを作製する手法については、既存の技術を使用するものとし、本実施形態では詳述しない。また、被加工基板上に光硬化性樹脂によりパターンを形成した後のエッチング処理等のプロセスに関しては、既存の技術を使用するものし、本実施例では詳述しない。
図4は、第1の実施形態で使用する第2のテンプレート作製のためのフローを図示したものである。以降、図4に示されたフローに対応して第1の実施形態の内容を説明する。
第1の工程(S11)では、所望のパターンが形成された第1のテンプレート、並びに第2のテンプレートを加工するための被加工基板を準備する。
図5は、第1のテンプレート10の断面構造を示したものである。一般的には、転写を所望する凹凸で形成されたパターンが存在するパターン領域31と、パターンの存在しない周辺領域32では表面高さが異なる構造(メサ構造)となっている。これは、パターン転写のために第1のテンプレート10を被加工基板21に近接させた際、第1のテンプレート10のパターン領域周辺部位が、被加工基板21側のパターン転写予定領域の周辺に事前に形成されたパターンに接触し、破損することを避けるためである。また、パターン領域31の最外側の凹部は樹脂がパターン領域の外側にはみ出さないようにするためのストッパ部分である。
なお、メサ構造は第1のテンプレート側、被加工基板側のどちらに形成されていても良い。また、第1のテンプレート側と被加工基板側の両方に形成されていても良い。本実施形態では、第1のテンプレートがメサ構造を有し、被加工基板側にはメサ構造が無いものとする。
第2の工程(S12)では、被加工基板の被加工面を上面として配置し、被加工面に光硬化性樹脂を塗布する。この際、一般的な方法では、光硬化性樹脂は被加工面のパターン転写を所望する位置にのみ塗布される。このために、樹脂塗布装置としては塗布位置制御が可能なインクジェット方式の塗布装置が一般的に用いられている。
図6は、被加工基板21上に光硬化性樹脂23が塗布された状態を図示したものである。図6中の領域Aは、被加工基板21上における、第1のテンプレート10上に形成されたパターンが転写されるパターン形成領域を示したものである。この領域A内への光硬化性樹脂(第1のレジスト)23aの塗布は、転写を所望する第1のテンプレート10上のパターンの形状に従って塗布量を変化させるなど、必ずしも均一な量ではない。図6中の領域Bは、被加工基板21上における、個別識別が可能なマークが形成されるマーク形成領域である。本実施形態では、この領域Bに個別識別マークを形成することが可能となるように選択的に光硬化性樹脂(第2のレジスト)23bを塗布することを特徴とする。
なお、光硬化性樹脂23a,23bは同じ材料であっても良いし、異なる材料であっても良い。即ち、1つの塗布装置を用いて光硬化性樹脂23aと光硬化性樹脂23bを塗布形成しても良いし、異なる塗布装置を用いて光硬化性樹脂23aと光硬化性樹脂23bを塗布形成しても良い。
図7は、図6のマーク形成領域Bに本実施形態の手順に従い光硬化性樹脂23bが塗布された様子を被加工基板21の上面から見たものである。本実施形態では、個別識別マークとして文字列を用いたが、2Dバーコードなど、文字列以外のものを使用しても良い。
第3の工程(S13)では、光硬化性樹脂を塗布された被加工基板21の上面に第1のテンプレート10を近接させて配置し、被加工基板上21に塗布された樹脂23aが、第1のテンプレート10上に形成された凹凸形状のパターンに浸透するまで保持する。
図8は、樹脂23が浸透した状態を図示したものである。パターン形成領域Aでは樹脂23aがテンプレート10の凹部に浸透し、マーク形成領域Bでは樹脂23bはそのままとなる。なお、本実施形態では、個別識別マークが形成される領域が相対する第1のテンプレート10におけるメサ構造の凹部に設定されているが、メサ構造の凸部であってもよい。
第4の工程(S14)では、光硬化性樹脂23に対して光照射を行って樹脂23を硬化させる。第5の工程(S15)では、第1のテンプレート10を被加工基板21から剥離する。
図9は、本工程完了後の被加工基板21を上面から見た図である。パターン形成領域Aにおいては第1のテンプレート10の凹部に相当する部分の樹脂23aが凸部として形成され、個別識別マークの形成領域Bにおいては、樹脂23bが塗布された形状のまま硬化し、凸形状で個別識別マークが形成されている。
第6の工程(S16)では、第5の工程までに形成された樹脂23によるパターンをマスクパターンとして、エッチング等のプロセス処理を行い、最終的には個別識別マークを有する第2のテンプレートが完成する。
このように本実施形態によれば、親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えた子テンプレートを容易に作製することができる。そしてこの場合、個別識別マークの作製のために増える工程は、第2の工程でマーク形成領域に樹脂23bを選択的に塗布することのみであるため、テンプレート製造のために要する時間が増大する問題はない。さらに、追加工によりIDを刻印する方法とは異なり、ゴミの発生やゴミの付着が生じることもなく、追加工の作業自体によってテンプレート上のパターンを傷つけるなどのリスクもない。
また、本実施形態では、1つの被加工基板に対して、1回のインプリントプロセスしか行っていないが、1つの被加工基板に対して、第2の工程から第5の工程までを複数回実施することにより、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを備えた複数の第2のテンプレートを作製することが可能である。さらに、このような複数回プロセスを実施する際に各回で異なる第1のテンプレートを使用すれば、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを有する、異なる種類の第2のテンプレートを複数作製することが可能である。
(第2の実施形態)
第2の実施形態では、光インプリント法を使用して第1のテンプレートから被加工基板にパターンを転写した後に、第2のテンプレート上に個別識別が可能なマークを形成する方法を示す。
第2の実施形態では、光インプリント法を使用して第1のテンプレートから被加工基板にパターンを転写した後に、第2のテンプレート上に個別識別が可能なマークを形成する方法を示す。
図10は、第2の実施形態で使用する第2のテンプレート作製のためのフローを図示したものである。以降、図10に示されたフローに対応して第2の実施形態の内容を説明する。
第1の工程(S21)では、第1のテンプレート、並びに第2のテンプレートを形成するための被加工基板を準備する。
第2の工程(S22)では、被加工基板の被加工面を上面として配置し、被加工面のパターン転写を所望する位置に光硬化性樹脂を塗布する。
第3の工程(S23)では、光硬化性樹脂を塗布された被加工基板の上面に第1のテンプレートを近接させて配置し、被加工基板上に塗布された樹脂が、第1のテンプレート上に形成された凹凸形状のパターンに浸透するまで保持する。
第4の工程(S24)では、光硬化性樹脂に対して光照射を行って樹脂を硬化させる。
第5の工程(S25)では、第1のテンプレートを被加工基板から剥離する。
図11は、ここまでの工程により被加工基板21上に形成されたパターンの形状を示したものである。領域Aには樹脂23のパターンが転写されているが、領域Bにはパターンは転写されていない。
第6の工程(S26)では、被加工基板上のパターンが形成された領域以外の領域に個別識別マークを形成することが可能となるように選択的に光硬化性樹脂を塗布する。
第7の工程(S27)では、第6の工程で塗布された光硬化性樹脂に対して光照射を行い樹脂を硬化させる。
第8の工程(S28)では、第7の工程までに形成された樹脂によるパターンをマスクパターンとして、エッチング等のプロセス処理を行い、最終的には個別識別マークを有する第2のテンプレートが完成する。
このように、本実施形態においても、親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えた子テンプレートを容易に作製することができ、先の第1の実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態では、光硬化性樹脂を塗布・硬化する工程を2回に分けているものの、樹脂のパターンをマスクとした被加工基板の加工は1回で済むことになり、プロセスの増加は殆どない。
また、本実施形態では、1つの被加工基板に対して、1回のインプリントプロセスしか行っていないが、同一の被加工基板に対して、第2の工程から第5の工程までを複数回行うことにより、同一の被加工基板上に、複数の第2のテンプレートの樹脂によるマスクパターンを形成することが可能である。しかも、第6の工程から第8の工程を施すことにより、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを備えた複数の第2のテンプレートを作製することが可能である。さらに、このような複数回プロセスを実施する際に各回で異なる第1のテンプレートを使用すれば、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを有する、異なる種類の第2のテンプレートを複数作製することが可能である。
(第3の実施形態)
第3の実施形態は、第1及び第2の実施形態と同様の手順を、第1のテンプレート10を下側に、被加工基板21を上側に配置して、光硬化性樹脂23を第1のテンプレート10に塗布することにより行う。
第3の実施形態は、第1及び第2の実施形態と同様の手順を、第1のテンプレート10を下側に、被加工基板21を上側に配置して、光硬化性樹脂23を第1のテンプレート10に塗布することにより行う。
この場合、図12に示すように、個別識別マークを形成する領域は、第1のテンプレート10、被加工基板21共にメサ構造の凸部である必要がある。それ以外の点では、第1及び第2の実施形態と格段の違いは無い。但し、第1のテンプレート10に塗布した樹脂23bを被加工基板21側に付着させるため、周辺領域32はパターン領域31と同じ高さになっている。
このような本実施形態においても、親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えた子テンプレートを容易に作製することができ、先の第1の実施形態と同様の効果が得られる。
(第4の実施形態)
第4の実施形態では、第1のテンプレートに形成された個別識別マーク形成が可能な凹凸パターンの一部、又は、全部を被加工基板に転写することにより個別識別マークを有する第2のテンプレートを作製する。
第4の実施形態では、第1のテンプレートに形成された個別識別マーク形成が可能な凹凸パターンの一部、又は、全部を被加工基板に転写することにより個別識別マークを有する第2のテンプレートを作製する。
図13は、第4の実施形態で使用する第2のテンプレート作製のためのフローを図示したものである。以降、図13に示されたフローに対応して第4の実施形態の内容を説明する。
第1の工程(S41)では、第1のテンプレート、並びに第2のテンプレートを形成するための被加工基板を準備する。第1のテンプレートには個別識別マーク形成が可能な凹凸パターンが形成されていなくてはならない。
図14は、本実施形態で使用する第1のテンプレートに形成されている個別識別マーク16を図示したものである。本実施形態では、被加工基板上に2Dバーコードを作製することを意図した構造としているが、この構造に限定されるものではない。
第2の工程(S42)では、被加工基板の被加工面を上面として配置し、被加工面に光硬化性樹脂を塗布する。この際、第1のテンプレート上に形成されたパターンが転写される領域においては、転写を所望する第1のテンプレート上のパターンの形状に従って従来技術に従って塗布を行う。また、個別識別マークの形成を所望する領域においては、転写後の形状が所望の個別識別マークとなるように選択的に塗布を行う。
図15は、第2の工程で光硬化性樹脂が塗布された状態を示した図である。識別マーク形成領域Bでは、個別識別マーク16のパターンに応じて、必要な部分のみに被加工基板21上に樹脂23が塗布されている。この樹脂23の塗布に関して、樹脂23は最終的に第1のテンプレートによる転写により形状が規定されるので、精度良く形成する必要はない。
第3から第5の工程(S43〜S45)により、被加工基板上に硬化された樹脂によるパターンを形成する。
図16は、第5の工程までを実施した後に被加工基板21上に形成された硬化された樹脂23によるパターンを図示したものである。
第6の工程(S46)では、第5の工程までに形成された樹脂によるパターンをマスクパターンとして、エッチング等のプロセス処理を行い、最終的には個別識別マークを有する第2のテンプレートが完成する。
本実施形態では、1つの被加工基板に対して、1回のインプリントプロセスしか行っていないが、1つの被加工基板に対して、第2の工程から第5の工程までを複数回実施することにより、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを備えた複数の第2のテンプレートを作製することが可能である。また、このような複数回プロセスを実施する際に各回で異なる第1のテンプレートを使用すれば、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを有する、異なる種類の第2のテンプレートを複数作製することが可能である。
(変形例)
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態ではテンプレート基板として石英を用いたが、必ずしも石英に限るものではなく、光インプリント法により用いる光の波長に対して十分な透過性を有するものであればよい。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態ではテンプレート基板として石英を用いたが、必ずしも石英に限るものではなく、光インプリント法により用いる光の波長に対して十分な透過性を有するものであればよい。
識別マークは、任意の文字列に限るものではなく、1次元バーコードマークや2次元バーコードマークであっても良いし、これらの組み合わせにより形成されていてもよい。さらに、識別マークとして基板を掘り込む溝の深さは、仕様に応じて適宜定めればよい。
また、実施形態において使用するプロセスは、本発明の内容を拘束するものではない。実施形態において、第1のテンプレートのパターンを形成するために使用するリソグラフィー手段として電子ビーム描画装置を使用しているが、要望される精度等の仕様を満たすものであれば、レーザービーム描画装置、イオンビーム描画装置等の手段を用いても構わない。この場合、使用する描画装置によって、使用するレジストの種類が変化しても構わない。さらに、第2のテンプレートを形成する際のインプリント法は必ずしも光インプリントに限らない。例えば、光硬化性樹脂の代わりに熱硬化性樹脂を用いた熱インプリント法を用いることも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
10…第1のテンプレート
11…テンプレート基板
12…Cr薄膜
13…レジスト
15…パターン
16…個別識別マーク
20…第2のテンプレート
21…被加工基板
22…Cr薄膜
23…光硬化性樹脂
23a…光硬化性樹脂(第1のレジスト)
23b…光硬化性樹脂(第2のレジスト)
31…パターン領域
32…周辺領域
11…テンプレート基板
12…Cr薄膜
13…レジスト
15…パターン
16…個別識別マーク
20…第2のテンプレート
21…被加工基板
22…Cr薄膜
23…光硬化性樹脂
23a…光硬化性樹脂(第1のレジスト)
23b…光硬化性樹脂(第2のレジスト)
31…パターン領域
32…周辺領域
Claims (5)
- インプリント法を用いて第1のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する前記被処理基板上のパターン形成領域に第1のレジストを塗布する工程と、
前記第1のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する前記被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第2のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記第1及び第2のレジストが塗布された前記被処理基板上に前記第1のテンプレートを密着させて、前記第1のテンプレートの凹部に前記被処理基板上に塗布された第1のレジストを浸透させる工程と、
前記第1のレジストを前記第1のテンプレートの凹部に浸透させた後に、前記第1及び第2のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第1及び第2のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。 - インプリント法を用いて第1のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する、前記被処理基板上のパターン形成領域に第1のレジストを塗布する工程と、
前記被処理基板上に前記第1のテンプレートを密着させて、前記第1のテンプレートの凹部に前記被処理基板上に塗布された第1のレジストを浸透させる工程と、
前記第1のテンプレートの凹部に浸透された第1のレジストを硬化させる工程と、
前記第1のレジストを硬化させた後に、前記第1のテンプレートを前記被処理基板及び前記第1のレジストから剥離する工程と、
前記第1のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する、前記被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターン形状となるように第2のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記塗布された第2のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第1及び第2のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。 - インプリント法を用いて第1のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第1のテンプレート上の転写を希望する凹凸パターンが形成された領域に第1のレジストを塗布する工程と、
前記第1のテンプレート上の凹凸パターンが形成されていない領域に、所望するパターン形状となるように第2のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記第1及び第2のレジストが塗布された第1のテンプレートを前記被処理基板上に近接させて、前記第1及び第2のレジストを前記被処理基板に接触させる工程と、
前記被処理基板に接触された第1及び第2のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第1及び第2のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。 - インプリント法を用いて第1のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第2のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第1のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する前記被処理基板上のパターン形成領域に、第1のレジストを塗布する工程と、
前記第1のテンプレート上の個別識別マーク形成用に形成された凹凸パターンに対応する前記被処理基板上のマーク形成領域に、前記第1のテンプレートに形成された識別マークパターンの一部又は全部が形成されるように、第2のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記第1及び第2のレジストが塗布された前記被処理基板上に前記第1のテンプレートを密着させて、前記第1のテンプレートの凹部に前記被処理基板上に塗布された第1及び第2のレジストを浸透させる工程と、
前記第1及び第2のレジストを前記第1のテンプレートの凹部に浸透させた後に、前記第1及び第2のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第1及び第2のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。 - 前記第1及び第2のレジストは、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のテンプレート作製方法。
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