JP6338938B2 - テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 - Google Patents
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Description
[付記1]
100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートにおいて、
前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンを有し、
前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置されることを特徴とするテンプレート。
[付記2]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記1に記載のテンプレート。
[付記3]
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が2以上であり、
前記第1ダミーパターンは、アスペクト比が1以下であることを特徴とする付記2に記載のテンプレート。
[付記4]
前記第2パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第2ダミーパターンを有し、
前記第2ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第2ダミーパターンが配置されることを特徴とする付記1に記載のテンプレート。
[付記5]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第2ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記4に記載のテンプレート。
[付記6]
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が2以上であり、
前記第2ダミーパターンは、アスペクト比が1以下であることを特徴とする付記5に記載のテンプレート。
[付記7]
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第2ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なることを特徴とする付記5に記載のテンプレート。
[付記8]
100nm以下の幅を有する凹凸パターンを含む第1パターン、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンを含む第2パターン、および前記第2パターンの凹パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように配置される第1ダミーパターンを有する第1レジストパターンをテンプレート基板の一方の面に形成し、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記テンプレート基板をエッチングし、
前記テンプレート基板の前記第1ダミーパターンの形成位置以外を覆う第2レジストパターンを形成し、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第1ダミーパターンが所定の高さとなるように前記第1ダミーパターンをエッチングすることを特徴とするテンプレートの製造方法。
[付記9]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記8に記載のテンプレートの製造方法。
[付記10]
前記第1レジストパターンを用いたエッチングでは、前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比が2以上となるようにエッチングを行い、
前記第2レジストパターンを用いたエッチングでは、前記第1ダミーパターンのアスペクト比が1以下となるようにエッチングを行うことを特徴とする付記9に記載のテンプレートの製造方法。
[付記11]
前記第1レジストパターンを用いたエッチングと前記第2レジストパターンを用いたエッチングでは、前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第1ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なるようにエッチングを行うことを特徴とする付記9に記載のテンプレートの製造方法。
[付記12]
前記第2レジストパターンの形成では、前記第2パターンの凸パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように配置される第2ダミーパターンを前記第2レジストパターンに形成することを特徴とする付記8に記載のテンプレートの製造方法。
[付記13]
加工対象上にレジストを滴下し、
100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートを、パターン形成面が前記レジストを介して前記加工対象上に押し付け、
前記レジストを硬化させ、
前記テンプレートを前記加工対象から除去し、
前記テンプレートの押し付けで、前記テンプレートは、前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンを有し、前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置されることを特徴とするインプリント方法。
[付記14]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記13に記載のインプリント方法。
[付記15]
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が2以上であり、
前記第1ダミーパターンは、アスペクト比が1以下であることを特徴とする付記14に記載のインプリント方法。
[付記16]
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第1ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なることを特徴とする付記14に記載のインプリント方法。
Claims (9)
- 100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートにおいて、
前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンと、
前記第2パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第2ダミーパターンと、
を有し、
前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置され、
前記第2ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第2ダミーパターンが配置され、
前記第2ダミーパターンの延在方向の一方の端部には、前記第2パターンの凹パターンが接続されることを特徴とするテンプレート。 - 前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。 - 前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第1ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なることを特徴とする請求項2に記載のテンプレート。
- 前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第2ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。 - 前記第1ダミーパターンの高さは、レジストを介して加工対象に当該テンプレートを接触させて前記凹凸パターンを転写し、転写された前記凹凸パターンを用いて加工を行った際に、前記加工対象に転写されない高さであることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。
- 100nm以下の幅を有する凹凸パターンを含む第1パターン、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンを含む第2パターン、および前記第2パターンの凹パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように配置される第1ダミーパターンを有する第1レジストパターンをテンプレート基板の一方の面に形成し、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記テンプレート基板をエッチングし、
前記テンプレート基板の前記第1ダミーパターン、および前記第2パターンの凸パターンに設けられる、隣接する他のパターンとの間隔が100nm以下となり、前記凹凸パターンの深さよりも浅く、延在方向の一端が前記第2パターンの凹パターンに接続される第2ダミーパターンの形成位置以外を覆う第2レジストパターンを形成し、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第1ダミーパターンが所定の高さとなるように前記第1ダミーパターンと露出した前記第2パターンの前記凸パターンをエッチングすることを特徴とするテンプレートの製造方法。 - 加工対象上にレジストを滴下し、
100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートを、パターン形成面が前記レジストを介して前記加工対象上に押し付け、
前記レジストを硬化させ、
前記テンプレートを前記加工対象から除去し、
前記テンプレートは、前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンと、前記第2パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第2ダミーパターンと、を有し、
前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置され、
前記第2ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第2ダミーパターンが配置され、
前記第2ダミーパターンの延在方向の一方の端部には、前記第2パターンの凹パターンが接続されることを特徴とするインプリント方法。 - 前記レジストの滴下で、前記テンプレートに形成されたパターン形状によらず、前記レジストの配置は一定であることを特徴とする請求項7に記載のインプリント方法。
- 前記テンプレートの除去の後、硬化した前記レジストに転写された凹凸パターンを用いて前記加工対象を加工し、
前記加工対象の加工では、前記第1ダミーパターンは、前記加工対象には転写されないことを特徴とする請求項7に記載のインプリント方法。
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