JP6083135B2 - ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents
ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6083135B2 JP6083135B2 JP2012131219A JP2012131219A JP6083135B2 JP 6083135 B2 JP6083135 B2 JP 6083135B2 JP 2012131219 A JP2012131219 A JP 2012131219A JP 2012131219 A JP2012131219 A JP 2012131219A JP 6083135 B2 JP6083135 B2 JP 6083135B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- region
- template
- transferred
- plan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートは、基材の一方の面に、第1のパターンを有する第1領域と、前記第1領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置され、第2のパターンを有する第2領域とを備え、前記第2のパターンの形状は、前記第1のパターンの形状に類似することを特徴とする。
図1〜4を参照して、第1の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概要について説明する。図1及び図2は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概略平面図である。図1に示すようにテンプレート100は、凹凸構造を包摂するパターン領域Xと、このパターン領域Xの周囲に存在する非パターン領域Yとを有する。図では、テンプレート100の外形は矩形であるが、これに限定されるものではなく、円形などの任意の形状であってもよい。図2に示すようにパターン領域Xは、少なくとも1つの単位領域Xn(図ではX1〜X4の4つの単位領域が例示されている)を有する。
図9(D)では、第2のパターン121は、円形のドット状のパターンであり、直径d2(d2>d1)の円形ドットがピッチp1で六方最密充填のごとく配置されている。つまり、第2のパターン121は第1のパターン111と平面視の形状、ピッチが同一である。第2のパターン121を第1のパターン111の寸法よりも大きくすることで、第2のパターン121を電子線描画により形成する場合に、単位面積あたりの描画すべき領域、すなわち面積密度を低減することが出来るため、描画時間を短縮することができ、生産性の観点から好ましいといえる。なお、第2のパターン121の幅が第1のパターン111の幅よりも大きくなりすぎると、第1領域と第2領域での被転写材料の広がり挙動に差が生じる虞があるので、好ましくは、d1<d2≦5d1とするとよく、より好ましくはd1<d2≦3d1とするとよい。
図10を参照して、第2の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概要について説明する。第2の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートは、第2領域の周囲に第3のパターンを有する第3領域をさらに有することを特徴とする。
図12を参照して、ナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法について説明する。以下では、光インプリント法によるパターン形成に適用する場合について説明する。これに限らず熱などの公知のインプリント法に適用可能である。
(1-a)テンプレート準備工程
光透過性のテンプレート100を準備する。テンプレート100の作成は、例えば、石英からなる基材上にレジストを形成し、このレジストを電子線リソグラフィやフォトリソグラフィによりパターニングしてマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して基材をエッチングすることで可能である。
転写基材201を準備する。転写基材の材質は、テンプレートに用いることができる材質と略同様であってもよい。転写基材201は予め構造体が形成されていてもよい。厚みは凹凸構造の形状、材料強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができる。また、転写基材201の外形はテンプレート100と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
(2-a)被転写材料供給工程(図12(A)参照)
転写基材201に被転写材料Mを供給する。被転写材料Mは、光硬化性樹脂である。被転写材料の供給方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、インクジェット法などを用いることができ、より好ましくはインクジェット法を用いるとよい。インクジェット法により、転写基材上201に被転写材料Mの1以上の液滴を形成する。被転写材料間の最小間隔は、テンプレートの第1領域と第2領域の最小間隔よりも大きくなるように設定される。
テンプレート100と転写基材201を対向させ、テンプレート100と転写基材201の間隔を小さくし、テンプレート100と被転写材料Mとを接触させる。被転写材料の特性にもよるが、毛管現象を利用してテンプレートの凹凸構造内に被転写材料を充填してもよいし、テンプレート及び転写基材の少なくとも一方を他方に押圧してテンプレートの凹凸構造内に被転写材料を充填してもよい。テンプレート100の第2パターンが存在することにより、第1領域から第2領域への被転写材料の移動、又は第2領域から第1領域への被転写材料の移動が促進されるか、又は阻害されないため、目的とする第1領域に被転写材料を均一性高く展開することが可能となる。
転写基材201とテンプレート100との間に被転写材料Mを介在させた状態で、紫外線を照射して被転写材料Mに硬化させる。これにより被転写材料Mを成形する。
被転写材料Mを硬化させた後、テンプレート100を被転写材料Mから引離す離型を行う。これにより、転写基材201上にパターンPを形成することができる。以後、パターンPをもとにレプリカテンプレート、半導体装置、磁気記録媒体などを製造することができる。
図13を参照して、テンプレート100を用いてレプリカテンプレートを製造する方法について説明する。既に図12に示したように、テンプレート100を用いて転写基材201上にパターンPを形成する(図13(A)参照)。その後、パターンPの残膜を酸素プラズマなどのエッチングにより除去し、転写基材201の一部を露出させる(図13(B)参照)。露出した転写基材201に対してエッチングを行い、凹凸構造を形成し、必要に応じてパターンPの残りを除去してレプリカテンプレート200を作成する(図13(C)参照)。なお、レプリカテンプレート200を用いて、さらにテンプレートを複製してもよい。
図14及び図15を参照して、テンプレート100を用いて半導体装置を作製する方法について説明する。なお、以下では半導体装置の代表的な製造工程に適用した態様を説明するが、これに限定されるものではない。また、テンプレート100の代わりにレプリカテンプレートを用いてもよい。
本態様は、ナノインプリントリソグラフィによりゲート電極をパターニングする工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。図14は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図であり、ゲート電極のパターニングにテンプレート100によるナノインプリントリソグラフィを行う態様を示す。不純物を注入してソース電極712、ドレイン電極714が形成された半導体基板710を準備する。半導体基板710上にSiO2などの絶縁層720を介して多結晶シリコンなどの導電層730を形成し、該導電層730上にレジストを塗布する(図14(A)参照)。レジスト750をテンプレート100によりパターニングしてレジストパターン(図示せず)を作成する。このレジストパターンをもとに導電層730をエッチングし、ゲート電極732を形成する(図14(B)参照)。上記の工程を経て半導体装置が作製される。
本態様は、ナノインプリントリソグラフィにより絶縁層をパターニングする工程と、該絶縁層にダマシン法により導電材料を配設する工程と、を含む、半導体装置の製造方法に関する。図15は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図であり、層間接続用の導通ビアの形成にテンプレート100によるインプリントを行う態様を示す。配線層830及び絶縁層822、824が積層して形成された半導体基板810を準備する。最上層の絶縁層824をテンプレート100によりパターニングして貫通孔824a、824bを形成する(図15(B)参照)。貫通孔824a、824bにダマシン法により、導電材を充填して導通ビア832a、832bを形成する(図15(C)参照)。上記工程を経て半導体装置が作製される。
次に、図16を参照して、テンプレート100を用いて磁気記録媒体を作製する方法について説明する。テンプレート100の代わりにレプリカテンプレートを用いてもよい。
なお、以下では磁気記録媒体の代表的な製造工程に適用した態様を説明するが、これに限定されるものではない。
Claims (7)
- 基材の一方の面に、第1のパターンを有する第1領域と、前記第1領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置され、第2のパターンを有する第2領域とを備え、
前記第2領域の周囲に第3のパターンを有する第3領域をさらに有し、
前記第1のパターン及び前記第2のパターンは、線状のパターンを有し、
前記第1のパターンが伸びる第1の方向と、前記第2のパターンが伸びる第2の方向とが実質的に一致し、
前記第2のパターンの平面視における前記第2の方向に直交する寸法d2は、前記第1のパターンの平面視における前記第1の方向に直交する寸法d1と、d1<d2≦3d1の関係であり、
前記第1のパターンの高さと前記第2のパターンの高さとは実質的に同一であり、
前記第3のパターンの平面視における寸法は、前記第2のパターンの平面視における寸法よりも大きい、ナノインプリント用テンプレート。 - 前記第2のパターンは、ダミーパターンである、請求項1記載のナノインプリント用テンプレート。
- 前記第3のパターンの平面視における寸法は、前記第1領域から離れるにつれて段階的に大きくなる、請求項1又は2記載のナノインプリント用テンプレート。
- 転写基材側に点在して供給される被転写材料に接触させて用いられるナノインプリント用テンプレートであって、
前記第1領域と前記第2領域との間の最小間隔は、被転写材料間の最小間隔よりも小さい、請求項1乃至3のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレート。 - 前記基材の一方の面と被転写材料の液滴とを接触させたとき、
前記第1領域における液滴の広がり挙動と、前記第2領域における液滴の広がり挙動とが実質的に同一である、請求項1乃至4のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレート。 - 請求項1乃至5のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレートを準備し、
転写基材を準備し、
前記転写基材の一方の面上に被転写材料を供給し、
前記ナノインプリント用テンプレートと前記転写基材とを対向させて配置し、
前記ナノインプリント用テンプレートと前記転写基材との間隔を縮めて前記ナノインプリント用テンプレートの一方の面と前記被転写材料を接触させ、前記被転写材料を前記ナノインプリント用テンプレートの一方の面と前記転写基材の一方の面との間に展開してなる、パターン形成方法。 - 前記転写基材上に前記被転写材料よりなる複数の液滴を点在するように供給し、
前記複数の液滴の最小間隔は、前記第1領域と前記第2領域との間の最小間隔よりも大きくする、請求項6記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012131219A JP6083135B2 (ja) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012131219A JP6083135B2 (ja) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013254913A JP2013254913A (ja) | 2013-12-19 |
JP6083135B2 true JP6083135B2 (ja) | 2017-02-22 |
Family
ID=49952171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012131219A Active JP6083135B2 (ja) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6083135B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6338938B2 (ja) | 2014-06-13 | 2018-06-06 | 東芝メモリ株式会社 | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 |
US11194247B2 (en) * | 2018-01-31 | 2021-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Extrusion control by capillary force reduction |
JP7147447B2 (ja) * | 2018-10-09 | 2022-10-05 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂製モールド、及び光学素子の製造方法 |
KR102123419B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2020-06-17 | 한국기계연구원 | 소자 간격 제어가 가능한 시트 및 이를 이용한 소자 간격 제어방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7762186B2 (en) * | 2005-04-19 | 2010-07-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US8142702B2 (en) * | 2007-06-18 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Solvent-assisted layer formation for imprint lithography |
JP5004225B2 (ja) * | 2007-09-19 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | インプリントリソグラフィ用モールド製作方法 |
US8075299B2 (en) * | 2008-10-21 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Reduction of stress during template separation |
JP4792096B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | テンプレートパターンの設計方法、テンプレートの製造方法及び半導体装置の製造方法。 |
JP5426489B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-02-26 | 株式会社東芝 | テンプレートの製造方法 |
JPWO2013002048A1 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-02-23 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 微細凹凸構造転写用鋳型 |
JP2013161893A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用のモールド、並びにそれを用いたナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法 |
-
2012
- 2012-06-08 JP JP2012131219A patent/JP6083135B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013254913A (ja) | 2013-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5377053B2 (ja) | テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法 | |
USRE48815E1 (en) | Method of designing a template pattern, method of manufacturing a template and method of manufacturing a semiconductor device | |
TWI391986B (zh) | 於晶圓邊緣作局部區域之壓印 | |
JP4823346B2 (ja) | テンプレートおよびパターン形成方法 | |
JP6083135B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 | |
US20120074605A1 (en) | Fine processing method, fine processing apparatus, and recording medium with fine processing program recorded thereon | |
KR20110093654A (ko) | 패턴 형성 방법 | |
JP5935453B2 (ja) | 基板の製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 | |
KR20100035130A (ko) | 임프린트 방법 | |
US10040219B2 (en) | Mold and mold manufacturing method | |
JP6338938B2 (ja) | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 | |
TWI597234B (zh) | Impression mold and virtual pattern design method | |
JP2007287951A (ja) | 基板の加工方法、パターン領域を有する部材の製造方法 | |
JP6326916B2 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント方法 | |
JP6155720B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法、及びナノインプリント用テンプレート | |
JP6361238B2 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント方法 | |
US20190278167A1 (en) | Manufacturing method of replica template, manufacturing method of semiconductor device, and master template | |
JP2007287942A (ja) | 微細構造パターンの転写方法及び転写装置 | |
JP5284423B2 (ja) | テンプレートおよびパターン形成方法 | |
JP5899931B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレート及びその製造方法 | |
JP2013161866A (ja) | インプリント方法およびテンプレート | |
WO2013105327A1 (ja) | スタンパ、インプリント装置及び処理製品並びに処理製品製造装置及び処理製品製造方法 | |
JP2015092599A (ja) | インプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置 | |
WO2015151323A1 (ja) | インプリント用モールドおよびインプリント方法 | |
JP6332426B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレートのパターン配置方法、テンプレート及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160330 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160510 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20160510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170109 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6083135 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |