JP6083135B2 - ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

ナノインプリント用テンプレート及びそれを用いたパターン形成方法 Download PDF

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Description

本発明は、ナノインプリント用テンプレートに関する。また、当該テンプレートをもとにパターンを形成する方法に関する。
近年、磁気記録媒体において記録密度を向上させるために、1ビットあたりの記録領域の微細化、すなわちメディア内の、単位面積あたりのビット数を高密度化させることが求められている。特にディスクリートトラック(DTR)やビットパターンドメディア(BPM)といった次世代の磁気記録媒体では、記録密度の高いメディアの作成のために数十nmピッチでの記録ビット形成が求められ、超微細パターンを形成するためにナノインプリント技術が応用されている(例えば、特許文献1)。
また、半導体装置の製造においても、製造プロセスに用いられているフォトリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつある。すなわち、現時点における最先端の半導体装置の設計ルールは、ハーフピッチ(hp)で数十nm程度にまで微細化してきており、従来の光を用いた縮小パターン転写によるリソグラフィでは解像力が不足し、パターン形成が困難な状況になっている。そこで、近年では、微細構造の形成方法としてナノインプリント技術が提案されている。
ナノインプリント技術は、基材の表面に微細な凹凸パターンを形成した型部材(テンプレートと呼ぶ)を用い、凹凸パターンを被加工物に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。上記のようなhpで数十nm程度の微細なパターンを形成する場合、レジスト材料等の被転写材料をインクジェット法により微小な液滴として転写基材側に供給し、この被転写材料にテンプレートを接触させて被転写材料を展開することがある(例えば、特許文献2)。
特開2009−70483号公報 特表2010−530641号公報 特開2008−91782号公報 特表2012−506618号公報
インプリント後の被転写材料の残膜厚を考慮して、被転写材料の滴下量や滴下位置などが決定され、被転写材料が被転写基材上に供給される。しかし、テンプレートを接触させたときに被転写材料の展開が不十分であると、被転写材料の膜に空隙が生じたりする虞がある。また、被転写材料をスピンコート法などにより供給する場合にも、例えば、コート後の膜厚にバラツキがあると被転写材料が均一に展開されない虞がある。この空隙が転写すべきパターンに生じてしまうと欠陥につながり、結果、製造不良となる。欠陥低減は、ナノインプリント技術において希求の課題である。
ところで、従来、主となるパターンに加えて、ダミーのパターン(以下、ダミーパターンとよぶ)を配設したテンプレートが提案されている(例えば、特許文献3、特許文献4など)。特許文献3では、複数のチップに対応するパターンが隣接して配設されたテンプレートにおいて、隣接するチップへ余剰な樹脂が漏出することを防止する目的で、ダミー溝が形成されているテンプレートが開示されている。しかしながら、ダミー溝は余剰な樹脂を吸収することはできるが、樹脂の展開を促進するものではない。また、特許文献4では、テンプレートを樹脂から引離す離型時に発生する応力を低減することを目的で、ダミーパターンが形成されているテンプレートが開示されている。しかしながら、主となるパターンとダミーパターンとの関係については言及されていない。さらにダミーパターンはテンプレートと硬化後の樹脂の分離線の伝送速度を制御することはできるが、硬化前の樹脂の展開を促進するものではない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、転写基材上に供給された被転写材料にテンプレートと接触させて被転写材料を展開する際に、被転写材料の展開不良による欠陥を低減する技術を提供することを主目的とする。
本発明者らは、上記課題に対して被転写材料の液滴の広がり挙動に着目して鋭意検討を行った。例えば、パターンの有無によって液滴の広がり挙動は異なり、主となるパターンの周囲に何もパターンがない場合を考えてみると、主となるパターンから樹脂が漏出したところで液滴の広がり挙動が変化して、被転写材料がそれ以前の挙動の規則性を失うことが分かる。主となるパターンとそれ以外の箇所とで液滴の広がり挙動に極力差が生じないように、主となるパターンの周囲にダミーパターンを配置することを検討した。しかし、従来のダミーパターンでは、主となるパターンにおける液滴の広がり挙動を考慮して設計されていないため、被転写材料の展開不良が低減されなかった。そこで、主となるパターンの特徴を模したダミーパターンを配置することで上記課題を解決することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。本発明は、以下の発明を包含する。
本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートは、基材の一方の面に、第1のパターンを有する第1領域と、前記第1領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置され、第2のパターンを有する第2領域とを備え、前記第2領域の周囲に第3のパターンを有する第3領域をさらに有し、前記第1のパターン及び前記第2のパターンは、線状のパターンを有し、前記第1のパターンが伸びる第1の方向と、前記第2のパターンが伸びる第2の方向とが実質的に一致し、前記第2のパターンの平面視における前記第2の方向に直交する寸法d2は、前記第1のパターンの平面視における前記第1の方向に直交する寸法d1と、d1<d2≦3d1の関係であり、前記第1のパターンの高さと前記第2のパターンの高さとは実質的に同一であ前記第3のパターンの平面視における寸法は、前記第2のパターンの平面視における寸法よりも大きいことを特徴とする。
他の態様として、前記第1のパターンの高さと前記第2のパターンの高さとは実質的に同一であってもよい。
他の態様として、前記第3のパターンの平面視における寸法は、前記第1領域から離れるにつれて段階的に大きくなっていてもよい。
他の態様として、転写基材側に点在して供給される被転写材料に接触させて用いられるナノインプリント用テンプレートであって、前記第1領域と前記第2領域との間の最小間隔は、被転写材料間の最小間隔よりも小さくなっていてもよい。
他の態様として、前記基材の一方の面と被転写材料の液滴とを接触させたとき、前記第1領域における液滴の広がり挙動と、前記第2領域における液滴の広がり挙動とが実質的に同一であってもよい。
本発明の一実施形態に係るパターン形成方法は、上記のナノインプリント用テンプレートを準備し、転写基材を準備し、前記転写基材の一方の面上に被転写材料を供給し、前記ナノインプリント用テンプレートと前記転写基材とを対向させて配置し、前記ナノインプリント用テンプレートと前記転写基材との間隔を縮めて前記ナノインプリント用テンプレートの一方の面と前記被転写材料を接触させ、前記被転写材料を前記ナノインプリント用テンプレートの一方の面と前記転写基材の一方の面との間に展開してなることを特徴とする。
他の態様として、前記転写基材上に前記被転写材料よりなる複数の液滴を点在するように供給し、前記複数の液滴の最小間隔を、前記第1領域と前記第2領域との間の間隔よりも大きくしてもよい。
本発明によれば、転写基材上に供給された被転写材料にテンプレートと接触させて被転写材料を展開する際に、被転写材料の展開不良による欠陥を低減することができる。
本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概略平面図である。 本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概略平面図である。 本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの単位領域を説明する概略平面図である。 本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの断面図である。 被転写材料の挙動を説明する模式図である。 被転写材料の挙動を説明する模式図である。 第1のパターンと第2のパターンの関係を説明する模式図である。 第1のパターンと第2のパターンの関係を説明する模式図である。 第1のパターンと第2のパターンの関係を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの単位領域を説明する概略平面図である。 第1〜第3のパターンの関係を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に係るパターン形成方法を説明する工程断面図である。 本発明の一実施形態に係るレプリカテンプレートの製造方法を説明する工程断面図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図である。 本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を説明する模式図である。
以下、図面を参照して本発明を説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。また、説明の便宜上、実際に比べて縮尺などを変更して説明を実施していることに注意されたい。
<ナノインプリント用テンプレート>
本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートは、基材の一方の面に、第1のパターンを有する第1領域と、前記第1領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置され、第2のパターンを有する第2領域とを備え、前記第2のパターンの形状は、前記第1のパターンの形状に類似することを特徴とする。
(第1の実施形態)
図1〜4を参照して、第1の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概要について説明する。図1及び図2は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概略平面図である。図1に示すようにテンプレート100は、凹凸構造を包摂するパターン領域Xと、このパターン領域Xの周囲に存在する非パターン領域Yとを有する。図では、テンプレート100の外形は矩形であるが、これに限定されるものではなく、円形などの任意の形状であってもよい。図2に示すようにパターン領域Xは、少なくとも1つの単位領域Xn(図ではX1〜X4の4つの単位領域が例示されている)を有する。
図3は、単位領域を説明する概略平面図であり、ある単位領域を拡大して示した図である。図3に示すように各単位領域には、第1のパターンを有する第1領域110と、第1領域110の周囲に中間領域150を介して配置された第2のパターンを有する第2領域120とが存在する。第1領域110とこれに対向する部位の第2領域120とは所定の間隔を隔てて離間している。図3(A)では、第1領域110の全周を囲むように連続した第2領域120が存在している態様を示している。図3(B)では、第1領域110を囲むように分断された複数の第2領域120が存在している態様を示している。また、複数の第2領域同士が一部で連結するような領域を有していてもよい。なお、第2領域は、必ずしも第1領域の全周にわたって配置されているものに限定されず、第1領域の周囲の一部に配置されるものであってもよい。各単位領域は、パターン領域Xを構成する領域であり、各単位領域が同じ機能をもった領域であってもよいし、異なる機能をもった領域であってもよい。
図4は、本発明の一実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの断面図であり、図1のI−Iにおける断面図である。図4(A)は、テンプレートの一実施形態を示す図であり、テンプレート100は、基材101の片側に第1のパターン111、第2のパターン121が形成されている。第1のパターン111が形成された領域が第1領域110であり、第2のパターン121が形成された領域が第2領域120である。第1領域110と第2領域120との間には中間領域150が存在する。図4(B)は、テンプレートの一実施形態を示す図であり、図4(A)に比べて基材101の形態が異なる。基材101は、基部101aと、この基部101aの片面から突出した凸構造部101bを有するものであり、いわゆるメサ構造と呼ばれるものである。第1のパターン111、第2のパターン121は、凸構造部101b上に位置する。図4(B)では、凸構造部101bによる段差が1段である例を示したが、段数は複数であってもよい。
基材101の材質は、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。テンプレートを光インプリント法に用いる場合には、基材は光透過性を有する材質からなり、典型的には石英を用いることができる。基材の厚みは凹凸構造の形状、材料強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、300μm〜10mmの範囲で適宜設定することができる。
第1領域110に包摂される第1のパターン111は、主に転写すべきパターンである。第2領域120に包摂される第2のパターン121は、第1のパターン111に類似し、第1のパターン111における被転写材料の広がり挙動を再現するためのパターンである。第2のパターン121は、第1のパターン111と独立した転写すべきパターンであってもよいし、ダミーパターンであってもよい。中間領域150は、第1領域110と第2領域120を隔離し、第1のパターン111と第2のパターン121との機能分離をする領域である。中間領域150によって第1領域110と第2領域120が隔てられる間隔に制限はない。例えば、第1領域110と第2領域120が隔てられる間隔は、被転写材料を供給する装置の構成が実現可能な液滴の大きさや、搬送ステージの最小送りピッチなどを考慮して設定してもよい。転写基材側に点在して供給される被転写材料と接触して用いられる場合には、上記間隔の最小値が被転写材料間の最小間隔よりも小さいことが好ましい。間隔が被転写材料間の最小間隔よりも小さいことで、被転写材料の広がりに対して中間領域150が略無視できる程度の領域とみなすことができ、広がり挙動に影響を及ぼす可能性が低くなるからである。例えば、インクジェット法により供給される被転写材料間の最小間隔が30μm〜100μmである場合には、間隔を100nm〜700nm、より好ましくは200nm〜500nmの範囲で設定するとよい。当該テンプレート100は、第1領域110の周囲に中間領域150を介して、第1領域110と同一であるか又は第1領域110に類似する第2領域120を有するものである。
第2領域120の面積は、第1のパターン111、第2のパターン121の形状、寸法、高さ、基材の表面状態、使用する被転写材料等の種々の条件を考慮して適宜設定すればよい。
ここで、第1領域110及び第2領域120でインプリントされる被転写材料の広がり挙動について説明する。始めに第1のパターン111及び第2のパターン121が線状のパターンである場合について説明する。図5は、被転写材料の挙動を説明する模式図である。上記のナノインプリント用テンプレートを被転写材料に接触させたときに、第1のパターン111で起きる被転写材料の挙動と、第2のパターン121で起きる被転写材料の挙動とを模式的に示している。図5(A)は、第1のパターン111、第2のパターン121に被転写材料Mが接触した状態を示す。各パターンに接触した被転写材料Mは、パターンによって画定されたテンプレート側の流路を通じて、主に線状のパターンの長手方向(紙面上方及び下方)へ移動することが促される、あるいは移動が阻害されないものと考えられる。
図5(B)は、第1のパターン111、第2のパターン121に被転写材料Mが接触してから一定時間経過した後の状態を示す。第1のパターン111と第2のパターンの形状が同一の線状であり、かつ、第1の方向と第2の方向が実質的に同一であるので被転写材料Mの広がり挙動が実質的に同一となる。したがって、第1領域から第2領域への被転写材料の移動、又は第2領域から第1領域への被転写材料の移動が、第1領域と第2領域の境界部分で停留することなく、また両領域に滴下された被転写材料を相補に分かち合うことも可能となるため、目的とする第1領域に被転写材料を均一性高く展開することが可能となるものと考えられる。被転写材料Mの広がり挙動を表す指標としては、被転写材料の液滴を微視的に捉える場合には広がり速度などを用い、被転写材料の液滴を巨視的に捉える場合には所定時間経過後の液滴の平面視の縦横比から導かれる広がり分布などを用いることができる。いずれかの指標において実質的に同一であれば、第1領域の被転写材料の挙動と第2領域の挙動とが実質的に同一であるとすることができる。
次に第1のパターン111及び第2のパターン121が円形のドット状のパターンである場合について説明する。図6は、被転写材料の挙動を説明する模式図である。上記のナノインプリント用テンプレートを被転写材料に接触させたときに、第1のパターン111で起きる被転写材料の挙動と、第2のパターン121で起きる被転写材料の挙動とを模式的に示している。図6(A)は、第1のパターン111、第2のパターン121に被転写材料Mが接触した状態を示す。図6(A)は、第1のパターン111、第2のパターン121に被転写材料Mが接触した状態を示す。各パターンに接触した被転写材料Mは、パターンによって画定された流路を通じて、主に各パターンの間を沿うように略等方的に移動することが促される。図6(B)第1のパターン111、第2のパターン121に被転写材料Mが接触してから一定時間経過した後の状態を示す。第1のパターン111と第2のパターンの形状が円形の同一のドットパターンであるので被転写材料Mの広がり挙動(例えば、広がり速度)が実質的に同一となる。
以上のように、第1のパターン111と第2のパターン121の平面視の形状が同一であるので、被転写材料の広がり挙動(例えば、広がり速度)が第1領域と第2領域とで実質的に同一となる。その結果、点在するように供給された被転写材料にテンプレートと接触させて被転写材料を展開する際に、被転写材料の展開不良による欠陥を低減することができる。
ここからは、図7〜図9を参照して、第1のパターンと第2のパターンの関係についてより具体的に説明をする。図7〜図9は、第1のパターンと第2のパターンの関係を説明する模式図であり、パターンの一部を拡大して図示している。第2のパターンの平面視の形状は、第1のパターンの平面視の形状に類似している。
図7では、第1のパターンが図7(A)に示すような線状のパターンであるときに、これに類似する第2のパターンの各種態様を図7(B)〜(D)に示している。図7(A)では、第1のパターン111は直線(ライン)状のパターンであり、幅d1のラインとスペースが1:1の比で並んでいる。図7(B)では、第2のパターン121は、直線(ライン)状のパターンであり、幅d2(この場合、d2=d1)のラインとスペースが1:1の比で並んでいる。つまり、第2のパターン121は第1のパターン111と平面視の形状及び幅が同一である。なお、パターンが線状である場合には、平面視における寸法は、幅の値のことをいう。
第2のパターン121の幅は必ずしも第1のパターンの幅と同一である必要はない。図7(C)では、第2のパターン121は、直線(ライン)状のパターンであり、幅d2(この場合、d2>d1)のライン(図の斜線部が凸部)とスペースが1:1の比で並んでいる。つまり、第2のパターン121は第1のパターン111と平面視の形状が同一である。第1のパターン111と第2のパターン121が相似関係にあるが幅が相違する場合においても、第2のパターンの平面視の形状は、第1のパターンの平面視の形状に類似するものとする。第2のパターン121を第1のパターン111の寸法よりも大きくすることで、第2のパターン121を電子線描画により形成する場合に、単位面積あたりの描画すべき領域、すなわち面積密度を低減することが出来るため、描画時間を短縮することができ、生産性の観点から好ましいといえる。なお、第2のパターン121の幅が第1のパターン111の幅よりも大きくなりすぎると、第1領域と第2領域での被転写材料の広がり挙動に調和がとれなくなる虞があるので、好ましくは、d1<d2≦5d1とするとよく、より好ましくはd1<d2≦3d1とするとよい。
また、第2のパターン121のピッチは必ずしも第1のパターンのピッチと同一である必要はない。図7(D)では、第2のパターン121は、直線(ライン)状のパターンであり、幅d2(この場合、d2=d1)のライン(図の斜線部が凸部)とスペースが1:1.5の比で並んでいる。例えば、ラインとスペースのパターンであれば、ラインとスペースの比が1:0.5〜1:3の範囲でパターンのピッチを任意に変更してもよい。第2のパターン121のピッチを第1のパターン111のピッチよりも大きくすることで、第2のパターンを電子線描画により形成する場合、描画すべき図形数を減らすことができるので、描画時間を短縮することができ、生産性の観点から好ましいといえる。また、第2のパターンは、幅やピッチの値が2種類以上となる線状のパターンを含んでいてもよい。
図7(E)では、第2のパターン121は、直線(ライン)状のパターンであるが、一部に途切れた部位が存在する場合や、一部に隣接するラインと接続している部位が存在する場合を含むものである。第1のパターン111と第2のパターン121の大部分が相似関係にあるが完全に一致しない場合においても、第2のパターンの平面視の形状は、第1のパターンの平面視の形状に類似するものとする。例えば、第1のパターン111の画像に第2のパターンの画像を重ね合わせたときに一致する面積が80%以上であれば、第2のパターンの平面視の形状は、第1のパターンの平面視の形状に類似すると判断してもよい。
図8では、第1のパターンが図8(A)に示すような線状のパターンであるときに、これに類似する第2のパターンの態様を図8(B)に示している。図8(A)では、第1のパターン111は直線(ライン)状のパターンであり、幅d1のラインとスペースが1:1の比で第1の方向に沿って並んでいる。図8(B)では、第2のパターン121は、直線(ライン)状のパターンであり、幅d2(この場合、d2=d1)のラインとスペースが1:1の比で第2の方向に沿って並んでいる。第1の方向と第2の方向は一致せず、角度θで交わる関係にある。第1のパターン111と第2のパターン121が相似関係にあるが、延伸する方向が異なる場合においても、第2のパターンの平面視の形状は、第1のパターンの平面視の形状に類似するといえる。第1の方向と第2の方向が実質的に一致するとは、θが0°≦θ≦10°の範囲にあることをいう。なお、上記の例ではラインとスペースが1:1の場合について説明したが、これに限られるものではない。
また、第1のパターンの高さと第2のパターンの高さとは実質的に同一であると、第1領域と第2領域とで被転写材料の広がり挙動(例えば、広がり速度)を調和させることができる。なお、第1のパターン111の高さ(h1とする)と第2のパターン121の高さ(h2とする)とが、実質的に同一であるとは、0.8≦h2/h1≦1.2の範囲であることをいう。なお、パターンの高さは、パターンが凸状であれば周囲の面からパターンの天面までの値をさし、パターンが凹状であれば周囲にある表面からパターンの底面までの値をさす。
第1のパターン111と第2のパターン121が線状のパターンである場合には、当該パターンを反転させたパターンであっても被転写材料の広がりを促進する又は阻害しない流路が形成されるため、テンプレート100をマスター(親)として、1次レプリカ(子)、2次レプリカ(孫)…を作成する場合においても、レプリカ作成工程における被転写材料の展開不良による欠陥を低減することができる。
さらに、線状のパターンとして直線のラインパターンを例示しているが、これに限るものではなく、曲線などであってもよい。例えば、テンプレートの外形が円形状であるとき、すなわち座標系が円形座標である場合、線状のパターンはテンプレートの外形がもつ円弧と略同等の曲率を有していてもよい。
次に、第1のパターン111及び第2のパターン121が線状のパターン以外である場合について説明する。図9では、第1のパターンが図9(A)に示すようなドット状のパターンであるときに、これに類似する第2のパターンの各種態様を図9(B)〜(D)に示している。ドットは、円形に限らず、楕円、又は矩形、台形、平行四辺形などの多角形など任意の形状であってもよい。図9(A)では、第1のパターン111は円形のドット状のパターンであり、直径d1の円形ドットがピッチp1で六方最密充填のごとく配置されている。配置は、六方最密充填状に限らず、任意の配置であってもよい。図9(B)では、第2のパターン121は、円形のドット状のパターンであり、直径d2(この場合d2=d1)の円形ドットがピッチp2(この場合p2=p1)で六方最密充填のごとく配置されている。つまり、第2のパターン121は第1のパターン111と平面視の形状、寸法、及びピッチが同一である。なお、寸法は、パターンの最大内接円の直径とすることができる。
図9(C)では、第2のパターン121は、円形のドット状のパターンであり、直径d2(この場合d2=d1)の円形ドットがピッチp2(この場合p2>p1)で六方最密充填のごとく配置されている。第2のパターン121のピッチを第1のパターン111のピッチよりも大きくすることで、第2のパターンを電子線描画により形成する場合、描画すべき図形数を減らすことができるので、描画時間を短縮することができる。
図9(D)では、第2のパターン121は、円形のドット状のパターンであり、直径d2(d2>d1)の円形ドットがピッチp1で六方最密充填のごとく配置されている。つまり、第2のパターン121は第1のパターン111と平面視の形状、ピッチが同一である。第2のパターン121を第1のパターン111の寸法よりも大きくすることで、第2のパターン121を電子線描画により形成する場合に、単位面積あたりの描画すべき領域、すなわち面積密度を低減することが出来るため、描画時間を短縮することができ、生産性の観点から好ましいといえる。なお、第2のパターン121の幅が第1のパターン111の幅よりも大きくなりすぎると、第1領域と第2領域での被転写材料の広がり挙動に差が生じる虞があるので、好ましくは、d1<d2≦5d1とするとよく、より好ましくはd1<d2≦3d1とするとよい。
図9(E)では、第2のパターン121は、円形のドット状のパターンであり、直径d2(d2>d1)の円形ドットがピッチp1で六方最密充填のごとく配置されているが、一部の円形ドットが不足している場合を含むものである。第1のパターン111と第2のパターン121の大部分が相似関係にあるが完全に一致しない場合においても、第2のパターンの形状は、第1のパターンの形状に類似するといえる。また、第1のパターン111の画像に第2のパターンの画像を重ね合わせたときに一致する面積が80%以上であれば、第2のパターンの平面視の形状は、第1のパターンの平面視の形状に類似すると判断してもよい。第2のパターン121の図形数を第1のパターン111の図形数よりも少なくすることで、第2のパターン121を電子線描画により形成する場合には描画時間を短縮することができる。
(第2の実施形態)
図10を参照して、第2の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートの概要について説明する。第2の実施形態に係るナノインプリント用テンプレートは、第2領域の周囲に第3のパターンを有する第3領域をさらに有することを特徴とする。
図10は、単位領域を説明する概略平面図であり、ある単位領域を拡大して示した図である。図10に示すように各単位領域には、第1のパターンを有する第1領域110と、第1領域110の周囲に中間領域150を介して配置された第2のパターンを有する第2領域120とを有し、第2領域120の周囲にはさらに第3のパターンを有する第3領域130が存在する。図10では、第2領域120の全周を囲むように連続した第3領域130が存在している態様を示しているがこれに限らず、第2領域120を囲むように分断された複数の第3領域130が存在していてもよい。
図11は、第1〜第3のパターンの関係を説明する模式図である。第1のパターン111と第2パターン121との関係は第1の実施形態と略同様である。一例として、第1のパターン111と第2パターン121が線状のパターンであるときの第3のパターン131の態様について説明する。図11(A)は、第3のパターン131の一態様を示す図であり、第3のパターン131の平面視における寸法は、第2のパターン121の平面視における寸法よりも大きくなるように設定されている。パターンが第1領域から離れるにつれて、そのパターンがもたらす第1領域の欠陥発生の低減効果は低くなると考えられる。第1領域から十分離れた第3領域では第1領域を模すことなく、生産性を考慮してパターン設計を行ってもよい。第3のパターン131の平面視における寸法を、第2のパターン121の平面視における寸法よりも大きくするので、第3のパターン131を電子線描画により形成する場合には描画時間を短縮することができる。例えば、インクジェット法により被転写材料を供給する場合には、第3領域を第1領域の外縁から、供給される被転写材料の最大間隔の3倍以上とするとよい。具体的な数値を挙げると、第1領域の外縁から100μm以上、好ましくは300μm以上離れた位置よりも外側に第3領域を配置してもよい。
図11(B)は、第3のパターン131の一態様を示す図であり、第3のパターン131の平面視における寸法は、第2のパターン121の平面視における寸法よりも大きく、かつ、第1領域から離れるにつれて段階的に大きくなるように設定されている。なお、これに限らず、第3のパターン131の平面視における寸法が、第1領域から離れるにつれて漸次大きくなるように設定されていてもよい。
<パターン形成方法>
図12を参照して、ナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法について説明する。以下では、光インプリント法によるパターン形成に適用する場合について説明する。これに限らず熱などの公知のインプリント法に適用可能である。
(1)テンプレート及び転写基材の準備工程
(1-a)テンプレート準備工程
光透過性のテンプレート100を準備する。テンプレート100の作成は、例えば、石英からなる基材上にレジストを形成し、このレジストを電子線リソグラフィやフォトリソグラフィによりパターニングしてマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して基材をエッチングすることで可能である。
(1-b)基材準備工程
転写基材201を準備する。転写基材の材質は、テンプレートに用いることができる材質と略同様であってもよい。転写基材201は予め構造体が形成されていてもよい。厚みは凹凸構造の形状、材料強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができる。また、転写基材201の外形はテンプレート100と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
2.転写工程
(2-a)被転写材料供給工程(図12(A)参照)
転写基材201に被転写材料Mを供給する。被転写材料Mは、光硬化性樹脂である。被転写材料の供給方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、インクジェット法などを用いることができ、より好ましくはインクジェット法を用いるとよい。インクジェット法により、転写基材上201に被転写材料Mの1以上の液滴を形成する。被転写材料間の最小間隔は、テンプレートの第1領域と第2領域の最小間隔よりも大きくなるように設定される。
(2-b)テンプレート接触工程(図12(B)参照)
テンプレート100と転写基材201を対向させ、テンプレート100と転写基材201の間隔を小さくし、テンプレート100と被転写材料Mとを接触させる。被転写材料の特性にもよるが、毛管現象を利用してテンプレートの凹凸構造内に被転写材料を充填してもよいし、テンプレート及び転写基材の少なくとも一方を他方に押圧してテンプレートの凹凸構造内に被転写材料を充填してもよい。テンプレート100の第2パターンが存在することにより、第1領域から第2領域への被転写材料の移動、又は第2領域から第1領域への被転写材料の移動が促進されるか、又は阻害されないため、目的とする第1領域に被転写材料を均一性高く展開することが可能となる。
また、テンプレートの第1領域と第2領域の最小間隔が、被転写材料間の最小間隔よりも小さいことから、被転写材料の広がりに対してテンプレートの第1領域と第2領域の間隔が略無視できる程度の領域とみなすことができ、広がり挙動に及ぼす影響を小さくすることができる。これにより、被転写材料の展開不良による欠陥を低減することができる。
(2-c)被転写材料成形工程(図12(C)参照)
転写基材201とテンプレート100との間に被転写材料Mを介在させた状態で、紫外線を照射して被転写材料Mに硬化させる。これにより被転写材料Mを成形する。
(2-d)離型工程(図12(D)参照)
被転写材料Mを硬化させた後、テンプレート100を被転写材料Mから引離す離型を行う。これにより、転写基材201上にパターンPを形成することができる。以後、パターンPをもとにレプリカテンプレート、半導体装置、磁気記録媒体などを製造することができる。
<レプリカテンプレートの製造方法>
図13を参照して、テンプレート100を用いてレプリカテンプレートを製造する方法について説明する。既に図12に示したように、テンプレート100を用いて転写基材201上にパターンPを形成する(図13(A)参照)。その後、パターンPの残膜を酸素プラズマなどのエッチングにより除去し、転写基材201の一部を露出させる(図13(B)参照)。露出した転写基材201に対してエッチングを行い、凹凸構造を形成し、必要に応じてパターンPの残りを除去してレプリカテンプレート200を作成する(図13(C)参照)。なお、レプリカテンプレート200を用いて、さらにテンプレートを複製してもよい。
<半導体装置の製造方法>
図14及び図15を参照して、テンプレート100を用いて半導体装置を作製する方法について説明する。なお、以下では半導体装置の代表的な製造工程に適用した態様を説明するが、これに限定されるものではない。また、テンプレート100の代わりにレプリカテンプレートを用いてもよい。
(ゲート電極のパターニング)
本態様は、ナノインプリントリソグラフィによりゲート電極をパターニングする工程を含む、半導体装置の製造方法に関する。図14は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図であり、ゲート電極のパターニングにテンプレート100によるナノインプリントリソグラフィを行う態様を示す。不純物を注入してソース電極712、ドレイン電極714が形成された半導体基板710を準備する。半導体基板710上にSiO2などの絶縁層720を介して多結晶シリコンなどの導電層730を形成し、該導電層730上にレジストを塗布する(図14(A)参照)。レジスト750をテンプレート100によりパターニングしてレジストパターン(図示せず)を作成する。このレジストパターンをもとに導電層730をエッチングし、ゲート電極732を形成する(図14(B)参照)。上記の工程を経て半導体装置が作製される。
(導通ビアの形成)
本態様は、ナノインプリントリソグラフィにより絶縁層をパターニングする工程と、該絶縁層にダマシン法により導電材料を配設する工程と、を含む、半導体装置の製造方法に関する。図15は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する模式図であり、層間接続用の導通ビアの形成にテンプレート100によるインプリントを行う態様を示す。配線層830及び絶縁層822、824が積層して形成された半導体基板810を準備する。最上層の絶縁層824をテンプレート100によりパターニングして貫通孔824a、824bを形成する(図15(B)参照)。貫通孔824a、824bにダマシン法により、導電材を充填して導通ビア832a、832bを形成する(図15(C)参照)。上記工程を経て半導体装置が作製される。
<磁気記録媒体の製造方法>
次に、図16を参照して、テンプレート100を用いて磁気記録媒体を作製する方法について説明する。テンプレート100の代わりにレプリカテンプレートを用いてもよい。
なお、以下では磁気記録媒体の代表的な製造工程に適用した態様を説明するが、これに限定されるものではない。
本態様は、パターニングされたレジストを介して磁性層をパターニングし、パターニングされた該磁性層に磁性分離材料を配設する工程を含む、磁気記録媒体の製造方法に関する。図11は、本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法を説明する模式図である。磁性層920が形成されたディスク基板910を準備する(図16(A)参照)。磁性層920上にレジスト950を塗布し、レジストをテンプレート又はレプリカテンプレートによりパターニングしてレジストパターン(図示せず)を作成する。このレジストパターンをもとに磁性層920をエッチングし、凹部920a〜920dを形成する(図16(B)参照)。凹部920a〜920dに磁性分離材料を充填して記録ビット930a〜930dを作製する(図16(C)参照)。上記工程を経て磁気記録媒体が作製される。
100…テンプレート、110…第1領域、111…第1のパターン、120…第2領域、121…第2のパターン、130…第3領域、131…第3のパターン、150…中間領域、200…レプリカテンプレート、201…転写基材、710…半導体基板、712…ソース電極、714…ドレイン電極、720…絶縁層、730…導電層、732…ゲート電極、750…レジスト、810…半導体基板、822,824…絶縁層、824a,824b…貫通孔、830…配線層,832a,832b…導通ビア、910…ディスク基板、920…磁性層、920a,920b,920c,920d…凹部、930a,930b,930c,930d…記録ビット、950…レジスト

Claims (7)

  1. 基材の一方の面に、第1のパターンを有する第1領域と、前記第1領域の周囲に所定の間隔を隔てて配置され、第2のパターンを有する第2領域とを備え、
    前記第2領域の周囲に第3のパターンを有する第3領域をさらに有し、
    前記第1のパターン及び前記第2のパターンは、線状のパターンを有し、
    前記第1のパターンが伸びる第1の方向と、前記第2のパターンが伸びる第2の方向とが実質的に一致し、
    前記第2のパターンの平面視における前記第2の方向に直交する寸法d2は、前記第1のパターンの平面視における前記第1の方向に直交する寸法d1と、d1<d2≦3d1の関係であり、
    前記第1のパターンの高さと前記第2のパターンの高さとは実質的に同一であ
    前記第3のパターンの平面視における寸法は、前記第2のパターンの平面視における寸法よりも大きい、ナノインプリント用テンプレート。
  2. 前記第2のパターンは、ダミーパターンである、請求項1記載のナノインプリント用テンプレート。
  3. 前記第3のパターンの平面視における寸法は、前記第1領域から離れるにつれて段階的に大きくなる、請求項1又は2記載のナノインプリント用テンプレート。
  4. 転写基材側に点在して供給される被転写材料に接触させて用いられるナノインプリント用テンプレートであって、
    前記第1領域と前記第2領域との間の最小間隔は、被転写材料間の最小間隔よりも小さい、請求項1乃至のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレート。
  5. 前記基材の一方の面と被転写材料の液滴とを接触させたとき、
    前記第1領域における液滴の広がり挙動と、前記第2領域における液滴の広がり挙動とが実質的に同一である、請求項1乃至のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレート。
  6. 請求項1乃至のいずれか1項記載のナノインプリント用テンプレートを準備し、
    転写基材を準備し、
    前記転写基材の一方の面上に被転写材料を供給し、
    前記ナノインプリント用テンプレートと前記転写基材とを対向させて配置し、
    前記ナノインプリント用テンプレートと前記転写基材との間隔を縮めて前記ナノインプリント用テンプレートの一方の面と前記被転写材料を接触させ、前記被転写材料を前記ナノインプリント用テンプレートの一方の面と前記転写基材の一方の面との間に展開してなる、パターン形成方法。
  7. 前記転写基材上に前記被転写材料よりなる複数の液滴を点在するように供給し、
    前記複数の液滴の最小間隔は、前記第1領域と前記第2領域との間の最小間隔よりも大きくする、請求項記載のパターン形成方法。
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