JP6361238B2 - インプリント用モールドおよびインプリント方法 - Google Patents
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Description
本発明は、凹凸構造を有するインプリント用のモールドと、このモールドを使用したインプリント方法に関する。
近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂として光硬化性樹脂を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。また、このパターン構造体をエッチングレジストとして転写基板をエッチング加工することが行われる。
インプリント方法に使用するモールドは、通常、モールド用の基材に電子線感応型のレジストを塗布し、このレジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをエッチングマスクとして基材をエッチングして凹凸パターンを形成することにより製造される。しかし、電子線描画を用いる電子線リソグラフィは、高価な描画装置を使用し、描画に長時間を要するため、モールドの製造コストが上昇するという問題があった。また、インプリントにおいて、モールドと転写基板との間に異物が混入すると、両者が大きな損傷を受け、損傷を受けたモールドは再使用が困難となるので、電子線リソグラフィで製造した高価なモールドを損失してしまうという問題があった。
インプリント方法に使用するモールドは、通常、モールド用の基材に電子線感応型のレジストを塗布し、このレジストに電子線描画を行ってレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをエッチングマスクとして基材をエッチングして凹凸パターンを形成することにより製造される。しかし、電子線描画を用いる電子線リソグラフィは、高価な描画装置を使用し、描画に長時間を要するため、モールドの製造コストが上昇するという問題があった。また、インプリントにおいて、モールドと転写基板との間に異物が混入すると、両者が大きな損傷を受け、損傷を受けたモールドは再使用が困難となるので、電子線リソグラフィで製造した高価なモールドを損失してしまうという問題があった。
そこで、電子線リソグラフィで製造したモールドをマスターモールドとし、このマスターモールドからインプリント法により複製モールド（以下、レプリカモールドと記す）を製造し、このレプリカモールドを用いてウエハ基板等の転写基板にインプリント法によりパターン構造体を作製することが行われている。
上記のような電子線リソグラフィによるマスターモールドの製造では、予め設計された設計座標に基づいて電子線描画が行われるが、マスターモールドを用いて製造されるレプリカモールドにおけるパターン座標は、インプリント時に発生する誤差要因により、当初の設計座標との間にズレを生じている。また、レプリカモールドを用いてウエハ基板等の転写基板に形成されるパターン構造体におけるパターン座標も、インプリント時に発生する誤差要因により、当初の設計座標との間にズレを生じている。
上記のような電子線リソグラフィによるマスターモールドの製造では、予め設計された設計座標に基づいて電子線描画が行われるが、マスターモールドを用いて製造されるレプリカモールドにおけるパターン座標は、インプリント時に発生する誤差要因により、当初の設計座標との間にズレを生じている。また、レプリカモールドを用いてウエハ基板等の転写基板に形成されるパターン構造体におけるパターン座標も、インプリント時に発生する誤差要因により、当初の設計座標との間にズレを生じている。
マスターモールドを用いた高精度のレプリカモールドの作製、および、レプリカモールドを用いた高精度のパターン構造体の製造においては、このようなズレの状況を把握して、当初の設計座標に反映させたり、インプリント時にモールドに所望の変形を生じさせて補正することが行われている。そして、上記のようなズレの状況を把握する手段として、マスターモールドに予め複数の計測マークを設けておき、マスターモールドを用いて作製したレプリカモールドに形成された計測マーク（マスターモールドが備える計測マークの凹凸が反転した凹凸構造）や、レプリカモールドを用いて作製したパターン構造体に形成された計測マーク（レプリカモールドが備える計測マークの凹凸が反転した凹凸構造）を測定することにより、ズレの大きさ、方向を検出することが行われている（特許文献１，２）。
しかし、マスターモールドを用いたレプリカモールド作製のインプリント時に発生する誤差要因により、レプリカモールドに形成された計測マーク自体に太り、細り、曲がり等の変形が生じ、同様に、レプリカモールドを用いたパターン構造体作製のインプリント時に発生する誤差要因により、パターン構造体に形成された計測マーク自体に変形が生じ、ズレの大きさ、方向を正確に検出すること困難であるという問題があった。上記の誤差要因として、例えば、インプリントのモールドと樹脂層との離型時に樹脂層に生じる変形が挙げられ、特に、離型が開始される樹脂層の部位と、最後に離型される樹脂層の部位において変形が顕著になる傾向がある。また、離型性を向上させる目的で、モールドおよび／または転写基板を変形させた状態で離型した場合、例えば、転写基板をモールド側に若干凸状態に変形させた状態で離型した場合、離型後に転写基板が正常な状態となったときに、樹脂層に変形や変位が生じ、これも誤差要因として挙げられる。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、モールドと樹脂層との離型時に樹脂層に生じる変形を抑制し、計測マークを高い精度で形成することができるインプリント用のモールドと、このようなモールドを用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、モールドと樹脂層との離型時に樹脂層に生じる変形を抑制し、計測マークを高い精度で形成することができるインプリント用のモールドと、このようなモールドを用いたインプリント方法を提供することを目的とする。
このような目的を達成するために、本発明のインプリント用モールドは、基材と、前記基材の一の面に設定された凹凸構造領域と、前記凹凸構造領域に設定された計測領域とを有し、前記計測領域には、計測マーク用構造体と、前記計測マーク用構造体を所望の距離を隔てて囲むように設定されたダミーパターン領域と、前記ダミーパターン領域に位置するダミー凹凸構造とが含まれ、前記ダミー凹凸構造は、複数のドット形状の凹部あるいは凸部、またはライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有し、ドット形状の前記凹部あるいは前記凸部、またはライン／スペース形状の前記凹部あるいは前記凸部は、疎密階調をなすように配列されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であるような構成とし、前記ダミーパターン領域の平面視形状は、４回対称形状であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ダミー凹凸構造の平面視形状は、２回対称形状であるような構成とし、前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であり、前記計測マーク用構造体の４回軸と前記ダミー凹凸構造の４回軸とが一致するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ダミー凹凸構造の平面視形状は、４回対称形状であるような構成とし、前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であり、前記計測マーク用構造体の４回軸と前記ダミー凹凸構造の４回軸とが一致するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であるような構成とし、前記ダミーパターン領域の平面視形状は、４回対称形状であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ダミー凹凸構造の平面視形状は、２回対称形状であるような構成とし、前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であり、前記計測マーク用構造体の４回軸と前記ダミー凹凸構造の４回軸とが一致するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ダミー凹凸構造の平面視形状は、４回対称形状であるような構成とし、前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であり、前記計測マーク用構造体の４回軸と前記ダミー凹凸構造の４回軸とが一致するような構成とした。
本発明のインプリント方法は、上述のインプリント用モールドおよび転写基板の少なくとも一方に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、前記インプリント用モールドおよび前記転写基板を近接させて、前記インプリント用モールドおよび前記転写基板の間に前記被成形樹脂を展開させて被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、前記転写樹脂層および前記インプリント用モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、前記離型工程後に、前記パターン構造体と共に形成されている計測マークの位置を必要に応じて検出する検出工程とを有するような構成とした。
本発明のインプリント用モールドは、モールドと樹脂層との離型時に樹脂層に生じる変形を抑制し、計測マークを高い精度で形成することができ、これにより、モールドを用いたパターン構造体の形成におけるパターンのズレの大きさ、方向を正確に検出することが可能となり、モールド設計における設計座標等の修正が容易となり、また、インプリント時にモールドに所望の変形を付与して行うパターン精度の補正の制御が容易となる。
本発明のインプリント方法は、高精度のパターン構造体を安定して作製することができる。
本発明のインプリント方法は、高精度のパターン構造体を安定して作製することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
［インプリント用モールド］
図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための側面図であり、図２は、図１に示されるインプリント用のモールドの部分拡大平面図である。図１および図２において、インプリント用モールド１は基材２と、この基材２の一の面２ａに設定された凹凸構造領域Ａと非凹凸構造領域Ｂを備えている。凹凸構造領域Ａは、インプリントにより所望のパターン構造体を形成するための凹凸構造（図示せず）を有している。この凹凸構造領域Ａには、主パターン領域４と非主パターン領域５が設定されている。主パターン領域４は、形成目標とするパターン構造体を形成するための凹凸構造を備える領域である。図示例では、主パターン領域４は碁盤目形状に設定され、各主パターン領域４の間隙部位に非主パターン領域５が縦横に格子形状に設定されている。尚、図２では、主パターン領域４と非主パターン領域５との境界を鎖線で示している。そして、本実施形態では、凹凸構造領域Ａの中で非主パターン領域５に計測領域が設定されている。
図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための側面図であり、図２は、図１に示されるインプリント用のモールドの部分拡大平面図である。図１および図２において、インプリント用モールド１は基材２と、この基材２の一の面２ａに設定された凹凸構造領域Ａと非凹凸構造領域Ｂを備えている。凹凸構造領域Ａは、インプリントにより所望のパターン構造体を形成するための凹凸構造（図示せず）を有している。この凹凸構造領域Ａには、主パターン領域４と非主パターン領域５が設定されている。主パターン領域４は、形成目標とするパターン構造体を形成するための凹凸構造を備える領域である。図示例では、主パターン領域４は碁盤目形状に設定され、各主パターン領域４の間隙部位に非主パターン領域５が縦横に格子形状に設定されている。尚、図２では、主パターン領域４と非主パターン領域５との境界を鎖線で示している。そして、本実施形態では、凹凸構造領域Ａの中で非主パターン領域５に計測領域が設定されている。
図３は、図２における非主パターン領域５の交差部位の拡大平面図である。図３に示されるように、計測領域６は、格子形状に設定されている非主パターン領域５の交差部位に位置している。尚、計測領域６の位置は、非主パターン領域５の交差部位に限定されるものではない。
図３では、計測領域６の外周を二点鎖線で示している。この計測領域６は、計測マーク用構造体７を有しており、また、所望の距離を隔てて計測マーク用構造体７を囲むようにダミーパターン領域８（図３では斜線を付して示し、ダミーパターン領域８の内周を一点鎖線で示している）が設定されている。そして、計測領域６は、このダミーパターン領域８に、計測マーク用構造体ではないダミー凹凸構造９を有している。尚、モールド１の凹凸構造領域Ａに設定する計測領域６の位置は、上記の位置に限定されるものではなく、凹凸構造領域Ａに設定されている主パターン領域４と非主パターン領域５の数、大きさや、主パターン領域４に設けられている凹凸構造等を考慮して適宜設定することができる。また、設定する計測領域６の数も、上記と同様に、凹凸構造領域Ａに設定されている主パターン領域４と非主パターン領域５の数、大きさや、主パターン領域４に設けられている凹凸構造等を考慮して適宜設定することができる。
図３では、計測領域６の外周を二点鎖線で示している。この計測領域６は、計測マーク用構造体７を有しており、また、所望の距離を隔てて計測マーク用構造体７を囲むようにダミーパターン領域８（図３では斜線を付して示し、ダミーパターン領域８の内周を一点鎖線で示している）が設定されている。そして、計測領域６は、このダミーパターン領域８に、計測マーク用構造体ではないダミー凹凸構造９を有している。尚、モールド１の凹凸構造領域Ａに設定する計測領域６の位置は、上記の位置に限定されるものではなく、凹凸構造領域Ａに設定されている主パターン領域４と非主パターン領域５の数、大きさや、主パターン領域４に設けられている凹凸構造等を考慮して適宜設定することができる。また、設定する計測領域６の数も、上記と同様に、凹凸構造領域Ａに設定されている主パターン領域４と非主パターン領域５の数、大きさや、主パターン領域４に設けられている凹凸構造等を考慮して適宜設定することができる。
図４は、図３に示される計測領域６の拡大図である。図４に示されるように、計測マーク用構造体７は、平面視形状が長方形状の４個の凹部７ａ、あるいは、平面視形状が長方形状の４個の凸部７ａからなり、この計測マーク用構造体７の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称となっている。この長方形状の凹部７ａ、長方形状の凸部７ａの寸法は、計測マーク用構造体７により形成された計測マークを検出する際に使用する位置検出装置の解像度以上であって、視野に収まる範囲で適宜設定することができ、例えば、一般的な視野として３０μｍを設定した場合、長手方向を１〜２０μｍ、好ましくは５〜１５μｍ程度、幅方向を０．１〜３μｍ、好ましくは０．３〜１μｍ程度とすることができる。特に、長方形状の凹部７ａ、長方形状の凸部７ａの幅方向の寸法が小さい方が、離型時の変形の影響を受け難くなり好ましいが、小さすぎると、位置検出の際に参照できる領域が小さくなり、誤差が大きくなるので、この点を考慮して幅方向の寸法を設定することが好ましい。また、長方形状の凹部７ａの深さ、長方形状の凸部７ａの高さは、主パターン領域４が備える凹凸構造の凹部の深さ、あるいは、凸部の高さを考慮して適宜設定することができる。
所望の距離を隔てて計測マーク用構造体７を囲むように設定されているダミーパターン領域８は、外周形状（二点鎖線で示す）および内周形状（一点鎖線で示す）が正方形状であり、このダミーパターン領域８の平面視形状も、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。このようなダミーパターン領域８に位置するダミー凹凸構造９は、図示例では、複数のドット形状の凹部あるいは凸部が所定のピッチで配列されたものである。計測マーク用構造体７が４個の長方形状の凹部７ａからなる場合、ダミー凹凸構造９は複数のドット形状の凹部からなり、計測マーク用構造体７が４個の長方形状の凸部７ａからなる場合、ダミー凹凸構造９は複数のドット形状の凸部からなる。尚、図４では、ダミーパターン領域８に位置するダミー凹凸構造９の一部を抜き出し拡大して示している。
所望の距離を隔てて計測マーク用構造体７を囲むように設定されているダミーパターン領域８は、外周形状（二点鎖線で示す）および内周形状（一点鎖線で示す）が正方形状であり、このダミーパターン領域８の平面視形状も、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。このようなダミーパターン領域８に位置するダミー凹凸構造９は、図示例では、複数のドット形状の凹部あるいは凸部が所定のピッチで配列されたものである。計測マーク用構造体７が４個の長方形状の凹部７ａからなる場合、ダミー凹凸構造９は複数のドット形状の凹部からなり、計測マーク用構造体７が４個の長方形状の凸部７ａからなる場合、ダミー凹凸構造９は複数のドット形状の凸部からなる。尚、図４では、ダミーパターン領域８に位置するダミー凹凸構造９の一部を抜き出し拡大して示している。
このようなダミー凹凸構造９は、被成形樹脂とモールドとの離型において、計測マーク用構造体７により形成される計測マークの太り、細り、曲がり等の変形を抑制する効果を奏するものである。計測領域６の外形寸法Ｌ１（ダミーパターン領域８の外周辺の長さ）やダミーパターン領域８の内周辺の長さＬ２は、ダミー凹凸構造９がこのような効果を発現するように設定することができ、その効果を発現するダミー凹凸構造９の存在幅としては、１０μｍ以上であることが好ましい。一方、上述の通り、計測マークの検出の観点からも、ダミー凹凸構造９が存在するダミーパターン領域８の外形寸法が制限される。このため、例えば、位置検出装置の視野として、一般的な３０μｍを設定した場合、外形寸法Ｌ１は２７〜１００μｍ程度の範囲で適宜設定することができる。外形寸法Ｌ１が２７μｍ未満であると、位置検出の際に参照できる領域が小さくなり、誤差が大きくなるか、もしくは、ダミー凹凸構造９の効果が不十分なものとなる。また、外形寸法Ｌ１の上限は特に制限されるものではないが、計測領域６の拡大により主パターン領域の面積が減少するような影響を阻止するために、１００μｍ以下が適正である。また、ダミーパターン領域８の内周辺の長さＬ２は、例えば、７〜８０μｍ程度とすることができる。内周辺の長さＬ２が７μｍ未満であると、位置検出の際に参照できる領域が小さくなって誤差が大きくなり、８０μｍを超えると、ダミー凹凸構造９の効果が不十分なものとなる。また、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３は２μｍ以上の範囲で適宜設定することができる。距離Ｌ３が２μｍ未満であると、位置検出装置が、参照する領域を正確に捉えられないおそれがある。距離Ｌ３の上限は、計測マーク用構造体７の寸法と内周辺の長さＬ２に応じて適宜設定することができる。尚、図４に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、上記の２μｍ以上となるように設定することができる。
また、ダミー凹凸構造９を構成するドット形状の凹部の内径、あるいは、凸部の直径、および、ドット形状の配列ピッチは、計測マーク用構造体７により形成されるパターン構造体の変形を抑制できるように設定することができる。例えば、ドット形状の凹部の内径、あるいは、凸部の外径は０．０５〜１μｍ程度、ドット形状の凹部や凸部の配列ピッチは０．１〜２μｍ程度の範囲で適宜設定することができ、これらの寸法は、計測マーク用構造体７により形成された計測マークを検出する位置検出装置の解像度未満であってもよい。ドット形状の凹部、凸部の平面視形状は特に制限はなく、正方形状、円形状、正方形の四隅が丸まった形状等、適宜設定することができる。
インプリント用モールド１の基材２の材質は、インプリントに使用する被成形樹脂が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、使用する被成形樹脂が光硬化性ではない場合や、転写基板側から被成形樹脂を硬化させるための光を照射可能である場合には、モールド１は光透過性を具備しなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
インプリント用モールド１の基材２の材質は、インプリントに使用する被成形樹脂が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、使用する被成形樹脂が光硬化性ではない場合や、転写基板側から被成形樹脂を硬化させるための光を照射可能である場合には、モールド１は光透過性を具備しなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
また、被成形樹脂とモールドとの引き剥がしを容易とするために、モールド１の凹凸構造領域Ａの表面に離型剤層を備えていてもよい。
モールド１の基材２の厚みは、一の面２ａに備える凹凸構造の形状、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。尚、基材２は、凹凸構造領域Ａの表面が、その周囲の非凹凸構造領域Ｂに対して２段以上の凸構造となっていてもよい。
図５は、計測マーク用構造体７の他の例を示す平面図である。図５に示される計測マーク用構造体７は、平面視形状が十字形状の１個の凹部７ｂ、あるいは、平面視形状が十字形状の１個の凸部７ｂからなる。このような計測マーク用構造体７の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。また、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３は、図示のように、十字形状の各端辺から直近のダミーパターン領域８の内周辺までの距離とすることができる。このような十字形状の凹部７ｂ、十字形状の凸部７ｂの寸法は、上記の図４に示す計測マーク構造体７の寸法に準じて、適宜設定することができる。すなわち、十字形状の凹部７ｂ、十字形状の凸部７ｂの寸法は、計測マーク用構造体７により形成された計測マークを検出する際に使用する位置検出装置の解像度以上であり、視野に収まる範囲で適宜設定することができ、例えば、幅Ｗが０．１〜５μｍ程度であってよい。また、十字形状の凹部７ｂの深さ、十字形状の凸部７ｂの高さは、主パターン領域４が備える凹凸構造の凹部の深さ、あるいは、凸部の高さを考慮して適宜設定することができる。
モールド１の基材２の厚みは、一の面２ａに備える凹凸構造の形状、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。尚、基材２は、凹凸構造領域Ａの表面が、その周囲の非凹凸構造領域Ｂに対して２段以上の凸構造となっていてもよい。
図５は、計測マーク用構造体７の他の例を示す平面図である。図５に示される計測マーク用構造体７は、平面視形状が十字形状の１個の凹部７ｂ、あるいは、平面視形状が十字形状の１個の凸部７ｂからなる。このような計測マーク用構造体７の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。また、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３は、図示のように、十字形状の各端辺から直近のダミーパターン領域８の内周辺までの距離とすることができる。このような十字形状の凹部７ｂ、十字形状の凸部７ｂの寸法は、上記の図４に示す計測マーク構造体７の寸法に準じて、適宜設定することができる。すなわち、十字形状の凹部７ｂ、十字形状の凸部７ｂの寸法は、計測マーク用構造体７により形成された計測マークを検出する際に使用する位置検出装置の解像度以上であり、視野に収まる範囲で適宜設定することができ、例えば、幅Ｗが０．１〜５μｍ程度であってよい。また、十字形状の凹部７ｂの深さ、十字形状の凸部７ｂの高さは、主パターン領域４が備える凹凸構造の凹部の深さ、あるいは、凸部の高さを考慮して適宜設定することができる。
また、図６は、計測マーク用構造体７の他の例を示す平面図である。図６に示される計測マーク用構造体７は、平面視形状が長方形状の４個の凹部７ｃ、あるいは、平面視形状が長方形状の４個の凸部７ｃが正方形の４辺に位置するように配設された計測マーク用構造体７′が、より大きな正方形の四隅に位置するように４個配設されたものである。このような計測マーク用構造体７の平面視形状も、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。また、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３は、図示のように、４個の計測マーク用構造体７′が配設された正方形領域の外側端辺から直近のダミーパターン領域８の内周辺までの距離とすることができる。このような長方形状の凹部７ｃ、長方形状の凸部７ｃの寸法は、計測マーク用構造体７により形成された計測マークを検出する際に使用する位置検出装置の解像度以上で適宜設定することができ、例えば、長手方向が２〜７μｍ、幅方向が０．１〜２μｍ程度であってよい。また、長方形状の凹部７ｃの深さ、長方形状の凸部７ｃの高さは、主パターン領域４が備える凹凸構造の凹部の深さ、あるいは、凸部の高さを考慮して適宜設定することができる。
さらに、図７は、計測マーク用構造体７の他の例を示す平面図である。図７に示される計測マーク用構造体７は、平面視形状が正方形状の５個の凹部７ｄ、あるいは、平面視形状が正方形状の５個の凸部７ｄが十字形状に配置されたものである。このような計測マーク用構造体７の平面視形状も、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。また、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３は、図示のように、５個の正方形状の凹部７ｄ、あるいは、凸部７ｄで構成される十字形状の各端辺から直近のダミーパターン領域８の内周辺までの距離とすることができる。このような正方形状の凹部７ｄ、あるいは、正方形状の凸部７ｄの寸法は、計測マーク用構造体７により形成された計測マークを検出する際に使用する位置検出装置の解像度以上で適宜設定することができ、例えば、一辺の長さが１〜５μｍ程度であってよい。また、正方形状の凹部７ｄの深さ、あるいは、正方形状の凸部７ｄの高さは、主パターン領域４が備える凹凸構造の凹部の深さ、あるいは、凸部の高さを考慮して適宜設定することができる。
尚、計測マーク用構造体７を構成する凹部あるいは凸部の平面視形状は、長方形状、正方形状に限定されるものではない。
尚、計測マーク用構造体７を構成する凹部あるいは凸部の平面視形状は、長方形状、正方形状に限定されるものではない。
図８は、ダミー凹凸構造９の他の例を示す平面図である。図８に示されるダミー凹凸構造９は、複数のドット形状の凹部あるいは凸部がダミーパターン領域８の外周辺から内周辺に向けて密度が低下して疎密階調をなすように配列されたものである。この場合のドット形状の配列ピッチは、例えば、０．１〜２μｍ程度の範囲で疎密階調をなすように適宜設定することができる。疎密階調は連続的に変化するもの、段階的に変化するもの、いずれであってもよい。そして、疎密階調をなすようにドット形状が配列されたダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。尚、図８では、ダミーパターン領域８に位置するダミー凹凸構造９の一部を抜き出し拡大して示している。
この図８に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
この図８に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
また、図９は、ダミー凹凸構造９の他の例を示す平面図である。図９に示される例では、ダミーパターン領域８が、外形が正方形状である計測領域６の四隅に位置する領域８ａと、他の領域８ｂの区画されている。尚、領域８ａと領域８ｂとの境界は鎖線で示している。そして、ダミー凹凸構造９は、領域８ａに位置し、複数のドット形状の凹部あるいは凸部が所定のピッチで配列されたダミー凹凸構造９ａと、領域８ｂに位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ｂからなる。ドット形状のダミー凹凸構造９ａは、上述の図４に示されるダミー凹凸構造９と同様とすることができる。また、ライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ｂは、例えば、０．０５〜１μｍ程度の所定幅の線状の凹部あるいは凸部が、長手方向と直交する方向に一定のピッチＰで周期性をもって配列した形状である。図示例では、各領域８ｂにおいて、ダミー凹凸構造９ｂの長手方向が計測マーク用構造体７の方向を向いている。したがって、計測マーク用構造体７を介して対向する領域８ｂに位置するダミー凹凸構造９ｂは、長手方向が一致するものとなっている。このようなダミー凹凸構造９ａとダミー凹凸構造９ｂからなるダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。尚、図９では、領域８ａに位置するダミー凹凸構造９ａの一部を抜き出し拡大して示し、また、領域８ｂに位置するダミー凹凸構造９ｂの一部を抜き出し拡大して示している。
また、図９に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
尚、ダミー凹凸構造９ｂは、その長手方向が図９に示される例と直交する方向であってもよい。すなわち、各領域８ｂにおいて、ダミー凹凸構造９ｂの長手方向が計測領域６の外周辺（ダミーパターン領域８の外周辺）と平行となる方向を向くものであってもよい。この場合も、ダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称となる。
また、図９に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
尚、ダミー凹凸構造９ｂは、その長手方向が図９に示される例と直交する方向であってもよい。すなわち、各領域８ｂにおいて、ダミー凹凸構造９ｂの長手方向が計測領域６の外周辺（ダミーパターン領域８の外周辺）と平行となる方向を向くものであってもよい。この場合も、ダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称となる。
また、図１０は、ダミー凹凸構造９の他の例を示す平面図である。図１０に示されるダミー凹凸構造９は、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するものであり、ダミー凹凸構造９の長手方向が一定の方向（図示例では図面の上下方向に沿った方向）を向いている。ライン／スペース形状のダミー凹凸構造９は、例えば、０．０５〜１μｍ程度の所定幅の線状の凹部あるいは凸部が、長手方向と直交する方向に一定のピッチＰで周期性をもって配列した形状である。このようなダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度１８０°の２回軸ａを有する回転対称である。また、ダミー凹凸構造９は、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部が疎密階調をなすように配列されものであってよく、また、一部領域に複数のドット形状の凹部あるいは凸部を有するものであってもよい。尚、図１０では、ダミーパターン領域８に位置するダミー凹凸構造９の一部を抜き出し拡大して示している。
この図１０に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
この図１０に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
また、図１１は、ダミー凹凸構造９の他の例を示す平面図である。図１１に示される例では、ダミーパターン領域８が、外形が正方形状である計測領域６の四隅からの対角線を境界とし、計測マーク用構造体７を介して対向する１組の領域８ａと、同じく計測マーク用構造体７を介して対向する１組の領域８ｂとに区画されている。尚、領域８ａと領域８ｂとの境界は鎖線で示している。そして、ダミー凹凸構造９は、領域８ａに位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ａと、領域８ｂに位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ｂからなる。１組の領域８ａに位置するライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ａの長手方向は同一であり、計測マーク用構造体７の方向を向いている。また、１組の領域８ｂに位置するライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ｂの長手方向も同一であり、計測マーク用構造体７の方向を向いている。そして、ダミー凹凸構造９ａの長手方向とダミー凹凸構造９ｂの長手方向は直交する状態となっている。
ライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ａ，９ｂは、例えば、０．０５〜１μｍ程度の所定幅の線状の凹部あるいは凸部が、長手方向と直交する方向に一定のピッチＰで周期性をもって配列した形状である。このようなダミー凹凸構造９ａとダミー凹凸構造９ｂからなるダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。尚、図１１では、領域８ａに位置するダミー凹凸構造９ａの一部を抜き出し拡大して示し、また、領域８ｂに位置するダミー凹凸構造９ｂの一部を抜き出し拡大して示している。
また、図１１に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
また、図１１に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
また、図１２は、ダミー凹凸構造９の他の例を示す平面図である。図１２に示される例では、ダミーパターン領域８が、外形が正方形状である計測領域６の四隅からの対角線を境界とし、計測マーク用構造体７を介して対向する１組の領域８ａと、同じく計測マーク用構造体７を介して対向する１組の領域８ｂとに区画されている。さらに、各領域８ａ，８ｂは、計測領域６の正方形状の外形と平行である境界によって、外側の領域８ａ1，８
ｂ1と、内側の領域８ａ2，８ｂ2に区画されている。尚、領域８ａと領域８ｂとの境界、外側の領域８ａ1と内側の領域８ａ2との境界、および、外側の領域８ｂ1と内側の領域８ｂ2との境界は鎖線で示している。そして、ダミー凹凸構造９は、外側の領域８ａ1に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ａ1と、内側の領域８ａ2に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ａ2と、外側の領域８ｂ1に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ｂ1と、内側の領域８ｂ2に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ｂ2からなる。１組の領域８ａ（領域８ａ1と領域８ａ2）に位置するライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ａ1と９ａ2の長手方向は同一であり、計測マーク用構造体７の方向を向いている。また、１組の領域８ｂ（領域８ｂ1と領域８ｂ2）に位置するライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ｂ1と９ｂ2の長手方向も同一であり、計測マーク用構造体７の方向を向いている。したがって、ダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2の長手方向とダミー凹凸構造９ｂ1，９ｂ2の長手方向は直交する状態となっている。
ｂ1と、内側の領域８ａ2，８ｂ2に区画されている。尚、領域８ａと領域８ｂとの境界、外側の領域８ａ1と内側の領域８ａ2との境界、および、外側の領域８ｂ1と内側の領域８ｂ2との境界は鎖線で示している。そして、ダミー凹凸構造９は、外側の領域８ａ1に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ａ1と、内側の領域８ａ2に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ａ2と、外側の領域８ｂ1に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ｂ1と、内側の領域８ｂ2に位置し、ライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有するダミー凹凸構造９ｂ2からなる。１組の領域８ａ（領域８ａ1と領域８ａ2）に位置するライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ａ1と９ａ2の長手方向は同一であり、計測マーク用構造体７の方向を向いている。また、１組の領域８ｂ（領域８ｂ1と領域８ｂ2）に位置するライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ｂ1と９ｂ2の長手方向も同一であり、計測マーク用構造体７の方向を向いている。したがって、ダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2の長手方向とダミー凹凸構造９ｂ1，９ｂ2の長手方向は直交する状態となっている。
ライン／スペース形状のダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2，９ｂ1，９ｂ2は、例えば、０．０５〜１μｍ程度の所定幅の線状の凹部あるいは凸部が、長手方向と直交する方向に一定のピッチで周期性をもって配列した形状である。さらに、この例のダミー凹凸構造９は、外側の領域８ａ1と領域８ｂ1に位置するダミー凹凸構造が密であり、内側の領域８ａ2と領域８ｂ2に位置するダミー凹凸構造が疎となっている。すなわち、外側の領域８ａ1と領域８ｂ1に位置するダミー凹凸構造９ａ1，９ｂ1のピッチがＰ1であり、内側の領域８ａ2と領域８ｂ2に位置するダミー凹凸構造９ａ2，９ｂ2のピッチがＰ2（Ｐ1＜Ｐ2）となっている。
このようなダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2，９ｂ1，９ｂ2からなるダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。尚、図１２では、領域８ａ1と領域８ａ2に位置するダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2の一部を抜き出し拡大して示し、また、領域８ｂ1と領域８ｂ2に位置するダミー凹凸構造９ｂ1，９ｂ2の一部を抜き出し拡大して示している。
また、図１２に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
図１２に示される例では、ダミー凹凸構造９の疎密は内側と外側のみであるが、疎密の変化をさらに細かく設定してもよい。
このようなダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2，９ｂ1，９ｂ2からなるダミー凹凸構造９の平面視形状は、一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称である。尚、図１２では、領域８ａ1と領域８ａ2に位置するダミー凹凸構造９ａ1，９ａ2の一部を抜き出し拡大して示し、また、領域８ｂ1と領域８ｂ2に位置するダミー凹凸構造９ｂ1，９ｂ2の一部を抜き出し拡大して示している。
また、図１２に示される例では、一定角度９０°の回転対称であるダミーパターン領域８の平面視形状の４回軸ａは、計測マーク用構造体７の一定角度９０°の４回軸ａと一致しているが、両者が一致しないものであってもよい。両者が一致しない場合、ダミーパターン領域８の内周辺と計測マーク用構造体７との距離Ｌ３（図４参照）は一定ではなく、最大値と最小値を有することになる。この距離Ｌ３の最小値は、参照する領域を位置検出装置が正確に捉えられる範囲、例えば、２μｍ以上となるように設定することができる。
図１２に示される例では、ダミー凹凸構造９の疎密は内側と外側のみであるが、疎密の変化をさらに細かく設定してもよい。
このような本発明のインプリント用のモールドは、硬化後の被成形樹脂とモールドとの離型時に生じる変形を抑制し、計測マークを高い精度で形成することができ、これにより、モールドを用いたパターン構造体の形成におけるパターンのズレの大きさ、方向を正確に検出することが可能となり、モールド設計における設計座標等の修正が容易となり、また、インプリント時にモールドに所望の変形を付与して行うパターン精度の補正の制御が容易となる。
上述のインプリント用のモールドの実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、非主パターン領域５には、上記の計測領域６の他に、例えば、被成形樹脂とモールドとの引き剥がしを容易なものとし、主パターン領域４に形成されるパターン構造体の変形を抑制するための凹凸構造等が配設される領域が設定されていてもよい。
本発明のインプリント用のモールドにおいて、硬化後の被成形樹脂とモールドとの離型時に計測マークに生じる変形の程度は、ダミーパターン領域に位置するダミー凹凸構造のみならず、広い面積を有する主パターン領域のライン／スペース形状のパターンの向きにも影響を受けるものと考えられる。したがって、モールドの全体的なパターンの向きも考慮して、ダミーパターン領域、および、ダミー凹凸構造の構成を設定することが好ましい。
上述のインプリント用のモールドの実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、非主パターン領域５には、上記の計測領域６の他に、例えば、被成形樹脂とモールドとの引き剥がしを容易なものとし、主パターン領域４に形成されるパターン構造体の変形を抑制するための凹凸構造等が配設される領域が設定されていてもよい。
本発明のインプリント用のモールドにおいて、硬化後の被成形樹脂とモールドとの離型時に計測マークに生じる変形の程度は、ダミーパターン領域に位置するダミー凹凸構造のみならず、広い面積を有する主パターン領域のライン／スペース形状のパターンの向きにも影響を受けるものと考えられる。したがって、モールドの全体的なパターンの向きも考慮して、ダミーパターン領域、および、ダミー凹凸構造の構成を設定することが好ましい。
［インプリント方法］
本発明のインプリント方法は、樹脂供給工程、接触工程、硬化工程、離型工程を有している。そして、離型工程の後に、パターン構造体と共に形成されている計測マークの位置を必要に応じて検出する検出工程を有している。
このような本発明のインプリント方法を、上述の本発明のインプリント用のモールド１を使用した場合を例として、図１３Ａ〜図１３Ｄを参照しながら説明する。尚、図１３Ａ〜図１３Ｄでは、モールド１が凹凸構造領域Ａに具備している凹凸構造（図示では凹部）を便宜的に鎖線で示し、この凹凸構造において、主パターン領域４に位置する凹凸構造と、計測領域６に位置する計測マーク用構造体７の区別はなされていない。
本発明のインプリント方法は、樹脂供給工程、接触工程、硬化工程、離型工程を有している。そして、離型工程の後に、パターン構造体と共に形成されている計測マークの位置を必要に応じて検出する検出工程を有している。
このような本発明のインプリント方法を、上述の本発明のインプリント用のモールド１を使用した場合を例として、図１３Ａ〜図１３Ｄを参照しながら説明する。尚、図１３Ａ〜図１３Ｄでは、モールド１が凹凸構造領域Ａに具備している凹凸構造（図示では凹部）を便宜的に鎖線で示し、この凹凸構造において、主パターン領域４に位置する凹凸構造と、計測領域６に位置する計測マーク用構造体７の区別はなされていない。
＜樹脂供給工程＞
樹脂供給工程では、インプリント用の転写基板２１上の所望の領域に、インクジェットヘッド（図示せず）から被成形樹脂の液滴３１を吐出して供給する（図１３Ａ）。
本発明のインプリント方法に使用する転写基板２１は適宜選択することができ、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。
樹脂供給工程では、インプリント用の転写基板２１上の所望の領域に、インクジェットヘッド（図示せず）から被成形樹脂の液滴３１を吐出して供給する（図１３Ａ）。
本発明のインプリント方法に使用する転写基板２１は適宜選択することができ、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。
図示例では、転写基板２１は凸構造部位２２を有するメサ構造であり、このメサ構造の反対側の面には、凹部２３を有している。このように凹部２３を有することにより、転写基板２１は湾曲し易くなり、後述の離型工程でのモールドとの離型がより容易となる。この凹部２３の平面視形状は、上記の凸構造部位２２の平面視形状と重なり、かつ、凸構造部位２２の平面視形状を包含するような大きさであり、凹部２３の平面視形状の中心と凸構造部位２２の平面視形状の中心とが一致するものが好ましい。また、凹部２３の平面視形状の外形は円形、多角形等であってよく、特に制限はない。さらに、凹部２３が位置し、かつ、凸構造部位２２が存在しない部位の転写基板２１の厚みｄは、凹部２３の平面視形状の面積にもよるが、例えば、転写基板２１の端部における厚みｔの半分以下であることが好ましい。尚、転写基板２１の形状は、メサ構造に限定されるものではなく、また、凹部２３を有していない形状であってもよい。
被成形樹脂は、インクジェットヘッドからの吐出が可能な流動性を有するものであればよく、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を挙げることができる。例えば、光硬化性樹脂としては、主剤、開始剤、架橋剤により構成され、また、必要に応じて、モールドとの付着を抑制するための離型剤や、転写基板２１との密着性を向上させるための密着剤を含有しているものであってよい。そして、インプリント方法により製造するパターン構造体の用途、要求される特性、物性等に応じて、使用する被成形樹脂を適宜選択することができる。例えば、パターン構造体の用途がリソグラフィ用途であれば、エッチング耐性を有し、粘度が低く残膜厚みが少ないことが要求され、パターン構造体の用途が光学部材であれば、特定の屈折率、光透過性が要求され、これらの要求に応じて光硬化性樹脂を適宜選択することができる。但し、いずれの用途であっても、使用するインクジェットヘッドへの適合性を満たす特性（粘度、表面張力等）を具備していることが要求される。尚、インクジェットヘッドは、その構造および材質等に応じて、適合する液体の粘度、表面張力等が異なる。このため、使用する被成形樹脂の粘度や表面張力等を適宜に調整すること、あるいは、使用する被成形樹脂に適合するインクジェットヘッドを適宜に選択することが好ましい。
また、転写基板２１上に供給する被成形樹脂の液滴３１の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる光硬化性樹脂の総量、基板に対する光硬化性樹脂の濡れ性、後工程である接触工程におけるモールド１と転写基板２１との間隙等から適宜設定することができる。
また、転写基板２１上に供給する被成形樹脂の液滴３１の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる光硬化性樹脂の総量、基板に対する光硬化性樹脂の濡れ性、後工程である接触工程におけるモールド１と転写基板２１との間隙等から適宜設定することができる。
＜接触工程＞
次に、モールド１と転写基板２１を近接させて、このモールド１と転写基板２１との間に樹脂の液滴３１を展開して光硬化性樹脂層３２を形成する（図１３Ｂ）。
図示例では、モールド１の凹凸構造領域Ａは、メサ構造である転写基板２１の凸構造部位２２と対向するように位置している。
次に、モールド１と転写基板２１を近接させて、このモールド１と転写基板２１との間に樹脂の液滴３１を展開して光硬化性樹脂層３２を形成する（図１３Ｂ）。
図示例では、モールド１の凹凸構造領域Ａは、メサ構造である転写基板２１の凸構造部位２２と対向するように位置している。
＜硬化工程＞
次いで、モールド１側から光照射を行い、光硬化性樹脂層３２を硬化させて、モールド１の凹凸構造が転写された転写樹脂層３５とする（図１３Ｃ）。この硬化工程では、転写基板２１が光透過性の材料からなる場合、転写基板２１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板２１とモールド１の両側から光照射を行ってもよい。
また、被成形樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、被成形樹脂層３２に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。
＜離型工程＞
次に、離型工程にて、転写樹脂層３５とモールド１を引き離して、転写樹脂層３５であるパターン構造体４１を転写基板２１上に位置させた状態とする（図１３Ｄ）。
次いで、モールド１側から光照射を行い、光硬化性樹脂層３２を硬化させて、モールド１の凹凸構造が転写された転写樹脂層３５とする（図１３Ｃ）。この硬化工程では、転写基板２１が光透過性の材料からなる場合、転写基板２１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板２１とモールド１の両側から光照射を行ってもよい。
また、被成形樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、被成形樹脂層３２に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。
＜離型工程＞
次に、離型工程にて、転写樹脂層３５とモールド１を引き離して、転写樹脂層３５であるパターン構造体４１を転写基板２１上に位置させた状態とする（図１３Ｄ）。
＜検出工程＞
検出工程では、パターン構造体と共に形成されている計測マークの位置を必要に応じて検出する。
図１４は、図４に示される本発明のモールド１を用いて上述のようにインプリントにより、パターン構造体と共に形成された計測マーク４７の位置検出を説明する図である。図１４は、図４の計測マーク用構造体７の凹部７ａあるいは凸部７ａにより形成された計測マーク４７の凸部４７ａ、あるいは、凹部４７ａを計測する例を説明するものである。この例では、位置検出装置が矢印Ｘで示される方向（Ｘ方向）から計測マーク４７を走査することにより、計測マーク４７を構成する平面視形状が長方形状の凸部４７ａ、あるいは、凹部４７ａにおける端部ｘ1、端部ｘ2、端部ｘ3、端部ｘ4の位置が検出される。また、位置検出装置が矢印Ｙで示される方向（Ｙ方向）から計測マーク４７を走査することにより、計測マーク４７を構成する平面視形状が長方形状の凸部４７ａ、あるいは、凹部４７ａにおける端部ｙ1、端部ｙ2、端部ｙ3、端部ｙ4の位置が検出される。このように検出した、計測マーク４７の端部位置から、当該計測マーク４７が位置する部位におけるＸ方向、および、Ｙ方向のパターンの設計座標に対するズレの有無、ズレの大きさを検出することができる。そして、パターンにズレが存在する場合、Ｘ方向のズレの大きさ、Ｙ方向のズレの大きさから、当該計測マーク４７が位置する部位におけるパターンのズレの大きさ、方向を正確に検出することができ、複数の計測マーク４７を測定することにより、モールドを用いて形成したパターン構造体におけるパターンの設計座標に対するズレの大きさ、方向、および、設計座標に対する全体の標準偏差、拡大縮小の程度を正確に検出することができる。
検出工程では、パターン構造体と共に形成されている計測マークの位置を必要に応じて検出する。
図１４は、図４に示される本発明のモールド１を用いて上述のようにインプリントにより、パターン構造体と共に形成された計測マーク４７の位置検出を説明する図である。図１４は、図４の計測マーク用構造体７の凹部７ａあるいは凸部７ａにより形成された計測マーク４７の凸部４７ａ、あるいは、凹部４７ａを計測する例を説明するものである。この例では、位置検出装置が矢印Ｘで示される方向（Ｘ方向）から計測マーク４７を走査することにより、計測マーク４７を構成する平面視形状が長方形状の凸部４７ａ、あるいは、凹部４７ａにおける端部ｘ1、端部ｘ2、端部ｘ3、端部ｘ4の位置が検出される。また、位置検出装置が矢印Ｙで示される方向（Ｙ方向）から計測マーク４７を走査することにより、計測マーク４７を構成する平面視形状が長方形状の凸部４７ａ、あるいは、凹部４７ａにおける端部ｙ1、端部ｙ2、端部ｙ3、端部ｙ4の位置が検出される。このように検出した、計測マーク４７の端部位置から、当該計測マーク４７が位置する部位におけるＸ方向、および、Ｙ方向のパターンの設計座標に対するズレの有無、ズレの大きさを検出することができる。そして、パターンにズレが存在する場合、Ｘ方向のズレの大きさ、Ｙ方向のズレの大きさから、当該計測マーク４７が位置する部位におけるパターンのズレの大きさ、方向を正確に検出することができ、複数の計測マーク４７を測定することにより、モールドを用いて形成したパターン構造体におけるパターンの設計座標に対するズレの大きさ、方向、および、設計座標に対する全体の標準偏差、拡大縮小の程度を正確に検出することができる。
このような本発明のインプリント方法は、半導体デバイスの製造や、マスターモールドを用いたレプリカモールドの製造等に使用することができる。そして、マスターモールドに予め複数の計測マーク用構造体を設けておき、マスターモールドを用いて作製したレプリカモールドに形成された計測マークや、レプリカモールドを用いて作製したパターン構造体に形成された計測マークを測定することにより、設計座標に対するズレの大きさ、方向を検出することができる。これにより、モールド設計における設計座標等の修正が容易となる。また、インプリント時にモールドに所望の変形を付与して行うパターン精度の補正の制御が容易となる。したがって、本発明のインプリント方法は、高精度のパターン構造体を安定して作製することができる。
上述のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
上述のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
＜モールドの作製＞
平板形状の基材として、石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）を準備し、この基材の一の面の中央に、２５ｍｍ×３０ｍｍの凹凸構造領域を設定した。
次に、この基材の上記の一の面上にスパッタリング法によりクロム薄膜を成膜した。次いで、このクロム薄膜上に、スピンコート法により、電子線感応ポジ型レジストを塗布した。この塗膜に対して設計座標に基づいて電子線描画を行い、現像して、凹凸構造領域内のハードマスク材料層上に、所望のレジストパターンを形成した。この設計座標では、長方形状の主パターン領域（１５３０μｍ×１３２０μｍ）が碁盤目形状に設定され、各主パターン領域の間隙部位に非主パターン領域を格子形状に設定した。また、この非主パターン領域の各交差部位に正方形状の計測領域（１００μｍ×１００μｍ）を３５２箇所設定した（図２参照）。さらに、各計測領域では、中央の正方形状（６０μｍ×６０μｍ）の領域に、平面視形状が長方形状（１μｍ×８μｍ）の４個の描画領域が、一辺１２μｍの正方形の各辺に位置するように設定され、また、この中央の正方形状の領域を除く領域をダミーパターン領域とし、ドット形状（１μｍ×１μｍ）の描画領域が１．５μｍピッチで設定されたものであった。
［実施例１］
＜モールドの作製＞
平板形状の基材として、石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）を準備し、この基材の一の面の中央に、２５ｍｍ×３０ｍｍの凹凸構造領域を設定した。
次に、この基材の上記の一の面上にスパッタリング法によりクロム薄膜を成膜した。次いで、このクロム薄膜上に、スピンコート法により、電子線感応ポジ型レジストを塗布した。この塗膜に対して設計座標に基づいて電子線描画を行い、現像して、凹凸構造領域内のハードマスク材料層上に、所望のレジストパターンを形成した。この設計座標では、長方形状の主パターン領域（１５３０μｍ×１３２０μｍ）が碁盤目形状に設定され、各主パターン領域の間隙部位に非主パターン領域を格子形状に設定した。また、この非主パターン領域の各交差部位に正方形状の計測領域（１００μｍ×１００μｍ）を３５２箇所設定した（図２参照）。さらに、各計測領域では、中央の正方形状（６０μｍ×６０μｍ）の領域に、平面視形状が長方形状（１μｍ×８μｍ）の４個の描画領域が、一辺１２μｍの正方形の各辺に位置するように設定され、また、この中央の正方形状の領域を除く領域をダミーパターン領域とし、ドット形状（１μｍ×１μｍ）の描画領域が１．５μｍピッチで設定されたものであった。
次いで、レジストパターンを介してクロム薄膜をエッチングしてハードマスクを形成した。
次に、上記のように形成したハードマスクを介して基材（石英ガラス）に対しエッチングを実施して、インプリント用のマスターモールドを作製した。
このように作製したマスターモールドの凹凸構造領域では、各計測領域の中央の正方形状（６０μｍ×６０μｍ）の領域に、平面視形状が長方形状（１μｍ×８μｍ）の４個の凸部が、一辺１２μｍの正方形の各辺に位置するように形成されて計測マーク用構造体をなしており、その周囲のダミーパターン領域に、外径が１μｍの凸部が１．５μｍピッチで形成されたダミー凹凸構造が位置したものであった。そして、計測マーク用構造体およびダミー凹凸構造は、計測領域の中心を一定角度９０°の４回軸とする回転対称であった（図４参照）。また、図４に示されている計測領域の外形寸法Ｌ１（ダミーパターン領域の外周辺の長さ）は１００μｍ、内周辺の長さＬ２は６０μｍ、ダミーパターン領域の内周辺と計測マーク用構造体との距離Ｌ３は２４μｍであった。尚、マスターモールドの凹凸構造は、走査型電子顕微鏡で観察し、寸法を計測した。
次に、上記のように形成したハードマスクを介して基材（石英ガラス）に対しエッチングを実施して、インプリント用のマスターモールドを作製した。
このように作製したマスターモールドの凹凸構造領域では、各計測領域の中央の正方形状（６０μｍ×６０μｍ）の領域に、平面視形状が長方形状（１μｍ×８μｍ）の４個の凸部が、一辺１２μｍの正方形の各辺に位置するように形成されて計測マーク用構造体をなしており、その周囲のダミーパターン領域に、外径が１μｍの凸部が１．５μｍピッチで形成されたダミー凹凸構造が位置したものであった。そして、計測マーク用構造体およびダミー凹凸構造は、計測領域の中心を一定角度９０°の４回軸とする回転対称であった（図４参照）。また、図４に示されている計測領域の外形寸法Ｌ１（ダミーパターン領域の外周辺の長さ）は１００μｍ、内周辺の長さＬ２は６０μｍ、ダミーパターン領域の内周辺と計測マーク用構造体との距離Ｌ３は２４μｍであった。尚、マスターモールドの凹凸構造は、走査型電子顕微鏡で観察し、寸法を計測した。
＜パターン形成＞
レプリカモールド用の転写基板として、中央に２５ｍｍ×３０ｍｍ、高さ３０μｍの凸構造部位を有するメサ構造の石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）を準備した。この転写基板の凸構造部位に、光硬化性の被成形樹脂の液滴を、インクジェット装置を用いて供給した。
上記のように被成形樹脂を供給した転写基板とマスターモールドを近接させ、マスターモールドと転写基板との間に液滴を展開して、光硬化性樹脂層を形成した。
次いで、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をマスターモールド側に１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、マスターモールド側から光照射を行い、光硬化性樹脂層を硬化させて、マスターモールドの凹凸構造が転写された転写樹脂層とした。
次に、転写樹脂層とマスターモールドを引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体をレプリカモールド用の転写基板上に位置させた状態とした。
レプリカモールド用の転写基板として、中央に２５ｍｍ×３０ｍｍ、高さ３０μｍの凸構造部位を有するメサ構造の石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚み６．３５ｍｍ）を準備した。この転写基板の凸構造部位に、光硬化性の被成形樹脂の液滴を、インクジェット装置を用いて供給した。
上記のように被成形樹脂を供給した転写基板とマスターモールドを近接させ、マスターモールドと転写基板との間に液滴を展開して、光硬化性樹脂層を形成した。
次いで、インプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をマスターモールド側に１０００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、マスターモールド側から光照射を行い、光硬化性樹脂層を硬化させて、マスターモールドの凹凸構造が転写された転写樹脂層とした。
次に、転写樹脂層とマスターモールドを引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体をレプリカモールド用の転写基板上に位置させた状態とした。
＜パターン構造体の評価＞
マスターモールドの計測マーク用構造体と、レプリカモールド用の転写基板上に位置するパターン構造体と共に形成されている計測マークについて、各計測領域にて、図１４に示すようなＸ方向、Ｙ方向における端部の位置を検出した。さらに、レプリカモールド用の転写基板上に位置する計測マークについては、各計測領域における計測マークの幅を測定した。そして、レプリカモールド用の転写基板上の計測マークの位置と、マスターモールドの計測マーク用構造体の位置との変位量の差分を、Ｘ方向、Ｙ方向についてそれぞれ求め、その標準偏差σを算出した。また、Ｘ方向、Ｙ方向における計測マークの幅の標準偏差σを算出した。その結果、下記の表１にも示すように、Ｘ方向における計測マーク位置の変位量の３σは３．０６ｎｍであり、Ｙ方向における計測マーク位置の変位量の３σは４．１７ｎｍであった。また、Ｘ方向における計測マークの幅の３σは８．７ｎｍであり、Ｙ方向における計測マークの幅の３σは８．７ｎｍであった。この結果から、計測マークの変形が十分に抑制されていることが確認された。尚、計測マークの端部位置の検出は、ケーエルエー・テンコール社製 ＩＰＲＯ Ｓｅｒｉｅｓを用いて行った。
マスターモールドの計測マーク用構造体と、レプリカモールド用の転写基板上に位置するパターン構造体と共に形成されている計測マークについて、各計測領域にて、図１４に示すようなＸ方向、Ｙ方向における端部の位置を検出した。さらに、レプリカモールド用の転写基板上に位置する計測マークについては、各計測領域における計測マークの幅を測定した。そして、レプリカモールド用の転写基板上の計測マークの位置と、マスターモールドの計測マーク用構造体の位置との変位量の差分を、Ｘ方向、Ｙ方向についてそれぞれ求め、その標準偏差σを算出した。また、Ｘ方向、Ｙ方向における計測マークの幅の標準偏差σを算出した。その結果、下記の表１にも示すように、Ｘ方向における計測マーク位置の変位量の３σは３．０６ｎｍであり、Ｙ方向における計測マーク位置の変位量の３σは４．１７ｎｍであった。また、Ｘ方向における計測マークの幅の３σは８．７ｎｍであり、Ｙ方向における計測マークの幅の３σは８．７ｎｍであった。この結果から、計測マークの変形が十分に抑制されていることが確認された。尚、計測マークの端部位置の検出は、ケーエルエー・テンコール社製 ＩＰＲＯ Ｓｅｒｉｅｓを用いて行った。
［実施例２］
マスターモールドの作製において、各計測領域では、中央の正方形状（４０μｍ×４０μｍ）の領域に、平面視形状が長方形状（１μｍ×８μｍ）の４個の描画領域が、一辺１２μｍの正方形の各辺に位置するように設定し、パターンの存在しない平坦面の面積を実施例と比べて小さくなるようにした。また、この中央の正方形状の領域を除く領域をダミーパターン領域とし、パターン長手方向がＹ方向（図１４参照）となるように配置されるライン／スペース形状（ライン：０．２μｍ、スペース：０．２μｍ）の描画領域を設定した。すなわち、ダミーパターン領域は平面視形状が一定角度９０°の４回軸とする回転対称であり、ダミー凹凸構造は平面視形状が一定角度１８０°の２回軸とする回転対称とし、４回軸と２回軸が一致するものとした。このように変更した他は、実施例１と同様に、マスターモールドを作製した。
また、このマスターモールドを使用して、実施例１と同様にして、パターン構造体をレプリカモールド用の転写基板上に形成した。
マスターモールドの作製において、各計測領域では、中央の正方形状（４０μｍ×４０μｍ）の領域に、平面視形状が長方形状（１μｍ×８μｍ）の４個の描画領域が、一辺１２μｍの正方形の各辺に位置するように設定し、パターンの存在しない平坦面の面積を実施例と比べて小さくなるようにした。また、この中央の正方形状の領域を除く領域をダミーパターン領域とし、パターン長手方向がＹ方向（図１４参照）となるように配置されるライン／スペース形状（ライン：０．２μｍ、スペース：０．２μｍ）の描画領域を設定した。すなわち、ダミーパターン領域は平面視形状が一定角度９０°の４回軸とする回転対称であり、ダミー凹凸構造は平面視形状が一定角度１８０°の２回軸とする回転対称とし、４回軸と２回軸が一致するものとした。このように変更した他は、実施例１と同様に、マスターモールドを作製した。
また、このマスターモールドを使用して、実施例１と同様にして、パターン構造体をレプリカモールド用の転写基板上に形成した。
このパターン構造体と共に形成されている計測マークについて、実施例１と同様に、レプリカモールド用の転写基板上の計測マークの位置と、マスターモールドの計測マーク用構造体の位置との変位量の差分を、Ｘ方向、Ｙ方向についてそれぞれ求め、その標準偏差σを算出した。また、Ｘ方向、Ｙ方向における計測マークの幅の標準偏差σを算出した。その結果、下記の表１にも示すように、Ｘ方向における計測マーク位置の変位量の３σは２．０７ｎｍであり、Ｙ方向における計測マーク位置の変位量の３σは３．４９ｎｍであった。また、Ｘ方向における計測マークの幅の３σは３．４ｎｍであり、Ｙ方向における計測マークの幅の３σは５．４ｎｍであった。この結果から、この実施例２では、実施例１に比べて、各計測領域の中央の正方形状の領域を小さくしたことにより、ダミーパターン領域が大きくなり、計測マーク用構造体とダミー凹凸構造との距離が接近したため、計測マークの変形がより抑制されていることが確認された。一方、ダミー凹凸構造が、パターン長手方向がＹ方向であるライン／スペース形状であるため、変位や変形について、Ｘ方向とＹ方向で実施例１に比べて大きな異方性が存在することが確認され、この点で実施例１に比べてやや劣るものであった。
［比較例］
モールドの作製において、非主パターン領域の各交差部位に正方形状の計測領域（１５８μｍ×１５３μｍ）を設定し、各計測領域の中央に長方形状（１００μｍ×１１５μｍ）の領域を設定し、この中央の長方形状の領域を除く領域をダミーパターン領域とした。また、この長方形状の領域の中心と、計測マーク用構造体の中心とが一致せず、図４に示されているダミーパターン領域の内周辺と計測マーク用構造体との距離Ｌ３の最大値が７８μｍ、最小値が２５μｍとなるようにした。すなわち、図１５に示されるように、ダミーパターン領域８は、平面視形状が一定角度９０°の４回軸を有する回転対称とはならず、計測マーク用構造体７は、平面視形状が一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称であるが、その４回軸ａは、計測領域の中心ｃと一致しないようにした。このように変更した他は、実施例１と同様に、モールドを作製した。
また、このモールドを使用して、実施例と同様にして、パターン構造体を転写基板上に形成した。
モールドの作製において、非主パターン領域の各交差部位に正方形状の計測領域（１５８μｍ×１５３μｍ）を設定し、各計測領域の中央に長方形状（１００μｍ×１１５μｍ）の領域を設定し、この中央の長方形状の領域を除く領域をダミーパターン領域とした。また、この長方形状の領域の中心と、計測マーク用構造体の中心とが一致せず、図４に示されているダミーパターン領域の内周辺と計測マーク用構造体との距離Ｌ３の最大値が７８μｍ、最小値が２５μｍとなるようにした。すなわち、図１５に示されるように、ダミーパターン領域８は、平面視形状が一定角度９０°の４回軸を有する回転対称とはならず、計測マーク用構造体７は、平面視形状が一定角度９０°の４回軸ａを有する回転対称であるが、その４回軸ａは、計測領域の中心ｃと一致しないようにした。このように変更した他は、実施例１と同様に、モールドを作製した。
また、このモールドを使用して、実施例と同様にして、パターン構造体を転写基板上に形成した。
このパターン構造体と共に形成されている計測マークについて、実施例１と同様に、レプリカモールド用の転写基板上の計測マークの位置と、マスターモールドの計測マーク用構造体の位置との変位量の差分を、Ｘ方向、Ｙ方向についてそれぞれ求め、その標準偏差σを算出した。また、Ｘ方向、Ｙ方向における計測マークの幅の標準偏差σを算出した。その結果、下記の表１にも示すように、Ｘ方向における計測マーク位置の変位量の３σは６．４９ｎｍであり、Ｙ方向における計測マーク位置の変位量の３σは６．６４ｎｍであった。また、Ｘ方向における計測マークの幅の３σは１１．８ｎｍであり、Ｙ方向における計測マークの幅の３σは９．８ｎｍであった。この結果から、実施例１、実施例２に比べて、計測マークの変形が大きく、それに起因して変位についても実施例１、実施例２に比べて大きいことが確認された。
実施例１、実施例２、比較例の結果から、計測マーク位置の変位量の３σは、ダミーパターン領域の内周辺と計測マーク用構造体との距離（図４に示されるＬ３）が小さくなるにしたがって、小さくなることが確認された。
インプリント方法を用いた種々のパターン構造体の製造、基板等の被加工体へ微細加工等に適用可能である。
１…インプリント用モールド
２…基材
４…主パターン領域
５…非主パターン領域
６…計測領域
７…計測マーク用構造体
８，８ａ，８ｂ，８ａ1，８ａ2，８ｂ1，８ｂ2…ダミーパターン領域
９，９ａ，９ｂ，９ａ1，９ａ2，９ｂ1，９ｂ2…ダミー凹凸構造
Ａ…凹凸構造領域
２１…転写基板
３１…液滴
３２…被成形樹脂層
３５…転写樹脂層
４７…計測マーク
２…基材
４…主パターン領域
５…非主パターン領域
６…計測領域
７…計測マーク用構造体
８，８ａ，８ｂ，８ａ1，８ａ2，８ｂ1，８ｂ2…ダミーパターン領域
９，９ａ，９ｂ，９ａ1，９ａ2，９ｂ1，９ｂ2…ダミー凹凸構造
Ａ…凹凸構造領域
２１…転写基板
３１…液滴
３２…被成形樹脂層
３５…転写樹脂層
４７…計測マーク
Claims (8)
- 基材と、
前記基材の一の面に設定された凹凸構造領域と、
前記凹凸構造領域に設定された計測領域と
を有し、
前記計測領域には、計測マーク用構造体と、前記計測マーク用構造体を所望の距離を隔てて囲むように設定されたダミーパターン領域と、前記ダミーパターン領域に位置するダミー凹凸構造とが含まれ、
前記ダミー凹凸構造は、複数のドット形状の凹部あるいは凸部、またはライン／スペース形状の凹部あるいは凸部を有し、
ドット形状の前記凹部あるいは前記凸部、またはライン／スペース形状の前記凹部あるいは前記凸部は、疎密階調をなすように配列されていることを特徴とするインプリント用モールド。 - 前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント用モールド。
- 前記ダミーパターン領域の平面視形状は、４回対称形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインプリント用モールド。
- 前記ダミー凹凸構造の平面視形状は、２回対称形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインプリント用モールド。
- 前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であり、
前記計測マーク用構造体の４回軸と前記ダミー凹凸構造の４回軸とが一致することを特徴とする請求項４に記載のインプリント用モールド。 - 前記ダミー凹凸構造の平面視形状は、４回対称形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインプリント用モールド。
- 前記計測マーク用構造体の平面視形状は、４回対称形状であり、
前記計測マーク用構造体の４回軸と前記ダミー凹凸構造の４回軸とが一致することを特徴とする請求項６に記載のインプリント用モールド。 - 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のインプリント用モールドおよび転写基板の少なくとも一方に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、
前記インプリント用モールドおよび前記転写基板を近接させて、前記インプリント用モールドおよび前記転写基板の間に前記被成形樹脂を展開させて被成形樹脂層を形成する接触工程と、
前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、
前記転写樹脂層および前記インプリント用モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、
前記離型工程後に、前記パターン構造体と共に形成されている計測マークの位置を必要に応じて検出する検出工程と
を有することを特徴とするインプリント方法。
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