JP6273860B2 - インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法の各工程を断面図にて示す工程フロー図である。
<マスターモールドの作製>
平板形状の基材として、石英ガラス基板(152mm×152mm、厚さ:6.35mm)を準備し、この基材の上記の一の面上にスパッタリング法によりクロム薄膜を成膜した。次いで、このクロム薄膜上に、スピンコート法により、電子線感応ポジ型レジストを塗布した。この塗膜に対して設計座標に基づいて電子線描画を行い、現像して、凹凸構造領域内のハードマスク材料層上に、所望のレジストパターンを形成した。
上記レプリカモールド用基板10としての石英ガラス基板をインプリント装置の基板ステージ50上に載置し、そのレプリカモールド用基板10の主面11側の高さ分布を、レーザー変位計(LK−G5000,キーエンス社製)を用いて計測し、当該高さ分布データからレプリカモールド用基板10の主面11側の面形状を求めた。
上述のようにして形成された計測パターンの位置(座標)を、座標測定装置(ケーエルエー・テンコール社製,IPRO Series)を用いて計測し、レジストパターン41の倍率を評価した。倍率は、X方向が、+0.03ppm、Y方向が、−0.08ppmであり、所望とする倍率(±0.1ppm)の範囲内の値を得た。
実施例1と同様にして、レプリカモールド用基板10を基板ステージ50上に載置し、真空吸着した状態で、主面11側の表面形状を計測してX方向及びY方向の歪み量εX,εYを算出した。X方向の歪み量εXは1.46ppmであり、Y方向の歪み量εYは1.70ppmであった。
上述のようにして形成された計測パターンの位置(座標)を、座標測定装置(ケーエルエー・テンコール社製,IPRO Series)を用いて計測し、レジストパターン41の倍率を評価した。倍率は、X方向が、+0.48ppm、Y方向が、+0.21ppmであり、設計倍率(±0.1ppm)の範囲を超える値となった。
2…微細凹凸パターン
10…レプリカモールド用基板(被転写基材)
11…主面
12…凸構造部
13…裏面(対向面)
41…レジストパターン
Claims (9)
- 微細凹凸パターンを有するモールドを用いたインプリント処理により、主面及び当該主面に対向する対向面を有する被転写基材の前記主面側のパターン領域に前記微細凹凸パターンに対応する微細凹凸パターンを形成してインプリントモールドを製造する方法であって、
前記被転写基材の前記対向面の三次元的な面形状に基づいて、前記微細凹凸パターンを有する前記モールドを変形させるための補正倍率を算出する補正倍率算出工程と、
前記補正倍率に基づいて変形させた前記微細凹凸パターンを有する前記モールドを用いてインプリント処理を行い、前記被転写基材のパターン領域にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記被転写基材をエッチングするエッチング工程と
を含むことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 - 前記補正倍率算出工程において、基板ステージ上に真空吸着された前記被転写基材の主面の三次元的な面形状を計測し、当該主面の面形状が前記対向面の面形状であると仮定して前記補正倍率を算出することを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 前記パターン領域を包含する、当該パターン領域よりも面積の広い領域の前記面形状を計測することを特徴とする請求項2に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 前記被転写基材は、前記主面から突出する、前記パターン領域が上面に位置する凸構造部を有し、
前記凸構造部の外周縁に位置する領域の前記面形状を計測することを特徴とする請求項2又は3に記載のインプリントモールドの製造方法。 - 前記補正倍率算出工程において、前記主面の面形状を回転楕円体で近似し、前記回転楕円体で近似された前記主面の面形状に基づいて、前記補正倍率を算出することを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
- 前記補正倍率算出工程において、前記主面の面形状から前記被転写基材の主面の歪み量を求め、当該歪み量に基づいて前記補正倍率を算出することを特徴とする請求項2〜5のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
- 前記主面内の一方向及びそれに直交する他方向における前記歪み量をそれぞれ求め、各歪み量に基づいて前記一方向及び他方向のそれぞれに平行な方向における前記補正倍率を算出することを特徴とする請求項6に記載のインプリントモールドの製造方法。
- 主面及び当該主面に対向する対向面を有する半導体基板の前記主面に微細凹凸パターンが形成されてなる半導体デバイスを製造する方法であって、
前記半導体基板の前記対向面の三次元的な面形状に基づいて、前記半導体基板の主面に微細凹凸パターンを形成するためのインプリントモールドの補正倍率を算出する補正倍率算出工程と、
前記補正倍率に基づいて変形させた前記インプリントモールドを用いてインプリント処理を行い、前記半導体基板の主面にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記半導体基板をエッチングするエッチング工程と
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - 主面及び当該主面に対向する対向面を有する被転写基材の前記主面側のパターン領域に微細凹凸パターンを形成するために用いられるインプリントモールドを製造する方法であって、
前記被転写基材の前記対向面の三次元的な面形状を求める工程と、
前記被転写基材の主面側のパターン領域に形成される前記微細凹凸パターンの設計値及び前記面形状に基づいて、前記インプリントモールドの微細凹凸パターンの設計値を求める工程と
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
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