JP2020057783A - インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】インプリント装置のモールドホルダに保持された状態で高精度に倍率補正を行うことのできるインプリントモールド及びそれを製造可能なインプリントモールド用基板、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】インプリントモールド用基板は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、基材の第１面に設定され、凹凸パターンが形成され得るパターン領域と、第２面に形成されてなる窪み部とを備え、パターン領域は、窪み部を基材の第１面側に投影した投影領域内に包摂され得る大きさを有し、第２面を、窪み部の周縁を囲む第１領域と第１領域の外周を囲む第２領域とに区分したときに、少なくとも第１領域内は、実質的に平滑な面により構成される。【選択図】図１

Description

本開示は、インプリントモールド用基板及びインプリントモールド、並びにそれらを製造する方法に関する。

微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを用い、当該凹凸パターンを被加工物に転写することで凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化等に伴い、その製造プロセス等においてナノプリント技術が注目されている。

ナノプリント技術において一般に用いられるインプリントモールドは、例えば、第１面及びそれに対向する第２面を有する基材と、基材の第１面から突出する凸構造部と、凸構造部の上面に形成されてなる凹凸パターンと、基材の第２面に形成されてなる窪み部とを備えるものが知られている。このようなインプリントモールドを用い、被転写基板上に供給された被加工物としてのインプリント樹脂にインプリントモールドの凹凸パターンを接触させることで、当該凹凸パターンにインプリント樹脂を充填させる。そして、その状態で当該インプリント樹脂を硬化させることにより、インプリントモールドの凹凸パターンをインプリント樹脂に転写させている。

上記インプリントモールドの凹凸パターンを被転写基板上のインプリント樹脂に接触させるときに、凹凸パターンとインプリント樹脂との間に気泡を巻き込んでしまうと、被転写基板上に形成されるパターン構造体に欠陥を生じさせてしまう。そのため、当該気泡の巻き込みを防止するために、凹凸パターンの形成されている凸構造部の上面を湾曲させた状態で凹凸パターンをインプリント樹脂に接触させ、モールド中央部からモールド外周部に向かってインプリント樹脂との接触領域を徐々に広げるようにして凹凸パターンをインプリント樹脂に転写させている。

上記インプリントモールドを製造するためのインプリントモールド用基板には、平坦度、平行度、外形公差等の形状精度が高いレベルで求められる。そのような目的を達成すべく、従来、基板全体の複屈折量の最大値が３ｎｍ／ｃｍ以下である合成石英ガラス基板に非貫通の穴、溝又は段差を形成することによりインプリントモールド用基板を製造する方法が提案されている（特許文献１参照）。

また、上記インプリントモールドは、第２面（窪み部、非貫通の穴が形成されている面）をインプリント装置のモールドホルダに吸着させた状態で保持される。このときに第２面がモールドホルダの保持面に沿って変形し、その結果として、第１面、すなわち凹凸パターンが歪む。

この凹凸パターンが拡大するようにして歪んでいる場合には、インプリントモールドの外周面を４方向から押圧することにより凹凸パターンを縮小させるようにして矯正（倍率補正）し、インプリント樹脂に転写することができるが、凹凸パターンが縮小するようにして歪んでいる場合には、凹凸パターンを拡大させるようにして矯正することは極めて困難である。

一方で、第２面が完全な平坦面であれば、モールドホルダに吸着されたインプリントモールドの凹凸パターンに歪みが生じないため、凹凸パターンを矯正する必要はないが、そのような完全な平坦面を有するインプリントモールドを作製することは極めて困難である。

そのため、従来、第１面の中央部に周囲を段差で取り囲まれ周囲よりも突出する突出面を有し、第１面とは反対側の第２面の中央部に非貫通孔を有し、非貫通穴の中心線を含む任意の断面において、第２面は、両方の外周端から１５ｍｍ以内の部分を除く残りの部分を、非貫通穴を挟んで第１部分と第２部分とに分けて有し、残りの部分の最小二乗直線を基準直線とすると、外力が作用していない自然状態のとき、第１部分の最小二乗直線及び第２部分の最小二乗直線は、それぞれ、基準直線に対し斜めに交差しており、交差点よりも内周側において基準直線を基準として第１面とは反対側に突出しているインプリントモールド用基板が提案されている（特許文献２参照）。

特許第５６６４４７１号公報 特開２０１７−１５２６５０号公報

特許文献１に記載のインプリントモールド用基板のように、基板全体の複屈折量の最大値を３ｎｍ／ｃｍ以下とするためには、最先端のリソグラフィーに用いられる、ＥＵＶ用石英ガラス基板、ＡｒＦ−ｉ用石英ガラス基板のような、極めてグレードの高い石英ガラス基板を用いる必要がある。このような石英ガラス基板を製造するためには、石英を高温度から徐々に時間をかけて冷却しなければならないため、生産スピードが上がらずに歩留りを下げ、製造コストの増大を招いてしまうという問題がある。

特許文献２に記載のインプリントモールド用基板においては、非貫通穴を挟んだ第１部分及び第２部分が、インプリント装置のモールドホルダに吸着される領域に相当する。この第１部分及び第２部分が、第２面側に向かって凸状に構成されていることで、モールドホルダに吸着されたときに凹凸パターンを拡大方向に歪ませることができる。しかしながら、モールドホルダに吸着される領域に局所的な凹凸があると、モールドホルダと第２面との間に局所的に空間が生じてしまい、凹凸パターンを一様に歪ませる（拡大させる）ことができなくなってしまう。その結果、インプリント装置のモールドホルダに保持されたインプリントモールドの倍率補正の精度が低下するという問題がある。

上記課題に鑑みて、本開示は、インプリント装置のモールドホルダに保持された状態で高精度に倍率補正を行うことができるインプリントモールド及びそれを製造可能なインプリントモールド用基板、並びにそれらの製造方法を提供することを一目的とする。

上記課題を解決するために、本開示の一実施形態として、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、前記基材の前記第１面に設定され、凹凸パターンが形成され得るパターン領域と、前記第２面に形成されてなる窪み部とを備え、前記パターン領域は、前記窪み部を前記基材の前記第１面側に投影した投影領域内に包摂され得る大きさを有し、前記第２面を、前記窪み部の周縁を囲む第１領域と前記第１領域の外周を囲む第２領域とに区分したときに、少なくとも前記第１領域内は、実質的に平滑な面により構成されるインプリントモールド用基板が提供される。

前記基材の前記第２面を上方に位置させ、前記基材の前記第１面を下方に位置させた状態での前記基材の厚さ方向に沿った断面視において、前記窪み部の両側における前記第１領域の高さ位置が実質的に一致していればよく、前記基材の前記第２面側の平面視において、前記窪み部の幾何学的中心を中心とし、前記第１領域内に位置する円の線分上の高さ位置が実質的に一致していればよい。

少なくとも前記第１領域内には、局所的な凹部及び／又は凸部が実質的に存在しなければよく、前記基材の前記第２面を上方に位置させ、前記基材の前記第１面を下方に位置させた状態での前記基材の側面視において、前記第１領域内における前記第２面は、前記第１領域の外周縁から内周縁に向かって凸状であって、前記第１領域内における前記第２面を、１次導関数の符号の正負が変化しない近似関数を用いた最小二乗法でフィッティングした場合に、当該近似関数との差分が３０ｎｍ以下となる面であればよい。

前記基材の周縁部近傍において計測される複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上であればよく、前記窪み部は、一方面及び前記一方面に対向する他方面を有する基板の前記他方面を研削加工することにより形成されるものであり、前記基板の最大複屈折量が４ｎｍ／ｃｍ以上であればよく、前記基材の最大複屈折量が３ｎｍ／ｃｍ超であればよく、記基材の前記第１面側には、前記第１面から突出する凸構造部が設けられており、前記パターン領域は、前記凸構造部の上面部に設定され得る。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の前記パターン領域に形成されてなる凹凸パターンを有するインプリントモールドが提供される。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板を製造する方法であって、一方面及び一方面に対向する対向面を有する基板を準備する工程と、前記基板の前記対向面に前記窪み部を形成する工程とを有し、前記基板の前記対向面は、所定の基準面及び前記対向面の最高点の間の前記基準面に直交する長さと、前記基準面及び前記対向面の最低点の間の前記基準面に直交する長さとの合計値が１．５μｍ以下となる面であり、前記基準面は、前記対向面上において任意に選択される３点を含む３点基準面であるインプリントモールド用基板の製造方法が提供される。前記基板の最大複屈折量が４ｎｍ／ｃｍ以上であればよい。

本開示の一実施形態として、上記インプリントモールド用基板の前記パターン領域に凹凸パターンを形成する工程を有するインプリントモールドの製造方法が提供される。

本開示によれば、インプリント装置のモールドホルダに保持された状態で高精度に倍率補正を行うことのできるインプリントモールド及びそれを製造可能なインプリントモールド用基板、並びにそれらの製造方法を提供することができる。

図１は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図２は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す、基材の第１面側から見た平面図である。 図３は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の基材の第２面の概略構成を示す部分拡大切断端面図である。 図４は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す、基材の第２面側から見た平面図である。 図５は、基材の第２面に局所的な凹部を有するインプリントモールド用基板をモールドホルダに吸着保持させた状態を説明するための部分拡大切断端面図である。 図６は、基材の第２面に局所的な凸部を有するインプリントモールド用基板をモールドホルダに吸着保持させた状態を説明するための部分拡大切断端面図である。 図７は、本開示の他の実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図である。 図８は、本開示の一実施形態におけるインプリントモールドの概略構成を示す切断端面図である。 図９（Ａ）〜（Ｅ）は、本開示の一実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を示す工程フロー図である。

本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
当該図面においては、理解を容易にするために、各部の形状、縮尺、縦横の寸法比等を、実物から変更したり、誇張したりして示している場合がある。本明細書等において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値のそれぞれを下限値及び上限値として含む範囲であることを意味する。本明細書等において、「フィルム」、「シート」、「板」等の用語は、呼称の相違に基づいて相互に区別されない。例えば、「板」は、「シート」、「フィルム」と一般に呼ばれ得るような部材をも含む概念である。

〔インプリントモールド用基板〕
図１は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す切断端面図であり、図２は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す平面図であり、図３は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の概略構成を示す、基材の第２面側から見た平面図である。

図１及び図２に示すように、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、第１面２１及び当該第１面２１に対向する第２面２２を有する基材２と、基材２の第１面２１から突出する凸構造部３３と、第２面２２側に形成されている窪み部４とを備える。

基材２としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。なお、本実施形態において「透明」とは、インプリント樹脂を硬化させ得る波長の光を透過可能であることを意味し、波長１５０ｎｍ〜４００ｎｍの光線の透過率が６０％以上であることを意味し、好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。

基材２の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基材２が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基材２の平面視形状は略矩形状である。

基材２の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基材２が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基材２の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材２の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

基材２の最大複屈折量は３ｎｍ／ｃｍ超であるのが好ましい。基材２の最大複屈折量とは、例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの基材２の第２面２２の幾何学的中心に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの領域から窪み部４の領域を除いた領域を計測領域とし、その計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、すべてのグリッドの複屈折量を計測したときにおける当該複屈折量の最大値を意味する。

基材２の周縁部近傍において計測される複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上であるのが好ましい。後述するように、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１は、基材２の周縁部から第２面２２の中心部に向けて第２面２２が凸状に突出した形状を有する。複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上である基材の第２面に窪み部４を研削形成することで、基材の内部応力が緩和されて基材２の第２面２２を凸状に形成することができる。この基材の内部応力の緩和は、窪み部４の形成領域の周辺において生じるが、窪み部４から離れた領域（例えば基材２の周縁部近傍（基材２の周縁部を含む幅１０ｍｍ程度の範囲内））においては生じない。したがって、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１の基材２の周縁部近傍において、その複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上であれば、基材２の周縁部から中心部に向けて第２面２２が凸状に突出した形状を有するということができる。なお、本実施形態における基材２の複屈折量は、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定される値である。

基材２の第１面２１から突出する凸構造部３は、平面視において基材２の略中央に設けられている。凸構造部３の平面視における形状は、略矩形状である。凸構造部３の大きさは、インプリントモールド用基板１を用いたインプリント処理を経て製造される製品等に応じて適宜設定されるものであり、例えば、３０ｎｍ×２５ｎｍ程度に設定される。

凸構造部３の突出高さ（基材２の第１面２１と凸構造部３の上面部３１との間の基材２厚み方向に沿った長さ）は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１が凸構造部３を備える目的を果たし得る限り、特に制限されるものではなく、例えば、１０μｍ〜１００μｍ程度に設定され得る。凸構造部３の上面部３１には、凹凸パターン１１（図８参照）が形成される予定のパターン領域が設定されている。

基材２の第２面２２には、所定の大きさの窪み部４が形成されている。窪み部４が形成されていることで、本実施形態に係るインプリントモールド用基板１から作製されるレプリカモールド１０（図８参照）を用いたインプリント処理時、特にインプリント樹脂との接触時やレプリカモールド１０の剥離時に、基材２、特に凸構造部３の上面部３１を湾曲させることができる。その結果、凸構造部３の上面部３１とインプリント樹脂とを接触させるときに、凸構造部３の上面部３１に形成されている凹凸パターン１１とインプリント樹脂との間に気体が挟みこまれてしまうのを抑制することができ、また、インプリント樹脂に凹凸パターン１１が転写されてなるパターンからレプリカモールド１０を容易に剥離することができる。

窪み部４の平面視形状は、略円形状であるのが好ましい。略円形状であることで、インプリント処理時、特に凸構造部３の上面部３１とインプリント樹脂とを接触させるときやインプリント樹脂からレプリカモールド１０を剥離するときに、レプリカモールド１０の凸構造部３の上面部３１を、その面内において実質的に均一に湾曲させることができる。

窪み部４の平面視における大きさは、窪み部４を基材２の第１面２１側に投影した投影領域内に、凸構造部３が包摂される程度の大きさである限り、特に制限されるものではない。当該投影領域が凸構造部３を包摂不可能な大きさであると、レプリカモールド１０の凸構造部３の上面部３１の全面を効果的に湾曲させることができないおそれがある。

図３及び図４に示すように、基材２の第２面２２は、窪み部４の周縁部４１を囲む第１領域２２１と、第１領域２２１の外周を囲む第２領域２２２とに区分され、少なくとも第１領域２２１は、実質的な平滑面により構成される。本実施形態における第１領域２２１は、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０がインプリント装置のモールドホルダに吸着される際の吸着領域である。この第１領域２２１が実質的な平滑面により構成されることで、インプリントモールド１０の凸構造部３上の凹凸パターン１１が実質的に一様に拡大するようにしてインプリントモールド１０がモールドホルダに保持される。第１領域２２１が平滑面により構成されていないと、インプリントモールド１０の凹凸パターン１１が一様に拡大されない。そのため、インプリントモールド用基板１から作製されるインプリントモールド１０において凹凸パターン１１を高精度に倍率補正するために、基材２の外周面の４方向からの押圧力のそれぞれを異ならせるように制御する必要があるが、そのような制御は極めて困難である。本実施形態に係るインプリントモールド用基板１のように、第１領域２２１が実質的な平滑面により構成されることで、モールドホルダに保持されたインプリントモールド１０の凹凸パターン１１が実質的に一様に拡大するため、基材２の外周面の４方向からの押圧力を実質的に均一に制御することで、凹凸パターン１１の倍率補正を高精度に行うことができる。

第１領域２２１は、インプリント装置のモールドホルダにインプリントモールド１０が吸着保持された際に、第２面２２側において相対的に大きく変形する領域である。第１領域２２１は、インプリント装置のモールドホルダの構造、すなわちモールドホルダの吸着チャックの大きさ等によって相違するものの、通常、窪み部４の周縁部４１から窪み部４の径方向に沿った８ｍｍ〜２５ｍｍ程度の幅Ｗ_２２１の領域である。

第１領域２２１が実質的な平滑面により構成されるとは、具体的には、基材２の第２面２２を上方に位置させ、基材２の第１面２１を下方に位置させた状態での基材２の厚さ方向に沿った任意の断面（基材２の平面視における幾何学的中心を通る切断面）を見たときに、窪み部４の両側（右側及び左側）における第１領域２２１の高さ位置が実質的に一致していればよい。第１領域２２１の高さ位置とは、第１領域２２１内における任意に選択された点における基材２の厚さ方向に沿った第１面２１からの長さを意味する。第１領域２２１の高さ位置が実質的に一致するとは、上記任意の断面を見たときに、窪み部４の第１周縁部４１１から基材２の外周縁に向かう方向の所定の距離Ｄ１における第１箇所Ｐ１の高さ位置と、窪み部４の第２周縁部４１２から基材２の外周縁に向かう方向の所定の距離Ｄ２（Ｄ２＝Ｄ１）における第２箇所Ｐ２の高さ位置とが実質的に同一（両者の高さ位置の差分が０．２μｍ以下）であることを意味する。なお、本実施形態における「高さ位置」は、例えば、平坦度測定装置（Tropel社製，製品名：Flatmaster）を用いて測定される値である。

好適には、基材２の第２面２２側の平面視において、窪み部４の幾何学的中心を中心とする仮想円ＶＣの線分を第１領域２２１内に位置させたときに、第１領域２２１内に位置する仮想円ＶＣの線分上の高さ位置が実質的に一致している。すなわち、当該仮想円ＶＣの線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分が０．１μｍ以下である。

特に好適には、少なくとも第１領域２２１内には、局所的な凹部及び／又は凸部が実質的に存在しないのが好ましい。第１領域２２１内に局所的な凹部が存在すると、図５に示すように、モールドホルダに吸着保持された第１領域２２１とモールドホルダとの間に空隙２２Ｃが生じてしまう。また、第１領域２２１内に局所的な凸部が存在すると、図６に示すように、モールドホルダに吸着保持された第１領域２２１とモールドホルダとの間であって、凸部の周囲に空隙２２Ｃが生じてしまう。このような空隙２２Ｃが生じてしまうと、凹凸パターン１１が一様に拡大されなくなってしまう。そのため、このような局所的な凹部及び／又は凸部が第１領域２２１内に実質的に存在しないことで、モールドホルダに吸着されたインプリントモールド１０の凹凸パターン１１を一様に拡大するように変形させることができる。なお、本実施形態における局所的な凹部及び凸部とは、モールドホルダに吸着保持された第１領域２２１とモールドホルダとの間に空隙２２Ｃ、凹凸パターン１１が一様に拡大するのを阻害する程度の空隙２２Ｃを生じさせる程度の大きさの凹部及び凸部を意味するものとする。

第１領域２２１が実質的な平滑面により構成されている態様、さらに言えば第１領域２２１に局所的な凹部及び／又は凸部が実質的に存在しない態様をより具体的に説明すると、基材２の第２面２２を上方に位置させ、基材２の第１面を下方に位置させた状態での基材２を任意の側面から見たときに、第１領域２２１は、第１領域２２１の外周縁から内周縁に向かって凸状に構成されており、かつ第１領域２２１内の高さ位置を、所定の近似関数を用いて最小二乗法でフィッティングした場合に、当該近似関数との差分が３０ｎｍ以下となる。なお、本実施形態においてフィッティングに用いられる近似関数は、当該近似関数の１次導関数の符号の正負が変化しない関数である。すなわち、近似関数の１次導関数が変曲点を有しないことを要する。当該近似関数との差分が３０ｎｍ以下であれば、第１領域２２１に局所的な凹部及び／又は凸部が存在せず、モールドホルダに吸着されたインプリントモールド１０の凹凸パターン１１を一様に拡大するように変形させることができる。本実施形態において、第１領域２２１内の高さ位置と近似関数との差分は、第１領域２２１内の内周縁から外周縁までの間において所定の間隔（例えば１ｍｍ以下の間隔）の複数点で高さ位置を測定し、各測定点における高さ位置と上記近似関数との差分として求められる。

なお、本実施形態において、基材２の第１面２１から突出する凸構造部３を有する様態を例に挙げて説明したが、このような様態に限定されるものではなく、例えば、図７に示すように、基材２の第１面２１側に凸構造部３を有していなくてもよい。

〔インプリントモールド〕
図８は、本実施形態におけるインプリントモールドの概要構成を示す断面図である。
本実施形態におけるインプリントモールド１０は、上記インプリントモールド用基板１の凸構造部３の上面部３１に形成されてなる凹凸パターン１１を有する。

凹凸パターン１１の形状、寸法等は、本実施形態におけるインプリントモールドを用いて製造される製品等にて要求される形状、寸法等に応じて適宜設定され得る。例えば、凹凸パターン１１の形状としては、ラインアンドスペース状、ピラー状、ホール状、格子状等が挙げられる。また、凹凸パターン１１の寸法は、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に設定され得る。

なお、上記インプリントモールド用基板１が凸構造部３を有しないものである場合、当然に、本実施形態におけるインプリントモールド１０もまた、凸構造部３を有しないものとなる。この場合、基材２の第１面２１上に設定されるパターン領域に凹凸パターン１１が形成されていればよい。

本実施形態におけるインプリントモールド１０によれば、基材２の第２面２２における第１領域２２１が実質的な平滑面により構成されていることで、モールドホルダに吸着保持されたときに凹凸パターン１１を一様に拡大させるようにして変形させることができる。よって、インプリントモールド１０の基材２の外周面を一様に押圧することで、当該凹凸パターン１１の位置補正を高精度に行うことができる。よって、凹凸パターン１１の高精度な転写を実現することができる。

〔インプリントモールド用基板の製造方法〕
上述した構成を有するインプリントモールド用基板１の製造方法の一例について説明する。図９（Ａ）〜（Ｅ）は、本実施形態に係るインプリントモールド用基板の製造方法の各工程を示す工程フロー図である。

［基材準備工程］
まず、第１面２１’及びそれに対向する第２面２２’を有する基材２’を準備し、基材２’の第１面２１’にハードマスク７０及びレジスト層８０をこの順に積層する（図９（Ａ）参照）。

基材２’としては、インプリントモールド用基板として一般的なもの、例えば、石英ガラス基板、ソーダガラス基板、蛍石基板、フッ化カルシウム基板、フッ化マグネシウム基板、バリウムホウケイ酸ガラス、アミノホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス等の無アルカリガラス基板等のガラス基板、ポリカーボネート基板、ポリプロピレン基板、ポリエチレン基板、ポリメチルメタクリレート基板、ポリエチレンテレフタレート基板等の樹脂基板、これらのうちから任意に選択された２以上の基板を積層してなる積層基板等の透明基板等を用いることができる。

基材２’の平面視形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、略矩形状等が挙げられる。基材２’が光インプリント用として一般的に用いられている石英ガラス基板からなるものである場合、通常、基材２’の平面視形状は略矩形状である。

基材２’の大きさ（平面視における大きさ）も特に限定されるものではないが、基材２’が上記石英ガラス基板からなる場合、例えば、基材２’の大きさは１５２ｍｍ×１５２ｍｍ程度である。また、基材２’の厚さは、強度、取り扱い適性等を考慮し、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。

基材２’の最大複屈折量は４ｎｍ／ｃｍ以上であるのが好ましい。基材２’の最大複屈折量とは、例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの基材２’の第２面２２’の幾何学的中心に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、すべてのグリッドの複屈折量を計測したときにおける当該複屈折量の最大値を意味する。

基材２’の周縁部近傍において計測される複屈折量は、５ｎｍ／ｃｍ以上であればよく、５ｎｍ／ｃｍ〜１０ｎｍ／ｃｍであるのが好ましい。本実施形態においては、基材２’の周縁部近傍において計測される複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上であることで、後述する工程（図９（Ｅ）参照）で基材２’の第２面２２’に研削加工を施して窪み部４を形成することで、基材２’の内部応力を緩和させ、その結果としてインプリントモールド用基板１の基材２の第２面２２が凸状に形成される。そのため、本実施形態によれば、相対的にグレードの低い基材２’を用いて、基材２の第２面２２が凸状のインプリントモールド用基板１を容易に作製することができる。なお、基材２’の周縁部近傍において計測される複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ未満であると、第２面２２’を凸状に形成することができないおそれがある。

基材２’の第２面２２’は、好適には、当該第２面２２’の３点基準面に直交する方向において、３点基準面から見た第２面２２’の最高点及び３点基準面の間の長さと、３点基準面から見た第２面２２’の最低点及び３点基準面の間の長さとの合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が２．２μｍ以下、好ましくは１．５μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下となる面である。第２面２２’の３点基準面とは、第２面２２’上の任意の３点を含む仮想面であって、当該３点を繋ぐことにより構成される三角形は、基材２’の第２面２２’側からの平面視における当該基材２’の中心を含む正三角形である。上記合計値は、例えば、平坦度測定装置（Tropel社製，製品名：Flatmaster）等を用いて測定され得る。

ハードマスク層７０を構成する材料としては、例えば、クロム、チタン、タンタル、珪素、アルミニウム等の金属；窒化クロム、酸化クロム、酸窒化クロム等のクロム系化合物、酸化タンタル、酸窒化タンタル、酸化硼化タンタル、酸窒化硼化タンタル等のタンタル化合物、窒化チタン、窒化珪素、酸窒化珪素等を単独で、又は任意に選択した２種以上を組み合わせて用いることができる。

ハードマスク層７０は、後述する工程（図９（Ｃ）参照）にてパターニングされ、インプリントモールド用基板１の凸構造部３（図９（Ｄ）参照）をエッチングにより形成する際のマスクパターンとして用いられるものである。そのため、基材２’の構成材料に応じ、エッチング選択比等を考慮して、ハードマスク層７０の構成材料を選択するのが好ましい。例えば、基材２’が石英ガラス基板である場合、ハードマスク層７０として酸化クロム膜が好適に選択され得る。

ハードマスク層７０の厚さは、基材２’の構成材料に応じたエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。例えば、基材２’が石英ガラス基板であって、ハードマスク層７０が酸化クロム膜である場合、ハードマスク層７０の厚さは、０．５ｎｍ〜２００ｎｍ程度の範囲内で適宜設定され得る。

基材２’の第１面２１’にハードマスク層７０を形成する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、スパッタリング、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の公知の成膜方法が挙げられる。

基材２’の第１面２１’上のハードマスク層７０を覆うようにしてスピンコート法等により形成されるレジスト層８０を構成する材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ネガ型又はポジ型の感光性材料等を用いることができるが、ポジ型の感光性材料を用いるのが好ましい。レジスト８０の膜圧は、特に限定されるものではなく、ハードマスク層７０の構成材料に応じた選択比等に応じて適宜設定され得る。

［レジストパターン形成工程］
上記レジスト層８０に対して所定の開口を有するフォトマスク（図示省略）を介した露光処理及び現像処理を施すことで、凸構造部３に対応するレジストパターン８１を形成する（図９（Ｂ）参照）。

本実施形態において、レジストパターン８１をマスクとしてハードマスク層７０にドライエッチング処理を施すことで、凸構造部３に対応するマスクパターン７１が形成される。すなわち、レジストパターン８１の大きさ（サイズ）とマスクパターン７１の大きさ（サイズ）とは実質的に同一となる。そして、後述するように、マスクパターン７１の大きさ（サイズ）は、凸構造部３の大きさ（サイズ）よりも大きく、凸構造部３の上面部３１を包摂可能な大きさで構成される。よって、レジストパターン８１の大きさ（サイズ）も、凸構造部３の大きさ（サイズ）よりも大きく、凸構造部３の上面部３１を包摂可能な大きさで構成される。

［マスクパターン形成工程］
上記のようにして形成されたレジストパターン８１をエッチングマスクとし、開口部から露出するハードマスク層７０を、例えば、塩素系（Ｃｌ_２＋Ｏ_２）のエッチングガスを用いてドライエッチングすることで、基材２’の第１面２１’上にマスクパターン７１を形成する（図９（Ｃ）参照）。

マスクパターン７１は、後述するウェットエッチング工程において、凸構造部３を形成するためのマスクとして用いられる。そして、凸構造部３を形成するためのウェットエッチング工程においては、いわゆるサイドエッチングが起こり、基材２’が横方向（面内方向）にエッチングされる。そのため、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）は、マスクパターン７１の大きさ（サイズ）よりも小さくなる。すなわち、マスクパターン７１の大きさ（サイズ）は、凸構造部３の上面部３１の大きさ（サイズ）よりも大きく構成される。マスクパターン７１の大きさ（サイズ）は、基材２’のサイドエッチング量等に応じて設定されればよく、例えば、１μｍ〜２００μｍ程度大きければよい。

［ウェットエッチング工程］
上記のようにして形成されたマスクパターン７１をマスクとして基材２’にウェットエッチング処理を施し、残存するマスクパターン７１を除去する。ウェットエッチング処理におけるエッチング液としては、例えばフッ酸等が好適に用いられる。これにより凸構造部３が形成される（図９（Ｄ）参照）。

［窪み部形成工程］
続いて、基材２’の第２面２２’に研削加工を施すことで、窪み部４を形成する（図９（Ｅ）参照）。本実施形態においては、基材２’の周縁部近傍における複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上であることで、窪み部４を形成するための研削加工により、基材２’の内部応力が緩和される。この内部応力の緩和により、基材２の第２面２２が凸状に突出するインプリントモールド用基板１が作製され得る。また、基材２’の最大複屈折量が４ｎｍ／ｃｍ以上である場合も同様に、窪み部４を形成するための研削加工により、基材２’の内部応力が緩和される。この内部応力の緩和により、基材２の第２面２２が凸状に突出するインプリントモールド用基板１が作製され得る。

〔インプリントモールドの製造方法〕
上記のようにして作製されたインプリントモールド用基板１の凸構造部３の上面部３１（パターン領域）に、凹凸パターン１１に対応するハードマスクパターンを形成し、ハードマスクパターンをマスクとしてインプリントモールド用基板１にドライエッチング処理を施し、凸構造部３の上面に凹凸パターン１１を形成することで、インプリントモールド１０（図８参照）を製造することができる。インプリントモールド用基板１のドライエッチングは、当該インプリントモールド用基板１の構成材料の種類に応じて適宜エッチングガスを選択して行われ得る。エッチングガスとしては、例えば、フッ素系ガス等を用いることができる。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

以下、実施例等により本開示をさらに詳細に説明するが、本開示は、下記の実施例等により何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定した。各点の複屈折量の測定値の算術平均値は、７ｎｍ／ｃｍであった。

また、第２面の３点基準面に直交する方向において、３点基準面から見た第２面の最高点及び３点基準面の間の長さと、３点基準面から見た第２面の最低点及び３点基準面の間の長さとの合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））を、平坦度測定装置（Tropel社製，製品名：Flatmaster）を用いて測定した。当該合計値は１．０μｍであった。

次に、第１面上にクロム（Ｃｒ）からなるハードマスク層（厚さ１００ｎｍをスパッタリングにより形成し、当該ハードマスク層上に、凸構造部に対応するレジストパターン（３０ｍｍ×２５ｍｍ）を形成した。レジストパターンをマスクとしたドライエッチング処理によりハードマスクパターンを形成し、当該ハードマスクパターンをマスクとし、エッチング液としてフッ酸を用いたウェットエッチング処理により、石英ガラス基板の第１面から突出する凸構造部を形成した。そして、第２面に研削加工を施して窪み部（φ６４ｍｍ）を形成することで、インプリントモールド用基板を作製した。

上記のようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｎｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定した。各点の複屈折量の測定値の算術平均値は、６ｎｍ／ｃｍであった。

また、上記インプリントモールド用基板の基材の第２面を上方に位置させ、基材の第１面を下方に位置させた状態での基材の厚さ方向に沿った、基材の平面視における幾何学的中心を通る切断面（Ｘ切断面）及びＸ切断面に直交する切断面（Ｙ切断面）のそれぞれにおいて、窪み部の第１周縁部から基材の外周縁に向かう方向における距離（幅）Ｄ１が５ｍｍの範囲における第１箇所の高さ位置と、窪み部の第２周縁部から基材の外周縁に向かう方向における距離（幅）Ｄ２が５ｍｍの範囲における第２箇所の高さ位置とを、平坦度測定装置（Tropel社製，製品名：Flatmaster）を用いて測定した。当該差分は０．０９μｍであった。

さらに、基材の第２面側の平面視において、窪み部の幾何学的中心を中心とする仮想円ＶＣの線分を第１領域（窪み部の周縁部から５ｍｍの範囲）内に位置させたときに、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分を、平坦度測定装置（Tropel社製，製品名：Flatmaster）を用いて測定した。当該差分は０．０９μｍであった。

さらにまた、インプリントモールド用基板の基材の第２面を上方に位置させ、基材の第１面を下方に位置させた状態での当該基材の任意の側面（Ｘ側面）及びそれに直交する側面（Ｙ側面）のそれぞれにおいて、第１領域は、第１領域の外周縁から内周縁に向かって凸状に構成されており、かつ第１領域内を１ｍｍ×１ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの高さ位置を平坦度測定装置（Tropel社製，製品名：Flatmaster）を用いて測定した。測定した各グリッドの高さ位置を、１次導関数の符号が変わらない近似関数を用いて最小二乗法でフィッティングした。その結果、当該近似関数と高さ位置の計測値との最大の差分がＸ側面において２８ｎｍであり、Ｙ側面において２９ｎｍであった。

［インプリントモールドの作製］
上記インプリントモールド用基板の凸構造部上に、金属クロムからなるハードマスク層及び電子線感応性レジスト層をその順に形成し、電子線描画装置を用いた描画処理により、レジストパターンを形成した。当該レジストパターンをマスクとしたハードマスク層のドライエッチング処理によりハードマスクパターンを形成し、当該ハードマスクパターンをマスクとしたドライエッチング処理により、凸構造部上に凹凸パターンを形成した。このようにして、インプリントモールドを作製した。

［転写パターンの位置精度］
上記のようにして作製したインプリントモールドと、被転写基板としてのシリコンウエハとを準備し、インプリント装置のモールドホルダにインプリントモールドを吸着保持させ、基板ステージにシリコンウエハを保持させた。そして、インプリントモールドの外周面の４方向のそれぞれから同一の圧力で押圧した状態で、シリコンウエハ上に塗布されたインプリント樹脂とインプリントモールドの凹凸パターンとの間にインプリント樹脂を展開させた。当該インプリント樹脂を硬化させた後、インプリントモールドを引き離すことで、シリコンウエハ上にレジストパターンを形成した。

シリコンウエハ上に形成されたレジストパターンの位置精度を、座標測定装置（ケーエルエー・テンコール社製、ＩＰＲＯ Ｓｅｒｉｅｓ）を用いて計測した。その結果、レジストパターンの位置精度（３σ）は、Ｘ方向が１．０ｎｍ、Ｙ方向が１．２ｎｍであった。

〔実施例２〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が６ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が２．１μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例３〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が５ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が２．２μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例４〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が６ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が１．９μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例５〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が５ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が１．５μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例６〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が６ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が１．４μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表１に示す。

〔実施例７〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が５ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が１．５μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表１に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表１に示す。

〔比較例１〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が３ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が１．５μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表２に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例２〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が２ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が１．７μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表２に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例３〕
［インプリントモールド用基板の作製］
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が２ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が２．０μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表２に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表２に示す。

〔比較例４〕
実施例１と同様にして測定された、周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量の測定値の算術平均値が２ｎｍ／ｃｍであり、上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））が２．３μｍである石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の周縁部（周縁部から１０ｍｍ幅の範囲）において任意に選択した１０点の複屈折量、第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を実施例１と同様にして測定した。結果を表２に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表２に示す。

〔実施例８〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、４．３ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．１μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔実施例９〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、４．６ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．２μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔実施例１０〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、７．０ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は１．９μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔実施例１１〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、４．２ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．１μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔実施例１２〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、４．１ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．０μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔実施例１３〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、３．９ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は１．９μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔比較例５〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、２．０ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．３μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔比較例６〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、１．９ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．３μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

〔比較例７〕
［インプリントモールド用基板の作製］
第１面及びそれに対向する第２面を有する石英ガラス基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ、厚さ６．３５ｍｍ）を準備した。当該石英ガラス基板の中央に位置する１１０ｍｍ×１１０ｍｍの計測領域内を５ｍｍ×５ｍｍのグリッドで分割し、各グリッドの複屈折量を複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、最大複屈折量を求めた。当該石英ガラス基板の最大複屈折量は、１．８ｎｍ／ｃｍであった。実施例１と同様にして測定された上記合計値（ＴＩＲ（Total Indicator Reading））は２．４μｍであった。当該石英ガラス基板を用いて実施例１と同様にしてインプリントモールド用基板を作製した。

このようにして作製したインプリントモールド用基板の最大複屈折量を、複屈折測定装置（ＵＮＩＯＰＴ社製、製品名：ＡＢＲ−１０Ａ）を用いて測定し、実施例１と同様にして第１箇所の高さ位置と第２箇所の高さ位置との差分（Ｘ切断面、Ｙ切断面）、第１領域内に位置する仮想円の線分上の最大高さ位置と最小高さ位置との差分、及び近似関数と高さ位置との最大の差分（Ｘ側面、Ｙ側面）を測定した。結果を表３に示す。

［インプリントモールドの作製及び転写パターンの位置精度］
上記インプリントモールド用基板を用いて、実施例１と同様にしてインプリントモールドを作製し、当該インプリントモールドを用いてシリコンウエハ上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの位置精度を測定した。結果を表３に示す。

表１及び表２、並びに表３に示す結果から明らかなように、インプリントモールド用基板の第２面の第１領域が実質的に平滑な面により構成されている実施例１〜１３においては、それから作製されたインプリントモールドにおいて高精度に倍率補正が可能であることから、高い位置精度でインプリント処理をすることができることが確認された。

１…インプリントモールド用基板
２…基材
２１…第１面
２２…第２面
３…凸構造部
３１…上面部
４…窪み部
１０…インプリントモールド
１１…凹凸パターン

Claims (13)

1. 第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する基材と、
   前記基材の前記第１面に設定され、凹凸パターンが形成され得るパターン領域と、
   前記第２面に形成されてなる窪み部と
   を備え、
   前記パターン領域は、前記窪み部を前記基材の前記第１面側に投射した投影領域内に包摂され得る大きさを有し、
   前記第２面を、前記窪み部の周縁を囲む第１領域と前記第１領域の外周を囲む第２領域とに区分したときに、少なくとも前記第１領域内は、実質的に平滑な面により構成されるインプリントモールド用基板。
2. 前記基材の前記第２面を上方に位置させ、前記基材の前記第１面を下方に位置させた状態での前記基材の厚さ方向に沿った断面視において、前記窪み部の両側における前記第１領域の高さ位置が実質的に一致している
   請求項１に記載のインプリントモールド用基板。
3. 前記基材の前記第２面側の平面視において、前記窪み部の幾何学的中心を中心とし、前記第１領域内に位置する円の線分上の高さ位置が実質的に一致している
   請求項１又は２に記載のインプリントモールド用基板。
4. 少なくとも前記第１領域内には、局所的な凹部及び／又は凸部が実質的に存在しない
   請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
5. 前記基材の前記第２面を上方に位置させ、前記基材の前記第１面を下方に位置させた状態での前記基材の側面視において、前記第１領域内における前記第２面は、前記第１領域の外周縁から内周縁に向かって凸状であって、前記第１領域内における前記第２面を所定の近似関数を用いた最小二乗法でフィッティングした場合に、当該近似関数との差分が３０ｎｍ以下となる面であり、
   前記近似関数は、当該近似関数の１次導関数の符号の正負が変化しない関数である
   請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
6. 前記基材の周縁部近傍において計測される複屈折量が５ｎｍ／ｃｍ以上である
   請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
7. 前記窪み部は、一方面及び前記一方面に対向する他方面を有する基板の前記他方面を研削加工することにより形成されるものであり、
   前記基板の最大複屈折量が４ｎｍ／ｃｍ以上である
   請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
8. 前記基材の最大複屈折量が３ｎｍ／ｃｍ超である
   請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールド用の基板。
9. 前記基材の前記第１面側には、前記第１面から突出する凸構造部が設けられており、
   前記パターン領域は、前記凸構造部の上面部に設定される
   請求項１〜８のいずれかに記載のインプリントモールド用基板。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記パターン領域に形成されてなる凹凸パターンを有するインプリントモールド。
11. 請求項１〜１０のいずれかに記載のインプリントモールド用基板を製造する方法であって、
    一方面及び当該一方面に対向する対向面を有する基板を準備する工程と、
    前記基板の前記対向面に前記窪み部を形成する工程と
    を有し、
    前記基板の前記対向面は、所定の基準面及び前記対向面の最高点の間の前記基準面に直交する長さと、前記基準面及び前記対向面の最低点の間の前記基準面に直交する長さとの合計値が２．２μｍ以下となる面であり、
    前記基準面は、前記対向面上において任意に選択される３点を含む３点基準面である
    インプリントモールド用基板の製造方法。
12. 前記基板の最大複屈折量が４ｎｍ／ｃｍ以上である
    請求項１１に記載のインプリントモールド用基板の製造方法。
13. 請求項１〜９のいずれかに記載のインプリントモールド用基板の前記パターン領域に凹凸パターンを形成する工程を有する
    インプリントモールドの製造方法。
    
    

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