JP2019113714A - フォトマスク、並びにインプリントモールド用ブランクス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
なお、本明細書において「窪み部の位置精度」は、インプリントモールド用ブランクスの平面視における中心と窪み部の平面視における中心との位置のずれ量を意味し、例えば、CNC画像測定装置(ニコンインステック社製,製品名:NEXIV VMRシリーズ、NEXIV VMZ−Rシリーズ、NEXIV VMZ−Kシリーズ)等を用いて測定され得る。
図1は、本実施形態に係るフォトマスクの概略構成を示す平面図であり、図2は、本実施形態に係るフォトマスクの概略構成を示す、図1におけるA−A線切断端面図である。
上述した構成を有するフォトマスク1を用いてインプリントモールド用ブランクスを製造する方法について説明する。図4は、本実施形態におけるインプリントモールド用ブランクスの製造方法の各工程を切断端面に示す工程フロー図である。
まず、第1面11A及びそれに対向する第2面11Bを有し、第1面11Aにハードマスク層12が形成されてなるブランクス用基材11と、本実施形態に係るフォトマスク1とを準備し、ブランクス用基材11の第1面11Aのハードマスク層12上にポジ型感光性樹脂材料を塗布してレジスト膜13を形成する(図4(A)参照)。
フォトマスク1とブランクス用基材11との位置合わせを、フォトマスク1の各アライメントマーク5を用いて行う(図5参照)。位置合わせは、フォトマスク1とブランクス用基材11とを互いに対向させるようにしてマスクアライナーにセットし、フォトマスク1の第2面2B側からアライメントマーク5を視認しながら行われ得る。例えば、図5及び図6に示すように、フォトマスク1の第1アライメントマーク群41に含まれる各アライメントマーク5をブランクス用基材11の第1辺111に重ね合わせ、フォトマスク1の第2アライメントマーク群42に含まれる各アライメントマーク5をブランクス用基材11の第2辺112に重ね合わせる。同様に、フォトマスク1の第3アライメントマーク群43に含まれる各アライメントマーク5をブランクス用基材11の第3辺113に重ね合わせ、フォトマスク1の第4アライメントマーク群44に含まれる各アライメントマーク5をブランクス用基材11の第4辺114に重ね合わせる。そして、第1アライメントマーク群41に含まれる各アライメントマーク5の中心とブランクス用基材11の第1辺111との間の水平方向における長さdX1と、第2アライメントマーク群42に含まれる各アライメントマーク5の中心とブランクス用基材11の第2辺112との間の水平方向における長さdX2と、第3アライメントマーク群43に含まれる各アライメントマーク5の中心とブランクス用基材11の第3辺113との間の水平方向における長さdY1と、第4アライメントマーク群44に含まれる各アライメントマーク5の中心とブランクス用基材11の第4辺114との間の水平方向における長さdY2とが実質的に同一となるように、フォトマスク1とブランクス用基材11との位置合わせを行う。具体的には、最小二乗法を用い、第1〜第4アライメントマーク群41〜44に含まれる各アライメントマーク5の中心と、ブランクス用基材11の第1〜第4辺111〜114との間の水平方向における長さdX1,dX2,dY1,dY2が最小となるように、フォトマスク1とブランクス用基材11とを相対的に水平方向に移動させることにより、両者の位置合わせを行う。これにより、高い精度でフォトマスク1とブランクス用基材11との位置合わせを行うことができる。
ブランクス用基材11と高精度で位置合わせされたフォトマスク1を介して、特定波長域の光L、例えば紫外線をレジスト膜13に照射する(図4(B)参照)。フォトマスク1を介した露光は、例えば、フォトマスク1をレジスト膜13に密着させてフォトマスク1の第2面2B側から露光するコンタクト露光、フォトマスク1をレジスト膜13から離間させて配置してフォトマスク1の第2面2B側から露光するプロキシミティ露光、フォトマスク1とレジスト膜13との間にレンズや鏡等の光学装置を配置し、フォトマスク1を透過した光が当該光学装置を介してレジスト膜13に投影されるプロジェクション露光等により行われ得る。
露光されたレジスト膜13を現像してレジストパターン13’を形成する(図4(C)参照)。例えば、スプレー法、浸漬法、パドル法等の公知の方法により、有機溶剤や有機アルカリ水溶液等の現像液をレジスト膜13に接触させ、露光部に存在するレジスト膜13を溶解・除去し、純水等のリンス液ですすぐ。これにより、フォトマスク1の遮光パターン3に対応するレジストパターン13’が形成される。
上記レジストパターン13’をマスクとして用い、例えば、塩素系(Cl2+O2)のエッチングガスを用いるドライエッチング処理によりブランクス用基材11の第1面11A上に形成されているハードマスク層12をエッチングして、ハードマスクパターン12’を形成する(図4(D)参照)。その後、残存するレジストパターン13’をウェットエッチング等により除去する。
最後に、ハードマスクパターン12’をマスクとしてブランクス用基材11にドライエッチング処理を施すことで凸構造部22を形成し、ハードマスクパターン12’を除去する。このようにして、基部21と、基部21の一方面から突出してなる凸構造部22とを備えるインプリントモールド用ブランクス20が製造される(図4(E)参照)。
2…マスク基材
2A…第1面
2B…第2面
3,3’…遮光パターン(マスクパターン)
4…アライメントマーク群
41…第1アライメントマーク群
42…第2アライメントマーク群
43…第3アライメントマーク群
44…第4アライメントマーク群
5…アライメントマーク
20,20’,20''…インプリントモールド用ブランクス
Claims (8)
- ブランクス用基材の一方面に凸構造部を形成することで、基部と、前記基部の一方面から突出する前記凸構造部とを有するインプリントモールド用ブランクスを製造するために用いられるフォトマスクであって、
第1面及び当該第1面に対向する第2面を有するマスク基材と、
前記マスク基材の前記第1面に設けられてなり、前記凸構造部に対応するマスクパターンと、
前記マスクパターンの外側に設けられてなる複数のアライメントマークを含むアライメントマーク群と
を備え、
前記ブランクス用基材は、当該ブランクス用基材の外縁を規定する、互いに平行な第1辺及び第2辺と、前記第1辺及び前記第2辺に直交し、互いに平行な第3辺及び第4辺とを含む平面視矩形状を有し、
前記アライメントマーク群は、前記ブランクス用基材の前記第1辺及び前記第2辺のそれぞれに対応する、前記第1面上における第1方向に沿って設けられてなる第1アライメントマーク群及び第2アライメントマーク群と、前記ブランクス用基材の前記第3辺及び前記第4辺のそれぞれに対応する、前記第1面上における第2方向に沿って設けられてなる第3アライメントマーク群及び第4アライメントマーク群とを含み、
前記第1〜第4アライメントマーク群は、それぞれ、少なくとも1つのアライメントマークを含む
フォトマスク。 - 前記第1〜第4アライメントマーク群は、それぞれ、複数のアライメントマークを含む
請求項1に記載のフォトマスク。 - 前記マスクパターンは、前記第1〜第4アライメントマーク群により囲まれる領域の実質的に中心に位置する
請求項1又は2に記載のフォトマスク。 - 前記アライメントマークは、前記ブランクス用基材上に転写されない程度の寸法を有する
請求項1〜3のいずれかに記載のフォトマスク。 - 基部と、前記基部の一方面から突出してなる凸構造部とを備え、
前記基部の前記一方面に対する前記凸構造部の位置精度は、30μm以下である
インプリントモールド用ブランクス。 - 前記基部の前記一方面に対する前記凸構造部の角度精度は、1mRad以下である
請求項5に記載のインプリントモールド用ブランクス。 - 前記基部の前記一方面に対向する他方面側に形成されてなる窪み部をさらに備え、
前記インプリントモールド用ブランクスの平面視において、前記凸構造部に対する前記窪み部の位置精度は、50μm以下である
請求項5又は6に記載のインプリントモールド用ブランクス。 - 基部と、前記基部の一方面から突出してなる凸構造部とを備えるインプリントモールド用ブランクスを製造する方法であって、
請求項1〜4のいずれかに記載のフォトマスクを用いて、ブランクス用基材の一方面に前記凸構造部に対応するレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記ブランクス用基材の一方面をエッチングする工程と
を有し、
前記ブランクス用基材は、互いに平行な第1辺及び第2辺と、前記第1辺及び前記第2辺に直交し、互いに平行な第3辺及び第4辺とを含む平面視矩形状を有し、
前記レジストパターンを形成するに際し、前記フォトマスクの前記第1アライメントマーク群及び前記第2アライメントマーク群のそれぞれを用いて前記ブランクス用基材の前記第1辺及び前記第2辺のそれぞれと位置合わせをするとともに、前記フォトマスクの前記第3アライメントマーク群及び前記第4アライメントマーク群のそれぞれを用いて前記基板の前記第3辺及び前記第4辺のそれぞれと位置合わせをする
インプリントモールド用ブランクスの製造方法。
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