JP6428120B2 - フォトマスクブランク、それを用いたフォトマスクの製造方法とフォトマスク、それを用いて作製したマイクロレンズ - Google Patents
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Description
するアライメントマークパターンの掘り込み量が浅くなり、アライメントマークのコントラストが取れなくなる問題があった。
ことを特徴とする。
図3は、本発明の実施の形態のフォトマスクブランクを製造工程順に示す模式断面図である。
本発明の別のフォトマスク製造方法を、図6、図7により、工程順に説明する。
本発明と比較するため、従来の形状のマスクブランクでフォトマスクを作製し、マスクパターンの解像性について評価した。評価用パターンは、前述の実施例1、2の場合と同じ
である。
本発明の効果を確認するために、実施例1の方法で作製したフォトマスク、実施例2の方法で作製したフォトマスク、従来の形状のマスクブランクから作製したフォトマスクを用いて、微小なマイクロレンズを作製する場合の作製可能性ついて評価した。
11、21・・・透明性基板
12・・・半透光層
12a・・・半透光層パターン
13、23・・・遮光層
13a、23a・・・遮光層パターン
13−2、23−2・・・薄膜化した遮光層
13−2a、23−2a・・・薄膜化した遮光層のパターン
13−3・・・第1の遮光層
13−4・・・第2の遮光層
13−3a・・・第1の遮光層のパターン
14、24・・・ハードマスク層
14a・・・ハードマスク層パターン
100、200・・・フォトマスク
15、16、17・・・レジスト
15a、16a、17a・・・レジストパターン
45、46、47・・・レジスト
45a、46a、47a・・・レジストパターン
51・・・孤立スペースパターン
61・・・マイクロレンズのマスクパターン
62・・・寸法
63・・・マイクロレンズのマスクパターン単位
64・・・寸法
A1、A2、A1−16・・・非遮光部(メインパターン領域)
B1、B2、B1−16・・・遮光部(アライメントマークパターン領域)
71・・・マイクロレンズの寸法
72・・・マイクロレンズの高さ
73・・・マイクロレンズの高さ80%でのマイクロレンズの寸法
Claims (4)
- 少なくとも透明性基板と露光光を遮光する遮光層を備えるフォトマスクブランクであって、
前記遮光層は少なくともメインパターン領域とアライメントマークパターン領域の2種類の領域を有し、
前記アライメントマークパターン領域の膜厚は前記メインパターン領域の膜厚より厚く、
前記遮光層上にハードマスク層を備え、
前記メインパターン領域の膜厚は50nm以下である
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光層の下に、前記遮光層よりも遮光性の低い半透光層を備えることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記ハードマスク層は、モリブデン、シリコン、タンタルより選ばれた少なくとも1つ以上の金属、または、前記金属を含む合金、または、前記金属または前記金属を含む合金の酸化物、または、前記金属または前記金属を含む合金の窒化物、のいずれかであることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のフォトマスクブランクを用いて作製するフォトマスクの製造方法であって、
線幅が300nm未満であるパターンを前記メインパターン領域に含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
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