JP2012211980A - フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトマスクブランク10として、このフォトマスクブランク10を用いて形成するフォトマスク30の非遮光部とする領域のクロム膜13の膜厚を遮光部とする領域のクロム膜13の膜厚よりも薄くしたフォトマスクブランク10を作製して、そのフォトマスクブランク10を使用してフォトマスク30を作製する。非遮光部とする領域のクロム膜13の膜厚をエッチングにより薄くしてもよく、遮光部とする領域のクロム膜13の膜厚をスパッタリングによって厚くしてもよい。
【選択図】図3
Description
なお、フォトマスクブランク10は、フォトマスク30(図3参照)の非遮光部とする領域を単層または積層とし膜厚は10A°〜800A°として、フォトマスク30(図3参照)の遮光部とする領域を単層または積層とし膜厚は非遮光部とする領域の膜厚から少なくとも200A°〜1200A°厚くすることが好ましい。
なお、フォトマスク30(図3参照)の非遮光部とする領域の膜厚が10A°未満であると、単層または積層成膜時における膜厚の制御が困難になる点で不利であり、800A°を超えると、ドライエッチング時におけるローディング効果が非常に大きくなる点で不利である。
また、フォトマスク30(図3参照)の遮光部とする領域の膜厚を非遮光部とする領域の膜厚よりも厚くする度合いが200A°未満であると、光学濃度の調整が困難になる点で不利であり、1200A°を超えると、必要となるレジスト膜厚が厚くなり、レジストパターンの解像性が悪化する点で不利である。
さらに、フォトマスクブランク10の透明基板11を除く膜は、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜とすることが好ましい。
Claims (12)
- 透明基板上に単層又は複数層の薄膜が形成されたフォトマスクブランクにおいて、前記薄膜内で膜厚が異なる領域を有したことを特徴とするフォトマスクブランク。
- 前記フォトマスクブランクを用いて製造するフォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を遮光部とする領域の膜厚よりも薄くしたことを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記フォトマスクの前記遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の膜厚をエッチングによって減少させて形成したことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の膜厚をスパッタリングによって増加させて形成したことを特徴とする請求項2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を10A°(A°はオングストロームを表す記号、以下同じ。)〜800A°とし、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を、前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚から少なくとも200A°〜1200A°厚くしていることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記薄膜は、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 透明基板上の薄膜にパターンを形成したフォトマスクの製造方法において、前記パターンを形成する前の前記薄膜内に膜厚が異なる領域を有するフォトマスクブランクを使用することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 前記フォトマスクの非遮光部とする領域の膜厚を遮光部とする領域の膜厚よりも薄くした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項7に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記フォトマスクの前記遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の膜厚をエッチングによって減少させて形成した前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域をレジストで保護した状態で、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の膜厚をスパッタリングによって増加させて形成した前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記フォトマスクの前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を10A°(A°はオングストロームを表す記号、以下同じ。)〜800A°とし、前記フォトマスクの前記遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚を、前記非遮光部とする領域の前記薄膜の膜厚から少なくとも200A°〜1200A°厚くした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記薄膜を、モリブデン、クロム、タンタル、タングステン、シリコンのいずれかを含む材料の膜とした前記フォトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする請求項7〜11のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103901715A (zh) * | 2012-12-24 | 2014-07-02 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种掩膜板及其制造方法 |
JP2016071280A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランク、それを用いたフォトマスクの製造方法とフォトマスク、それを用いて作製したマイクロレンズ |
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2011
- 2011-03-31 JP JP2011077046A patent/JP2012211980A/ja active Pending
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