JP2010048860A - ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
ハーフトーン位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】透明基板1上にハーフトーン膜2及びハードマスク兼遮光膜3を順次成膜する工程と、前記ハードマスク兼遮光膜3上に膜減補償用遮光膜4を成膜する工程、主回路領域6上の前記膜減補償用遮光膜4を選択的に除去する工程と、前記主回路領域6に露出する前記ハードマスク兼遮光膜3にパターンを形成してハードマスク7とする工程と、前記ハードマスク7をマスクとして前記ハーフトーン膜2をエッチングしてハーフトーン膜パターン8を形成する工程と、前記ハードマスク7を除去する際に前記主回路領域6の周囲の遮光帯領域に前記膜減補償用遮光膜9を残存させる工程とを設ける。
【選択図】図1
Description
このように、ハーフトーン位相シフトマスクの製造工程においては、Cr膜からなる遮光帯領域に設ける遮光帯遮光膜をハーフトーン膜をエッチングするためのハードマスクとして流用している。
(付記1) 透明基板上にハーフトーン膜及びパターン形成用遮光膜を順次成膜する工程と、前記パターン形成用遮光膜上に膜減補償用遮光膜を成膜する工程、主回路領域上の前記膜減補償用遮光膜を選択的に除去する工程と、前記主回路領域に露出する前記パターン形成用遮光膜にパターンを形成してマスクパターンとする工程と、前記マスクパターンをマスクとして前記ハーフトーン膜をエッチングしてハーフトーン膜パターンを形成する工程と、前記マスクパターンを除去する際に前記主回路領域の周囲の遮光帯領域に前記膜減補償用遮光膜を残存させる工程とを有するハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
(付記2) 前記膜減補償用遮光膜が、前記パターン形成用遮光膜とが同じ素材からなる付記1記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
(付記3) 前記膜減補償用遮光膜が、前記マスクパターンの除去の際のエッチャントに対してパターン形成用遮光膜よりエッチレートの小さな素材からなる付記1記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
(付記4) 前記膜減補償用遮光膜が、多結晶シリコン、SiON、或いは、MoSiのいずれかからなる付記3記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
(付記5) 前記膜減補償用遮光膜が、前記ハーフトーン膜と同じ素材からなる付記3記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
(付記6) 付記1乃至付記5のいずれか1に記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法によって製造したハーフトーン位相シフトマスクを用いた露光工程を有している半導体装置の製造方法。
2 ハーフトーン膜
3 ハードマスク兼遮光膜
4 膜減補償遮光膜
5 遮光帯膜減補償遮光膜
6 主回路領域
7 ハードマスク
8 ハーフトーン膜パターン
9 遮光帯遮光膜
11,31 石英基板
12,32 ハーフトーン膜
13,25,33 Cr膜
14 電子線レジスト
15 レジストパターン
16,36 主回路領域
17,37 遮光帯領域
18,34 電子線レジスト
19,35 レジストパターン
20,38 ハードマスク
21,27,39 遮光帯遮光膜
22,40 ハーフトーン膜パターン
23,41 電子線レジスト
24,42 レジストパターン
26 MoSi膜
51 露光ショット領域
52 露光ショット
53 二重露光領域
54 四重露光領域
Claims (5)
- 透明基板上にハーフトーン膜及びハードマスク兼遮光膜を順次成膜する工程と、前記ハードマスク兼遮光膜上に膜減補償用遮光膜を成膜する工程、主回路領域上の前記膜減補償用遮光膜を選択的に除去する工程と、前記主回路領域に露出する前記ハードマスク兼遮光膜にパターンを形成してハードマスクとする工程と、前記ハードマスクをマスクとして前記ハーフトーン膜をエッチングしてハーフトーン膜パターンを形成する工程と、前記ハードマスクを除去する際に前記主回路領域の周囲の遮光帯領域に前記膜減補償用遮光膜を残存させる工程とを有するハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
- 前記膜減補償用遮光膜が、前記ハードマスク兼遮光膜とが同じ素材からなる請求項1記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
- 前記膜減補償用遮光膜が、前記ハードマスクの除去の際のエッチャントに対してハードマスク兼遮光膜よりエッチレートの小さな素材からなる請求項1記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
- 前記膜減補償用遮光膜が、多結晶シリコン、SiON、或いは、MoSiのいずれかからなる請求項3記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法によって製造したハーフトーン位相シフトマスクを用いた露光工程を有している半導体装置の製造方法。
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