TWI541590B - 光罩之製造方法、光罩及圖案轉印方法 - Google Patents

Description

光罩之製造方法、光罩及圖案轉印方法

本發明係關於光罩之製造方法、光罩及圖案轉印方法，例如關於大規模積體電路(LSI)、或平面顯示器(FPD)製造用之、於藉由投影曝光裝置轉印細微之轉印用圖案時所使用之相移遮罩之製造方法。

先前，對應於大規模積體電路(LSI)中電路之高積體化、及隨之而來之電路圖案之細微化，利用光微影步驟，且作為超解析技術，有人提出使用相移遮罩且已實用化。

於專利文獻1中，記載有使用乾蝕刻法加工後，藉由進行等向性濕蝕刻，形成懸突形狀之相移遮罩之製造方法。

於專利文獻2中，記載有藉由以等向性蝕刻處理(濕蝕刻)形成相移透光部所實現之交流(alternating)型相移遮罩之製造方法。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平10-333316號公報

[專利文獻2]日本特開2007-219128號公報

作為相移遮罩之一，尤其是作為超解析效果較高者，有被稱為 交流型之類型之相移遮罩。其構成如下：於透明基板上具有包含鉻等之金屬膜等之遮光部、與透過曝光光之透光部，且例如如線隙圖案般，將遮光部與透光部以一定之間距反復排列，且使透過位於遮光部兩側之透光部之透過光之相位互相偏差大致180度。藉由該相位之偏差，可防止因繞射光之干涉引起解析度之降低，而可謀求解析度之提高。

於此種相移遮罩中，於鄰接位於遮光部兩側之透光部中，對波長λ之透過光，藉由產生〔λ(2m-1)/2〕(m係自然數)之光路長度差，使各個透過透光部之透過光之間產生180度之相位差。為了產生此種光路長度差，於將透明基板之折射率設為n時，以〔d=λ(2m-1)/2(n-1)〕成立之方式設定透明基板於配置於遮光部兩側之透光部之厚度差d即可。例如，將遮光部兩側之透光部中之一透光部設為透明基板之表面露出之狀態，並於另一透光部挖進透明基板而減少厚度。即，與另一透光部對應之透明基板係以深度d〔=λ(2m-1)/2(n-1)〕蝕刻處理。

又，藉由形成於透明基板表面之透過調整膜，於將透過調整膜之折射率設為n1時，以〔d1=λ(2m-1)/2(n1-1)〕成立之方式設定該透過調整膜於配置於遮光部兩側之透光部之厚度差d1即可。然而，關於該方面係後述。

於藉由挖進透明基板形成有相移透光部之交流型相移遮罩中，存在如下問題：因於挖進部之側壁產生之光之反射等影響，透過挖進部之光量相對於透過非挖進部之光量降低，且於挖進部與非挖進部，轉印至基板上之圖案尺寸不同。

作為解決該問題之方法，於專利文獻1中，記載有一種製造方法，其係組合乾蝕刻處理與濕蝕刻處理而進行透明基板之挖進，藉此將構成遮光圖案之遮光膜之邊緣設為相對於挖進部突出之懸突形狀。

參照圖1，對專利文獻1記載之製造方法進行說明。於該製造方法中，首先，如圖1中(a)所示，將第1抗蝕劑膜103塗佈於形成於透明基板101表面之遮光膜102上。

接著，如圖1中(b)所示，對第1抗蝕劑膜103進行第1描繪(曝光)，並顯影而形成第1抗蝕劑圖案104。

接著，如圖1中(c)所示，對遮光膜102實施第1蝕刻處理，形成遮光圖案105。此處，劃定遮光部。

接著，如圖1中(d)所示，去除第1抗蝕劑圖案104，如圖1中之(e)所示，再次塗佈第2抗蝕劑膜106。

接著，如圖1中(f)所示，對第2抗蝕劑膜106進行第2描繪，並顯影而形成第2抗蝕劑圖案107，且如圖1中(g)所示，對透明基板101實施非等向性蝕刻處理(乾蝕刻處理)，藉此形成挖進部108。

進而，如圖1中(h)所示，對透明基板101實施等向性蝕刻處理(濕蝕刻處理)，形成遮光膜102之懸突形狀。接著，如圖1中(i)所示，去除第2抗蝕劑圖案107，完成相移遮罩100。

然而，關於組合乾蝕刻處理與濕蝕刻處理而形成遮光膜102之懸突形狀，由於組合2次不同性質之蝕刻處理，故步驟繁雜，且有缺陷產生概率變高之問題。

因此，於僅應用濕蝕刻，製造與上述專利文獻1相同之光罩之情形時，會產生以下問題。對此點藉由圖2進行說明。然而，由於圖2之(a)至(f)係與圖1之(a)至(f)相同，故省略說明。

與上述相同，如圖2中(f)所示，形成第2抗蝕劑圖案107後，不進行圖1中(g)之乾蝕刻，而如圖2中(g)所示，實施濕蝕刻，形成挖進部108。

如上述般，濕蝕刻具備等向性蝕刻之性質，為了獲得必要之挖 進深度，進行相同量之側面蝕刻(自透明基板之挖進部之壁面，朝與基板表面平行之方向之蝕刻)。因此，導致於遮光部(遮光膜)之下產生相當量之透明基板之底切。

此處，必要之透明基板之挖進深度係根據光罩之曝光所使用之光之波長而變化。例如，於將ArF準分子雷射(波長193nm)作為曝光光使用之情形時，為了獲得使該曝光光之相位反轉之相移量，使挖進深度為170nm左右，同時，於遮光膜之下亦以170nm之寬度形成底切(透明基板之材料即石英之折射率n=1.56)。然而，於使用波長更長之i線作為曝光光之情形時，必要之挖進深度、以及該底切之尺寸亦均為380nm。即，以380nm之尺寸產生不由透明基板支持之狀態之遮光膜。該遮光膜端部容易脫落。當遮光膜端部脫落時，不僅該部分之圖案精度劣化，脫落之遮光膜附著於光罩上其他部分，引起黑缺陷之風險亦升高。

於圖2(i)顯示遮光膜102脫落之狀態。向挖進部108上側突出之遮光膜102整體剝離或一部分斷裂而脫落。

因此，本發明者提出專利文獻2之方法。其係將較透光部具有更小開口部之抗蝕劑圖案作為遮罩，進行透明基板之等向性蝕刻之方法，可解決上述問題。即，如自圖3可知般，於圖3中(f)步驟中，對第2抗蝕劑膜106進行第2描繪時，對進行挖進之相移透光部109，使用較透光部109之尺寸更小尺寸之描繪資料。藉此，如圖3中(g)所示，可形成具有較相移透光部109更小之開口之第2抗蝕劑圖案107。若將其作為遮罩對透明基板101實施濕蝕刻，則如圖3中(h)所示，可縮小遮光膜下之底切量。

然而，現在，於液晶顯示裝置中，採用VA(Vertical Alignment：垂直對準)方式或IPS(In Plane Switching：板內切換)方式等。藉由其等之採用，期望明亮、且節省電力，且提高高精密、高速顯示、廣視 角之顯示性能。

例如，於應用該等方式之液晶顯示裝置中，於像素電極應用形成為一定間距之線隙圖案狀之透明導電膜。且，為了提高顯示裝置之顯示性能，要求此種圖案日益細微化。例如，期望將線隙圖案之間距寬度P(線寬L與隙寬S之合計)自6μm朝5μm、進而自5μm朝4μm縮窄。於該情形時，線寬L、隙寬S至少任一者不滿3μm之情形較多。例如，L<3μm或L≦2μm，或S<3μm或S≦2μm之情形較多。

考慮到上述情況，相移遮罩所產生之提高解析性或有利焦深之優良特性，係不僅對LSI製造技術有用，於以液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置為代表之FPD(Flat Panel Display：平板顯示器，顯示裝置設備)之領域中亦有用。

就該意義而言，可以說上述專利文獻2之方法非常有用。第1，顯示裝置用光罩係一般一邊為300mm以上之方形，與LSI製造用之光罩比較，尺寸較大。且，存在各種各樣之尺寸類型。因此，於圖案化中，濕蝕刻較乾蝕刻更有利。於乾蝕刻必須應用大型真空裝置之情形時，步驟上與成本上均成為負擔。因此，僅以濕蝕刻，可形成具有所期望之相移效果之轉印用圖案，此點意義重大。

第2，由於顯示裝置用光罩之曝光所使用之曝光裝置(作為LCD用投影曝光裝置已知者)之曝光光之波長係i線~g線(365~436nm)之範圍，故為了使相位相對於該波長反轉所必要之透明基板之挖進深度係380nm以上。因此，若考慮以圖2所示之方法僅應用濕蝕刻，挖進成為相移透光部之部分之透明基板101，則導致產生該挖進深度量之底切。對此，根據專利文獻2之方法(圖3)，由於可分別獨立設計透明基板之挖進量、與側面蝕刻量，故可避免底切過深之懸突，減輕遮光膜脫落之風險。

然而，本發明者係著眼於：根據專利文獻2之方法(圖3)，雖可消 除上述問題，但可能產生新問題。

作為圖1~圖3所示之方法之共通點，於遮罩之製造中，必須進行2次描繪步驟(第1、第2描繪)。因此，若未精度良好地進行該2次描繪之對準，則會產生遮光圖案105與後段中進行之挖進之位置偏差。於圖4顯示該狀態。於圖4中，(a)至(e)係與圖1之(a)至(e)相同。

如圖4中(f)、(g)所示，當產生遮光圖案105與挖進之位置偏差時，如圖4中(h)所示，挖進部108中不由透明基板101支持之狀態之遮光膜102之尺寸增大，該部分之遮光膜102容易脫落。再者，由於相移透光部109為光學非對稱，故無法精緻地轉印欲獲得之圖案。

於光罩之描繪中，已知有使用雷射者、或使用電子束(EB)者。無論哪一者，於2次描繪步驟中，實際很難使對準偏差為零。一般而言，於顯示裝置製造用之遮罩製造所使用之大型描繪裝置中，主要使用將雷射作為描繪光源者。於此種描繪裝置中，產生之對準偏差量亦較EB描繪裝置更大。由於不可避免地產生一次描繪步驟中所產生之與理想坐標之偏差成分，且此係藉由複數次描繪所引起之重合而合成，故完全無法阻止相對於目標尺寸產生±0.1~±0.3μm左右之偏差。

當然，不論應用哪種描繪方式，於經由複數次描繪步驟所製造之光罩中，皆可藉由參照共通之對準標記等進行描繪，而進行儘可能排除偏差之努力。然而，使對準偏差始終為上述數值以下並不容易。可以說，因此種對準偏差引起之坐標精度之劣化或線寬之不均於細微線寬之圖案中極其嚴重。因此，如上述般，於顯示裝置製造用光罩中，細微線寬之應用係較大之技術課題。

因此，本發明之目的在於提供一種消除此種不良，不僅於LSI製造中，於FPD製造中亦可形成如設計之相移圖案，且不會增加因圖案脫落而產生缺陷之機會之優良的光罩之製造方法、光罩及圖案轉印方法。

本發明之光罩製造方法係於透明基板上具備包含遮光部、非相移透光部、及相移透光部之轉印用圖案之光罩之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：遮光膜圖案化步驟，其係將形成於上述透明基板上之遮光膜圖案化，而形成已去除上述遮光膜之上述非相移透光部、與殘存上述遮光膜之上述遮光部，且於上述相移透光部之區域內，形成較上述相移透光部之區域小且具有上述遮光膜之暫定圖案；於已進行上述遮光膜之圖案化之上述透明基板上，形成抗蝕劑膜之步驟；藉由對上述抗蝕劑膜進行描繪與顯影，於上述相移透光部之區域內，形成具有抗蝕劑高度較殘存於上述遮光部區域之上述遮光膜上之抗蝕劑高度低之部分之抗蝕劑圖案之步驟；基板露出步驟，其係將使上述抗蝕劑圖案、或上述抗蝕劑圖案之至少一部分之厚度降低而形成之減膜抗蝕劑圖案作為遮罩，且藉由蝕刻去除上述暫定圖案，而使上述透明基板之表面一部分露出；及基板蝕刻步驟，其係對上述透明基板之一部分露出之部分，藉由實施濕蝕刻而形成上述相移透光部。

根據上述構成，由於在遮光膜圖案化步驟中，於相移透光部之區域內，形成較相移透光部之區域小且具有遮光膜之暫定圖案，因此藉由暫定圖案，可吸收2次描繪之位置偏差，故而不僅於LSI製造中，於FPD製造中亦可形成如設計之相移圖案，且不會增加因圖案脫落產生缺陷之機會，而可製造優良之光罩。

於本發明之光罩之製造方法中，較好為於形成上述抗蝕劑圖案之步驟中，於上述相移透光部之區域內，藉由使上述抗蝕劑膜不完全感光之能量進行描繪，形成具有抗蝕劑高度較殘存於上述遮光部區域之上述遮光膜上之抗蝕劑高度低之部分之上述抗蝕劑圖案。

於本發明之光罩之製造方法中，較好為於形成上述抗蝕劑圖案之步驟中，於上述相移透光部之區域內，對較上述相移透光部區域 小、包含上述暫定圖案區域且較其大之區域之上述抗蝕劑膜，藉由使上述抗蝕劑膜不完全感光之能量進行描繪。

於本發明之光罩之製造方法中，為使上述抗蝕劑圖案之至少一部分之厚度減少而形成上述減膜抗蝕劑圖案，較好為應用灰化。

於本發明之光罩之製造方法中，較好為於上述基板蝕刻步驟中僅應用濕蝕刻。

於本發明之光罩之製造方法中，較好為上述光罩係藉由i線或較其波長較長之曝光光進行曝光者。

於本發明之光罩之製造方法中，上述透明基板係可包含透明基材、與形成於上述透明基材上之透過調整膜。

本發明之光罩之特徵在於：其係於透明基板上具備包含遮光部、非相移透光部、及相移透光部之轉印用圖案之顯示裝置製造用者，且上述遮光部係於上述透明基板上形成遮光膜而成，上述非相移透光部係上述透明基板之表面露出而成，上述相移透光部係於上述透明基板之表面形成深度D(μm)之凹部而成，自對向之2個方向被夾於上述遮光部的上述相移透光部，係於與2個上述遮光部各者之鄰接部中，且上述凹部之外緣位於上述遮光部區域之外緣或上述遮光部區域內，將上述凹部之外緣與上述遮光部區域之外緣之距離分別設為底切量A1、A2時，0≦A1<D

0≦A2<D

｜A1-A2｜≦0.01，且上述轉印用圖案，係僅藉由濕蝕刻圖案化者。

根據上述構成，由於底切量A1、A2及相移透光部之凹部之深度D滿足特定之關係，故光罩製造過程中所必要之、2次描繪之位置偏差不會對最終轉印用圖案造成影響，因此實質上未產生位置偏差，故 不僅於LSI製造中，於FPD製造中亦可形成如設計之相移圖案，且不會增加因圖案脫落而產生缺陷之機會，而可進行圖案轉印。

如上述般，本發明之光罩係可僅應用濕蝕刻作為蝕刻而進行製造。即，構成本發明之膜、或透明基板之被蝕刻面(抵接於圖案之側面)係全部可為藉由濕蝕刻產生之被蝕刻面。

於本發明之光罩中，較好為上述轉印用圖案包含線隙圖案。

於本發明之光罩中，上述透明基板係可包含透明基材、與形成於上述透明基材上之透過調整膜。

本發明之圖案轉印方法其特徵在於包含以下步驟：使用藉由上述本發明之光罩之製造方法所製造之光罩、或上述本發明之光罩，藉由具有i線或較其波長較長之光源之曝光機，將上述轉印用圖案轉印至被轉印體上。

本發明之顯示裝置之製造方法其特徵在於應用上述記載之圖案轉印方法。

根據本發明之光罩之製造方法，由於在遮光膜圖案化步驟中，於相移透光部之區域內，形成較相移透光部之區域小且具有遮光膜之暫定圖案，因此藉由暫定圖案可吸收2次描繪之位置偏差，故而不僅於LSI製造中，於FPD製造中亦可形成如設計之相移圖案，且不會增加因圖案脫落而產生缺陷之機會，而可製造優良之光罩。

又，根據本發明之光罩，由於相移透光部之底切量A1、A2及相移透光部之凹部之深度D滿足特定之關係，故而光罩製造過程所必要之2次描繪之位置偏差不會對最終轉印用圖案造成影響，因此實質上未產生位置偏差，故而不僅於LSI製造中，於FPD製造中亦可形成如設計之相移圖案，且不會增加因圖案脫落而產生缺陷之機會，而可進行圖案轉印。

10‧‧‧光罩

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧透明基材表面之一部分

12‧‧‧轉印用圖案

13‧‧‧遮光膜

14‧‧‧遮光部

15‧‧‧非相移透光部

16‧‧‧凹部

17‧‧‧相移透光部

18‧‧‧透過調整膜

20‧‧‧光罩毛坯

21‧‧‧第1抗蝕劑膜

22‧‧‧第1抗蝕劑圖案

23‧‧‧遮光膜圖案

23a‧‧‧暫定圖案

24‧‧‧第2抗蝕劑膜

25‧‧‧第2抗蝕劑圖案

25a‧‧‧抗蝕劑高度較低部分

31‧‧‧減膜抗蝕劑圖案

31a‧‧‧減膜抗蝕劑圖案之高度較低部分

41‧‧‧箭頭符號

100‧‧‧相移光罩

101‧‧‧透明基板

102‧‧‧遮光膜

103‧‧‧第1抗蝕劑膜

104‧‧‧第1抗蝕劑圖案

105‧‧‧遮光圖案

106‧‧‧第2抗蝕劑膜

107‧‧‧第2抗蝕劑圖案

108‧‧‧挖進部

109‧‧‧相移透光部

A‧‧‧底切量

A1‧‧‧底切量

A2‧‧‧底切量

D‧‧‧深度

E‧‧‧第2抗蝕劑圖案之邊緣位置

L‧‧‧線寬

H‧‧‧進行半曝光描繪之寬度

S‧‧‧隙寬

Z‧‧‧暫定圖案之寬度

圖1(a)~(i)係顯示先前之光罩製造方法之各步驟之步驟圖。

圖2(a)~(i)係顯示先前之光罩製造方法之各步驟之步驟圖。

圖3(a)~(h)係顯示先前之光罩製造方法之各步驟之步驟圖。

圖4(a)~(h)係顯示先前之光罩製造方法之各步驟之步驟圖。

圖5係顯示本發明之實施形態之光罩之剖面概略圖。

圖6係顯示本發明之實施形態之光罩之剖面概略圖。

圖7(a)~(i)係顯示本發明之實施形態之光罩的製造方法之各步驟之步驟圖。

圖8(f')、(f)係顯示本發明之實施形態的光罩之製造方法之殘膜降低步驟之剖面概略圖。

圖9係用以說明本發明之實施形態之光罩之各部分尺寸之剖面概略圖。

圖10係用以顯示本發明之實施形態之光罩的製造方法之第2抗蝕劑圖案之邊緣位置之剖面概略圖。

圖11(a)~(i)係顯示本發明之實施形態之光罩的製造方法之各步驟之剖面概略圖。

以下，參照圖式詳細說明本發明之實施形態。

於圖5例示本發明之光罩。該光罩10係於透明基材11上具備轉印用圖案12。該轉印用圖案12具備：於透明基材11上形成遮光膜13而成之遮光部14；透明基材11之表面露出之非相移透光部15；及具有濕蝕刻透明基材11之表面而形成之凹部16之相移透光部17。

於本發明中，所謂相移透光部17係指相對於非相移透光部15，透過之曝光光之相位差為大致180度之部分。

因此，如圖5所示，於相移透光部17中，以特定之深度(以下，稱 為挖進深度)D(μm)，挖進透明基材11，形成凹部16。該挖進深度D係可設為使曝光該光罩10時所使用之曝光光之波長、或曝光光所包含之代表波長相移大致180度之量。例如，於使用具備包含i線、h線、g線之波長域之曝光光時，可將代表波長設為i線、h線、g線任一者。

此處，所謂大致180度係指180±30°，較好係設為180°±10°。

又，本發明之透明基板係如圖5所示，可為包含玻璃之透明基材11，或，如圖6所示，亦可為於包含玻璃之透明基材11上形成有相位或透過率調整用之透過調整膜18者。於後者之情形時，於將包含玻璃之透明基材11之透過率設為100%時，透過調整膜18之透過率可為70%以上(例如75~95%)。

又，透過調整膜18較好為以相對於光罩之曝光所使用之曝光光之代表波長，具有大致180度之相移量之方式選擇其膜素材(折射率)與膜厚。

因此，於本發明之透明基板為包含玻璃之透明基材11之情形(圖5)時，相移透光部17可設為於該透明基材11之表面藉由挖進形成凹部16、且具備厚度較小部分之部分，非相移透光部15可設為無挖進、且透明基材11之表面露出之部分。

又，於本發明之透明基板係於透明基材11上形成透過調整膜18而成之情形(圖6)時，相移透光部17可設為藉由蝕刻去除透過調整膜18而露出透明基材11之表面之部分，非相移透光部15可設為透過調整膜18之表面露出之部分。此時，上述「挖進透明基材而形成凹部」之構成係「去除透明基材上之透過調整膜而形成凹部」之構成。

又，於相移透光部17之端部，較好為具有圖5中A1(μm)、A2(μm)所示之底切量(其中，A係包含0)。此係如後述般，藉由於挖進透明基材11時所應用之濕蝕刻，將透明基材11於橫向(與基板表面平行之方向)蝕刻去除之部分。

換言之，可以說，形成於相移透光部17之凹部16之外緣位於構成遮光部14之遮光膜13之下，且該凹部16之外緣與構成遮光部14之遮光膜13之外緣之距離為底切量A1、A2。

此處，底切量A1、A2與挖進深度D之間，0≦A1<D (1)

0≦A2<D (2)

｜A1-A2｜≦0.01 (3)成立。即，底切量A1、A2均較挖進深度D更小。此係根據後述之本發明之光罩之製造方法所獲得之關係式。另，所謂底切量A為0係指凹部16之外緣位於遮光部14之區域之外緣(遮光膜13之外緣)。

此外，底切量A1與A2之差係0.01μm以下。此係指於相移透光部17中，可獲得極高之光學對稱性。此係因為：雖然在光罩製造過程中必須進行2次描繪，但2次描繪之位置偏差不會對最終之轉印用圖案造成影響，故而等效於實質上未產生位置偏差。此係關係到後述之本發明之光罩之製造方法。

此種本發明之光罩係可藉由以下例示之步驟進行製造。例如，參照圖7之步驟。又，於以下之說明中，作為光罩10，針對圖5所示之情形進行說明，但當然亦可應用於圖6所示之情形。

於透明基材11上，準備形成有遮光膜13與第1抗蝕劑膜21之光罩毛坯20(圖7(a))。

<第1描繪/顯影、第1蝕刻步驟>

接著，進行第1描繪、顯影，將第1抗蝕劑膜21圖案化，而形成第1抗蝕劑圖案22(圖7(b))。

<遮光膜圖案化步驟>

藉由將第1抗蝕劑圖案22作為遮罩進行蝕刻，將形成於透明基材11上之遮光膜13圖案化，而形成遮光膜圖案23(圖7(c))。接著，剝離 第1抗蝕劑圖案22(圖7(d))。其結果，形成已去除遮光膜13之非相移透光部15(參照圖5)、與殘存遮光膜13之遮光部14(參照圖5)，且於相移透光部17(參照圖5)之區域內，形成較相移透光部17之區域小且具有遮光膜13之暫定圖案23a(圖7(d))。

<第2抗蝕劑膜形成步驟>

接著，於已進行遮光膜圖案化且於表面具有遮光膜圖案23之透明基材11上，形成第2抗蝕劑膜24(圖7(e))。

<抗蝕劑圖案形成(第2描繪/顯影)步驟>

再者，藉由對第2抗蝕劑膜24進行描繪與顯影，於相移透光部17之區域內，形成具有抗蝕劑高度較殘存於遮光部14(參照圖5)區域之遮光膜13上之抗蝕劑高度低之部分25a之第2抗蝕劑圖案25(圖7(f))。此處，所謂抗蝕劑高度係指自透明基材11之表面至第2抗蝕劑膜24之與透明基材11相反側之表面之距離。

<殘膜降低步驟>

於上述中，如圖7(f)所示，藉由描繪與顯影，於第2抗蝕劑圖案25之高度較低之部分25a中，可以露出暫定圖案23a之表面之方式形成第2抗蝕劑圖案25。

又，可不必僅藉由描繪與顯影，於第2抗蝕劑圖案25之高度較低部分25a中，使暫定圖案23a之表面露出。於圖8(f’)顯示該情形。自圖8(f’)可知，於顯影後之第2抗蝕劑圖案25中，於暫定圖案23a上殘存第2抗蝕劑膜24，暫定圖案23a未露出。

於該情形時，設置降低第2抗蝕劑圖案25之膜厚之膜厚降低步驟，而使暫定圖案23a之表面露出。於膜厚降低步驟中，可對第2抗蝕劑圖案25應用灰化等。經過膜厚降低步驟，如圖8(f)所示，於降低第2抗蝕劑圖案25之至少一部分之厚度之減膜抗蝕劑圖案31之高度較低之部分31a中，可露出暫定圖案23a之表面。

<基板露出(第2蝕刻)步驟>

接著，將第2抗蝕劑圖案25、或減膜抗蝕劑圖案31(參照圖8(f))作為遮罩，藉由蝕刻去除包含遮光膜13之暫定圖案23a，而使透明基材11之表面之一部分11a露出(圖7(g))。

<基板蝕刻步驟>

接著，對露出之透明基材11之表面之一部分11a，藉由實施濕蝕刻而形成相移透光部17(參照圖5)(圖7(h))。

<抗蝕劑剝離步驟>

剝離去除第2抗蝕劑圖案25、或減膜抗蝕劑圖案31(參照圖8(f))，完成本發明之光罩10(圖7(i))。

以下，對本發明之光罩之製造方法，進行更詳細之說明。

作為本發明所使用之透明基板，例如使用表面經研磨之石英玻璃基板等。大小不特別限定，可根據該光罩用途適當選定。若為LSI製造用，則為5~6英吋，若為顯示裝置製造用，則可應用例如一邊為300mm以上之矩形基板。

又，作為本發明之透明基板，可設為於表面經研磨之石英玻璃基材(以下，亦稱為透明基材)之主平面形成有相位控制用之透過調整膜者。此處，於將透明基材之曝光光之透過率設為100%時，透過調整膜較好為具有20~95%之透過率者。例如，作為線隙圖案形成用之光罩(交流型相移遮罩)，可應用具有90%以上之光透過率、與大致180度之相移量(任一者均相對於曝光光之代表波長)者。再者，透過調整膜亦可為具有40~70%之曝光光透過率之半透光性之膜。

透過調整膜之素材係除了例如SiON、SOG等以外，亦可設為金屬矽化物(MoSi或其氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮氧化物等)。

又，於該等膜素材之蝕刻時對透明基材之損傷成為問題之情形 時，可於透明基材與透過調整膜之間設置蝕刻特性不同之蝕刻阻止層膜。於該情形時，蝕刻阻止層膜之曝光光透過率係較好為90%以上。

圖5所示之光罩10(第1光罩)之製造所使用之光罩毛胚係可設為如以下者。

首先，於上述透明基板，藉由濺鍍法等周知之成膜技術形成遮光膜，進而，準備形成有第1抗蝕劑膜之光罩毛坯。遮光膜係可使用於表面部分形成有防反射膜者。

於製造圖6所示之光罩10(第2光罩)時，於包含玻璃之透明基材上，使用以周知之技術形成有上述透過調整膜，且形成有第1抗蝕劑膜之光罩毛坯。

本發明之遮光膜係可設為將曝光光實質上100%遮光者。遮光膜之膜厚係可設為100~200nm。若遮光膜過薄，則於後述之使暫定圖案表面露出之步驟中，難以使抗蝕劑(參照圖7(f)之25a)殘存於暫定圖案與遮光部之間。然而，遮光膜無須超過滿足充分遮光性之光學濃度(例如，OD≧3)而過厚。

另一方面，本發明之遮光膜係亦可為透過一部分曝光光之膜。例如，如曝光光透過率為3~30%之半透光性光學膜亦包含於本發明之遮光膜。

於遮光膜圖案化步驟中，於相移透光部之區域內，形成較該相移透光部之區域小且具有遮光膜之暫定圖案。

該暫定圖案之尺寸係可自最終所欲形成之底切量A1、A2推算。暫定圖案之尺寸係可設為使暫定圖案配置於相移透光部之區域內，即，暫定圖案具有較隙部之寬度小之尺寸，且滿足所期望之挖進深度D、與所期望之底切量A1、A2之數值。所期望之挖進深度D係自曝光波長、與所期望之相移量(例如大致180度)推算。

另，此處，作為轉印用圖案以線隙圖案之情形為例進行說明。 再者，針對於線隙圖案中，線部為遮光部，隙部包含相移透光部及非相移透光部，且線寬L=隙寬S之情形進行說明。因此，如圖9所示，相移透光部17之尺寸係S，非相移透光部15之尺寸亦為S。另，圖9係圖7(f)之放大圖。

於圖9中，將暫定圖案23a之尺寸設為Z時，所期望之挖進深度D與底切量A1、A2之關係係滿足：Z+2D=S+2A；(A=A1=A2)。

於本發明之光罩為顯示裝置(FPD)製造用時，曝光光之波長係可設為365~436nm。

於本發明之光罩為半導體裝置(LSI)製造用時，作為曝光光可應用250nm以下(ArF=193nm，KrF=248nm等)。

又，於圖7(f)所示之第2抗蝕劑圖案形成步驟中，期望於相移透光部17之區域內，藉由進行以使第2抗蝕劑膜24不完全感光之能量進行描繪之第2描繪(亦稱為半曝光描繪)，形成具有抗蝕劑高度較殘存於遮光部14區域之遮光膜13上之抗蝕劑高度低之部分25a之第2抗蝕劑圖案25。

於圖9中，若將進行半曝光描繪之寬度設為H，則於暫定圖案23a之尺寸Z及相移透光部17之尺寸S之間，Z<H<S之關係成立。即，期望對較相移透光部17之區域(尺寸S)小、包含暫定圖案區域(尺寸Z)且較其大之區域(尺寸H)之第2抗蝕劑膜24，藉由以使第2抗蝕劑膜24不完全感光之能量進行第2描繪，而形成具有抗蝕劑高度較低之部分25a之第2抗蝕劑圖案25。

進而，較好為：H=(S+Z)/2。 藉由如此般設定，可將用於吸收半曝光描繪之相對於第1描繪之位置偏差，且不會對形成之轉印用圖案造成影響之邊限設定為最有利。

第2層(第2抗蝕劑圖案25)之位置相對於已經形成之遮光膜圖案之位置相對性地位置偏差之情形時，只要該第2抗蝕劑圖案之邊緣位置(E)為圖10之箭頭符號41所示之範圍內，則容許該偏差。即，此處，於第2描繪時，使用相對於暫定圖案23a之尺寸Z，於其兩側分別附加有(H-Z)/2(μm)之邊限之尺寸之描繪資料。該量係較好為作為吸收於光罩製造步驟所必要之2次描繪步驟中產生之位置偏差之量較為適當之範圍。換言之，根據本發明，有即使於2次描繪步驟中產生位置偏差，亦不會對最終之光罩之圖案精度造成影響之優點。

例如，如圖11(f)所示，於抗蝕劑圖案形成步驟中，即使於第2抗蝕劑圖案25產生位置偏差之情形時，亦如圖11(i)所示，不會對最終光罩10之凹部16有影響。

於上述說明之本發明之光罩之製造方法中，較好為設置如下步驟(殘膜降低步驟)：例如，於抗蝕劑圖案形成步驟中，首先進行將特定厚度之第2抗蝕劑膜24殘存於暫定圖案23a上程度之描繪與顯影，此後，藉由降低殘存於暫定圖案23a上之第2抗蝕劑膜24之厚度，使暫定圖案23a之表面露出。作為降低第2抗蝕劑膜24之厚度之方法，例如可應用灰化。

根據本發明，於基板蝕刻步驟中，可僅應用濕蝕刻。再者，於光罩製造之所有步驟中所應用之蝕刻，亦可全部設為濕蝕刻。因此，除了亦可容易地應用於顯示裝置製造用之光罩之製造以外，設備上之問題亦較少。

又，由於顯示裝置製造用之光罩之曝光裝置係使用i線或較其波長較長側之曝光光，故挖進深度D容易增大，但即使於該情形時，由於底切量A1、A2不會過大，故可抑制遮光膜13之一部分脫落之風 險。

另，本發明之用途無限制。然而，由於可僅以濕蝕刻製造，故作為顯示裝置製造用光罩有用。於該情形時，作為將本發明之光罩具有之轉印用圖案轉印至被轉印體上時所使用之曝光條件，係可設為具備包含i線、h線、g線之光源之LCD用曝光裝置，且為將開口數NA設為0.06~0.10、相干因子σ設為0.5~1.0範圍之等倍曝光之曝光裝置。於上述波長中，亦可僅使用單一波長(例如i線)進行曝光。

又，作為轉印用圖案，於線隙圖案中有用，例如，可利用於像素電極所使用之一定間距之線隙圖案等。

[實施例]

以下，對本發明之實施例進行說明。

<實施例1>(液晶顯示裝置製造用光罩之製造方法)

使用大型玻璃基板(合成石英玻璃，10mm厚，尺寸850mm×1200mm)作為透明基材11(參照圖7(a))。於該透明基材11上，使用大型直列型濺鍍裝置，且以使以包含主成分鉻之遮光層及防反射層構成之遮光膜13膜厚為120nm之方式成膜(參照圖7(a))。接著，將酚醛系之正型雷射描繪用光阻劑塗佈於遮光膜13上，並加熱、冷卻而形成膜厚1000nm之抗蝕劑膜(第1抗蝕劑膜21)(參照圖7(a))。於本實施例中，準備如上述之光罩毛坯20進行使用。

接著，對第1抗蝕劑膜21，藉由雷射描繪裝置進行第1描繪。所使用之描繪資料係具有線寬L為2μm、隙寬S為2μm、間距寬度為4μm之線隙圖案且用於形成遮光膜圖案23(參照圖7(c))者。此處，關於成為相移透光部17(參照圖5)之區域(即，於隙部中，每隔1個排列者)，將用於形成1.34μm寬度之暫定圖案之圖案資料插入至中心。接著，進行第1顯影，而獲得第1抗蝕劑圖案22(參照圖7(b))。

接著，將第1抗蝕劑圖案22設為遮罩，以濕蝕刻液(硝酸鈰銨、過 氧二硫酸銨及去離子水之混合液)蝕刻(第1蝕刻)上述遮光膜13，而形成遮光膜圖案23(參照圖7(c))。

接著，剝離第1抗蝕劑圖案22，形成遮光部14(參照圖5)及包含遮光膜13之暫定圖案23a(參照圖7(d))。

接著，為了形成相移透光部17，塗佈酚醛系之雷射描繪用抗蝕劑膜(第2抗蝕劑膜24)。接著，於形成相移透光部17之區域內，藉由不完全之能量進行第2描繪(半曝光描繪)。此係藉由使抗蝕劑不完全感光之能量進行之描繪，係當應用特定之顯影時間時，抗蝕劑於顯影後不完全熔出，而一部分殘留之描繪。第2描繪(半曝光描繪)之寬度(H)設為1.65μm，此係較相移透光部17之寬度(S)更小，且較暫定圖案23a之寬度(Z)更大之尺寸(參照圖9)。該寬度(H)係考慮到可吸收與上述圖7(b)步驟之第1描繪之對準偏差之量而決定(參照圖7(e))。

接著，對該第2抗蝕劑膜24，藉由實施第2顯影，於相移透光部17之區域內，形成作為遮光部14(參照圖5)之區域(即線部區域)之、具有較殘存於遮光膜13上之抗蝕劑高度低之抗蝕劑高度之第2抗蝕劑圖案25(參照圖7(f))。該具有較低抗蝕劑高度之部分25a包含形成有上述暫定圖案23a之部分，且位於相移透光部17之區域內。藉由選擇顯影時間，可進行顯影直至該部分之抗蝕劑高度與暫定圖案23a之高度相等(參照圖7(f))。

另，暫定圖案23a之表面亦可一部分或全部未露出。針對該情形，藉由後述之方法使暫定圖案23a之表面完全露出。然而，於相移透光部17區域內且暫定圖案23a與成為遮光部14(參照圖5)之部分之間，為了避免露出透明基材11，必須殘存第2抗蝕劑膜24(參照圖8(f’))。

接著，以濕蝕刻液(硝酸鈰銨、過氧二硫酸銨及去離子水之混合液)蝕刻暫定圖案23a。藉此，暫定圖案23a消失，且該部分之透明基 材11之表面露出(參照圖7(g))。

接著，對露出之透明基材11之表面，實施濕蝕刻，蝕刻透明基材11(參照圖7(h))。此時，將具有高度不同之階差之第2抗蝕劑圖案25作為遮罩，將緩衝氫氟酸作為蝕刻劑進行蝕刻。蝕刻深度設為使應用於欲獲得之光罩之曝光光之相位實質上反轉(相移180度)之量。

另，於本實施例中，由於將液晶顯示裝置製造用之光罩設為對象，故考慮其所使用之曝光光為i線~g線，而將透明基材11之凹部16之挖進深度D(參照圖9)參照h線之波長設為430nm。

接著，藉由抗蝕劑剝離液去除第2抗蝕劑圖案25(參照圖7(i))。藉由以上之步驟，完成如底切(遮光部14下之透明基材11之經側面蝕刻之部分)之尺寸A(參照圖9)為100nm之相移遮罩。

另，於藉由上述雷射描繪裝置對第1抗蝕劑膜21之描繪(參照圖7(b))中，將線寬L與隙寬S設為相等者，分別設為2μm而進行說明。當然，本發明係不限定於此。另，該寬度係可考慮以下方面進行設定。

即，使用最終欲獲得之光罩10(參照圖5)，將轉印用圖案12轉印至被轉印體(例如液晶面板基板)時，為了使相移透光部17與非相移透光部15之透過光為相等寬度(CD：Critical Dimension，線寬)，可根據需要，調整(附加CD偏離)光罩10上之轉印用圖案12中2種透光部的隙寬。例如，由於相移透光部17之透過光量有較非相移透光部15之透過光量小之傾向，故為了抵消此，預先將相移透光部17之寬度設為較非相移透光部15之寬度大0.1~0.3μm左右(使與相移透光部17鄰接之遮光部14之邊緣後退該尺寸量)之CD偏離附加有用。於該情形時，根據該CD偏離附加，以使由遮光部14與暫定圖案23a所包夾之部分之寬度為固定之方式進行調整。當然，亦可相反地縮小非相移透光部15之寬度。

然而，於上述第2顯影(參照圖7(f))中，設定以特定之顯影時間使暫定圖案23a之表面露出之程度之描繪時曝光量及顯影時間，但於顯影已完成之階段，暫定圖案23a表面亦可一部分或全部不露出。或，亦可預先應用如成為暫定圖案23a表面露出前之狀態的描繪時曝光量及顯影條件。於該情形時，此後亦可藉由灰化處理，降低第2抗蝕劑圖案25之膜厚(殘膜降低步驟)(參照圖8(f))，使暫定圖案23a之表面露出。

此處，灰化處理可為電漿灰化、或使用臭氧氣體之藉由氣體進行之灰化，或，亦可為使用臭氧水之藉由液體進行之灰化。

於上述之基板蝕刻步驟(參照圖7(h))中，將透明基材11之蝕刻量、即凹部16之挖進深度D設為430nm，此係基於包含i線、h線及g線之LCD用曝光源之波長域中、大致成為中心波長之h線推算出之、用於獲得180度之相移量之挖進量。然而，可根據應用之光源之諸特性或所形成之挖進剖面形狀進行變更。

如以上詳述般，可藉由濕蝕刻分別控制縱向(基板之厚度方向)與橫向(平行於基板表面之方向)上基板之去除量，將挖進深度D(=相移量控制)、底切量A各者設定為適當量。

<實施例2>(LSI製造用光罩之製造方法)

於本實施例中，作為光罩毛坯，使用以下者。作為透明基材11，使用大小為6英吋見方、厚度為0.25英吋之表面經鏡面研磨之石英玻璃基板。於該透明基材11上，使用濺鍍裝置，且以使以包含主成分鉻之遮光層及防反射層構成之遮光膜13膜厚為100nm之方式成膜。接著，將化學放大型之正型電子束抗蝕劑塗佈於遮光膜13上，加熱、冷卻而形成膜厚300nm之抗蝕劑膜(第1抗蝕劑膜21)(參照圖7(a))。

接著，對第1抗蝕劑膜21，使用電子束描繪裝置進行第1描繪。描繪資料係用於獲得具有線寬L及隙寬S為0.5μm、間距寬度為1μm之 線隙圖案之遮光膜圖案23(參照圖7(c))者。此處，關於成為相移透光部17(參照圖5)之區域(即，隙部中每隔1個排列者)，將用於形成0.3μm寬度(Z)之暫定圖案之圖案資料插入至區域之中心。接著，進行顯影，而獲得第1抗蝕劑圖案22(參照圖7(b))。

接著，將第1抗蝕劑圖案22設為遮罩，以氯與氧之混合氣體乾蝕刻(第1蝕刻)上述遮光膜13，而形成遮光膜圖案23(參照圖7(c))。

接著，剝離第1抗蝕劑圖案22，形成遮光部14(參照圖5)及包含遮光膜13之暫定圖案23a(參照圖7(d))。

接著，為了形成相移透光部17，塗佈化學放大型之正型電子束抗蝕劑膜(第2抗蝕劑膜24)(參照圖7(e))。接著，於形成相移透光部17之區域內，與實施例1之半曝光描繪相同，藉由調節電子束描繪裝置之劑量進行以用於設為不完全之感光之能量實施之第2描繪。第2描繪之寬度H係設為0.4μm(參照圖9)。

接著，對該第2抗蝕劑膜24，藉由實施第2顯影，於上述相移透光部17之區域內，形成具有較成為遮光部14(參照圖5)之區域(即線部之區域)之殘存於遮光膜13上之抗蝕劑高度低之抗蝕劑高度之第2抗蝕劑圖案25(參照圖7(f))。該具有較低之抗蝕劑高度之部分25a係包含形成有上述暫定圖案23a之部分，且位於相移透光部17之區域內。藉由選擇顯影時間，可進行顯影直至該部分之抗蝕劑高度與暫定圖案23a之高度相等(參照圖7(f))。

另，與實施例1相同，於暫定圖案23a之表面一部分或全部不露出之情形(參照圖8(f’))時，實施第2抗蝕劑圖案25之膜厚降低步驟，而使暫定圖案23a之表面全部露出((參照圖8(f)))。

接著，藉由以濕蝕刻液(硝酸鈰銨、過氧二硫酸銨及去離子水之混合液)蝕刻暫定圖案23a，使暫定圖案23a消失，而露出該部分之透明基材11之表面(參照圖7(g))。

接著，對露出之透明基材11之表面，將第2抗蝕劑圖案作為遮罩實施濕蝕刻(參照圖7(h))。此處，蝕劑液係使用緩衝氫氟酸，以使挖進深度D(參照圖9)為170nm之方式進行蝕刻。該挖進深度D設定為設想使用曝光波長為193nm之ArF曝光裝置，且於該波長中，使透過光之相位移動180度之量。

接著，藉由抗蝕劑剝離液去除第2抗蝕劑圖案25(參照圖7(i))。藉由以上步驟，完成具有底切70nm之雷文生型相移遮罩。

另，於上述藉由電子束描繪裝置進行之描繪(參照圖7(b))中，與實施例1所述相同，亦可於本實施例中，對線寬L、隙寬S，附加CD偏離。即，雖設為0.5μm寬度之線部及隙部，但可將成為相移透光部17之部分的隙部之寬度增大0.05~0.1μm左右。且，於使用隨著此種CD偏離附加之圖案資料之情形時，必須調整暫定圖案23a之位置，此點亦與實施例1相同。

又，於上述第2顯影(參照圖7(f))中，暫定圖案23a之表面不完全露出之情形時，設置第2抗蝕劑圖案25之膜厚降低步驟即可，此方面亦與實施例1相同。又，關於膜厚降低之方法，亦可設為與實施例1相同。

又，本發明係不限定於上述實施例1及實施例2。例如於以下之實施態樣亦可應用本發明。即，如圖6所示，可例舉使用於透明基材11上形成有透過調整膜18者作為透明基板之情形。此處，挖進深度D為蝕刻去除透過調整膜18之深度(即，透過調整膜18之膜厚)。又，即使於此種光罩中，亦可進行用於使相移透光部17與非相移透光部15之透過光量相等之CD偏離之附加。

於本發明中，於藉由基板蝕刻步驟進行之挖進(凹部16)之形成中，應用濕蝕刻。又，於本發明之製造方法之蝕刻步驟中，可全部應用濕蝕刻方面較有利。

以上，使用圖式及實施例具體說明本發明之實施形態，但本發明並非限定於上述實施形態。上述實施形態之材料、尺寸、處理順序等係一例，於發揮本發明效果之範圍內可進行各種變更而實施。此外，只要不脫離本發明目的之範圍，則可進行適當變更而實施。

10‧‧‧光罩

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧透明基材表面之一部分

13‧‧‧遮光膜

16‧‧‧凹部

20‧‧‧光罩毛坯

21‧‧‧第1抗蝕劑膜

22‧‧‧第1抗蝕劑圖案

23‧‧‧遮光膜圖案

23a‧‧‧暫定圖案

24‧‧‧第2抗蝕劑膜

25‧‧‧第2抗蝕劑圖案

25a‧‧‧抗蝕劑高度較低部分

Claims (12)

1. 一種光罩之製造方法，其係於透明基板上具備包含遮光部、非相移透光部、及相移透光部之轉印用圖案之光罩之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：遮光膜圖案化步驟，其係使形成於上述透明基板上之遮光膜圖案化，形成已去除上述遮光膜之上述非相移透光部、及殘存上述遮光膜之上述遮光部，且於上述相移透光部之區域內，形成較上述相移透光部區域小之具有上述遮光膜之暫定圖案；於完成上述遮光膜之圖案化之上述透明基板上，形成抗蝕劑膜之步驟；藉由對上述抗蝕劑膜進行描繪與顯影，於上述相移透光部之區域內，形成具有抗蝕劑高度較殘存於上述遮光部之區域之上述遮光膜上之抗蝕劑高度低之部分之抗蝕劑圖案之步驟；基板露出步驟，其係將使上述抗蝕劑圖案、或上述抗蝕劑圖案之至少一部分之厚度降低而形成之減膜抗蝕劑圖案設為遮罩，藉由蝕刻去除上述暫定圖案，而使上述透明基板之表面一部分露出；基板蝕刻步驟，其係對上述透明基板之一部分露出之部分，藉由實施濕蝕刻形成上述相移透光部。
2. 如請求項1之光罩之製造方法，其中於形成上述抗蝕劑圖案之步驟中，於上述相移透光部之區域內，藉由以使上述抗蝕劑膜不完全感光之能量量進行描繪，形成具有抗蝕劑高度較殘存於上述遮光部之上述遮光膜上之抗蝕劑高度較低之部分之上述抗蝕劑圖案。
3. 如請求項2之光罩之製造方法，其中於形成上述抗蝕劑圖案之步 驟中，於上述相移透光部之區域內，對較上述相移透光部之區域小、包含上述暫定圖案區域且較其大之區域之上述抗蝕劑膜，以使上述抗蝕劑膜不完全感光之能量量進行描繪。
4. 如請求項1至3中任一項之光罩之製造方法，其中為了使上述抗蝕劑圖案之至少一部分之厚度降低並形成上述減膜抗蝕劑圖案，而應用灰化。
5. 如請求項1至3中任一項之光罩之製造方法，其中於上述基板蝕刻步驟中，僅應用濕蝕刻。
6. 如請求項1至3中任一項之光罩之製造方法，其中上述光罩係藉由i線或較其波長較長之曝光光進行曝光者。
7. 如請求項1至3中任一項之光罩之製造方法，其中上述透明基板包含透明基材、與形成於上述透明基材上之透過調整膜。
8. 一種光罩，其特徵在於：其係於透明基板上具備包含遮光部、非相移透光部、及相移透光部之轉印用圖案之顯示裝置製造用之光罩，且上述遮光部係於上述透明基板上形成遮光膜而形成，上述非相移透光部係露出上述透明基板之表面而形成，上述相移透光部係於上述透明基板之表面形成深度D(μm)之凹部，自對向之2個方向被夾於上述遮光部的上述相移透光部，係於與2個上述遮光部各者之鄰接部中，上述凹部之外緣位於上述遮光部區域之外緣、或上述遮光部區域內，將上述凹部之外緣與上述遮光部區域之外緣之距離分別設為底切量A1、A2時，0≦A1<D 0≦A2<D ｜A1-A2｜≦0.01，且 具有上述轉印用圖案之全部被蝕刻面，係藉由濕蝕刻圖案化之被蝕刻面。
9. 如請求項8之光罩，其中上述轉印用圖案包含線隙圖案。
10. 如請求項8或9之光罩，其中上述透明基板包含透明基材、與形成於上述透明基材上之透過調整膜。
11. 一種圖案轉印方法，其係包含以下步驟：使用藉由如請求項1至7中任一項之製造方法所製造之光罩、或如請求項8至10中任一項之光罩，藉由具有i線或較其波長較長之光源之曝光機，將上述轉印用圖案轉印於被轉印體上。
12. 一種顯示裝置之製造方法，其特徵在於應用如請求項11之圖案轉印方法。