JPS58181741A - ガラス基板の製造方法 - Google Patents
ガラス基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS58181741A JPS58181741A JP6479682A JP6479682A JPS58181741A JP S58181741 A JPS58181741 A JP S58181741A JP 6479682 A JP6479682 A JP 6479682A JP 6479682 A JP6479682 A JP 6479682A JP S58181741 A JPS58181741 A JP S58181741A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- glass substrate
- soln
- hydrofluoric acid
- ammonium fluoride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
四部を形成する製造方法に関する。
近年ガラス基板を用いた電子部品が多く用いられるよう
になってきた。中でも時計の小型化に伴（・水晶振動子
の小型薄型化の要求はますます強（なってきている。以
下本発明は水晶振動子の容器に限って説明する。
になってきた。中でも時計の小型化に伴（・水晶振動子
の小型薄型化の要求はますます強（なってきている。以
下本発明は水晶振動子の容器に限って説明する。
薄型の水晶振動子としては偏平型の構造が最適である。
最近ではこの偏平型水晶撮動子をより一層薄型化するた
めに水晶振動子の容器の構成部品の一部であるガラス基
板に水晶片の振動の逃げとなるハーフエツチングを施し
て四部を形成した容器を使用するようになってきた。
めに水晶振動子の容器の構成部品の一部であるガラス基
板に水晶片の振動の逃げとなるハーフエツチングを施し
て四部を形成した容器を使用するようになってきた。
第１図はハーフエツチングにより凹部を施したガラス基
板を使用した偏平型水晶振動子の構造の一例を示す断面
図である。第１図において、１は水晶片であり、２は水
晶片１を固着するガラス基板で硼硅酸ガラスよりなり、
水晶片１の振動の逃げとしての四部２ａがハーフエツチ
ングによリ形成されている。３は水晶片１を気密封止す
るための蓋である。
板を使用した偏平型水晶振動子の構造の一例を示す断面
図である。第１図において、１は水晶片であり、２は水
晶片１を固着するガラス基板で硼硅酸ガラスよりなり、
水晶片１の振動の逃げとしての四部２ａがハーフエツチ
ングによリ形成されている。３は水晶片１を気密封止す
るための蓋である。
第２図にガラス基板２をハーフエツチングする際の一般
的な形成法を示す。第２図において４はガラス基板、５
は金属レジストで、例えばＡｕ（又はＣｒ−Ａｕ）など
である。６はパターン部、７は凹部である。
的な形成法を示す。第２図において４はガラス基板、５
は金属レジストで、例えばＡｕ（又はＣｒ−Ａｕ）など
である。６はパターン部、７は凹部である。
第２図（イ）は工程Ｉで、ガラス基板４の両面に金属レ
ジスト５を蒸着またはスパッタにより形成した断面図で
ある。
ジスト５を蒸着またはスパッタにより形成した断面図で
ある。
第２図（ロ）は工程■でフォトリソグラフィーを用いて
ハーフエツチング用パターン６を形成した断面図である
。
ハーフエツチング用パターン６を形成した断面図である
。
第２図（ハ）は工程ＴＩＩでフッ化水素酸とフッ化アン
モニウムからなるエツチング液を用いてパターン６に浴
っ−てノ・−フエソチングにより形成された凹部の断面
図である。
モニウムからなるエツチング液を用いてパターン６に浴
っ−てノ・−フエソチングにより形成された凹部の断面
図である。
従来はエツチング液としてフッ化水素酸とフッ化アンモ
ニウムの等量混合液を用いていたため第３図に示すよう
な凹部８形状であった。すなわちこの凹部形成方法にお
いてエツチング液であるフッ化水素酸とフッ化アンモニ
ウムの混合液が、ガラス基板４と金属レジスト５の間隙
への侵透性が高いため、深さ方向と同程度に横方向にも
エツチングが進み、サイドエッチの大きな、いわゆるエ
ッチファクターａ７ｂの小さな凹部形状とな）て（・た
。
ニウムの等量混合液を用いていたため第３図に示すよう
な凹部８形状であった。すなわちこの凹部形成方法にお
いてエツチング液であるフッ化水素酸とフッ化アンモニ
ウムの混合液が、ガラス基板４と金属レジスト５の間隙
への侵透性が高いため、深さ方向と同程度に横方向にも
エツチングが進み、サイドエッチの大きな、いわゆるエ
ッチファクターａ７ｂの小さな凹部形状とな）て（・た
。
このようにサイドエッチが極めて大きな凹部断面となる
ため凹部側面が非常にゆるやかな傾斜となって−しまい
この傾斜の管理が困難のため精度の高いエツチングが不
可能であった。更に第３図の６寸法が大きくなるため水
晶振動子の小型薄型化が困難であると（・う欠点を有し
ていた。
ため凹部側面が非常にゆるやかな傾斜となって−しまい
この傾斜の管理が困難のため精度の高いエツチングが不
可能であった。更に第３図の６寸法が大きくなるため水
晶振動子の小型薄型化が困難であると（・う欠点を有し
ていた。
本発明の目的はガラス基板をハーフエツチングする際、
サイドエッチ量を少な（し、精度の高いエツチングを行
うことにある。
サイドエッチ量を少な（し、精度の高いエツチングを行
うことにある。
上記目的を達成するための本発明の要旨とするところは
、凹部形成用のエツチング液として、フッ化水素酸また
はフッ化アンモニウムのうち少なくともいずれか一方の
溶液を使用し、その溶液にＳｉｎ、を０１〜３０％添加
したことを特徴とする。
、凹部形成用のエツチング液として、フッ化水素酸また
はフッ化アンモニウムのうち少なくともいずれか一方の
溶液を使用し、その溶液にＳｉｎ、を０１〜３０％添加
したことを特徴とする。
本発明の実施例として第１図に示す水晶振動子の容器で
あるガラス基板を例にとる。
あるガラス基板を例にとる。
このガラス基板を製造する工程としては第２図（イ）、
（ロ）、（ハ）に示す方法と全く同一である。本発明は
第２図（ハ）におけるハーフエンチングの際、エツチン
グ液としてフッ化水素酸とフッ化アンモニウムの等量混
合液に９．５％の５Ｉ０２を添加したものを使用した。
（ロ）、（ハ）に示す方法と全く同一である。本発明は
第２図（ハ）におけるハーフエンチングの際、エツチン
グ液としてフッ化水素酸とフッ化アンモニウムの等量混
合液に９．５％の５Ｉ０２を添加したものを使用した。
第４図はこのエツチング液によりノ・−フエソチングさ
れた凹部９の断面図である。５Ｉ０２の添加されたエツ
チング液はガラス基板４と金属レジスト５界面への侵透
性が悪くなるためサイドエッチを減少させることができ
る。５ｉｎ２の添加量については、第５図に示す５ｉｎ
２添加量とサイドエッチのグラフからエツチングファク
ターａ ／ ｂが１以上となる。すなわち角度が４５°
以上となる０１％以上であることが良く、また第６図に
示すＳｉＯ□添加量とエツチング速度のグラフからエツ
チング速度かはソ一定である３％以下とするのが良い。
れた凹部９の断面図である。５Ｉ０２の添加されたエツ
チング液はガラス基板４と金属レジスト５界面への侵透
性が悪くなるためサイドエッチを減少させることができ
る。５ｉｎ２の添加量については、第５図に示す５ｉｎ
２添加量とサイドエッチのグラフからエツチングファク
ターａ ／ ｂが１以上となる。すなわち角度が４５°
以上となる０１％以上であることが良く、また第６図に
示すＳｉＯ□添加量とエツチング速度のグラフからエツ
チング速度かはソ一定である３％以下とするのが良い。
従ってＳｉｎ、σ）適性添加量は、０１〜３０％の範囲
において非常に良好な・・−フエノチングの凹部形状及
びエツチング速度が得られる。
において非常に良好な・・−フエノチングの凹部形状及
びエツチング速度が得られる。
第４図のような凹部形状が得られたことによって水晶振
動子容器であるガラス基板の・・−フエノチングのサイ
ドエッチ量を減少させることができたので寸法管理が容
易となり精度が向上し、水晶振動子の小型化が可能とな
った。
動子容器であるガラス基板の・・−フエノチングのサイ
ドエッチ量を減少させることができたので寸法管理が容
易となり精度が向上し、水晶振動子の小型化が可能とな
った。
尚、ガラス基板の材質については硼硅酸ガラスばかりで
なく他の材質のガラスにも適用が可能であるし、エツチ
ング液についても本実施例の混合比に限定されるもので
はない。
なく他の材質のガラスにも適用が可能であるし、エツチ
ング液についても本実施例の混合比に限定されるもので
はない。
また以上の本発明の実施例は水晶振動子の容器について
説明してきたが本発明は水晶振動子の容器に限らずガラ
ス基板に四部を形成する際、サイドエッチ量を少なくす
るための製造法にすべて適用できるものである。
説明してきたが本発明は水晶振動子の容器に限らずガラ
ス基板に四部を形成する際、サイドエッチ量を少なくす
るための製造法にすべて適用できるものである。
以上のように本発明を実施することによってガラス基板
への凹部形成の精度を向上させることができる効果は非
常に太きいものである。
への凹部形成の精度を向上させることができる効果は非
常に太きいものである。
第１図は偏平型水晶振動子の断面図。第２図（イ）〜（
ハ）はガラス基板に凹部を形成する工程を示す部分断面
図。第３図は従来技術によるガラス基板ヘエノチングに
より形成された四部断面図。第４図は本発明による一実
施例で、ガラス基板ヘエノチングにより形成された凹部
断面図である。第５図は５ｉｎ２添加量とエッチファク
ターの関係を示すグラフ。第６図は５ｉｎ２添加量とエ
ツチング速度の関係を示すグラフである。 ２．４・・・・ガラス基板、 ５・・・・金属レジスト、 ２ａ１７．８．９・・・・・凹部。 第１図 第２図 第３図 ？Ｔｈ５図 第６図
ハ）はガラス基板に凹部を形成する工程を示す部分断面
図。第３図は従来技術によるガラス基板ヘエノチングに
より形成された四部断面図。第４図は本発明による一実
施例で、ガラス基板ヘエノチングにより形成された凹部
断面図である。第５図は５ｉｎ２添加量とエッチファク
ターの関係を示すグラフ。第６図は５ｉｎ２添加量とエ
ツチング速度の関係を示すグラフである。 ２．４・・・・ガラス基板、 ５・・・・金属レジスト、 ２ａ１７．８．９・・・・・凹部。 第１図 第２図 第３図 ？Ｔｈ５図 第６図
Claims (2)
- （１） ガラス基板にエツチングにより凹部な形成す
る製造方法において、凹部形成用のエツチング液として
フッ化水素酸またはフッ化アンモニウムのうち少なくと
もいずれか一方の溶液を使用し、その溶液にＳｉＯ□を
０１〜３．０％添加したことを特徴とするガラス基板の
製造方法。 - （２） ガラス基板の材質として硼硅酸ガラスを使用
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のガラ
ス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6479682A JPS58181741A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6479682A JPS58181741A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58181741A true JPS58181741A (ja) | 1983-10-24 |
Family
ID=13268551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6479682A Pending JPS58181741A (ja) | 1982-04-20 | 1982-04-20 | ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58181741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006290701A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Techno Quartz Kk | 基板のエッチング方法 |
| JP2014005172A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Ulvac Seimaku Kk | 貫通孔形成方法及び貫通孔付きガラス基板 |
| JP2015143816A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-08-06 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びパターン転写方法 |
-
1982
- 1982-04-20 JP JP6479682A patent/JPS58181741A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006290701A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Techno Quartz Kk | 基板のエッチング方法 |
| JP4729763B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-07-20 | テクノクオーツ株式会社 | 基板のエッチング方法 |
| JP2014005172A (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-16 | Ulvac Seimaku Kk | 貫通孔形成方法及び貫通孔付きガラス基板 |
| JP2015143816A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-08-06 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びパターン転写方法 |
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