JP2001244778A - 高周波圧電振動子 - Google Patents
高周波圧電振動子Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
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-
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-
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-
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- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波圧電振動子に発生するインハーモニッ
ク・モードによるスプリアスを抑圧する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に一対の主電極と該電極の周
縁を間隙をあけて囲む第２電極を配置した圧電振動子で
あって、主電極と第２電極の材質を異にすると共に、第
２電極の材質に主電極の密度より小さいものを用いた高
周波圧電振動子である。
ク・モードによるスプリアスを抑圧する手段を得る。 【解決手段】 圧電基板上に一対の主電極と該電極の周
縁を間隙をあけて囲む第２電極を配置した圧電振動子で
あって、主電極と第２電極の材質を異にすると共に、第
２電極の材質に主電極の密度より小さいものを用いた高
周波圧電振動子である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波圧電振動子に
関し、特にスプリアスを抑圧した高周波圧電振動子に関
する。
関し、特にスプリアスを抑圧した高周波圧電振動子に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信機器の高周波化、データ処理
の高速化、大容量化等に伴って、これらの装置に用いら
れる圧電デバイスの高周波化が強く要望されている。Ａ
Ｔカット水晶振動子の高周波化に関する開発が進められ
ており、その周波数は数百ＭＨｚまで達している。周知
の様に、ＡＴカット水晶振動子の振動モードは厚みすべ
り振動であるため、その周波数は水晶基板の厚さに反比
例し、高周波化には水晶基板の厚さを薄くする必要があ
る。図７は従来の高周波ＡＴカット水晶振動子の構成を
示す図であって、図５（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断
面図である。水晶基板２１の一方の主面の一部を、例え
ばフォトリソグラフィ技術とエッチング手段とを用いて
凹陥せしめ、該凹陥部２２を超薄肉の振動部とすると共
に、該振動部の周囲を保持する厚肉の環状囲繞部とを一
体的に形成している。そして、水晶基板２１の一方の主
面（平坦面）上には電極２３を配置すると共に、該電極
２３からリード電極２５を基板２１の端部に延在する。
さらに、他方の面、即ち凹陥部２２を形成した面には全
面電極２４を形成する。なお、図７に示す構造のＡＴカ
ット高周波水晶振動子のエネルギ閉じ込めは、周知のよ
うに、電極２３の質量負荷にのみ依存し、他方の面の全
面電極２４の質量負荷には依存しない。
の高速化、大容量化等に伴って、これらの装置に用いら
れる圧電デバイスの高周波化が強く要望されている。Ａ
Ｔカット水晶振動子の高周波化に関する開発が進められ
ており、その周波数は数百ＭＨｚまで達している。周知
の様に、ＡＴカット水晶振動子の振動モードは厚みすべ
り振動であるため、その周波数は水晶基板の厚さに反比
例し、高周波化には水晶基板の厚さを薄くする必要があ
る。図７は従来の高周波ＡＴカット水晶振動子の構成を
示す図であって、図５（ａ）は平面図、同図（ｂ）は断
面図である。水晶基板２１の一方の主面の一部を、例え
ばフォトリソグラフィ技術とエッチング手段とを用いて
凹陥せしめ、該凹陥部２２を超薄肉の振動部とすると共
に、該振動部の周囲を保持する厚肉の環状囲繞部とを一
体的に形成している。そして、水晶基板２１の一方の主
面（平坦面）上には電極２３を配置すると共に、該電極
２３からリード電極２５を基板２１の端部に延在する。
さらに、他方の面、即ち凹陥部２２を形成した面には全
面電極２４を形成する。なお、図７に示す構造のＡＴカ
ット高周波水晶振動子のエネルギ閉じ込めは、周知のよ
うに、電極２３の質量負荷にのみ依存し、他方の面の全
面電極２４の質量負荷には依存しない。
【０００３】図８は、図７に示した構造のＡＴカット高
周波水晶振動子の周波数スペクトルを測定した一例を示
す図であって、共振周波数を156.6ＭＨｚ（水晶基板２
１の厚さは約10μm）に設定し、電極２３のＸ軸方向の
寸法を0.55mm、Z'軸方向の寸法を0.435mm、電極２３と
して厚さ50Åのニッケルを下地に、600Åの金の薄膜を
付着した。尚、全面電極２４の膜材料もほぼ同様とし
た。図８の周波数スペクトルから明らかなように、基本
波モードと共に多数のインハーモニックモードまでが閉
じ込めモードとなり、これらがスプリアスとして強勢に
励起されている。このような水晶振動子を発振器に用い
ると周波数ジャンプ現象を生ずるおそれがある。
周波水晶振動子の周波数スペクトルを測定した一例を示
す図であって、共振周波数を156.6ＭＨｚ（水晶基板２
１の厚さは約10μm）に設定し、電極２３のＸ軸方向の
寸法を0.55mm、Z'軸方向の寸法を0.435mm、電極２３と
して厚さ50Åのニッケルを下地に、600Åの金の薄膜を
付着した。尚、全面電極２４の膜材料もほぼ同様とし
た。図８の周波数スペクトルから明らかなように、基本
波モードと共に多数のインハーモニックモードまでが閉
じ込めモードとなり、これらがスプリアスとして強勢に
励起されている。このような水晶振動子を発振器に用い
ると周波数ジャンプ現象を生ずるおそれがある。
【０００４】図８に示したような厚みすべり振動子にお
けるスプリアスモードの解析手段として、エネルギー閉
じ込め理論がよく知られており、ここで簡単に説明す
る。図９は通常のＡＴカット水晶振動子の断面を示す図
であって、厚さをＨとした円板状の水晶基板３１の直径
を２ｂ、付着した電極３２の直径をａとし、電極３２部
及び基板３１部のカットオフ周波数をそれぞれｆ1、ｆ2
とする。ここで、周波数低下量Δ、エネルギー閉じ込め
係数ζ及び基準化周波数ψはそれぞれ次のように表現さ
れるのが一般的である。
けるスプリアスモードの解析手段として、エネルギー閉
じ込め理論がよく知られており、ここで簡単に説明す
る。図９は通常のＡＴカット水晶振動子の断面を示す図
であって、厚さをＨとした円板状の水晶基板３１の直径
を２ｂ、付着した電極３２の直径をａとし、電極３２部
及び基板３１部のカットオフ周波数をそれぞれｆ1、ｆ2
とする。ここで、周波数低下量Δ、エネルギー閉じ込め
係数ζ及び基準化周波数ψはそれぞれ次のように表現さ
れるのが一般的である。
【０００５】
【数１】
【０００６】
【数２】
【０００７】
【数３】
【０００８】ここで、ｎはオーバートーン次数であり、
基本波のときはｎ＝１である。図１０は横軸をエネルギ
ー閉じ込め係数ζとし、縦軸を基準化周波数ψとして、
図９の構造の水晶振動子の周波数スペクトルを計算によ
り求めたものである。一般に、スプリアスの少ない振動
子を設計するには、対称１次モードＳ1が閉じ込めに入
る寸前のエネルギー閉じ込め係数ζ＝0.707を用いるの
がよいとされている。ここで、図１０は基板を等方弾性
体と見なして計算しているが、水晶のように異方性を有
する圧電基板に適用する場合、異方性定数を乗じてそれ
ぞれの長さを補正すればよいことはよく知られている。
因みに、水晶振動子の厚みねじれ振動、厚み滑り振動に
対しては、それぞれエネルギー閉じ込め係数ζ＝2.4、
2.8が最適とされている。ここで、図８に示した高周波
水晶振動子の閉じ込め係数ζを式（２）に従って求めて
みると、ζ＝5.7となって最適値よりはるかに大きい値
であることが分かる。そのため、前述したように高次の
振動モードも閉じ込めモードとなり、多くのスプリアス
が強勢に励起されている。
基本波のときはｎ＝１である。図１０は横軸をエネルギ
ー閉じ込め係数ζとし、縦軸を基準化周波数ψとして、
図９の構造の水晶振動子の周波数スペクトルを計算によ
り求めたものである。一般に、スプリアスの少ない振動
子を設計するには、対称１次モードＳ1が閉じ込めに入
る寸前のエネルギー閉じ込め係数ζ＝0.707を用いるの
がよいとされている。ここで、図１０は基板を等方弾性
体と見なして計算しているが、水晶のように異方性を有
する圧電基板に適用する場合、異方性定数を乗じてそれ
ぞれの長さを補正すればよいことはよく知られている。
因みに、水晶振動子の厚みねじれ振動、厚み滑り振動に
対しては、それぞれエネルギー閉じ込め係数ζ＝2.4、
2.8が最適とされている。ここで、図８に示した高周波
水晶振動子の閉じ込め係数ζを式（２）に従って求めて
みると、ζ＝5.7となって最適値よりはるかに大きい値
であることが分かる。そのため、前述したように高次の
振動モードも閉じ込めモードとなり、多くのスプリアス
が強勢に励起されている。
【０００９】一方、ＡＴカット水晶振動子のスプリアス
特性を改善すべく、電極長や膜厚に関係なく、スプリア
スの発生周波数をある程度任意に制御できる圧電共振子
が、特開平９−２７７２９号公報及び特開平９−９３０
７６号公報に提案されている。図１１（ａ）は上記提案
の水晶振動子の平面図、同図（ｂ）は断面図である。水
晶基板４１の中心部の両面に主電極４２ａ、４２ｂを配
置すると共に、該電極４２ａ、４２ｂの周縁を囲むよう
に間隙をあけて第二電極４４ａ、４４ｂを配設する。主
電極４２ａ、４２ｂ、間隙部及び第２電極４４ａ、４４
ｂのそれぞれのカットオフ周波数を図９（ｂ）に示すよ
うにｆ1、ｆ2、ｆ3とする。ここで、カットオフ周波数
の大小関係はｆ1＜ｆ3＜ｆ2となるように電極膜厚をそ
れぞれ設定する。また、第２の周波数低下量Δ２、間隙
の深さν（以下、溝深さと称す）として、それぞれ次の
ように定義する。
特性を改善すべく、電極長や膜厚に関係なく、スプリア
スの発生周波数をある程度任意に制御できる圧電共振子
が、特開平９−２７７２９号公報及び特開平９−９３０
７６号公報に提案されている。図１１（ａ）は上記提案
の水晶振動子の平面図、同図（ｂ）は断面図である。水
晶基板４１の中心部の両面に主電極４２ａ、４２ｂを配
置すると共に、該電極４２ａ、４２ｂの周縁を囲むよう
に間隙をあけて第二電極４４ａ、４４ｂを配設する。主
電極４２ａ、４２ｂ、間隙部及び第２電極４４ａ、４４
ｂのそれぞれのカットオフ周波数を図９（ｂ）に示すよ
うにｆ1、ｆ2、ｆ3とする。ここで、カットオフ周波数
の大小関係はｆ1＜ｆ3＜ｆ2となるように電極膜厚をそ
れぞれ設定する。また、第２の周波数低下量Δ２、間隙
の深さν（以下、溝深さと称す）として、それぞれ次の
ように定義する。
【００１０】
【数４】
【００１１】
【数５】
【００１２】上記公報によれば、主電極４２ａ、４２ｂ
の質量負荷（膜厚）をどのように設定しても、第２電極
４４ａ、４４ｂの質量負荷（膜厚）をそれに応じて適宜
設定すれば、エネルギー閉じ込め係数ζに関与する周波
数低下量Δ２を所望の値まで低減することが可能とな
る。そのためエネルギー閉じ込め係数ζを容易に制御可
能となり、スプリアスの少ない水晶振動子を製作できる
という。さらに、溝深さνと、主電極４２ａ、４２ｂの
対する第２電極４４ａ、４４ｂの両端部までの距離ｑ及
びｂとの比ｑ／ａ、ｂ／ａを、それぞれ適切に設定する
ことにより、高次対称、斜対称モードの発生するエネル
ギー閉じ込め係数ζ上の値をある程度任意に制御するこ
とができると述べている。従って、この提案を採用すれ
ば、インハーモニックモードを閉じ込めモードとするこ
となく所望の主振動のみを強勢に励起することができる
ことになる。
の質量負荷（膜厚）をどのように設定しても、第２電極
４４ａ、４４ｂの質量負荷（膜厚）をそれに応じて適宜
設定すれば、エネルギー閉じ込め係数ζに関与する周波
数低下量Δ２を所望の値まで低減することが可能とな
る。そのためエネルギー閉じ込め係数ζを容易に制御可
能となり、スプリアスの少ない水晶振動子を製作できる
という。さらに、溝深さνと、主電極４２ａ、４２ｂの
対する第２電極４４ａ、４４ｂの両端部までの距離ｑ及
びｂとの比ｑ／ａ、ｂ／ａを、それぞれ適切に設定する
ことにより、高次対称、斜対称モードの発生するエネル
ギー閉じ込め係数ζ上の値をある程度任意に制御するこ
とができると述べている。従って、この提案を採用すれ
ば、インハーモニックモードを閉じ込めモードとするこ
となく所望の主振動のみを強勢に励起することができる
ことになる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記提
案を150ＭＨＺ帯の高周波水晶振動子に適用し、エネル
ギー閉じ込め係数ζを0.521として、図８に示した電極
形状を用いて周波数低下量Δ２を求めるとΔ２＝0.0014
4となり、主電極、第２電極共に金の薄膜を用いると、
主電極と第２電極との膜厚差は21.8Åとなる。この膜厚
差を実現するにはその値の１０％程度の精度が必要とな
り、通常の蒸着装置あるいはスパッター装置の制御限界
を越えている。また、斜対称Ａ0モードの発生をみとめ
て、エネルギー閉じ込め係数ζをＳ1モードが閉じ込め
る寸前の値を用いたとしても、主電極と第２電極との膜
厚差は僅かに40Åである。このような小さな膜厚差を１
０％程度の精度で制御することは事実上不可能であり、
例え可能な成膜装置が実現できたとしても極めて高価な
ものとなるという問題があった。
案を150ＭＨＺ帯の高周波水晶振動子に適用し、エネル
ギー閉じ込め係数ζを0.521として、図８に示した電極
形状を用いて周波数低下量Δ２を求めるとΔ２＝0.0014
4となり、主電極、第２電極共に金の薄膜を用いると、
主電極と第２電極との膜厚差は21.8Åとなる。この膜厚
差を実現するにはその値の１０％程度の精度が必要とな
り、通常の蒸着装置あるいはスパッター装置の制御限界
を越えている。また、斜対称Ａ0モードの発生をみとめ
て、エネルギー閉じ込め係数ζをＳ1モードが閉じ込め
る寸前の値を用いたとしても、主電極と第２電極との膜
厚差は僅かに40Åである。このような小さな膜厚差を１
０％程度の精度で制御することは事実上不可能であり、
例え可能な成膜装置が実現できたとしても極めて高価な
ものとなるという問題があった。
【００１４】また、図７に示す様なＡＴカット高周波水
晶振動子をエッチング手段を用いて形成する場合、エッ
チング加工前の水晶基板、例えば厚さ80μmの基板の表
面状態を維持しながら板厚が１０μmとなるまでエッチ
ングされる。そのため板厚８０μmの基板にあってはさ
ほど問題とならなかった平面度、平行度のみだれは、板
厚が10μmとなったエッチング基板からみると相対的に
極めて大きくなものとなり、通常の水晶振動子では電荷
が相殺されて問題とならないはずの斜対称モードＡ0、
Ａ1が薄肉の振動部においては強烈なスプリアスとして
出現する。このため、スプリアス抑圧に最適なエネルギ
ー閉じ込め係数ζは、対称１次モードＳ1が閉じ込めに
入る寸前の値ではなく、斜対称モードＡ0が閉じ込めに
ならないように、十分小さなエネルギー閉じ込め係数ζ
を用いるなければならないという問題があった。本発明
は上記問題を解決するためになされたものであって、ス
プリアスの少ないＡＴカット高周波水晶振動子を提供す
ることを目的とする。
晶振動子をエッチング手段を用いて形成する場合、エッ
チング加工前の水晶基板、例えば厚さ80μmの基板の表
面状態を維持しながら板厚が１０μmとなるまでエッチ
ングされる。そのため板厚８０μmの基板にあってはさ
ほど問題とならなかった平面度、平行度のみだれは、板
厚が10μmとなったエッチング基板からみると相対的に
極めて大きくなものとなり、通常の水晶振動子では電荷
が相殺されて問題とならないはずの斜対称モードＡ0、
Ａ1が薄肉の振動部においては強烈なスプリアスとして
出現する。このため、スプリアス抑圧に最適なエネルギ
ー閉じ込め係数ζは、対称１次モードＳ1が閉じ込めに
入る寸前の値ではなく、斜対称モードＡ0が閉じ込めに
ならないように、十分小さなエネルギー閉じ込め係数ζ
を用いるなければならないという問題があった。本発明
は上記問題を解決するためになされたものであって、ス
プリアスの少ないＡＴカット高周波水晶振動子を提供す
ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る高周波圧電振動子の請求項１記載の発明
は、圧電基板の両主表面に互いに対向するの励振用の主
電極と該主電極の周縁を間隙をあけて囲む一対の第２電
極を配置した圧電振動子において、前記主電極と前記第
２電極との材質を互いに異にしたことを特徴とする高周
波圧電振動子である。請求項２記載の発明は、前記第２
電極の材質の密度を前記主電極の密度より小さくしたこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波圧電振動子であ
る。請求項３記載の発明は、前記圧電基板を凹陥部を形
成した圧電基板としたことを特徴とする請求項１または
２記載の高周波圧電振動子である。請求項４記載の発明
は、前記主電極の形状を楕円状としたことを特徴とする
請求項１乃至３記載の高周波圧電振動子である。請求項
５記載の発明は、圧電基板一方の主面を凹陥して形成し
た薄肉部の凹陥部と対向する主面中央部に凸部を形成す
ると共に、該凸部上に励振用主電極を形成し、該主電極
からリード電極を基板端部に向けて延在した上で、前記
主電極および前記リード電極を間隙を開けて取り囲むよ
うに第２電極を設け、前記圧電基板の凹陥部側には全面
電極を施したことを特徴とする高周波圧電振動子であ
る。請求項６記載の発明は、前記凸部を楕円状としたこ
とを特徴とする請求項５記載の高周波圧電振動子であ
る。請求項７記載の発明は、前記第２電極を複数に分割
すると共に該電極に周波数調整を施すことを特徴とする
請求項１乃至６記載の高周波圧電振動子である。
に本発明に係る高周波圧電振動子の請求項１記載の発明
は、圧電基板の両主表面に互いに対向するの励振用の主
電極と該主電極の周縁を間隙をあけて囲む一対の第２電
極を配置した圧電振動子において、前記主電極と前記第
２電極との材質を互いに異にしたことを特徴とする高周
波圧電振動子である。請求項２記載の発明は、前記第２
電極の材質の密度を前記主電極の密度より小さくしたこ
とを特徴とする請求項１記載の高周波圧電振動子であ
る。請求項３記載の発明は、前記圧電基板を凹陥部を形
成した圧電基板としたことを特徴とする請求項１または
２記載の高周波圧電振動子である。請求項４記載の発明
は、前記主電極の形状を楕円状としたことを特徴とする
請求項１乃至３記載の高周波圧電振動子である。請求項
５記載の発明は、圧電基板一方の主面を凹陥して形成し
た薄肉部の凹陥部と対向する主面中央部に凸部を形成す
ると共に、該凸部上に励振用主電極を形成し、該主電極
からリード電極を基板端部に向けて延在した上で、前記
主電極および前記リード電極を間隙を開けて取り囲むよ
うに第２電極を設け、前記圧電基板の凹陥部側には全面
電極を施したことを特徴とする高周波圧電振動子であ
る。請求項６記載の発明は、前記凸部を楕円状としたこ
とを特徴とする請求項５記載の高周波圧電振動子であ
る。請求項７記載の発明は、前記第２電極を複数に分割
すると共に該電極に周波数調整を施すことを特徴とする
請求項１乃至６記載の高周波圧電振動子である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＡ
Ｔカット高周波水晶振動子の構成を示す図であって、同
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図
である。一方の面を凹陥部に形成した水晶基板１の平坦
側に主電極（励振電極）２を配置すると共に、該電極２
から基板１端部に向けてリード電極３を延在する。さら
に、主電極２の周縁を間隙４をあけて取り囲むように第
２電極５を設けると共に、該電極５の大きさは基板１に
形成した凹陥部６とほぼ同じ大きさとする。そして、凹
陥側には全面電極（励振電極）７を形成する。主電極
２、間隙４及び第２電極５の寸法を図１（ｂ）に示すよ
うに設定する。即ち、水晶基板１の厚さをＨ、主電極
２、間隙４及び第２電極５の形状をＺ’軸方向に対して
対称とし、主電極２の中心から主電極２の端縁までの長
さをａ、第２電極５の内側端及び外側端までの寸法をそ
れぞれｑ及びｂとする。
形態に基づいて詳細に説明する。図１は本発明に係るＡ
Ｔカット高周波水晶振動子の構成を示す図であって、同
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面図
である。一方の面を凹陥部に形成した水晶基板１の平坦
側に主電極（励振電極）２を配置すると共に、該電極２
から基板１端部に向けてリード電極３を延在する。さら
に、主電極２の周縁を間隙４をあけて取り囲むように第
２電極５を設けると共に、該電極５の大きさは基板１に
形成した凹陥部６とほぼ同じ大きさとする。そして、凹
陥側には全面電極（励振電極）７を形成する。主電極
２、間隙４及び第２電極５の寸法を図１（ｂ）に示すよ
うに設定する。即ち、水晶基板１の厚さをＨ、主電極
２、間隙４及び第２電極５の形状をＺ’軸方向に対して
対称とし、主電極２の中心から主電極２の端縁までの長
さをａ、第２電極５の内側端及び外側端までの寸法をそ
れぞれｑ及びｂとする。
【００１７】本発明の特徴は主電極（励振電極）２と第
２電極５との電極材質を互いに異にしたことである。さ
らに詳しくは、第２電極５の電極膜密度を主電極２の電
極膜密度より小さなものを用いて形成したことである。
例えば、水晶振動子のエージングを考慮して主電極２に
金の薄膜を用い、エージング特性に対する影響が少ない
第２電極５には銀の薄膜を用いる。金と銀の密度はそれ
ぞれ19.32ｇ／ｃｃ、10.50ｇ／ｃｃであるので、上記の
ような構成にすると主電極２の膜厚に比べ第２電極５の
膜厚が２倍程度と厚くなり、両電極共に金の薄膜を用い
た場合に比べ、エネルギー閉じ込めにに関与する膜厚の
制御がはるかに容易になる。主振動のみをエネルギー閉
じ込めモードとするには、第２電極５の膜厚は主電極２
に比べて厚くするが、第２電極５のカットオフ周波数ｆ
3は主電極２のカットオフ周波数ｆ1より高くなるように
設定する必要がある。間隙部４のカットオフ周波数をｆ
2とすると、それぞれのカットオフ周波数の関係はｆ1＜
ｆ3＜ｆ2となることが必要である。ここで、従来の圧電
振動子の膜厚制御に比べてどの位容易になるかをシミュ
レーションによって確かめてみる。
２電極５との電極材質を互いに異にしたことである。さ
らに詳しくは、第２電極５の電極膜密度を主電極２の電
極膜密度より小さなものを用いて形成したことである。
例えば、水晶振動子のエージングを考慮して主電極２に
金の薄膜を用い、エージング特性に対する影響が少ない
第２電極５には銀の薄膜を用いる。金と銀の密度はそれ
ぞれ19.32ｇ／ｃｃ、10.50ｇ／ｃｃであるので、上記の
ような構成にすると主電極２の膜厚に比べ第２電極５の
膜厚が２倍程度と厚くなり、両電極共に金の薄膜を用い
た場合に比べ、エネルギー閉じ込めにに関与する膜厚の
制御がはるかに容易になる。主振動のみをエネルギー閉
じ込めモードとするには、第２電極５の膜厚は主電極２
に比べて厚くするが、第２電極５のカットオフ周波数ｆ
3は主電極２のカットオフ周波数ｆ1より高くなるように
設定する必要がある。間隙部４のカットオフ周波数をｆ
2とすると、それぞれのカットオフ周波数の関係はｆ1＜
ｆ3＜ｆ2となることが必要である。ここで、従来の圧電
振動子の膜厚制御に比べてどの位容易になるかをシミュ
レーションによって確かめてみる。
【００１８】図１（ｂ）に示したように主電極２の中心
を原点（０）とし、各電極部の寸法を上記のように設定
し、水晶基板１を等方弾性体と見なし厚みすべり振動の
一次元解析を行った。前掲した特開平９−２７７２９は
基板１の端部を自由端として求めた周波数方程式を用い
て解析を行っているが、本発明のように振動部の周辺を
環状囲繞部によって保持された振動子では、振動部の端
部を固定端として求めるべきであり、周波数方程式は次
式のようになる。
を原点（０）とし、各電極部の寸法を上記のように設定
し、水晶基板１を等方弾性体と見なし厚みすべり振動の
一次元解析を行った。前掲した特開平９−２７７２９は
基板１の端部を自由端として求めた周波数方程式を用い
て解析を行っているが、本発明のように振動部の周辺を
環状囲繞部によって保持された振動子では、振動部の端
部を固定端として求めるべきであり、周波数方程式は次
式のようになる。
【００１９】
【数６】
【００２０】この周波数方程式は、基板端部を固定端と
したことにより、波動が端面で反射し位相が反転する現
象が考慮されている。ここで、波数k1、k2 、k3はそれぞ
れ主電極２部、間隙４部及び第２電極５部の伝搬定数
（波数）である。図２は、パラメータとして長さ寸法比
ｂ／ａ＝1.7、ｑ／ａ＝1.18及び溝深さν＝29.4を用
い、横軸をエネルギー閉じ込め係数ζとし、縦軸を基準
化周波数ψ’としたときの主振動Ｓ0、斜対称０次モー
ドＡ0及び対称１次モードＳ1の周波数スペクトルを表し
たものである。ここで、基準化周波数ψ’は次式で表さ
れる。
したことにより、波動が端面で反射し位相が反転する現
象が考慮されている。ここで、波数k1、k2 、k3はそれぞ
れ主電極２部、間隙４部及び第２電極５部の伝搬定数
（波数）である。図２は、パラメータとして長さ寸法比
ｂ／ａ＝1.7、ｑ／ａ＝1.18及び溝深さν＝29.4を用
い、横軸をエネルギー閉じ込め係数ζとし、縦軸を基準
化周波数ψ’としたときの主振動Ｓ0、斜対称０次モー
ドＡ0及び対称１次モードＳ1の周波数スペクトルを表し
たものである。ここで、基準化周波数ψ’は次式で表さ
れる。
【００２１】
【数７】
【００２２】尚、前述したように横軸の閉じ込め係数ζ
は等方性の基板を用いた場合の値であり、水晶のような
異方性を有する基板を用いた場合には、閉じ込め係数ζ
に異方性定数を掛けて補正すればよい。
は等方性の基板を用いた場合の値であり、水晶のような
異方性を有する基板を用いた場合には、閉じ込め係数ζ
に異方性定数を掛けて補正すればよい。
【００２３】本発明のもう一つの特徴は、斜対称モード
を抑圧するために従来定説となっていた閉じ込め係数ζ
の値を変えたことである。共振周波数が150ＭＨｚ程度
と高周波になると、前掲した特開平９−２７７２９号公
報及び特開平９−９３０７６号公報にて述べられている
内容と異なり、基板の平面度、平行度のみだれやリード
電極３が斜対称モードの発生に関与するようになり、斜
対称モードも励振されるようになる。これは、基板の平
面度、平行度がみだれやリード電極による物理的な対称
性がくずれると、斜対称モードも完全な斜対称モードと
はならない。そのため、電極によって発生電荷が完全に
は相殺されず、励起されるようになる。従って、エネル
ギー閉じ込め係数ζの値としては、従来から定説となっ
ているＳ1モードが閉じ込めモードに入る寸前の値では
なく、その値より小さくして斜対称Ａ0モードを抑圧す
ることが必要となる。望ましくは斜対称Ａ0モードが閉
じ込めに入る寸前の値、即ち図２に示した条件、b/a＝
1.7、q/a＝1.18、ν＝29.4の場合はζ＝0.67程度が最適
である。本発明に係る高周波圧電振動子の最適エネルギ
ー閉じ込め係数ζの値は、単一電極の場合と異なり、b/
a、q/a、ν等の条件を与えないと一義的に決められな
い。
を抑圧するために従来定説となっていた閉じ込め係数ζ
の値を変えたことである。共振周波数が150ＭＨｚ程度
と高周波になると、前掲した特開平９−２７７２９号公
報及び特開平９−９３０７６号公報にて述べられている
内容と異なり、基板の平面度、平行度のみだれやリード
電極３が斜対称モードの発生に関与するようになり、斜
対称モードも励振されるようになる。これは、基板の平
面度、平行度がみだれやリード電極による物理的な対称
性がくずれると、斜対称モードも完全な斜対称モードと
はならない。そのため、電極によって発生電荷が完全に
は相殺されず、励起されるようになる。従って、エネル
ギー閉じ込め係数ζの値としては、従来から定説となっ
ているＳ1モードが閉じ込めモードに入る寸前の値では
なく、その値より小さくして斜対称Ａ0モードを抑圧す
ることが必要となる。望ましくは斜対称Ａ0モードが閉
じ込めに入る寸前の値、即ち図２に示した条件、b/a＝
1.7、q/a＝1.18、ν＝29.4の場合はζ＝0.67程度が最適
である。本発明に係る高周波圧電振動子の最適エネルギ
ー閉じ込め係数ζの値は、単一電極の場合と異なり、b/
a、q/a、ν等の条件を与えないと一義的に決められな
い。
【００２４】図３は本発明に係わるＡＴカット高周波水
晶振動子の周波数スペクトルを示す図である。共振周波
数を156.6ＭＨｚ（水晶基板１の厚さは約10μm）に設定
し、電極２のＸ軸方向の寸法を0.55mm、Z'軸方向の寸法
を0.435mm、電極２として厚さ50Åのニッケルを下地
に、その上に600Åの金の薄膜を付着し、第２電極５と
して厚さ50Åのニッケルを下地に、1100Åの銀の膜を付
着した。各部の寸法はｂ／ａ＝1.7、ｑ／ａ＝1.18とし
てある。このときのエネルギー閉じ込め係数ζは0.521
となり、図２から斜対称０次モードＡ0は閉じ込めモー
ドとはなっていないことがわかる。尚、全面電極７の膜
も主電極２とほぼ同様な構成とした。図８と比較する
と、主電極２の定数は同一であるが、スプリアスをよく
抑圧していることがわかる。このとき主振動の等価抵抗
Ｒ１は約１５Ωであり、スプリアス抑圧による主振動の
等価抵抗の劣化はみられなかった。また、主電極２の金
の膜厚が600Å、第２電極５の銀の膜厚が1100Åと、前
記公報と異なり、主電極、第２電極とも十分に制御可能
な膜厚となっており、従来の真空装置で容易に製造可能
である。
晶振動子の周波数スペクトルを示す図である。共振周波
数を156.6ＭＨｚ（水晶基板１の厚さは約10μm）に設定
し、電極２のＸ軸方向の寸法を0.55mm、Z'軸方向の寸法
を0.435mm、電極２として厚さ50Åのニッケルを下地
に、その上に600Åの金の薄膜を付着し、第２電極５と
して厚さ50Åのニッケルを下地に、1100Åの銀の膜を付
着した。各部の寸法はｂ／ａ＝1.7、ｑ／ａ＝1.18とし
てある。このときのエネルギー閉じ込め係数ζは0.521
となり、図２から斜対称０次モードＡ0は閉じ込めモー
ドとはなっていないことがわかる。尚、全面電極７の膜
も主電極２とほぼ同様な構成とした。図８と比較する
と、主電極２の定数は同一であるが、スプリアスをよく
抑圧していることがわかる。このとき主振動の等価抵抗
Ｒ１は約１５Ωであり、スプリアス抑圧による主振動の
等価抵抗の劣化はみられなかった。また、主電極２の金
の膜厚が600Å、第２電極５の銀の膜厚が1100Åと、前
記公報と異なり、主電極、第２電極とも十分に制御可能
な膜厚となっており、従来の真空装置で容易に製造可能
である。
【００２５】図４は本発明係る第二の実施例の構成を示
す平面図であり、図１の第２電極５を分割し、分割電極
５’、５’・・にリード電極Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を
設けたものである。水晶基板１の平面度、平行度にわず
かにみだれがある場合、あるいは電極膜に不均一性があ
る場合には、第２電極５’、５’・・の周波数を調整す
ることにより斜対称モードによるスプリアスを抑圧する
ことが可能である。例えば、製作した高周波振動子にス
プリアスが発生した場合、図４に示す端子Ｔ１、Ｔ２、
Ｔ３、Ｔ４を用いてその周波数を測定し、蒸着等の手段
を用いて周波数の高い部分を微調整すればよい。
す平面図であり、図１の第２電極５を分割し、分割電極
５’、５’・・にリード電極Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４を
設けたものである。水晶基板１の平面度、平行度にわず
かにみだれがある場合、あるいは電極膜に不均一性があ
る場合には、第２電極５’、５’・・の周波数を調整す
ることにより斜対称モードによるスプリアスを抑圧する
ことが可能である。例えば、製作した高周波振動子にス
プリアスが発生した場合、図４に示す端子Ｔ１、Ｔ２、
Ｔ３、Ｔ４を用いてその周波数を測定し、蒸着等の手段
を用いて周波数の高い部分を微調整すればよい。
【００２６】図５は本発明に係る第三の実施例の要部で
ある主電極および第２電極の平面図を示した図である。
図１と異なるところは、図１（ａ）に示した主電極（励
振電極）２として楕円状の主電極（励振電極）２ａを配
置すると共に、該主電極２ａの周縁を間隙をあけて取り
囲むように、中心部に楕円状の孔をあけ周辺は圧電基板
１の凹陥部６にほぼ対応した第２電極５ａを設けたこと
である。圧電基板の凹陥部には全面電極を施すことは図
１と同様である。主電極２ａを楕円状にした理由は、主
振動の２次元的振動変位分布を有限要素法を適用して求
めてみると、圧電基板の結晶軸の異方性により主振動の
変位分布は楕円状に分布することが分かる。このため、
主振動の振動変位分布に合わせて主電極および第２電極
を楕円状に形成した高周波振動子を製造すると、スプリ
アスも抑圧され、容量比が最小となる振動子が得られる
からである。
ある主電極および第２電極の平面図を示した図である。
図１と異なるところは、図１（ａ）に示した主電極（励
振電極）２として楕円状の主電極（励振電極）２ａを配
置すると共に、該主電極２ａの周縁を間隙をあけて取り
囲むように、中心部に楕円状の孔をあけ周辺は圧電基板
１の凹陥部６にほぼ対応した第２電極５ａを設けたこと
である。圧電基板の凹陥部には全面電極を施すことは図
１と同様である。主電極２ａを楕円状にした理由は、主
振動の２次元的振動変位分布を有限要素法を適用して求
めてみると、圧電基板の結晶軸の異方性により主振動の
変位分布は楕円状に分布することが分かる。このため、
主振動の振動変位分布に合わせて主電極および第２電極
を楕円状に形成した高周波振動子を製造すると、スプリ
アスも抑圧され、容量比が最小となる振動子が得られる
からである。
【００２７】また、図６（ａ）は本発明に係る第四の実
施例の構成を示す平面図、（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面
図である。エッチング等の手段を用いて、水晶基板１の
一方の主面のほぼ中央部に凸部Ｔを形成すると共に、他
方の主面に凹陥部６を形成した後、前記凸部Ｔ上に主電
極（励振電極）２ｂを配置して、該電極２ｂから水晶基
板１の端部にむけてリード電極３ｂを延在し上で、主電
極２ｂとリード電極３ｂとの周縁を間隙をあけて取り囲
むように、第２電極５ｂを設ける。さらに、水晶基板１
の凹陥側に全面電極（励振電極）７を形成して高周波水
晶振動子を構成する。
施例の構成を示す平面図、（ｂ）はＱ−Ｑにおける断面
図である。エッチング等の手段を用いて、水晶基板１の
一方の主面のほぼ中央部に凸部Ｔを形成すると共に、他
方の主面に凹陥部６を形成した後、前記凸部Ｔ上に主電
極（励振電極）２ｂを配置して、該電極２ｂから水晶基
板１の端部にむけてリード電極３ｂを延在し上で、主電
極２ｂとリード電極３ｂとの周縁を間隙をあけて取り囲
むように、第２電極５ｂを設ける。さらに、水晶基板１
の凹陥側に全面電極（励振電極）７を形成して高周波水
晶振動子を構成する。
【００２８】第四の実施例の特徴は、圧電基板１に予め
凸部Ｔを形成した後、該凸部Ｔ上に主電極２ｂを形成す
るので、主電極２ｂ、リード電極３ｂおよび第２電極５
ｂのそれぞれの電極材質および膜厚を同一としても、そ
れぞれのカットオフ周波数はｆ１＜ｆ３＜ｆ２となり、
蒸着あるいはスパッタリングとフォトリソ工程とを１回
ですませることが可能となった。また、主電極２ｂ領域
のカットオフ周波数ｆ１とリード電極３ｂ領域のカット
オフ周波数ｆ３をｆ１＜ｆ３とすることにより、リード
電極領域３ｂを伝搬して漏洩する主振動の振動エネルギ
ーを低減することが可能となり、スプリアスを抑圧する
と同時に主振動のＱ値を大きくできるという効果もあ
る。図６（ａ）では矩形の主電極２ｂを図示したが、図
５のように楕円状の電極とすれば、容量比あるいはスプ
リアスがより改善できることは、有限要素法のシミュレ
ーションおよび実験により確かめられている。
凸部Ｔを形成した後、該凸部Ｔ上に主電極２ｂを形成す
るので、主電極２ｂ、リード電極３ｂおよび第２電極５
ｂのそれぞれの電極材質および膜厚を同一としても、そ
れぞれのカットオフ周波数はｆ１＜ｆ３＜ｆ２となり、
蒸着あるいはスパッタリングとフォトリソ工程とを１回
ですませることが可能となった。また、主電極２ｂ領域
のカットオフ周波数ｆ１とリード電極３ｂ領域のカット
オフ周波数ｆ３をｆ１＜ｆ３とすることにより、リード
電極領域３ｂを伝搬して漏洩する主振動の振動エネルギ
ーを低減することが可能となり、スプリアスを抑圧する
と同時に主振動のＱ値を大きくできるという効果もあ
る。図６（ａ）では矩形の主電極２ｂを図示したが、図
５のように楕円状の電極とすれば、容量比あるいはスプ
リアスがより改善できることは、有限要素法のシミュレ
ーションおよび実験により確かめられている。
【００２９】上記では、本発明を150ＭＨｚ帯の高周波
基本波水晶振動子に適用した例を説明したが、本発明は
これのみに限定されるものではなく、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ
帯のあらゆる周波数及びオーバートーンの水晶振動子に
適用可能である。また、上記では、水晶基板の片面に凹
陥を形成した場合を説明したが、水晶基板の両面に凹陥
部を形成した場合にも適用できることは云うまでもな
い。また、主電極、第２電極の形状は矩形のみに限定す
ることなく、円形の電極であってもよい。さらに、凹陥
側に全面電極を施した場合を説明したが、両面とも部分
電極であってもよく、電極材質として金と銀の場合を説
明したが、アルミニウム、チタン、銅等々の電極材質、
あるいはそれらの合金でであってもよく、それらの成膜
法は蒸着、スパッタリング等どの様な方法であってもよ
い。
基本波水晶振動子に適用した例を説明したが、本発明は
これのみに限定されるものではなく、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ
帯のあらゆる周波数及びオーバートーンの水晶振動子に
適用可能である。また、上記では、水晶基板の片面に凹
陥を形成した場合を説明したが、水晶基板の両面に凹陥
部を形成した場合にも適用できることは云うまでもな
い。また、主電極、第２電極の形状は矩形のみに限定す
ることなく、円形の電極であってもよい。さらに、凹陥
側に全面電極を施した場合を説明したが、両面とも部分
電極であってもよく、電極材質として金と銀の場合を説
明したが、アルミニウム、チタン、銅等々の電極材質、
あるいはそれらの合金でであってもよく、それらの成膜
法は蒸着、スパッタリング等どの様な方法であってもよ
い。
【００３０】上記では、高周波振動子について説明した
が高周波の多重モードフィルタに適用すると、スプリア
ス抑圧という効果があることは明白である。
が高周波の多重モードフィルタに適用すると、スプリア
ス抑圧という効果があることは明白である。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、スプリアスを抑圧したＡＴカット高周波水晶振動
子が製造可能となた。本発明になる水晶振動子を電圧制
御水晶発振器等い用いれば、高安定、高周波および広帯
域のＶＣＸＯを製作することができるという優れた効果
を表す。
ので、スプリアスを抑圧したＡＴカット高周波水晶振動
子が製造可能となた。本発明になる水晶振動子を電圧制
御水晶発振器等い用いれば、高安定、高周波および広帯
域のＶＣＸＯを製作することができるという優れた効果
を表す。
【図１】（ａ）は本発明に係るＡＴカット高周波水晶振
動子の構成を示す平面図、（ｂ）はその断面図である。
動子の構成を示す平面図、（ｂ）はその断面図である。
【図２】図１の構造の水晶振動子の周波数スペクトルを
計算によって求めた図である。
計算によって求めた図である。
【図３】図１の構造の水晶振動子を製作し、その周波数
スペクトルを測定した図である。
スペクトルを測定した図である。
【図４】本発明に係る第二の実施例の構成を示す平面図
である。
である。
【図５】本発明に係る第三の実施例の構成の要部を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】（ａ）は本発明に係る第四の実施例の構成を示
す平面図、（ｂ）は断面図である。
す平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】従来のＡＴカット高周波水晶振動子の構成を示
す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図８】従来のＡＴカット高周波水晶振動子の周波数ス
ペクトルを示す図である。
ペクトルを示す図である。
【図９】エネルギー閉じ込め理論を説明するための水晶
振動子の断面図である。
振動子の断面図である。
【図１０】従来の水晶振動子の周波数スペクトルを計算
した図である。
した図である。
【図１１】従来のスプリアス抑圧型圧電振動子の構成を
示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
１・・圧電基板 ２、２ａ、２ｂ・・主電極 ３、３ｂ・・リード電極 ４・・間隙 ５、５’、５ａ、５ｂ・・第２電極 ６・・凹陥部 ７・・凹陥側全面電極 ａ・・主電極の寸法 ｑ、ｂ・・主電極の中央から第２電極の両端までの距離 ｆ１、ｆ２、ｆ３・・カットオフ周波数 Ｈ・・圧電基板の厚み ζ・・エネルギー閉じ込め係数 ψ、ψ’・・基準化周波数 ν・・溝深さ Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４・・端子電極
Claims (7)
- 【請求項１】 圧電基板の両主表面に互いに対向するの
励振用の主電極と該主電極の周縁を間隙をあけて囲む一
対の第２電極を配置した圧電振動子において、前記主電
極と前記第２電極との材質を互いに異にしたことを特徴
とする高周波圧電振動子。 - 【請求項２】 前記第２電極の材質の密度を前記主電極
の密度より小さくすると共に、主電極、第２の電極及び
間隙の値を斜対称０次モードが閉じ込めモードとならな
いように設定したことを特徴とする請求項１記載の高周
波圧電振動子。 - 【請求項３】 前記圧電基板を凹陥部を形成した圧電基
板としたことを特徴とする請求項１または２記載の高周
波圧電振動子。 - 【請求項４】 前記主電極の形状を楕円状としたことを
特徴とする請求項１乃至３記載の高周波圧電振動子。 - 【請求項５】 圧電基板一方の主面を凹陥して形成した
薄肉部の凹陥部と対向する主面中央部に凸部を形成する
と共に、該凸部上に励振用主電極を形成し、該主電極か
らリード電極を基板端部に向けて延在した上で、前記主
電極および前記リード電極を間隙を開けて取り囲むよう
に第２電極を設け、前記圧電基板の凹陥部側には全面電
極を施したことを特徴とする高周波圧電振動子。 - 【請求項６】 前記凸部を楕円状としたことを特徴とす
る請求項５記載の高周波圧電振動子。 - 【請求項７】 前記第２電極を複数に分割すると共に該
電極に周波数調整を施すことを特徴とする請求項１乃至
６記載の高周波圧電振動子。
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|---|---|
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492759B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-12-10 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and a filter |
| JP2008005333A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP2010093837A (ja) * | 2009-12-03 | 2010-04-22 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、及び圧電発振器 |
| JP2010109527A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Epson Toyocom Corp | 水晶振動片およびその製造方法 |
| JP2013207337A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、及び電子機器 |
| US9136793B2 (en) | 2012-06-06 | 2015-09-15 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and method of manufacturing resonator element |
| JP7369363B2 (ja) | 2020-03-19 | 2023-10-26 | 株式会社村田製作所 | 水晶振動素子、水晶振動子及び水晶発振器 |
Families Citing this family (81)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10162580A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrischer Schwingkreis, Verfahren zu dessen Herstellung und Filteranordnung |
| JP2004056601A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電振動子およびその製造方法 |
| US7098574B2 (en) * | 2002-11-08 | 2006-08-29 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and method for manufacturing the same |
| US7275292B2 (en) | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
| JP2004304704A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振子、及び、薄膜音響共振子回路 |
| EP1489740A3 (en) * | 2003-06-18 | 2006-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
| US7362198B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-04-22 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd | Pass bandwidth control in decoupled stacked bulk acoustic resonator devices |
| US7332985B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-02-19 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. | Cavity-less film bulk acoustic resonator (FBAR) devices |
| US6946928B2 (en) * | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
| US7019605B2 (en) * | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
| EP1533896B1 (en) * | 2003-11-20 | 2011-11-02 | Panasonic Corporation | Piezoelectric element, composite piezoelectric element, and filter, duplexer and communication equipment using the same |
| JP4477364B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2010-06-09 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
| US8063540B2 (en) * | 2004-03-08 | 2011-11-22 | Emantec As | High frequency ultrasound transducers based on ceramic films |
| US7388454B2 (en) * | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
| US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
| US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
| US7791434B2 (en) * | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
| US7427819B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
| US7369013B2 (en) * | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
| US7436269B2 (en) * | 2005-04-18 | 2008-10-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonators and method of making the same |
| US7934884B2 (en) * | 2005-04-27 | 2011-05-03 | Lockhart Industries, Inc. | Ring binder cover |
| US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
| US7889027B2 (en) * | 2005-09-09 | 2011-02-15 | Sony Corporation | Film bulk acoustic resonator shaped as an ellipse with a part cut off |
| US7902721B2 (en) * | 2005-09-15 | 2011-03-08 | Daishinku Corporation | Crystal resonator |
| EP1935093A2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-06-25 | Nxp B.V. | Improvements in or relating to thin-film bulk-acoustic wave (baw) resonators |
| US7391286B2 (en) * | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
| US7423503B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
| US7425787B2 (en) * | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
| US7675390B2 (en) * | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
| US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
| US7525398B2 (en) * | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
| US7463499B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
| US7561009B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
| US7612636B2 (en) * | 2006-01-30 | 2009-11-03 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
| US20070210724A1 (en) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Mark Unkrich | Power adapter and DC-DC converter having acoustic transformer |
| US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
| US7479685B2 (en) * | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
| US7893793B2 (en) * | 2006-08-25 | 2011-02-22 | Panasonic Corporation | Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
| US7508286B2 (en) * | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
| US7538477B2 (en) * | 2006-11-27 | 2009-05-26 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-layer transducers with annular contacts |
| US7579753B2 (en) * | 2006-11-27 | 2009-08-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Transducers with annular contacts |
| US20080202239A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Fazzio R Shane | Piezoelectric acceleration sensor |
| US20090079514A1 (en) * | 2007-09-24 | 2009-03-26 | Tiberiu Jamneala | Hybrid acoustic resonator-based filters |
| US7791435B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
| JP4600692B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-12-15 | エプソントヨコム株式会社 | 水晶振動片、水晶デバイス、および水晶振動片の製造方法 |
| US7732977B2 (en) * | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
| US7855618B2 (en) * | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
| US8237329B2 (en) * | 2009-01-07 | 2012-08-07 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Elastic wave device and electronic component |
| US10129656B2 (en) * | 2009-01-30 | 2018-11-13 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Active temperature control of piezoelectric membrane-based micro-electromechanical devices |
| JP5179530B2 (ja) * | 2009-03-03 | 2013-04-10 | 日本電波工業株式会社 | 弾性波デバイス及び電子部品 |
| US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
| US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
| US9327316B2 (en) * | 2009-06-30 | 2016-05-03 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Multi-frequency acoustic array |
| WO2011034104A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 株式会社大真空 | 圧電振動片、および圧電振動片の製造方法 |
| US8193877B2 (en) * | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
| US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
| US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
| US8258678B2 (en) * | 2010-02-23 | 2012-09-04 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Short range ultrasonic device with broadbeam ultrasonic transducers |
| US8791776B2 (en) * | 2011-01-19 | 2014-07-29 | Wei Pang | Acoustic wave resonator having a gasket |
| US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
| US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
| US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
| US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
| US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
| US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
| US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
| US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
| US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
| US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
| TW201251157A (en) | 2011-06-03 | 2012-12-16 | Seiko Epson Corp | Piezoelectric vibration element, manufacturing method for piezoelectric vibration element, piezoelectric vibrator, electronic device, and electronic apparatus |
| US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
| TWI418067B (zh) * | 2011-07-15 | 2013-12-01 | Txc Corp | A crystal oscillator with a layout structure for miniaturized dimensions |
| CN102957394B (zh) * | 2011-08-18 | 2016-12-21 | 精工爱普生株式会社 | 振动元件、振子、电子装置、电子设备、移动体及振动元件的制造方法 |
| US8970316B2 (en) | 2011-08-19 | 2015-03-03 | Seiko Epson Corporation | Resonating element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| US9013242B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-04-21 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object |
| JP6441761B2 (ja) | 2015-07-29 | 2018-12-19 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器及びフィルタ |
| JP6469601B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2019-02-13 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ |
| CN108700613B (zh) * | 2016-02-22 | 2021-02-09 | 株式会社村田制作所 | 压电器件 |
| US11469735B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-10-11 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device, filter, and multiplexer |
| US11264970B2 (en) * | 2019-03-02 | 2022-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Piezoelectric resonator with patterned resonant confiners |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1476332A1 (de) * | 1965-06-05 | 1969-10-23 | Buessing Ag | Wasserkuehlung eines Motors |
| US3764848A (en) * | 1972-03-15 | 1973-10-09 | Venitron Corp | Piezoelectric starter and ballast for gaseous discharge lamps |
| IT1078411B (it) * | 1977-04-08 | 1985-05-08 | Telettra Lab Telefon | Risuonatori a quarzo |
| US5085760A (en) * | 1989-09-08 | 1992-02-04 | Teledyne Industries, Inc. | Electrochemical gas sensors |
| WO1991019351A1 (en) * | 1990-05-25 | 1991-12-12 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Structure of electrode and lead thereof of ultra thin plate piezoelectric resonator |
| US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
| US5148076A (en) * | 1991-04-09 | 1992-09-15 | Honeywell Inc. | Apparatus for thermal tuning of path length control drivers |
| US5648746A (en) * | 1993-08-17 | 1997-07-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Stacked diezoelectric resonator ladder-type filter with at least one width expansion mode resonator |
| US5596239A (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-21 | Motorola, Inc. | Enhanced quality factor resonator |
| CA2207801C (en) * | 1996-06-19 | 2004-03-30 | Hideki Kaido | Nonaqueous electrolyte battery |
| US5887480A (en) * | 1996-06-20 | 1999-03-30 | Tokin Corporation | Piezoelectric vibratory gyroscope utilizing an energy-trapping vibration mode |
| EP0818882A3 (en) * | 1996-07-10 | 1999-12-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Energy trapping piezoelectric device and producing method thereof |
| DE19681771T1 (de) * | 1996-10-29 | 1999-11-25 | Dong Il Technology Ltd | Umwandler mit piezokeramischem Wandler |
| US6016025A (en) * | 1997-05-15 | 2000-01-18 | M-Tron Industries, Inc. | Selected overtone resonator with channels |
| JPH1141062A (ja) * | 1997-07-17 | 1999-02-12 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電フィルタ |
| JP3336921B2 (ja) * | 1997-08-04 | 2002-10-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振部品 |
| JPH1168507A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-09 | Nec Corp | チップ型圧電フィルタ及び該圧電フィルタを用いた濾波回路 |
| CN1171382C (zh) * | 1998-01-16 | 2004-10-13 | 三菱电机株式会社 | 薄膜压电元件 |
| JP2000134060A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-05-12 | Murata Mfg Co Ltd | エネルギー閉じ込め型圧電共振子及びエネルギー閉じ込め型圧電共振部品 |
| US6215375B1 (en) * | 1999-03-30 | 2001-04-10 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic wave resonator with improved lateral mode suppression |
-
2000
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6492759B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-12-10 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Piezoelectric resonator and a filter |
| JP2008005333A (ja) * | 2006-06-23 | 2008-01-10 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイス |
| JP4665849B2 (ja) * | 2006-06-23 | 2011-04-06 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイスの製造方法 |
| JP2010109527A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Epson Toyocom Corp | 水晶振動片およびその製造方法 |
| JP2010093837A (ja) * | 2009-12-03 | 2010-04-22 | Seiko Epson Corp | 圧電振動片、圧電振動片の製造方法、圧電振動子、及び圧電発振器 |
| JP2013207337A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子、電子デバイス、及び電子機器 |
| US9136793B2 (en) | 2012-06-06 | 2015-09-15 | Seiko Epson Corporation | Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and method of manufacturing resonator element |
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