JP4729763B2 - 基板のエッチング方法 - Google Patents
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Description
前記マイクロチップは、内部に微細な流路や空間が形成され、この微細な流路や空間内で様々な流体の混合や反応、分離、検出などを行なうデバイスで、その利点として、試薬量、廃液量の削減や携帯の容易性、分析時間の短縮などが挙げられる。
このうち、石英やパイレックス(登録商標)といった酸化珪素を主成分とするガラス基板をウェットエッチングする際、フッ化水素酸を主成分とするエッチング液が主に用いられ、この場合のエッチングマスクとして、一般的にCr/Auの2層構造のマスクが使用され、またCr/Auの代わりにシリコンをマスクとする報告もある(例えば、特許文献1参照)。
また、CrとAuは別々に2回の成膜と2回のエッチングを要して、工程が煩雑になり、生産性が低下する。更に、Crとガラス基板との密着性が悪く、フッ化水素酸を含むエッチング液でウェットエッチングすると、Crとガラス基板の界面からエッチング液が侵入し易く、形成された微細な流路や空間の仕上がりが悪いといった問題がある。
また、シリコンの酸化物は、フッ化水素酸を含むエッチング液に侵され易いため、成膜したシリコンは成膜中や大気中で僅かに酸化してしまい、マスクとしての耐久性が低下して、ガラス基板をより深くエッチングすることができない。
その他、マスクとして、フッ化水素酸を主成分とするエッチング液に対する耐性があれば良いが、ガラス基板に対する密着性の低さや、膜応力によって剥離してしまうといった問題があった。
請求項3の発明は、前記ゲルマニウム薄膜上のフォトレジストを全部除去し、エッチング面を平滑面に形成するようにしている。
請求項6の発明は、前記基板を垂直または傾斜してエッチング液に接触させ、エッチング液に溶出したフォトレジストと基板との接触、または基板に接触したフォトレジストの溶出部の脱落または剥離を促し、エッチング液の基板に対する一様なエッチング反応若しくは一様なエッチング進行速度を実現して、エッチング面の所望の平滑面形成を実現するようにしている。
しかも、ゲルマニウム薄膜は、成膜時に発生する膜応力が低いため、例えば基板のエッチング深さを深くし、サイドエッチング部が大きくなっても、ゲルマニウム薄膜が変形せず、溝ないし微細通路の仕上がりが良好になる。
したがって、従来の基板のエッチングマスク用薄膜に比べ、溝ないし微細通路を効率良く、かつ深く高品質に形成することができ、基板の微細加工に好適な効果がある。
請求項3の発明は、前記ゲルマニウム薄膜上のフォトレジストを全部除去するから、エッチング面を平滑面に形成することができる。
請求項6の発明は、前記基板を垂直または傾斜してエッチング液に接触させるから、エッチング液に溶出したフォトレジストと基板との接触、または基板に接触したフォトレジストの溶出部の脱落または剥離を促し、エッチング液の基板に対する一様なエッチング反応若しくは一様なエッチング進行速度を実現して、エッチング面の所望の平滑面形成を実現することができる。
この場合、前記成膜にイオンスパッタリング装置を用いたが、真空蒸着装置等の他の薄膜形成法および装置を用いても良い。
この後、専用リンス液でフォトレジスト3をリンスし、かつポストベークして、所望のパターニングを行なう。この状況は図1(d)のようである。
この場合、前記エッチング工程を、例えばK3[Fe(CN)6]+KOH+H2Oを用いた、ウェットエッチングで行なうことも可能である。
したがって、ゲルマニウムの方がシリコンよりも耐久性に優れていることが確認され、ゲルマニウム薄膜2が前記エッチングにおいて、基板1よりもバッファードフッ酸に耐え、薄膜2の表面や除去部2aの加工状態を維持することが確認された。
それゆえ、ゲルマニウム薄膜2の薄膜化が可能になる。
したがって、ガラス基板1にゲルマニウム薄膜2を形成することにより、従来よりもより深く、効率的、高品質にガラス基板に微細流路を形成することが可能となる。
その際、前記レジスト3を専用のレジスト剥離液で除去し、またゲルマニウム薄膜2を前述のK3[Fe(CN)6]+KOH+H2Oを用いたウェットエッチングで除去することも可能である。
なお、この実施形態は石英ガラス製の基板1に限定されず、パイレックス(登録商標)、水晶など酸化珪素を主成分とする基板1に適用可能である。
この実施形態は、前述の実施形態の図1(f)に示す工程において、溝ないし微細通路5の形成予定域4に対応するフォトレジスト3部分のみを除去し、他の部分のフォトレジスト3を残置してウェットエッチングする代わりに、前記フォトレジスト3を完全に除去して、ウェットエッチングしている。
これは、図1(f)のウェットエッチングのように、エッチング液へのフォトレジスト3の溶出がなく、エッチング液のみによって一様かつ略同速度で基板1のエッチングが進行するため、緻密かつ一様なエッチング面が形成されることによると推定される。
したがって、エッチング面を平滑面にする場合は、フォトレジスト3の材質または組成成分を選択し、エッチング液に溶出するフォトレジスト3が、エッチング液による前述のエッチング作用に影響を与えないか、または影響が少ないものを選択すれば良いことになる。
このようにフォトレジスト3を選択することによって、平滑なエッチングが得られ、前述したフォトレジスト3の削除工程を省略し得る。
この場合、フォトレジスト3のエッチング液に対する影響は相対的なものであるから、
フォトレジスト3が溶出し得ないか、溶出してもその影響が少ないエッチング液を選択することによっても、所期の効果を得られる。
発明者の実験では、前述の推定の下にフォトレジスト3の材質または組成成分を選択
することによって、エッチング面にRa0.117μmの粗面を得られた。
フォトレジスト3の溶出を促すエッチング液を選択することによっても、所期の粗面を得られる。
例えば、微細通路5のエッチング面を平滑にすることによって、流体の流れを一様化し流速を高め、また微細通路5のエッチング面を粗面に形成することによって、当該表面積を増やし流体の流速を遅くすることも可能である。
2 薄膜(ゲルマニウム薄膜)
3 フォトレジスト
Claims (6)
- 酸化ケイ素を主成分とする基板上に薄膜を形成し、該薄膜にフォトリソグラフィ−およびエッチングを介して所望のパタ−ンを形成し、該パタ−ニングされた薄膜をエッチンングマスクとして、フッ化水素酸を含有するエッチング液により、前記基板を等方的にエッチングする基板のエッチング方法において、前記基板上にエッチングマスクとして、ゲルマニウム薄膜を形成することを特徴とする基板のエッチング方法。
- 前記エッチング液が、バッファ−ドフッ酸溶液である請求項1記載の基板のエッチング方法。
- 前記ゲルマニウム薄膜上のフォトレジストを全部除去し、エッチング面を平滑面に形成する請求項1または2記載の基板のエッチング方法。
- 前記ゲルマニウム薄膜上のフォトレジストの全部または一部を残置するとともに、基板に対するエッチング液の一様なエッチング反応若しくは一様なエッチング進行速度を維持または促進可能なフォトレジストを使用し、前記エッチンング面を平滑面に形成する請求項1または2記載の基板のエッチング方法。
- 前記ゲルマニウム薄膜上のフォトレジストの全部または一部を残置するとともに、エッチング液に溶出するフォトレジストが、基板に対するエッチング液による一様かつ同速度のエッチング作用を妨げるものを使用し、前記エッチング面を粗面に形成する請求項1または2記載の基板のエッチング方法。
- 前記基板を垂直または傾斜してエッチング液に接触させる請求項3または4記載の基板のエッチング方法。
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