JP4206669B2 - エッチングパターン形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトリソグラフィ技術を用いて、複数種類の微細パターンをレジスト層に形成するエッチングパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
フォトリソグラフィ技術は、半導体の製造工程等に広く用いられており、近年ではマイクロマシンの製造等の微細加工技術にも応用されている。例えば、基板に厚さの異なる複数部位を形成するための加工(所謂集中パターニング)に用いられている。この集中パターニングでは、厚さの異なる複数部位を有する加工膜を用いている。そして、この段差付きの加工膜を作製するにあたり、レジストの塗布、露光、現像、レジスト層の除去からなる一連の工程を、厚さの異なる部位毎に繰り返して行っていた。
【0003】
例えば、2段の凹部を有する加工膜を作製する場合について説明する。この場合、まず、基板表面にフォトレジストを塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層に対して1段目の微細パターンを露光する。その後、レジスト層を現像して1段目の微細パターンを形成し、この微細パターンを用いたエッチングによって基板に1段目の凹部を形成する。1段目の凹部を形成したならばレジスト層を除去する。次に、基板表面にフォトレジストを再度塗布してレジスト層を形成し、このレジスト層に対して2段目の微細パターンを露光する。その後、レジスト層を現像して2段目の微細パターンを形成し、この微細パターンを用いたエッチングによって基板に2段目の凹部を形成する。2段目の凹部を形成したならばレジスト層を除去する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記方法では、レジストの塗布、露光、現像、レジスト層の除去からなる一連の工程を、厚さの異なる部位毎に繰り返して行うので、微細パターンの形成に手間が掛かかってしまうという問題があった。また、新しいフォトレジストをその都度塗布するので、製造コストが増大するという問題もあった。さらに、複数の微細パターンを位置合わせするためのアラインメントマークが次に形成したレジスト層によって埋められてしまうので、アラインメント精度が低下し易いという問題もあった。
【0005】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、厚さが異なる複数部位を備えた微細パターンをエッチング対象物に形成する際において、その工程が簡略化できるとともに、製造コストを低減可能なエッチングパターン形成方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項1に記載の発明は、エッチング対象物の表面に設けられたポジ型フォトレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを順に行うことで微細パターンを形成し、
前記微細パターンによるエッチング対象物へのエッチング処理の後に、このエッチング処理で用いたレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで新たな微細パターンを形成するエッチングパターン形成方法において、
前記エッチング対象物は、CVD法又は熱拡散法等の薄膜形成方法により、Si基板表面に形成された加工膜であり、
前記ポジ型フォトレジスト層は、O−ナフトキノンジアジトとアルカリ可溶性フェノール樹脂との混合樹脂であり、当該ポジ型レジスト層の厚さを8000Å〜15000Åに設定し、
前記ポストベークの温度を100℃〜140℃に設定し、ポストベークの時間を5分〜15分に設定したことを特徴とするエッチングパターン形成方法である。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。まず、図1及び図2に基づき、基板表面の加工膜(本発明のエッチング対象物の一種)に対してエッチングを施し、この加工膜に厚さの異なる複数部位を形成する一連の工程について説明する。なお、この実施形態では、表面が(110)面とされたシリコンウエハーを基板(以下、Si基板と称する。)として用いている。
【0016】
まず、洗浄後のSi基板1の表面に酸化膜(SiO2膜)2を形成する。この酸化膜2は、Si基板1に対するエッチング時に用いる加工膜として機能すると共に、レジスト層3の現像時における保護膜として機能する。なお、この酸化膜2は任意の方法で形成することができるが、CVD法や熱拡散法等の薄膜形成方法が好ましい。これは、均一膜厚の酸化膜2を高い精度で形成できるからである。そして、酸化膜2を形成したならば、そのSi基板1を洗浄し、不活性ガス中で十分に乾燥させる。
【0017】
Si基板1に対する洗浄・乾燥が終了したならば、酸化膜2上にレジスト層3を均一厚さで形成する。本実施形態では、このレジスト層3を、光照射によって光化学反応が起き、その反応により高分子チェーンが分解して現像液に可溶性となるポジ型フォトレジストを用いて形成する。このポジ型フォトレジストとしては、例えば、O−ナフトキノンジアジトとアルカリ可溶性フェノール樹脂との混合樹脂等が挙げられる。
【0018】
このレジスト層3の厚さは、8000〜15000Å(10−10m)に設定することが好ましい。ここで、レジスト層3の厚さ上限を15000Åに設定したのは、レジスト層3が15000Åより厚いと、後述する露光工程において、光がレジスト層3の最下部まで到達する前に減衰し、膜下部が露光されずに現像不良となってしまうからである。また、レジスト層3の厚さ下限を8000Åに設定したのは、レジスト層3が8000Åより薄いと、後述する第2レジストパターンの形成時においてレジスト層3の膜厚が過度に薄くなり、露光エッジ部の形状の直線性が損なわれて歩留まりが低下するからである。なお、このレジスト層3の形成方法としては、スピンコートが好適に用いられる。
【0019】
レジスト層3を形成したならば、次にプリベークを行い、このレジスト層3に含まれる溶剤を蒸発させる。このプリベークは、例えば、80〜90℃の温度で30分程度行う。
【0020】
プリベークを行ったならば、微細パターンが形成されたフォトマスク(図示せず)を用いてレジスト層3上にマスキングを施し、その後、水銀ランプ等の光源を用いて露光する。なお、フォトマスクとしては、写真乾板と同様の構造のエマルジョンマスクの他、クロムや酸化クロム等の薄膜をパターンニングしたハードマスクを用いることができる。また、露光方式としては、フォトマスクとレジスト層3とを密着させて露光する密着露光の他、フォトマスクをレジスト層3に密着させず、フォトマスクの微細パターンをレジスト層3に投影する投影露光を用いることができる。
【0021】
露光処理を行ったならば、露光後のレジスト層3を現像する。この現像には、例えば、珪酸ソーダやリン酸ソーダ等を含むアルカリ性現像液を用いる。そして、この現像処理により、図1(b)に示すように、レジスト層3における露光部分が除去され、第1の微細パターン3a(以下、第1レジストパターン3aと称する。)が形成される。なお、この現像工程において、残存する未露光のレジスト層3の膜厚も多少減少する。
【0022】
現像処理が終了したならば、第1レジストパターン3aが形成されたレジスト層3をポストベークし、Si基板1との密着性を高める。その際、ポストベークは、100〜140℃の温度で、5〜15分程度の時間行うことが好ましい。ここで、ポストベークの温度上限を140℃に設定したのは、ポストベーク温度が140℃より高いと、後工程での感光特性が劣化し、所望の寸法精度が得られなくなるからである。また、ポストベークの温度下限を100℃に設定したのは、ポストベーク温度が100℃より低いと、ベーク後のエッチング時にレジスト層3とSi基板1との密着性が低くなり、アンダーエッチ(レジスト層下に生じるエッチング)の量が局部的に大きくなるからである。さらに、ポストベーク時間の上限を15分に設定したのは、ポストベーク時間が15分より長いと、ポストベーク温度が高い場合と同様の現象が生じるからである。また、ポストベーク時間の下限を5分に設定したのは、ワークが温まる時間を考慮する必要があり、ポストベーク時間が5分より短いと、ポストベーク温度が低い場合と同様にアンダーエッチが発生し易いからである。
【0023】
ポストベークが終了したならば、HF溶液等の溶解液により酸化膜2を膜厚の途中までエッチング(1段目段差エッチング)する。この1段目段差エッチングにより、酸化膜2における第1レジストパターン3aからの露出部分が除去され、図1(c)に示すような1層目の段差パターン2aが形成される。
なお、この段差パターン2aの深さはエッチング時間で制御する。例えば、酸化膜2内を厚さ方向に貫通させるために必要なエッチング時間が12分であった場合、エッチング時間を6分に設定することで、段差パターン2aの深さを基板厚さの略中間にすることができる。同様に、エッチング時間を4分に設定することで、段差パターン2aの深さを基板厚さの略1/3にすることができる。
そして、本実施形態では、エッチング時間を6分に設定して厚さ方向の略中間でエッチングを停止させている。
【0024】
1段目段差エッチングが終了したならば、このエッチング処理で使用したレジスト層3に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで新たな微細パターンを形成する。
【0025】
ここでは、まず、残存する未感光のレジスト層3、即ち、第1レジストパターン3aが形成されたレジスト層3の上にマスキングを施して露光する。その際、1回目の露光処理で付けたアラインメントマークを2回目の露光におけるアラインメントに使用する。このようにすると、アラインメントマークが共通なのでアラインメント精度が向上する。また、上記したように、最初に塗布するレジスト層3の厚さの下限を8000Åに定めているので、露光エッジ部における形状の直線性を良好に保つことができる。
【0026】
露光処理を行ったならば、露光後のレジスト層3を現像する。この現像処理により、図2(a)に示すように、レジスト層3における露光部分が除去され、第2の微細パターン3b(以下、第2レジストパターン3bと称する。)が形成される。そして、現像を行ったならば、第1レジストパターン3aを形成した時と同様の条件でポストベークを行う。
【0027】
ポストベークを行ったならば、この第2レジストパターン3bを用いてHF溶液等により、酸化膜2をエッチング(2段目段差エッチング)する。本実施形態において、この2段目段差エッチングは、1層目の段差パターン2aが膜厚方向に丁度貫通するまで行う。例えば、この2段目段差エッチングにおけるエッチング時間を6分間に設定する。これにより、図2(b)に示すように、酸化膜2には厚さの異なる複数部位が形成される。即ち、第1レジストパターン3aに対応する1層目の段差パターン(貫通部分)2aと、第2レジストパターン3bに対応する2層目の段差パターン(薄肉部分)2bと、第1レジストパターン3a及び第2レジストパターン3bの両方で未露光とされた未露光部分に対応する厚肉部分2cとが形成される。
【0028】
2段目段差エッチングを行ったならば、図2(c)に示すように、酸化膜2の表面に残存しているレジスト層3(即ち、第2レジストパターン3bが形成されたレジスト層3)を剥離除去し、純水等で洗浄する。このレジスト層3の除去は、例えば、H2SO4/H2O2等の酸性溶液によって行う。
【0029】
このように、本実施形態では、レジスト層3をポジ型フォトレジストにより形成し、このレジスト層3に微細パターンを形成した後の未露光部分を用いて新たな微細パターンを形成している。このため、従来のように、微細パターン毎にレジスト層3の形成及び除去を繰り返す必要がなく、1層のレジスト層3を用いて複数種類の微細パターンを形成できる。従って、工程が簡略化され、製造効率を向上させることができる。また、フォトレジストの塗布回数を減らすことができるので、製造コストを低減することができる。
【0030】
次に、図3及び図4に基づき、上記工程で作製された段差付きの酸化膜2を加工膜としたエッチング処理(集中パターニング)により、Si基板1から微細パターン加工品を作製する一連の工程について説明する。
【0031】
図3(a),(b)に示すように、まず、上記の加工膜(酸化膜)2が形成されたSi基板1をKOH等のアルカリ溶液に浸し、1段目のエッチングを行う。この1段目のエッチングにより、Si基板1における1層目の段差パターン2aに対応する部分が浸食される。このとき、Si基板1の異方性によって浸食方向は板厚方向となり、当該部分に1段目凹部1aが形成される。そして、このエッチングは、Si基板1における厚さ方向の途中まで行う。本実施形態では、この1段目凹部1aの深さをエッチング時間によって制御している。
【0032】
1段目凹部1aが所望の深さに形成されるまで1段目のエッチングを行ったならば、2層目の段差パターン2bに対応する新たなエッチングパターンを作製する。即ち、1段目のエッチングが終了した加工膜付きのSi基板1をHF溶液等に浸すなどして、図3(c)に示すように、加工膜2における薄肉部分2bを除去する。この場合、加工膜2は全体的に厚さが薄くなるので、溶液に浸す時間を適宜調整することで加工膜2の薄肉部分2bのみを選択的に除去し、厚肉部分2cを残す。
【0033】
新たなエッチングパターンを形成したならば、このエッチングパターンをマスクにして2段目のエッチングを行う。即ち、このエッチングパターンが形成されたSi基板1をKOH溶液に浸す。この2段目エッチングにより、図4(a)に示すように、2層目の段差パターン2bに対応する部分が浸食され、Si基板1に2段目凹部1bが形成される。このとき、上記した1段目凹部1aも同様に浸食されるので、Si基板1には、1段目凹部1aと2段目凹部1bとからなる段差凹部が形成される。そして、2段目凹部1bを、板厚方向の途中であって所望の深さまで形成したならば、Si基板1をKOH溶液から引き上げてエッチングを停止させる。
【0034】
このようにしてSi基板1に段差凹部1a,1bを形成したならば、図4(b)に示すように、残存している加工膜2(厚肉部分2c)を除去し、微細パターン加工品を得る。この加工膜2の除去は、例えば、HF溶液等に浸すことで行う。加工膜2を除去したならば、必要に応じてSi基板1の表面全体に酸化膜2を形成する。
【0035】
ところで、上記の第1実施形態では、Si基板表面の加工膜(酸化膜)2を本発明におけるエッチング対象物としていたが、本発明はこの形態に限定されるものではない。例えば、基板を本発明のエッチング対象として基板表面にポジ型フォトレジスト層を設け、このフォトレジスト層を用いたエッチングにより、基板に厚さの異なる複数部位を形成してもよい。以下、図5に基づき、この方法を採った第2実施形態について説明する。
【0036】
この第2実施形態では、まず図5(a)に示すように、金属基板11の表面にポジ型フォトレジストを塗布してレジスト層12を形成する。このレジスト層12の厚さは、先に説明したレジスト層3と同様に8000Å〜15000Åとすることが好ましい。レジスト層12を形成したならば、このレジスト層12に対して対して露光、現像及びポストベークを順に行い、図5(b)に示すように、第1の微細パターン(第1レジストパターン12a)を形成する。なお、この第1レジストパターン12aの形成条件も、先の第1実施形態と同様である。
【0037】
レジスト層12に第1レジストパターン12aを形成したならば、この第1レジストパターン12aをマスクにして金属基板11に対するエッチング処理を行う。これにより、図5(c)に示すように、金属基板11における第1レジストパターン12aに対応した部分が浸食され、当該部分に1段目凹部11aが形成される。そして、本実施形態では、1段目凹部11aが金属基板11を貫通する前にこのエッチング処理を停止する。
【0038】
第1レジストパターン12aによるエッチング処理が終了したならば、この第1レジストパターン12aが形成されたレジスト層12に対して新たな微細パターン(第2レジストパターン12b)を形成する。即ち、このレジスト層12における未感光部分に対して、露光、現像及びポストベークを再度行うことで、図5(d)に示すように、第2レジストパターン12bを形成する。
【0039】
レジスト層12に第2レジストパターン12bを形成したならば、この第2レジストパターン12bをマスクにして金属基板11に対するエッチング処理を行う。これにより、図5(e)に示すように、金属基板11における第2レジストパターン12bに対応した部分が浸食され、当該部分に2段目凹部11bが形成される。このとき、上記した1段目凹部11aも同様に浸食されるので、金属基板11には、1段目凹部11aと2段目凹部11bとからなる段差凹部が形成される。そして、2段目凹部11bが板厚方向途中の所望の深さに形成されたならば、このエッチング処理を停止する。本実施形態では、1段目凹部11aが金属基板11を貫通する前にエッチング処理を停止している。
【0040】
このようにして金属基板11に段差凹部11a,11bを形成したならば、図5(f)に示すように、残存しているレジスト層12を除去し、微細パターン加工品を得る。
【0041】
このように、本実施形態でも、レジスト層12をポジ型フォトレジストにより形成し、このレジスト層12に微細パターン12aを形成した後の未露光部分を用いて新たな微細パターン12bを形成している。このため、1層のレジスト層12を用いて複数種類の微細パターンが形成でき、製造効率の向上が図れる。また、フォトレジストの塗布回数を減らせるので、製造コストの低減が図れる。
【0042】
なお、この第2実施形態において、エッチング対象物は金属基板11に限定されるもではない。例えば、Si基板をエッチング対象物としても同様に実施できる。
【0043】
ところで、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて種々の変形が可能である。例えば、上記各実施形態では、1つのレジスト層3,12に対して露光、現像及びポストベークの一連の処理を2回繰り返して行っていたが、この一連の処理を3回以上繰り返して行ってもよい。
【0044】
また、微細パターン加工品は、マイクロマシンの構成部品以外であってもよい。例えば、インクジェット式記録ヘッドにおけるインク流路を形成するための流路形成基板でもよい。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、以下の効果を奏する。
即ち、エッチング対象物の表面に設けられたポジ型フォトレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを順に行うことで微細パターンを形成し、前記ポストベークの温度を100℃〜140℃に設定し、ポストベークの時間を5分〜15分に設定し、前記微細パターンによるエッチング対象物へのエッチング処理の後に、このエッチング処理で用いたレジスト層の未露光部分に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで新たな微細パターンを形成するので、従来のように、微細パターン毎にレジスト層の形成及び除去を繰り返す必要がなく、1層のレジスト層を用いて複数種類の微細パターンが形成できる。これにより、厚さが異なる複数部位を備えた微細パターンをエッチング対象物に形成する際において、工程の簡略化が図れ、製造効率を向上させることができる。さらに、フォトレジストの塗布回数を減らすことができるので、製造コストの低減が図れる。
また、エッチング対象物は、CVD法又は熱拡散法等の薄膜形成方法により、Si基板表面に形成された加工膜であり、ポジ型フォトレジスト層は、O−ナフトキノンジアジトとアルカリ可溶性フェノール樹脂との混合樹脂であり、ポジ型レジスト層の厚さを8000Å〜15000Åに設定し、ポストベークの温度を100℃〜140℃に設定し、ポストベークの時間を5分〜15分に設定したので、均一膜厚の酸化膜を高い精度で形成でき、現像不良や、露光エッジ部の形状の直線性が損なわれて歩留まりが低下することを防止できる。さらに、感光特性の劣化を抑制することができると共に、ベーク後のエッチング時にレジスト層とエッチング対象物との密着性の低下を抑制してアンダーエッチの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1実施形態のパターン形成方法を示す概略図であり、(a)は酸化膜が形成されたSi基板上にレジスト層を設けた状態を説明する図、(b)はレジスト層に第1レジストパターンを形成した状態を説明する図、(c)は第1レジストパターンによるエッチングを説明する図である。
【図2】第1実施形態のパターン形成方法を示す概略図であり、(a)はレジスト層に第2レジストパターンを形成した状態を説明する図、(b)は第2レジストパターンによるエッチングを説明する図、(c)はレジスト層を除去した状態を説明する図である。
【図3】第1実施形態のパターン形成方法を示す概略図であり、(a)は加工膜が形成されたSi基板を説明する図、(b)は加工膜による1段目のエッチングを説明する図、(c)は加工膜における薄肉部を除去した状態を説明する図である。
【図4】第1実施形態のパターン形成方法を示す概略図であり、(a)は加工膜による2段目のエッチングを説明する図、(b)は加工膜を除去した状態を説明する図である。
【図5】(a)〜(f)は、第2実施形態におけるパターン形成方法を示す概略図である。
【符号の説明】
1 Si基板
1a 1段目凹部
1b 2段目凹部
2 酸化膜(加工膜)
2a 1層目の段差パターン(貫通部分)
2b 2層目の段差パターン(薄肉部分)
2c 厚肉部分
3 レジスト層
3a 第1レジストパターン
3b 第2レジストパターン
11 金属基板
11a 1段目凹部
11b 2段目凹部
12 レジスト層
12a 第1レジストパターン
12b 第2レジストパターン
Claims (1)
- エッチング対象物の表面に設けられたポジ型フォトレジスト層に対して露光、現像及びポストベークを順に行うことで微細パターンを形成し、
前記微細パターンによるエッチング対象物へのエッチング処理の後に、このエッチング処理で用いたレジスト層の未露光部分に対して露光、現像及びポストベークを再度行うことで新たな微細パターンを形成するエッチングパターン形成方法であって、
前記エッチング対象物は、CVD法又は熱拡散法等の薄膜形成方法により、Si基板表面に形成された加工膜であり、
前記ポジ型フォトレジスト層は、O−ナフトキノンジアジトとアルカリ可溶性フェノール樹脂との混合樹脂であり、当該ポジ型レジスト層の厚さを8000Å〜15000Åに設定し、
前記ポストベークの温度を100℃〜140℃に設定し、ポストベークの時間を5分〜15分に設定したことを特徴とするエッチングパターン形成方法。
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