CN114269076B - 一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，包括以下步骤；步骤(1)、帖感光膜曝光显影；步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，进行干燥；步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗；步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。本发明方法简单，定位丝印不需太高精度，整体图案的精度取决于感光掩膜的精度，没有二次对位误差；只用一次贴膜曝光显影，不需要二次曝光，不需要标记点定位。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法。
背景技术
随着电子技术的发展，对半导体功率器件小型化不断提出新的要求。如今，三代半芯片的开发应用，为半导体功率器件功率密度的提高及小型化提供了解决方案，同时对于半导体功率模块中的芯片载体-覆铜陶瓷基板，其覆铜厚度越来越厚，以满足越来越大的电流要求。同时厚铜上的图形也越来越复杂，有些还是二阶梯图形，不能用普通曝光显影蚀刻来生产。
常规二阶梯图形采用先贴膜曝光显影蚀刻脱膜完成第一层，然后再贴膜曝光显影蚀刻第二层，二次图形通过第一次图形上的标记点对位第二次曝光。这种工艺的缺点，两次图形化蚀刻过程复杂，并且对位存在误差。
产品实例，如图1所示：陶瓷基板双面覆铜厚1.2mm，图案面还有两块深度0.6mm的凹方形图案，单次感光抗蚀膜蚀刻不能完成此结构；正常情况需进行第二次贴膜曝光显影蚀刻，同时第二次图形需要用第一次的标记点对位，整个过程复杂，并且存在对位误差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，以解决上述背景技术中提出的两次图形化蚀刻过程复杂，并且对位存在误差的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，包括以下步骤；
步骤(1)、帖感光膜曝光显影；
步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，进行干燥；
步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；
步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗；
步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。
优选的，步骤(2)中，在常温的环境下自然2-8小时干燥。
优选的，步骤(4)中，所述有机溶剂为汽油、丙酮、二甲苯中的一种。
本发明提出的一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，有益效果在于：
1、本发明方法简单，定位丝印不需太高精度，整体图案的精度取决于感光掩膜的精度，没有二次对位误差；
2、本发明只用一次贴膜曝光显影，不需要二次曝光，不需要标记点定位。
附图说明
图1为本发明的产品实例结构示意图；
图2为本发明的帖感光膜曝光显影结构示意图图；
图3为本发明的图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1、请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，包括以下步骤；
步骤(1)、帖感光膜曝光显影；
步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，在常温的环境下自然6小时干燥；
步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；
步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗，有机溶剂为汽油；
步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。
实施例2、请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，包括以下步骤；
步骤(1)、帖感光膜曝光显影；
步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，在常温的环境下自然7小时干燥；
步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；
步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗，有机溶剂为丙酮；
步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。
实施例3、请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，包括以下步骤；
步骤(1)、帖感光膜曝光显影；
步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，在常温的环境下自然8小时干燥；
步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；
步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗，有机溶剂为二甲苯；
步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (3)
1.一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：包括以下步骤；
步骤(1)、帖感光膜曝光显影；
步骤(2)、在图形面定位丝印耐酸碱电镀保护胶，进行干燥；
步骤(3)、蚀刻深度0.6mm后清洗干燥；
步骤(4)、将产品置于有机溶剂脱保护胶并清洗；
步骤(5)、再次蚀刻0.6mm后脱膜完成图形。
2.根据权利要求1所述的一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：步骤(2)中，在常温的环境下自然2-8小时干燥。
3.根据权利要求1所述的一种覆厚铜陶瓷基板的二阶梯图形的蚀刻方法，其特征在于：步骤(4)中，所述有机溶剂为汽油、丙酮、二甲苯中的一种。
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