JP2002076575A - 半導体装置用基板の製造方法 - Google Patents
半導体装置用基板の製造方法Info
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- JP2002076575A JP2002076575A JP2000259705A JP2000259705A JP2002076575A JP 2002076575 A JP2002076575 A JP 2002076575A JP 2000259705 A JP2000259705 A JP 2000259705A JP 2000259705 A JP2000259705 A JP 2000259705A JP 2002076575 A JP2002076575 A JP 2002076575A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易な工程で、高精度の配線パターンを有する
半導体装置用基板の製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】光透過性を有する絶縁基板１１の一方の面
側に、導電薄膜１２を形成し、導電薄膜１２上に感光性
樹脂を塗布し感光層を形成した後、露光、現像等の一連
のパターニング処理を行ってレジストパターンを形成
し、前記導電薄膜をエッチングして導電薄膜パターン１
２ａを形成する。光透過性を有する絶縁基板１１及び導
電薄膜パターン１２ａ上に感光性樹脂を塗布し、感光層
１３を形成し、光透過性を有する絶縁基板１１の他方の
面側から全面露光を行い、感光層１３の現像処理を行
い、導電薄膜パターン上の感光層１３を除去し、レジス
トパターン１３ａを形成する。さらに、導電薄膜パター
ン１２上にめっきにて所定厚の導体層を形成し、配線パ
ターン１４を形成し、半導体装置用基板を得る。
半導体装置用基板の製造方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】光透過性を有する絶縁基板１１の一方の面
側に、導電薄膜１２を形成し、導電薄膜１２上に感光性
樹脂を塗布し感光層を形成した後、露光、現像等の一連
のパターニング処理を行ってレジストパターンを形成
し、前記導電薄膜をエッチングして導電薄膜パターン１
２ａを形成する。光透過性を有する絶縁基板１１及び導
電薄膜パターン１２ａ上に感光性樹脂を塗布し、感光層
１３を形成し、光透過性を有する絶縁基板１１の他方の
面側から全面露光を行い、感光層１３の現像処理を行
い、導電薄膜パターン上の感光層１３を除去し、レジス
トパターン１３ａを形成する。さらに、導電薄膜パター
ン１２上にめっきにて所定厚の導体層を形成し、配線パ
ターン１４を形成し、半導体装置用基板を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
するための半導体装置用基板の製造方法に関する。
するための半導体装置用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置用基板（例えばボール
・グリッド・アレイ用基板）の製法として、サブトラク
ティブ法、セミアディティブ法及びフルアディティブ法
が知られている。サブトラクティブ法は、絶縁基板上に
形成された導体層上に、レジスト層を形成し、フォトリ
ソグラフィーによってパターニングした後、エッチング
によって導体層をパターニングするものである。セミア
ディティブ法とは、基板上に形成された薄膜導体層の上
にめっきレジストパターンを形成し、電気めっきにより
露出した部分の薄膜導体層上に導体層を形成し、さら
に、めっきレジストパターンを除去した後、フラッシュ
エッチングを行なって、めっきレジストパターンにて被
覆されていた部分の薄膜導体層を除去し、配線パターン
を形成する方法である。フルアディティブ法とは、絶縁
基板上に触媒を吸着させた後に、めっきレジストパター
ンを形成し、めっきレジストパターンをマスクにして無
電解めっきを行い、配線パターンを形成するという方法
である。
・グリッド・アレイ用基板）の製法として、サブトラク
ティブ法、セミアディティブ法及びフルアディティブ法
が知られている。サブトラクティブ法は、絶縁基板上に
形成された導体層上に、レジスト層を形成し、フォトリ
ソグラフィーによってパターニングした後、エッチング
によって導体層をパターニングするものである。セミア
ディティブ法とは、基板上に形成された薄膜導体層の上
にめっきレジストパターンを形成し、電気めっきにより
露出した部分の薄膜導体層上に導体層を形成し、さら
に、めっきレジストパターンを除去した後、フラッシュ
エッチングを行なって、めっきレジストパターンにて被
覆されていた部分の薄膜導体層を除去し、配線パターン
を形成する方法である。フルアディティブ法とは、絶縁
基板上に触媒を吸着させた後に、めっきレジストパター
ンを形成し、めっきレジストパターンをマスクにして無
電解めっきを行い、配線パターンを形成するという方法
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来型の半導体装置用
基板の製造方法では、下記のような問題がある。サブト
ラクティブ法は、ある厚みを有する導体層をエッチング
するため、サイドエッチングが生じやすく、パターン形
状再現性に劣るという問題がある。セミアディティブ法
は、めっきレジストパターンを剥離、除去したり、下地
の薄膜導体層をエッチングで除去するという工程が増
え、生産性に劣るという問題がある。また、サイドエッ
チングにより、剥離が生ずる恐れがある。フルアディテ
ィブ法は、配線パターンを無電解めっきで形成するた
め、所定膜厚の配線パターンを得るのに長時間を要する
こと、また無電解めっき液は一般的にアルカリ性であ
り、長時間のめっきによりめっきレジストパターンを傷
める恐れがある等の問題点を有している。本発明は上記
問題点に鑑み考案されたもので、簡易な工程で、高精度
の配線パターンを有する半導体装置用基板の製造方法を
提供することを目的とする。
基板の製造方法では、下記のような問題がある。サブト
ラクティブ法は、ある厚みを有する導体層をエッチング
するため、サイドエッチングが生じやすく、パターン形
状再現性に劣るという問題がある。セミアディティブ法
は、めっきレジストパターンを剥離、除去したり、下地
の薄膜導体層をエッチングで除去するという工程が増
え、生産性に劣るという問題がある。また、サイドエッ
チングにより、剥離が生ずる恐れがある。フルアディテ
ィブ法は、配線パターンを無電解めっきで形成するた
め、所定膜厚の配線パターンを得るのに長時間を要する
こと、また無電解めっき液は一般的にアルカリ性であ
り、長時間のめっきによりめっきレジストパターンを傷
める恐れがある等の問題点を有している。本発明は上記
問題点に鑑み考案されたもので、簡易な工程で、高精度
の配線パターンを有する半導体装置用基板の製造方法を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するため、まず請求項１においては、下記の少な
くとも（ａ）〜（ｆ）の工程を有することを特徴とする
半導体装置用基板の製造方法としたものである。 （ａ）光透過性を有する絶縁基板の一方の面側に、導電
薄膜を形成する工程。 （ｂ）前記導電薄膜上に感光性樹脂を塗布し感光層を形
成した後、露光、現像等の一連のパターニング処理を行
ってレジストパターンを形成し、前記導電薄膜をエッチ
ングして導電薄膜パターンを形成する工程。 （ｃ）前記光透過性を有する絶縁基板及び前記導電薄膜
パターン上に感光性樹脂を塗布し、感光層を形成する工
程。 （ｄ）前記光透過性を有する絶縁基板の他方の面側から
全面露光を行う工程。 （ｅ）前記感光層の現像処理を行い、前記導電薄膜パタ
ーン上の感光層を除去する工程。 （ｆ）前記導電薄膜パターン上にめっきにて所定厚の導
体層を形成し、配線パターンを形成する工程。
を解決するため、まず請求項１においては、下記の少な
くとも（ａ）〜（ｆ）の工程を有することを特徴とする
半導体装置用基板の製造方法としたものである。 （ａ）光透過性を有する絶縁基板の一方の面側に、導電
薄膜を形成する工程。 （ｂ）前記導電薄膜上に感光性樹脂を塗布し感光層を形
成した後、露光、現像等の一連のパターニング処理を行
ってレジストパターンを形成し、前記導電薄膜をエッチ
ングして導電薄膜パターンを形成する工程。 （ｃ）前記光透過性を有する絶縁基板及び前記導電薄膜
パターン上に感光性樹脂を塗布し、感光層を形成する工
程。 （ｄ）前記光透過性を有する絶縁基板の他方の面側から
全面露光を行う工程。 （ｅ）前記感光層の現像処理を行い、前記導電薄膜パタ
ーン上の感光層を除去する工程。 （ｆ）前記導電薄膜パターン上にめっきにて所定厚の導
体層を形成し、配線パターンを形成する工程。
【０００５】また、請求項２においては、前記導電薄膜
が、前記光透過性を有する絶縁基板との間に形成された
中間層を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置用基板の製造方法としたものである。
が、前記光透過性を有する絶縁基板との間に形成された
中間層を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置用基板の製造方法としたものである。
【０００６】また、請求項３においては、前記光透過性
を有する絶縁基板が、波長１００〜５００ｎｍの範囲内
で、８０％以上の透過率を有することを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の半導体装置用基板の製造方
法。
を有する絶縁基板が、波長１００〜５００ｎｍの範囲内
で、８０％以上の透過率を有することを特徴とする請求
項１または請求項２に記載の半導体装置用基板の製造方
法。
【０００７】さらにまた、請求項４においては、前記前
記光透過性を有する絶縁基板が、フタル酸エステル骨
格、アクリル酸エステル骨格、ポリイミド骨格のうち、
いずれか一種の骨格を有する樹脂、もしくはシリコン酸
化物からなることを特徴とする請求項1乃至請求項３の
いずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法とし
たものである。
記光透過性を有する絶縁基板が、フタル酸エステル骨
格、アクリル酸エステル骨格、ポリイミド骨格のうち、
いずれか一種の骨格を有する樹脂、もしくはシリコン酸
化物からなることを特徴とする請求項1乃至請求項３の
いずれか一項に記載の半導体装置用基板の製造方法とし
たものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。図１（ａ）〜（ｆ）に半導体装置用基板の製造
方法の一実施例を工程順に示す半導体装置用基板の構成
部分断面図を示す。本発明の半導体装置用基板の製造方
法は図１（ａ）〜（ｆ）に示すように、まず、光透過性
を有する絶縁基板１１の一方の面側に、導電薄膜１２を
形成する（図１（ａ）参照）。光透過性を有する絶縁基
板１１としては、請求項４に記載のように、フタル酸エ
ステル骨格、アクリル酸エステル骨格、ポリイミド骨格
のうち、いずれか一種の骨格を有する樹脂、もしくはシ
リコン酸化物からなり、フタル酸エステル骨格を有する
樹脂からなる絶縁基板の具体例として、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムがあげられる。アクリル酸エステ
ル骨格を有する樹脂からなる絶縁基板の具体例として、
アクリル板があげられる。ポリイミド骨格を有する樹脂
からなる絶縁基板の具体例として、ポリイミドフィルム
があげられる。さらに、上記光透過性を有する絶縁基板
１１は、請求項３記載のように、波長１００〜５００ｎ
ｍの範囲で８０％以上の透過率を有している。特に、よ
く用いられる露光光の波長である３５０〜４００ｎｍに
対して、９０％以上の透過率を有している。
明する。図１（ａ）〜（ｆ）に半導体装置用基板の製造
方法の一実施例を工程順に示す半導体装置用基板の構成
部分断面図を示す。本発明の半導体装置用基板の製造方
法は図１（ａ）〜（ｆ）に示すように、まず、光透過性
を有する絶縁基板１１の一方の面側に、導電薄膜１２を
形成する（図１（ａ）参照）。光透過性を有する絶縁基
板１１としては、請求項４に記載のように、フタル酸エ
ステル骨格、アクリル酸エステル骨格、ポリイミド骨格
のうち、いずれか一種の骨格を有する樹脂、もしくはシ
リコン酸化物からなり、フタル酸エステル骨格を有する
樹脂からなる絶縁基板の具体例として、ポリエチレンテ
レフタレートフィルムがあげられる。アクリル酸エステ
ル骨格を有する樹脂からなる絶縁基板の具体例として、
アクリル板があげられる。ポリイミド骨格を有する樹脂
からなる絶縁基板の具体例として、ポリイミドフィルム
があげられる。さらに、上記光透過性を有する絶縁基板
１１は、請求項３記載のように、波長１００〜５００ｎ
ｍの範囲で８０％以上の透過率を有している。特に、よ
く用いられる露光光の波長である３５０〜４００ｎｍに
対して、９０％以上の透過率を有している。
【０００９】導電薄膜１２としては、導電性に優れ、安
価であることから、銅が好ましく用いられる。導電薄膜
１２の厚さとしては、０．２〜０．８μｍ程度が好まし
い。さらに、後記する導電薄膜パターン１２ａは遮光マ
スクとしての機能が要求されるため、露光光に対する遮
光性に優れると共に、パターニング性に問題が生じない
厚さであることが望まれる。導電薄膜１２を形成してい
る銅は絶縁基板１１との密着性が不足したり、絶縁基板
１１に導電薄膜１２の銅が拡散し易いという欠点を有す
る。そのようなことから、請求項２に記載のように、導
電薄膜１２が、前記光透過性を有する絶縁基板１１との
間に形成された中間層（図面上では図示せず）を含む膜
構成にして、上記問題に対応している。中間層として
は、クロム、ニッケル、コバルトからなる薄膜が好まし
く用いられるが、特にクロムが好ましい。中間層の厚さ
としては０．２〜０．６μｍ程度が好ましい。中間層を
形成する方法としてはスパッタリングが好ましい。ま
た、導電薄膜１２を上記のような材料からなる中間層の
みで形成してもよい。
価であることから、銅が好ましく用いられる。導電薄膜
１２の厚さとしては、０．２〜０．８μｍ程度が好まし
い。さらに、後記する導電薄膜パターン１２ａは遮光マ
スクとしての機能が要求されるため、露光光に対する遮
光性に優れると共に、パターニング性に問題が生じない
厚さであることが望まれる。導電薄膜１２を形成してい
る銅は絶縁基板１１との密着性が不足したり、絶縁基板
１１に導電薄膜１２の銅が拡散し易いという欠点を有す
る。そのようなことから、請求項２に記載のように、導
電薄膜１２が、前記光透過性を有する絶縁基板１１との
間に形成された中間層（図面上では図示せず）を含む膜
構成にして、上記問題に対応している。中間層として
は、クロム、ニッケル、コバルトからなる薄膜が好まし
く用いられるが、特にクロムが好ましい。中間層の厚さ
としては０．２〜０．６μｍ程度が好ましい。中間層を
形成する方法としてはスパッタリングが好ましい。ま
た、導電薄膜１２を上記のような材料からなる中間層の
みで形成してもよい。
【００１０】次に、導電薄膜１２を公知のフォトエッチ
ングプロセスでパターニング処理して、導電薄膜パター
ン１２ａを形成する（図１（ｂ）参照）。ここで、膜厚
０．２〜０．８μｍという薄い導電薄膜１２をパターニ
ングするので非常に精度の高いパターニングが可能であ
る。さらに、導電薄膜パターン１２ａが配線パターンを
形成する際の電解めっきの下地になるので高精度の配線
パターンが得られることになる。、
ングプロセスでパターニング処理して、導電薄膜パター
ン１２ａを形成する（図１（ｂ）参照）。ここで、膜厚
０．２〜０．８μｍという薄い導電薄膜１２をパターニ
ングするので非常に精度の高いパターニングが可能であ
る。さらに、導電薄膜パターン１２ａが配線パターンを
形成する際の電解めっきの下地になるので高精度の配線
パターンが得られることになる。、
【００１１】次に、光透過性を有する絶縁基板１１及び
前記導電薄膜パターン１２ａ上にネガ型（露光された部
分が光硬化する）の感光性樹脂を塗布し、感光層１３を
形成する（図１（ｃ）参照）。ここで、感光層１３の膜
厚は後記する配線パターンの膜厚とほぼ同等の厚さに設
定する。さらに、感光層の形成方法としては、上記感光
性樹脂溶液をスピンナー、ロールコーター等で絶縁基板
１１上に塗布、乾燥して感光層とする方法の他に、感光
性のドライフィルムをラミネーターで絶縁基板１１上に
貼着し、ベースフィルムを剥離して感光層とする方法等
が使用できる。
前記導電薄膜パターン１２ａ上にネガ型（露光された部
分が光硬化する）の感光性樹脂を塗布し、感光層１３を
形成する（図１（ｃ）参照）。ここで、感光層１３の膜
厚は後記する配線パターンの膜厚とほぼ同等の厚さに設
定する。さらに、感光層の形成方法としては、上記感光
性樹脂溶液をスピンナー、ロールコーター等で絶縁基板
１１上に塗布、乾燥して感光層とする方法の他に、感光
性のドライフィルムをラミネーターで絶縁基板１１上に
貼着し、ベースフィルムを剥離して感光層とする方法等
が使用できる。
【００１２】次に、前記光透過性を有する絶縁基板１１
の他方の面側から全面露光を行い、導電薄膜パターン１
２ａ間の感光層１３を光硬化させる（図１（ｄ）参
照）。ここで、前記光透過性を有する絶縁基板１１は上
記したように、１００〜５００ｎｍの波長範囲で８０％
以上の透過率を有しているため、所定の露光量で露光し
てやると光透過性を有する絶縁基板１１上の感光層１３
は光硬化する。さらに、導電薄膜パターン１２ａ上の感
光層１３は導電薄膜パターン１２ａが遮光性を有してい
るため露光光で露光されるようなことはない。
の他方の面側から全面露光を行い、導電薄膜パターン１
２ａ間の感光層１３を光硬化させる（図１（ｄ）参
照）。ここで、前記光透過性を有する絶縁基板１１は上
記したように、１００〜５００ｎｍの波長範囲で８０％
以上の透過率を有しているため、所定の露光量で露光し
てやると光透過性を有する絶縁基板１１上の感光層１３
は光硬化する。さらに、導電薄膜パターン１２ａ上の感
光層１３は導電薄膜パターン１２ａが遮光性を有してい
るため露光光で露光されるようなことはない。
【００１３】次に、光透過性を有する絶縁基板１１及び
導電薄膜パターン１２ａ上の感光層１３を指定の現像液
で現像処理を行い、導電薄膜パターン１２ａ上の未露光
の感光層１３を除去し、導電薄膜パターン１２ａ間の光
透過性を有する絶縁基板１１上にレジストパターン１３
ａを形成する（図１（ｅ）参照）。このレジストパター
ン１３ａの側面は電解めっきで配線パターンを形成する
際の側壁になり、配線パターンの形状は導電薄膜パター
ン１２ａの形状通りに形成される。
導電薄膜パターン１２ａ上の感光層１３を指定の現像液
で現像処理を行い、導電薄膜パターン１２ａ上の未露光
の感光層１３を除去し、導電薄膜パターン１２ａ間の光
透過性を有する絶縁基板１１上にレジストパターン１３
ａを形成する（図１（ｅ）参照）。このレジストパター
ン１３ａの側面は電解めっきで配線パターンを形成する
際の側壁になり、配線パターンの形状は導電薄膜パター
ン１２ａの形状通りに形成される。
【００１４】最後に、導電薄膜パターン１２ａをめっき
電極にしてレジストパターン１３ａとほぼ同じ高さまで
電解銅めっきを行い、導電薄膜パターン１２ａ上に配線
パターン１４を形成し、半導体装置用基板を得る（図１
（ｆ）参照）。配線パターン１４の形成法としては上記
電解銅めっきの他に電解ニッケル、電解金めっき等も使
用できる。
電極にしてレジストパターン１３ａとほぼ同じ高さまで
電解銅めっきを行い、導電薄膜パターン１２ａ上に配線
パターン１４を形成し、半導体装置用基板を得る（図１
（ｆ）参照）。配線パターン１４の形成法としては上記
電解銅めっきの他に電解ニッケル、電解金めっき等も使
用できる。
【００１５】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、厚さが７５μｍのポリエチレンテレフタレート基
板からなる絶縁基板１１上にスパッタリングにて０．３
μｍ厚のクロム薄膜からなる中間層を形成し、さらに、
中間層上にスパッタリングにて０．３μｍ厚の銅薄膜を
形成して導電薄膜１２を形成した。ここで、絶縁基板１
１の波長３６５ｎｍでの光透過率は９０％以上を示し
た。
まず、厚さが７５μｍのポリエチレンテレフタレート基
板からなる絶縁基板１１上にスパッタリングにて０．３
μｍ厚のクロム薄膜からなる中間層を形成し、さらに、
中間層上にスパッタリングにて０．３μｍ厚の銅薄膜を
形成して導電薄膜１２を形成した。ここで、絶縁基板１
１の波長３６５ｎｍでの光透過率は９０％以上を示し
た。
【００１６】次に、導電薄膜１２上にレジスト（ＡＺ：
クラリアントジャパン（株）製）をスピンナーにて塗布
し、予備乾燥して膜厚１μｍの感光層を形成した。さら
に、４μｍから２０μｍまで２μｍ刻みの線幅でパター
ンが描画されたフォトマスクを用いてパターン露光、現
像処理等のパターニング処理を行ってレジストパターン
を形成し、レジストパターンをマスクにして、まず、銅
薄膜を過硫酸アンモニウム２０％水溶液によりエッチン
グし、さらに、クロム薄膜を濃塩酸でエッチングし、レ
ジストパターンを剥離液で除去して導電薄膜パターン１
２ａを形成した。
クラリアントジャパン（株）製）をスピンナーにて塗布
し、予備乾燥して膜厚１μｍの感光層を形成した。さら
に、４μｍから２０μｍまで２μｍ刻みの線幅でパター
ンが描画されたフォトマスクを用いてパターン露光、現
像処理等のパターニング処理を行ってレジストパターン
を形成し、レジストパターンをマスクにして、まず、銅
薄膜を過硫酸アンモニウム２０％水溶液によりエッチン
グし、さらに、クロム薄膜を濃塩酸でエッチングし、レ
ジストパターンを剥離液で除去して導電薄膜パターン１
２ａを形成した。
【００１７】次に、絶縁基板１１及び導電薄膜パターン
１２ａ上にネガ型の感光性樹脂（ＰＳＲ−４０００：太
陽インキ製造（株）製）をスピンナーで塗布、乾燥して
膜厚５μｍの感光層１３を形成した。
１２ａ上にネガ型の感光性樹脂（ＰＳＲ−４０００：太
陽インキ製造（株）製）をスピンナーで塗布、乾燥して
膜厚５μｍの感光層１３を形成した。
【００１８】次に、絶縁基板１１の他方の面から波長３
６５ｎｍを主な波長とする光を露光光として全面露光を
行った。
６５ｎｍを主な波長とする光を露光光として全面露光を
行った。
【００１９】次に、感光層１３を炭酸ナトリウム１％水
溶液を用いて現像処理し、導電薄膜パターン１２ａ上の
感光層１３を除去した後１５０℃のオーブンで１０分ベ
ーキングしてレジストパターン１３ａを形成した。
溶液を用いて現像処理し、導電薄膜パターン１２ａ上の
感光層１３を除去した後１５０℃のオーブンで１０分ベ
ーキングしてレジストパターン１３ａを形成した。
【００２０】最後に、導電薄膜パターン１２ａをめっき
電極にしてレジストパターン１３ａとほぼ同じ高さまで
電解銅めっきを行い、導電薄膜パターン１２ａ上に銅か
らなる配線パターン１４を形成し、半導体装置用基板を
得た。
電極にしてレジストパターン１３ａとほぼ同じ高さまで
電解銅めっきを行い、導電薄膜パターン１２ａ上に銅か
らなる配線パターン１４を形成し、半導体装置用基板を
得た。
【００２１】上記半導体装置用基板の配線パターン１４
ａ、顕微鏡で観察した結果線幅４μｍまでの配線パター
ンがすべて形成されていた。
ａ、顕微鏡で観察した結果線幅４μｍまでの配線パター
ンがすべて形成されていた。
【００２２】＜比較例＞従来のセミアディティブ法によ
る半導体装置用基板の製造法の比較例を以下に示す。図
２（ａ）〜（ｆ）に従来の半導体装置用基板の製造方法
の一例を工程順に示す半導体装置用基板の構成部分断面
図を示す。まず、ポリイミド基板２１上にスパッタリン
グにて膜厚０．３μｍのクロム薄膜を、さらに、スパッ
タリングにて膜厚０．３μｍの銅薄膜を形成して、導電
薄膜２２を形成した（図２（ａ）参照）。
る半導体装置用基板の製造法の比較例を以下に示す。図
２（ａ）〜（ｆ）に従来の半導体装置用基板の製造方法
の一例を工程順に示す半導体装置用基板の構成部分断面
図を示す。まず、ポリイミド基板２１上にスパッタリン
グにて膜厚０．３μｍのクロム薄膜を、さらに、スパッ
タリングにて膜厚０．３μｍの銅薄膜を形成して、導電
薄膜２２を形成した（図２（ａ）参照）。
【００２３】次に、導電薄膜２２上に感光性レジスト
（ＰＭＥＲ−Ｎ：東京応化工業（株）製：ＰＭＥＲ−
Ｎ）を塗布し、乾燥して膜厚５μｍの感光層２３を形成
した（図２（ｂ）参照）。
（ＰＭＥＲ−Ｎ：東京応化工業（株）製：ＰＭＥＲ−
Ｎ）を塗布し、乾燥して膜厚５μｍの感光層２３を形成
した（図２（ｂ）参照）。
【００２４】次に、４μｍから２０μｍまで２μｍ刻み
の線幅でパターンが描画されたフォトマスクを用いて感
光層２３を露光、現像処理を行ってレジストパターン２
３ａを形成した（図２（ｃ）参照）。
の線幅でパターンが描画されたフォトマスクを用いて感
光層２３を露光、現像処理を行ってレジストパターン２
３ａを形成した（図２（ｃ）参照）。
【００２５】次に、導電薄膜２２をめっき電極としてレ
ジストパターン２３ａをめっきマスクにして導電薄膜２
２上に電解銅めっきを行うことにより、レジストパター
ン２３ａとほぼ同じ厚さの４μｍの銅の導体層２４を形
成した（図２（ｄ）参照）。
ジストパターン２３ａをめっきマスクにして導電薄膜２
２上に電解銅めっきを行うことにより、レジストパター
ン２３ａとほぼ同じ厚さの４μｍの銅の導体層２４を形
成した（図２（ｄ）参照）。
【００２６】次に、レジストパターン２３ａを剥離液で
除去した（図２（ｅ）参照）。
除去した（図２（ｅ）参照）。
【００２７】最後に、レジストパターン２３ａが除去さ
れて露出している導体層２４間の導電薄膜２２の銅薄膜
を過硫酸アンモニウム２０％溶液を用いてエッチングし
て除去し、さらに、露出したクロム薄膜を濃塩酸により
エッチングして除去し、絶縁基板上に配線パターン２４
ａが形成された半導体装置用基板を得た（図２（ｆ）参
照）。
れて露出している導体層２４間の導電薄膜２２の銅薄膜
を過硫酸アンモニウム２０％溶液を用いてエッチングし
て除去し、さらに、露出したクロム薄膜を濃塩酸により
エッチングして除去し、絶縁基板上に配線パターン２４
ａが形成された半導体装置用基板を得た（図２（ｆ）参
照）。
【００２８】上記比較例で製造した半導体装置用基板を
顕微鏡で観察した結果、線幅１４μｍ以下の配線パター
ンはサイドエッチングにより剥離していた。
顕微鏡で観察した結果、線幅１４μｍ以下の配線パター
ンはサイドエッチングにより剥離していた。
【００２９】
【発明の効果】上記したように、本発明の半導体装置用
基板の製造方法によれば、簡易な工程で、高い精度を有
する配線パターンを有する半導体装置用基板を得ること
ができる。また、請求項２記載の発明によれば、前記導
電薄膜が、絶縁基板との間に形成された中間層を含むた
め、絶縁基板との密着に優れる配線パターンを有する半
導体装置用基板を得ることができる。また、配線パター
ンの主材料である銅が絶縁基板に拡散することもなく、
絶縁信頼性に優れる半導体装置用基板を得ることができ
る。さらに、請求項３及び請求項４記載の発明によれ
ば、絶縁基板が、フタル酸エステル骨格、アクリル酸エ
ステル骨格、ポリイミド骨格のうち、いずれか一種の骨
格を有する樹脂、もしくはシリコン酸化物からなるた
め、波長１００〜５００ｎｍの範囲の光に対して、８０
％以上の透過率を有しており、絶縁基板で露光光がさえ
ぎられることがなく、高い精度で感光層のパターニング
を行うことができる。従って、高い精度を有する配線パ
ターンを有する半導体装置用基板を得ることができる。
基板の製造方法によれば、簡易な工程で、高い精度を有
する配線パターンを有する半導体装置用基板を得ること
ができる。また、請求項２記載の発明によれば、前記導
電薄膜が、絶縁基板との間に形成された中間層を含むた
め、絶縁基板との密着に優れる配線パターンを有する半
導体装置用基板を得ることができる。また、配線パター
ンの主材料である銅が絶縁基板に拡散することもなく、
絶縁信頼性に優れる半導体装置用基板を得ることができ
る。さらに、請求項３及び請求項４記載の発明によれ
ば、絶縁基板が、フタル酸エステル骨格、アクリル酸エ
ステル骨格、ポリイミド骨格のうち、いずれか一種の骨
格を有する樹脂、もしくはシリコン酸化物からなるた
め、波長１００〜５００ｎｍの範囲の光に対して、８０
％以上の透過率を有しており、絶縁基板で露光光がさえ
ぎられることがなく、高い精度で感光層のパターニング
を行うことができる。従って、高い精度を有する配線パ
ターンを有する半導体装置用基板を得ることができる。
【図1】本発明の半導体装置用基板の製造方法の一実施
例を工程順に示す半導体装置用基板の構成部分断面図で
ある。
例を工程順に示す半導体装置用基板の構成部分断面図で
ある。
【図２】従来の半導体装置用基板の製造方法の一例を工
程順に示す半導体装置用基板の構成部分断面図である。
程順に示す半導体装置用基板の構成部分断面図である。
１１……絶縁基板 １２……導電薄膜 １２ａ……導電薄膜パターン １３……感光層 １３ａ……レジストパターン １４……配線パターン ２１……絶縁基板 ２２……導電薄膜 ２３……感光層 ２３ａ……レジストパターン ２４……導体層 ２４ａ……配線パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA26 BA01 CA05 CA20 EA16 HA27 5E343 AA02 AA12 AA22 AA34 BB16 BB24 BB38 BB71 CC35 CC62 DD25 DD43 DD76 ER12 ER18 GG08 GG11
Claims (4)
- 【請求項１】下記の少なくとも（ａ）〜（ｆ）の工程を
有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。 （ａ）光透過性を有する絶縁基板の一方の面側に、導電
薄膜を形成する工程。 （ｂ）前記導電薄膜上に感光性樹脂を塗布し感光層を形
成した後、露光、現像等の一連のパターニング処理を行
ってレジストパターンを形成し、前記導電薄膜をエッチ
ングして導電薄膜パターンを形成する工程。 （ｃ）前記光透過性を有する絶縁基板及び前記導電薄膜
パターン上に感光性樹脂を塗布し、感光層を形成する工
程。 （ｄ）前記光透過性を有する絶縁基板の他方の面側から
全面露光を行う工程。 （ｅ）前記感光層の現像処理を行い、前記導電薄膜パタ
ーン上の感光層を除去する工程。 （ｆ）前記導電薄膜パターン上にめっきにて所定厚の導
体層を形成し、配線パターンを形成する工程。 - 【請求項２】前記導電薄膜が、前記光透過性を有する絶
縁基板との間に形成された中間層を含むことを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法。 - 【請求項３】前記光透過性を有する絶縁基板が、波長１
００〜５００ｎｍの範囲内で、８０％以上の透過率を有
することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の
半導体装置用基板の製造方法。 - 【請求項４】前記光透過性を有する絶縁基板が、フタル
酸エステル骨格、アクリル酸エステル骨格、ポリイミド
骨格のうち、いずれか一種の骨格を有する樹脂、もしく
はシリコン酸化物からなることを特徴とする請求項1乃
至請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置用基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259705A JP2002076575A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 半導体装置用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000259705A JP2002076575A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 半導体装置用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002076575A true JP2002076575A (ja) | 2002-03-15 |
Family
ID=18747836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000259705A Pending JP2002076575A (ja) | 2000-08-29 | 2000-08-29 | 半導体装置用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002076575A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011044734A (ja) * | 2010-11-15 | 2011-03-03 | Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi | 回路板の製造方法 |
| JP2012214858A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Nikon Corp | パターン形成方法 |
| WO2016185908A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 住友化学株式会社 | 基材の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP2018501509A (ja) * | 2015-08-26 | 2018-01-18 | エルジー・ケム・リミテッド | オフセット印刷用クリシェの製造方法及びオフセット印刷用クリシェ |
| CN112242407A (zh) * | 2020-10-14 | 2021-01-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| WO2021171718A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | 富士フイルム株式会社 | 導電性パターンの製造方法、タッチセンサー、電磁波シールド、アンテナ、配線基板、導電性加熱素子、及び構造体 |
| WO2023210488A1 (ja) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 富士フイルム株式会社 | 導電性基板の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-29 JP JP2000259705A patent/JP2002076575A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2016185908A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2016-11-24 | 住友化学株式会社 | 基材の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JPWO2016185908A1 (ja) * | 2015-05-15 | 2018-03-01 | 住友化学株式会社 | 基材の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
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