JPH02197148A - 多層配線基板における配線形成方法 - Google Patents
多層配線基板における配線形成方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多層配線基板における配線形成方法、特に、セ
ラミック多層配線基板の、下層配線導体のヴィアホール
を通して接続する上層配線導体を形成する多層配線基板
における配線形成方法に関する。
ラミック多層配線基板の、下層配線導体のヴィアホール
を通して接続する上層配線導体を形成する多層配線基板
における配線形成方法に関する。
従来の多層配線基板における配線形成方法について図面
を参照して詳細に説明する。
を参照して詳細に説明する。
第２図＜ａ）〜（ｃ）は従来の多層配線基板における配
線形成方法の一例を示す断面図である。
線形成方法の一例を示す断面図である。
第２図（ａ）〜＜ｃ＞に示す多層配線基板における配線
形成方法は、所定の位置に下層配線導体との接続のため
のヴィアホールを有する絶縁膜上に金属薄膜を形成し、
その上にポジ型液状感光性レジストを塗布・乾燥した後
、上層配線部分を露光・現像することにより、レジスト
を除去して金属薄膜を露出させ、その露出した金属薄膜
部分に電解めっきにより上層配線導体を形成した後、残
ったレジストを剥離し、露出した金属薄膜をエツチング
により除去することとを含んで構成される。
形成方法は、所定の位置に下層配線導体との接続のため
のヴィアホールを有する絶縁膜上に金属薄膜を形成し、
その上にポジ型液状感光性レジストを塗布・乾燥した後
、上層配線部分を露光・現像することにより、レジスト
を除去して金属薄膜を露出させ、その露出した金属薄膜
部分に電解めっきにより上層配線導体を形成した後、残
ったレジストを剥離し、露出した金属薄膜をエツチング
により除去することとを含んで構成される。
第２図（ａ）は、感光性レジスト９を塗布した最、ヴィ
アホール部分１０と通常配線部分１１とに段差があるな
め、レジスト厚に差が生じた状況を示す、すなわち、ヴ
ィアホール部分１０のレジスト厚が、かなり厚くなる。
アホール部分１０と通常配線部分１１とに段差があるな
め、レジスト厚に差が生じた状況を示す、すなわち、ヴ
ィアホール部分１０のレジスト厚が、かなり厚くなる。
第２図（ｂ）は、感光性レジスト９を露光・現像してパ
ターンニングする際、ヴィアホール中にレジスト残渣１
２が生じやすく、このため電解めっきで配線導体１３を
形成する時に、レジスト残渣１２にめっきが形成されな
い。
ターンニングする際、ヴィアホール中にレジスト残渣１
２が生じやすく、このため電解めっきで配線導体１３を
形成する時に、レジスト残渣１２にめっきが形成されな
い。
第２図（ｃ）は、レジスト残渣１２のため、配線の段切
れ１４が生じた状態を示す。
れ１４が生じた状態を示す。
これを防ぐためには、充分に現像を行ってレジスト残渣
１２を完全に除去するよりないが、現像時間を長くする
。あるいは現像液の濃度を上げる等により、現像を強力
にする程、配線部分の未露光部のレジストも徐々に侵さ
れ、線幅が拡がる。
１２を完全に除去するよりないが、現像時間を長くする
。あるいは現像液の濃度を上げる等により、現像を強力
にする程、配線部分の未露光部のレジストも徐々に侵さ
れ、線幅が拡がる。
あるいはレジスト全体が厚さ方向に膜減りしてゆく。
上述した従来の多層配線基板における配線形成方法は、
レジスト残渣がなく、かつ所定の線幅。
レジスト残渣がなく、かつ所定の線幅。
レジスト厚で、パターンが現像される条件の幅が非常に
せまいので、プロセスの安定性に欠けるという欠点があ
った。
せまいので、プロセスの安定性に欠けるという欠点があ
った。
本発明の多層配線基板における配線形成方法は、有機膜
を絶縁層とする多層配線基板における配線形成方法にお
いて、 （Ａ）所定の位置に、下層配線導体との接続のためのヴ
ィアホールを有する絶縁膜上の全面に金属薄膜を形成す
る工程、 （Ｂ）前記金属薄膜の全面にネガ型液状感光性レジスト
を塗布・乾燥する工程、 （Ｃ）所定のマスクを通して露光・現像し、上層の配線
部分以外のレジストを除去する工程、（Ｄ）基板の全面
にポジ型液状感光性レジストを塗布・乾燥する工程、 （Ｅ）所定のマスクを通して露光・現像し、上層の配線
部分のレジストを除去する工程、 （Ｆ）所定の有機溶剤を用いて、上層配線部分の前記ネ
ガ型液状感光性レジストを除去して、金属薄膜を露出さ
せる工程、 （Ｇ）露出した金属薄膜上に、電解めっきにより、配線
導体を形成する工程、 （Ｈ）前記ポジ型液状感光性レジストを除去して、金属
薄膜を露出させる工程、 （Ｉ）露出した金属薄膜をエツチングして除去する工程
、 とを含んで構成される。
を絶縁層とする多層配線基板における配線形成方法にお
いて、 （Ａ）所定の位置に、下層配線導体との接続のためのヴ
ィアホールを有する絶縁膜上の全面に金属薄膜を形成す
る工程、 （Ｂ）前記金属薄膜の全面にネガ型液状感光性レジスト
を塗布・乾燥する工程、 （Ｃ）所定のマスクを通して露光・現像し、上層の配線
部分以外のレジストを除去する工程、（Ｄ）基板の全面
にポジ型液状感光性レジストを塗布・乾燥する工程、 （Ｅ）所定のマスクを通して露光・現像し、上層の配線
部分のレジストを除去する工程、 （Ｆ）所定の有機溶剤を用いて、上層配線部分の前記ネ
ガ型液状感光性レジストを除去して、金属薄膜を露出さ
せる工程、 （Ｇ）露出した金属薄膜上に、電解めっきにより、配線
導体を形成する工程、 （Ｈ）前記ポジ型液状感光性レジストを除去して、金属
薄膜を露出させる工程、 （Ｉ）露出した金属薄膜をエツチングして除去する工程
、 とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｉ）は本発明の一実施例を示す断面図
である。
である。
第１図（ａ＞に示すように、下層配線導体１および絶縁
膜３が形成された基板４上に金属薄膜５をスパッタリン
グ法で形成する。
膜３が形成された基板４上に金属薄膜５をスパッタリン
グ法で形成する。
金属薄膜５は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｃｕといった金属を
数種類組み合わせて形成し、各々の厚さは５００〜３０
００人程度である。
数種類組み合わせて形成し、各々の厚さは５００〜３０
００人程度である。
程度図（ｂ）に示すように、金属薄膜５上にネガ型液状
感光性レジスト６を塗布し、８０〜９０℃の温度で乾燥
させる。塗布方法としてはスピンコーティング法、ロー
ルコーティング法のいづれでもよい。
感光性レジスト６を塗布し、８０〜９０℃の温度で乾燥
させる。塗布方法としてはスピンコーティング法、ロー
ルコーティング法のいづれでもよい。
第１図（Ｃ）に示すように、図示省略したマスクを通し
て上層配線部分を露光し、１−１−１トリクロエタンあ
るいはパークロルエチェンといった有機溶剤系の現像液
で現像することにより、上層の配線部分を残して、他の
部分のレジストを除去する。
て上層配線部分を露光し、１−１−１トリクロエタンあ
るいはパークロルエチェンといった有機溶剤系の現像液
で現像することにより、上層の配線部分を残して、他の
部分のレジストを除去する。
第１図（ｄ）に示すように、基板４全面にポジ型液状感
光性レジストアを塗布し、８０〜９０℃の温度で乾燥さ
せる。塗布方法としてはスピンコーティング法、ロール
コーティング法のいづれでもよい。
光性レジストアを塗布し、８０〜９０℃の温度で乾燥さ
せる。塗布方法としてはスピンコーティング法、ロール
コーティング法のいづれでもよい。
第１図（ｅ）に示すように、前述のマスクを通して上層
配線部分を露光し、アルカリ系の現像液で現像する。ポ
ジ型液状感光性レジストアは光可溶性なので、上層配線
以外の部分は溶解せず、上層配線部分が除去される。
配線部分を露光し、アルカリ系の現像液で現像する。ポ
ジ型液状感光性レジストアは光可溶性なので、上層配線
以外の部分は溶解せず、上層配線部分が除去される。
このとき、ネガ型液状感光性レジスト６は光硬化してい
るので除去されない。
るので除去されない。
第１図（ｆ）に示すように、ネガ型液状感光性レジスト
６を塩化メチレン等の溶剤を用いて剥離する。ポジ型液
状感光性レジスト７は、この剥離液で除去されないので
、ネガ型液状感光性レジスト６のレジスト残渣が残らな
いように充分に剥離して６、上層配線が太くなることは
なく、またポジ型液状感光性レジスト７のレジスト残渣
が残っていたとしても、ネガ型液状感光性レジスト６の
除去とともにリフトオフされる。
６を塩化メチレン等の溶剤を用いて剥離する。ポジ型液
状感光性レジスト７は、この剥離液で除去されないので
、ネガ型液状感光性レジスト６のレジスト残渣が残らな
いように充分に剥離して６、上層配線が太くなることは
なく、またポジ型液状感光性レジスト７のレジスト残渣
が残っていたとしても、ネガ型液状感光性レジスト６の
除去とともにリフトオフされる。
第１図（ｇ）に示すように、電解めっき法により、露出
した金属薄膜部分すなわち上層配線部分に上層配線導体
８を形成する。配線導体としてはＡｕ、Ｃｕ、ＡＩとい
った金属が一般的である。
した金属薄膜部分すなわち上層配線部分に上層配線導体
８を形成する。配線導体としてはＡｕ、Ｃｕ、ＡＩとい
った金属が一般的である。
レジスト残渣がないように充分な剥離が行なわれている
ので、上層配線導体８は段切れを起すことなく形成でき
る。
ので、上層配線導体８は段切れを起すことなく形成でき
る。
第１図（ｈ）に示すように、ポジ型液状感光性レジスト
７をメチル−２−ブタン等の有機溶剤を用いて剥離する
。
７をメチル−２−ブタン等の有機溶剤を用いて剥離する
。
第１図（ｉ）に示すように、露出した金属薄膜５をエツ
チングにより除去する。これは、塩化第２鉄溶液等を用
いたウェットエツチング法でも、イオンビームを用いた
ドライエツチング法のいづれでも良い。
チングにより除去する。これは、塩化第２鉄溶液等を用
いたウェットエツチング法でも、イオンビームを用いた
ドライエツチング法のいづれでも良い。
以上により、上層配線導体８がヴィアホール部分にて段
切れをおこすことなく形成される。
切れをおこすことなく形成される。
本発明の多層配線基板における配線形成方法は、上層配
線部分をネガ型液状感光性レジストで覆い、その他の部
分をポジ型液状感光性レジストで覆った後、ネガ型液状
感光性レジストをレジスト残渣のないように充分に剥離
し、この後配線導体を形成するという方法を取ることに
より、上層配線をヴィアホール部にて段切れをおこすこ
となく形成できるという効果がある。
線部分をネガ型液状感光性レジストで覆い、その他の部
分をポジ型液状感光性レジストで覆った後、ネガ型液状
感光性レジストをレジスト残渣のないように充分に剥離
し、この後配線導体を形成するという方法を取ることに
より、上層配線をヴィアホール部にて段切れをおこすこ
となく形成できるという効果がある。
・・・ネガ型液状感光性レジスト、７・・・・・・ポジ
型液状感光性レジスト、８・・・・・・上層配線導体。
型液状感光性レジスト、８・・・・・・上層配線導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 有機膜を絶縁層とする多層配線基板における配線形成方
法において、 （Ａ）所定の位置に、下層配線導体との接続のためのヴ
ィアホールを有する絶縁膜上の全面に金属薄膜を形成す
る工程、 （Ｂ）前記金属薄膜の全面にネガ型液状感光性レジスト
を塗布・乾燥する工程、 （Ｃ）所定のマスクを通して露光・現像し、上層の配線
部分以外のレジストを除去する工程、 （Ｄ）基板の全面にポジ型液状感光性レジストを塗布・
乾燥する工程、 （Ｅ）所定のマスクを通して露光・現像し、上層の配線
部分のレジストを除去する工程、 （Ｆ）所定の有機溶剤を用いて、上層配線部分の前記ネ
ガ型液状感光性レジストを除去して、金属薄膜を露出さ
せる工程、 （Ｇ）露出した金属薄膜上に、電解めっきにより、配線
導体を形成する工程、 （Ｈ）前記ポジ型液状感光性レジストを除去して、金属
薄膜を露出させる工程、 （Ｉ）露出した金属薄膜をエッチングして除去する工程
、 とを含むことを特徴とする多層配線基板における配線形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1900589A JPH02197148A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 多層配線基板における配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1900589A JPH02197148A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 多層配線基板における配線形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02197148A true JPH02197148A (ja) | 1990-08-03 |
Family
ID=11987401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1900589A Pending JPH02197148A (ja) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | 多層配線基板における配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02197148A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023224A (en) * | 1989-08-31 | 1991-06-11 | Shell Oil Company | Alkoxylation process catalyzed by lanthanum silicates and metasilicates |
| EP0952762A1 (en) * | 1996-12-19 | 1999-10-27 | Ibiden Co, Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1900589A patent/JPH02197148A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5023224A (en) * | 1989-08-31 | 1991-06-11 | Shell Oil Company | Alkoxylation process catalyzed by lanthanum silicates and metasilicates |
| EP0952762A1 (en) * | 1996-12-19 | 1999-10-27 | Ibiden Co, Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| EP0952762A4 (en) * | 1996-12-19 | 2005-08-31 | Ibiden Co Ltd | PRINTED CIRCUIT BOARD AND MANUFACTURING METHOD |
| US7361849B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-04-22 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7371976B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-05-13 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7385146B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-06-10 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7388159B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-06-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7449791B2 (en) | 1996-12-19 | 2008-11-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit boards and method of producing the same |
| US7585541B2 (en) | 1996-12-19 | 2009-09-08 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7615162B2 (en) | 1996-12-19 | 2009-11-10 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US7712212B2 (en) | 1996-12-19 | 2010-05-11 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
| USRE43509E1 (en) | 1996-12-19 | 2012-07-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for manufacturing the same |
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