KR100432794B1 - 배선 패턴을 형성하는 공정 - Google Patents

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Abstract

해상한계 이하인 선폭의 패턴을 갖는 사진 마스크(photomask)를 통해서 감광제(resist)를 노광하는 단계; 및 상기 노광한 감광제를 현상함으로써 감광제 패턴의 뒷면에 닿지 않는 요부(凹部)를 표면에 갖는 감광제 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 배선 패턴의 형성공정. 감광제는 양성(positive) 감광제일 수 있고, 이 경우 감광제 패턴을 하부도금 급전막(underplate feed film)의 위에 형성하고; 감광제 패턴에 의해 덮히지 않는 부분에서 도금금속을 상기 급전막의 위에 석출시키며; 석출 후에 감광제 패턴을 떼어내고; 또한 도금금속으로 덮히지 않는 급전막의 부분을 선택적으로 제거한다. 한편, 감광제는 음성(negative) 감광제일 수 있으며, 이 경우에 감광제 패턴을 기판의 위에 형성하고; 금속재료를 감광제 패턴과 기판의 위에 증착하며; 또한 감광제를 기판으로부터 떼어내 위에 덮은 금속재료를 제거한다.

Description

배선 패턴을 형성하는 공정 { Process for the formation of wiring pattern}
본 발명은 감광제(resist) 패턴, 이를 형성하는 공정, 및 배선(wiring) 패턴의 형성공정에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 형상, 칫수, 정밀도 및 다른 특성들이 안정된 감광제 패턴의 형성기술에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 도금(plating) 또는 리프트-오프(lift-off) 공정에 의한 정밀 배선 패턴을 형성하는 공정에 관한 것이다. 상기 감광제 패턴, 상기 감광제 패턴을 형성하는 공정, 및 배선 패턴을 형성하는 공정은 미세한 패턴 형성을 필요로 하는 반도체 소자의 제조공정 또는 전자부품의 제조공정에 적절히 이용될 수 있다.
1㎛를 넘는 두께를 갖는 두꺼운 미세 배선의 형성공정으로서, 도 9의 (a) ~ (b)에 나타낸 것과 같은 반-부가(도금)공정, 및 도 10의 (a) ~ (f)에 나타낸 것과 같은 리프트-오프 공정등이 언급될 수 있다.
우선, 반-부가공정(semi-additive process)을 설명한다. 이 공정에 따르면, 금속재료로 이루어진 급전막(feed film) 32 [또는 도금 베이스(plating base)]를 기판 31의 위에 형성하고 [도 9(a)], 양성(positive) 감광제 33을 급전막 32의 위에 도포한다[도 9(b)]. 다음에, 사진 마스크 34의 구멍 34a를 통하여 감광제 33을 자외선에 노광(exposure)시키고[도 9(c)], 현상한다[도 9(d)]. 감광제 33 중에서 자외선에 노광된 부분은 가용성이 되고, 현상에 의해 용해되어 단면이 직사각형인 감광제 패턴 35가 얻어진다.
상기 단계 후에, 급전막 32에 전압을 인가하여 전해도금을 실시하면, 도금금속은 감광제 패턴 35에서 노출되어 있는 급전막 32의 위에 석출되어[도 9(e)], 도금된 막 36이 형성된다. 도금이 끝난 후, 감광제 패턴 35를 떼어내고[도 9(f)], 도금된 막 36으로 덮히지 않는 부분의 급전막 32를 에칭으로 제거하여, 기판 31의 위에 원하는 배선 패턴을 형성한다[도 9(g)].
다음, 리프트-오프 공정을 설명한다. 이 공정에 따르면, 음성 감광제 42를 도 10(a)에 나타낸 기판 41의 표면에 도포하고[도 10(b)], 사진 마스크 43의 개구 43a를 통하여 감광제 42를 자외선에 노광시킨 다음[도 10(c)], 현상한다[도 10(d)]. 감광제 42 중에서 자외선에 노광된 부분은 불용성이 되므로 현상 후에도 남아서, 단면의 형상이 밑으로 갈수록 가늘어지는 감광제 패턴 44가 얻어진다.
다음, 감광제 패턴 44의 위에서부터 기판 41의 전면에 전극재료 45를 증착하고[도 10(e)], 감광제 패턴 44 및 이 감광제 패턴 44 위에 증착된 전극재료 45를 떼어내면, 기판 41의 위에 원하는 배선 패턴 46이 얻어진다[도 10(f)].
상기 설명에서 명확한 것처럼, 반-부가공정과 리프트-오프 공정은 모두, 이들의 작용에서 알 수 있듯이, 원하는 배선의 두께보다 두꺼운 감광제 패턴의 형성을 필요로 하기 때문에, 비교적 두꺼운 감광제 패턴의 형성을 필요로 한다. 또한, 반-부가공정에 의해 형성된 감광제 패턴은 단면이 직사각형이어야만 하고, 리프트-오프 공정에 의해 형성된 감광제 패턴은 단면의 형상이 밑으로 갈수록 가늘어져야만 한다.
또한, 반-부가공정 및 리프트-오프 공정은 모두 감광제 패턴의 형성 후에 배선 재료의 막을 형성하여 배선 패턴을 얻는다. 따라서, 배선 패턴의 칫수, 형상 및 정밀도는 감광제 패턴의 칫수, 형상 및 정밀도를 반영한다. 결과적으로, 원하는 칫수, 형상 및 정밀도를 충분히 갖는 미세 배선 패턴을 형성하기 위해서는, 배선 재료로 이루어진 막의 형성이 끝날 때까지 배선 패턴의 형상을 유지하는 것이 중요하다.
그러나, 감광제 패턴을 형성하는 종래의 공정에 따르면, 예를 들어 형성되는 감광제 막의 두께가 증가하는 경우 다음의 결과가 발생한다.
(1) 감광제가 사진평판(photolithography) 단계에서 구워질 때의 기체방출 (degassing)로 인한 감광제 패턴의 부피수축,
(2) 배선 재료로 이루어진 막의 형성시, 온도가 올라가면서 방출되는 기체와 배선 재료 중에서 날아다니는 입자와의 충돌에 의해 생기는, 배선 재료로 이루어진 막의 결합, 및
(3) 배선 재료의 응력.
상기 결과들로 인하여 감광제는 처지거나(sag) 변형되고 감광제의 이상적인 형상을 유지할 수 없으므로, 결과적으로 배선 재료로 이루어진 막이 형성될 때 원하는 미세 배선 패턴을 얻을 수 없게 된다.
본 발명은 상기 기술적 문제를 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 열 또는 응력으로 인한 배선 패턴의 변형을 줄이면서 원하는 칫수, 형상 및 정밀도를 갖는 미세 배선 패턴을 얻을 수 있는 배선 패턴의 형성공정을 제공하는 것이다.
도 1의 (a) ~ (f)는 본 발명의 한 실시예에 따른 배선패턴의 형성공정을 나타내는 단면도이다.
도 2는 상기 공정에 이용되는 사진 마스크(photomask)를 나타내는 도면이다.
도 3의 (a) ~ (g)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배선 패턴의 형성공정을 나타내는 단면도이다.
도 4는 상기 공정에 이용되는 사진 마스크를 나타내는 도면이다.
도 5(a)는 사진 마스크의 일례를 나타내는 평면도이고, 5(b)는 이 사진 마스크를 이용한 노광 및 현상에 의해 얻어진 감광제 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 6(a)는 사진 마스크의 다른 예를 나타내는 평면도이고, 6(b)는 이 사진 마스크를 이용한 노광 및 현상에 의해 얻어진 감광제 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 7(a)는 사진 마스크의 또다른 예를 나타내는 평면도이고, 7(b)는 이 사진 마스크를 이용한 노광 및 현상에 의해 얻어진 감광제 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 8(a)는 사진 마스크의 또다른 예를 나타내는 평면도이고, 8(b)는 이 사진 마스크를 이용한 노광 및 현상에 의해 얻어진 감광제 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 9의 (a) ~ (g)는 반-부가공정에 의한 배선 패턴의 형성공정을 나타내는 단면도이다.
도 10의 (a) ~ (f)는 리프트-오프에 의한 배선 패턴의 형성공정을 나타내는 단면도이다.
본 발명에 따른 감광제 패턴은 표면에 형성된 복수개의 요부(凹部)를 포함하는데, 이 요부는 감광제 패턴의 뒷면에 닿지 않는다.
상기 감광제 패턴은 패턴을 관통하지 않고 감광제 패턴의 뒷면에 닿지 않으며 표면에 형성된 복수개의 요부를 가지므로, 감광제 패턴의 부피는 통상보다 작아져서 표면적이 더 커진다. 위에서 설명한 것처럼 감광제 패턴의 위에 요부를 형성하여 감광제 패턴의 부피가 감소하여 감광제 패턴을 구울 경우의 방출 기체 부피가 감소하므로, 감광제 패턴의 부피 수축은 감소된다. 또한, 감광제 패턴의 단면을 빗 모양이 되도록 함으로써, 배선 패턴으로부터 인가된 응력이 감소될 수 있고, 따라서 감광제 패턴 안의 응력으로 인한 변형이 완화될 수 있다.
또한, 감광제 패턴의 표면적이 증가하기 때문에, 감광제 패턴이 구워질 때 기체가 감광제 패턴으로부터 충분히 방출될 수 있다. 따라서, 막 형성 단계에서 방출되는 기체의 부피가 감소되어, 감광제 패턴으로부터 방출되는 기체 입자로 인한 배선 재료의 날아다니는 입자의 분산을 피할 수 있고, 기판 위에서의 막의 부착성도 보장된다. 결과적으로, 예를 들면 감광제 패턴의 부피수축으로 인한 감광제 패턴의 변형이 억제될 수 있고, 또한 배선 재료로 이루어진 막을 형성하는 단계가 감광제 패턴으로부터의 기체 방출에 의해 방해받지 않게 되어, 정밀하고 만족스런 배선 패턴을 형성하게 된다. 여기서, 요부는 감광제 패턴의 뒷면에 닿지 않으므로, 이 요부는 배선 패턴의 패턴 형상에 영향을 미치지 않는다.
특히, 2㎛ 이상의 두께를 갖는 두꺼운 감광제는 종종 부피수축 및/또는 변형이 일으키므로, 2㎛ 이상의 두께를 갖는 감광제에 상기 구조를 적용함으로써 현저한 이점을 얻는다.
본 발명에 따른 감광제 패턴의 형성공정은 해상한계 이하인 선폭의 패턴을 갖는 사진 마스크를 통해서 감광제를 노광하고 또한 이 노광된 감광제를 현상함으로써 감광제 패턴의 뒷면에 닿지 않는 요부를 표면에 갖는 감광제 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
감광제 패턴을 형성하는 상기 공정에 따르면, 종래와 같이 해상한계 이하인 선폭의 패턴을 갖는 사진 마스크의 이용만으로 감광제 패턴의 표면에 감광제 패턴의 뒷면까지는 닿지 않는 요부를 형성할 수 있다. 결과적으로, 종래의 노광 장치를 그대로 이용할 수 있고, 감광제 패턴은 쉽고 값싸게 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 배선 패턴(metalization)의 형성공정은 감광제를 하부도금 급전막에 도포하는 단계, 해상한계 이하인 선폭의 패턴을 갖는 사진 마스크를 통하여 감광제를 노광하는 단계, 노광된 막을 현상하여 감광제 패턴의 표면에 감광제 패턴의 뒷면까지는 닿지 않는 요부를 형성하는 단계, 감광제 패턴으로 덮히지 않는 부분에서 도금금속을 급전막 위에 석출시키는 단계, 석출 후에 감광제 패턴을 떼어내는 단계, 또한 도금금속으로 덮히지 않는 급전막의 부분을 선택적으로 제거하는단계를 포함한다.
상기 공정은 이른바 반-부가공정에 따른 배선 패턴의 형성공정이다. 위에서 설명한 공정을 배선 패턴 형성공정에 적용함으로써, 감광제 패턴의 부피를 줄일 수 있고 감광제 패턴의 표면적을 늘릴 수 있게 되어, 구울 때 감광제 패턴의 부피수축을 감소시켜 감광제 패턴의 원하는 형상을 얻는다. 결과적으로, 원하는 미세 배선 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따른 배선의 형성공정은 기판에 감광제를 도포하는 단계, 해상한계 이하인 선폭의 패턴을 갖는 사진 마스크를 통하여 감광제를 노광하는 단계, 노광된 감광제를 현상하여 감광제 패턴의 표면에 감광제 패턴의 뒷면까지는 닿지 않는 요부를 형성하는 단계, 감광제 패턴의 위 및 기판의 위에 금속재료를 증착하는 단계, 또한 기판으로부터 감광제를 떼어내어 감광제 위의 금속재료를 제거하는 단계를 포함한다.
상기 공정은 이른바 리프트-오프 공정에 따른 배선 패턴의 형성공정이다. 위에서 설명한 공정이 배선 패턴 형성공정에 적용될 경우, 감광제 패턴의 부피는 보통보다 작아지고 감광제 패턴의 표면적은 보통보다 커지므로 금속재료의 증착시 온도상승에 수반되는 방출 기체의 부피는 감소될 수 있고, 또한 감광제 패턴의 부피수축 및/또는 변형은 상당히 억제된다. 또한, 감광제 패턴의 표면에 요부와 철부(凸部)를 형성함으로써, 금속재료의 응력 방향을 분산할 수 있으며, 감광제 패턴의 단부에 인가되는 응력도 현저하게 줄어든다. 이러한 효과 때문에, 금속재료의 막 형성으로 인한 감광제 패턴의 변형은 방지될 수 있다. 또한, 감광제 패턴의 형상은막 형성 후에도 유지되며, 리프트-오프에 의해 원하는 배선 패턴을 형성할 수 있고, 또한 원하는 대로 형상, 칫수, 정밀도 등이 정확한 감광제 패턴을 얻을 수 있다.
본 발명을 설명하기 위하여, 바람직한 몇 개의 형태를 도면에 나타내었으며, 본 발명은 나타낸 정밀한 배치 및 장치만으로 한정되는 것이 아님을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 다른 특성과 장점은 첨부된 도면을 참조한 다음의 설명으로부터 명확해질 것이다.
[바람직한 실시예들]
다음은, 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 자세히 설명한다.
[제 1 실시예]
도 1의 (a) ~ (f)를 참조하여, 감광성(photosensitive)의 화학증폭형 (chemically sensitized) 음성 감광제 2를 도 1(a)에 나타낸 것과 같은 유리기판 1의 위에 5㎛의 두께로 회전도포하고, 도포된 감광제를 90℃의 열판 위에서 90초간 구웠다(prebaking) [도 1(b)].
기판 1의 위에 형성된 감광제 2를 사진 마스크 3을 이용하여 자외선(i-선)노광하였다[도 1(c)]. 이 과정에서, 노광량은 보통보다 많도록 설정하였다. 여기서 이용된 사진 마스크는 아래 설명하는 요부 5를 형성하기 위하여 차광 패턴 (masking pattern) 3a 및 차광 패턴 3b를 갖는다. 차광 패턴 3a는 감광제가 제거된부분에 형성되고 해상한계 이상인 선폭(5 ~ 200㎛)을 갖는다. 차광 패턴 3b는 도 2에 나타낸 것처럼 해상한계 이하인 선폭(1.5㎛)을 갖는다(도 2에서, 사진 마스크의 차광 패턴 3a, 3b의 부분은 사선으로 표시). 노광에는 5:1 축소 투영 노광장치 (reduction projection aligner; step-and-repeat system)를 이용하였고, 노광량은 80 mJ/cm2으로 설정하였다.
상기 기판 1에 대하여 110℃의 열판 위에서의 노광후 굽기(PEB; Post Exposure Bake)를 60초 동안 실시하고, 알칼리 현상액에서 현상한 뒤, 물로 세척하고, N2블로우로 건조하여, 기판 1 위에 감광제 패턴 4를 얻었다[도 1(d)]. 이 단계에서, 기판 1 위의 감광제 패턴 4는, 감광제 2가 완전히 용해된 부분 4a(차광 패턴 3a에 대응), 감광제 2가 용해되지 않은 부분 4b(사진 마스크 3의 투광부 3c에 대응), 및 감광제 2가 부분적으로 용해된 부분 4c(차광 패턴 3b에 대응) 등의 3종류의 부분을 포함한다.
감광제 2가 완전히 용해되어 제거된 부분 4a는 사진 마스크의 차광 패턴 3a에 의해 자외선이 완전히 차단된 부분인데, 차광 패턴 3a는 해상한계 이상의 선폭을 가진다. 감광제 2가 용해되지 않은 부분 4b는 사진 마스크 3의 투광부 3c를 통해서 노광된 부분이다. 감광제 2가 일부만 용해된 부분 4c는, 해상한계 이하인 선폭을 갖는 차광 패턴 3b에 의해 자외선이 차단된 부분이고, 빗 모양으로 형성됨과 함께 기판 1에 닿지 않는 깊이를 갖는 좁은 요부 5를 포함하며, 주름진 형상의 표면을 갖는다. 또한, 감광제 패턴 4의 단면은 위에서 밑으로 갈수록 가늘어지는 형상이다.
다음, 상층인 Cu와 하층인 Ti로 이루어진 Ti/Cu 막 6을 기상 증착법으로 기판 1의 위에 형성하고[도 1(e)], 기판 1을 아세톤에 침지한 뒤, 감광제 4 및 그 위에 형성된 Ti/Cu 막 6을 리프트-오프에 의해 떼어내어 원하는 미세 배선 패턴 7[도 1(f)]을 얻는다. 상기 기판은 증착하는 동안에 가열하지 않으며, 막의 두께는 Ti = 50nm 및 Cu = 4㎛로 설정하였다.
본 실시예와 같이, 해상한계 이하인 선폭을 갖는 차광 패턴 3b를 노광하는 부분에 형성하고 또한 자외선을 기판에 조사하여 감광제의 일부를 용해시켜 상기 노광된 부분의 단면을 빗 모양이 되도록 하면, 감광제 패턴 4의 부피는 보통보다 작을 수 있다. 따라서, Ti/Cu 막을 형성할 때 온도가 올라가면서 감광제 패턴 4로부터 방출되는 기체의 부피는 줄어들 수 있다. 결과적으로, 기체방출로 인한 감광제 패턴 4의 변형과 부피수축은 상당히 억제될 수 있다.
또한, Ti/Cu 막을 형성할 때 방출되는 기체의 부피를 줄임으로써, Cu 와 Ti를 포함하는 막 형성 입자가 상기 기체입자와 충돌하는 것을 방지할 수 있으므로, 손상없는 증착이 가능하다. 따라서, 높은 정밀도를 갖는 배선 패턴을 얻을 수 있다.
또한, 감광제 패턴 4의 단면을 빗 모양으로 함으로써, Ti/Cu 막의 응력(모멘트)은 감소되고, 감광제 패턴 4의 단부에 인가되는 응력이 실질적으로 감소된다. 이러한 효과로 인해, Ti/Cu 막의 형성에 의한 감광제 패턴 4의 변형은 방지될 수 있다. 또한, 감광제 패턴의 형상은 막 형성 후에도 유지될 수 있고, 원하는 배선패턴이 리프트-오프에 의해 형성될 수 있으며, 또한 예를 들어 원하는 형상, 칫수 및 정밀도를 갖는 감광제 패턴 4가 형성될 수 있다.
본 실시예에서 이용되는 감광제는 화학증폭형 음성 감광제로만 제한되지 않고, 리프트-오프가 가능한 형상을 형성할 수 있는 어떤 종류의 감광제도 이용될 수 있다. 또한, 노광방식은 축소투영 노광으로 제한되지 않으며, 원하는 해상도를 얻을 수 있는 어떤 종류의 노광방식도 같은 효과를 얻기 위해 이용될 수 있다. 또한, 막 형성공정은 기상증착 공정으로 제한되지 않고, 리프트-오프가 실시될 수 있는 어떤 기술도 이용된다. 기판 재료와 배선 재료는 위에서 설명한 재료들로 제한되지 않고 다른 재료들도 이용될 수 있다.
[제 2 실시예]
도 3의 (a) ~ (g)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배선 패턴의 형성공정을 나타내는 단면도이다. 본 실시예에서, 미세 배선은 도금 공정(반-부가공정)으로 형성한다. 우선, 도 3(a)에 나타낸 것처럼, Au 상층(두께 200nm)과 Ti 하층(두께 50nm)로 이루어진 하부도금 급전막(underplate feed film, Ti/Au 막) 12를 사파이어 기판 11의 위에 형성하고; 급전막 12의 위에, 양성 감광제(photosensitive positive resist) 13을 7㎛의 두께로 회전도포한 뒤, 도포된 감광제를 100℃의 열판 위에서 90초간 구웠다[도 3(b)].
다음, 기판 11의 위에 형성된 양성 감광제 13을 사진 마스크 14를 이용하여 노광하였다[도 3(c)]. 이 단계에서, 노광량은 대략 보통이거나 보통보다 조금 적게 설정해야 한다. 도 4에 나타낸 것처럼, 이 단계에서 이용된 사진 마스크 14는투광(transmission) 패턴 14a 및 투광 패턴 14b를 포함한다(도 4에서, 사진 마스크에서 차광 패턴 14c의 부분은 사선으로 표시). 투광 패턴 14a는 감광제 13이 제거되는 부분에 형성되고 해상한계 이상의 선폭(10 ~ 400㎛)을 가지며, 투광 패턴 14b는 해상한계 이하의 선폭(1㎛)을 갖는다. 노광은 1:1 투영 노광장치(mirror projection system)을 이용하였고, 노광량은 230 mJ/cm2으로 설정하였다.
상기 기판을 알칼리 현상액으로 현상하여 감광제 13의 노광된 부분을 용해시키고 제거해서, 감광제 패턴 15를 형성하였다[도 3(d)]. 다음, 기판 11을 물로 세척하고 N2블로우로 건조하였다. 해상한계 이하인 선폭을 갖는 투광 패턴 14b를 통해 노광된 감광제의 부분이 불충분하게 용해되었기 때문에, 도 3(d)에 나타낸 것처럼 감광제 패턴 15는 이 단계에서 표면에 형성된 주름진 형상의 요철(또는 홈) 15a를 갖는다.
다음, 기판 11을 120℃의 열판 위에서 10분간 구운 후, 전해도금에 의해 두께 5㎛인 Au 막을 석출시켜 Au 도금막 16을 형성하였다[도 3(e)]. 그 다음에, 기판 11을 유기용매에 담궈서 감광제 패턴 15를 떼어내고[도 3(f)], 도금막 16으로 덮히지 않은 급전막 12의 부분을 이온-밀링(ion-milling)으로 에칭제거하여 원하는 미세 배선 패턴 17을 얻었다[도 3(g)].
본 실시예와 같이, 해상한계 이하인 선폭을 갖는 투광 패턴 14b는 노광되지 않는 부분에도 형성되고, 그 위에 자외선을 조사하여 감광제를 부분적으로 용해시켜 노광되지 않는 부분의 표면이 주름진 형상이 되도록 하면, 감광제 패턴 15의 부피를 줄일 수 있고 표면적은 증가될 수 있다. 따라서, 구울 때 감광제 패턴 15의 부피수축은 감소될 수 있고 배선 패턴의 막 형성시 방출되는 기체의 부피도 감소될 수 있다. 결과적으로, 감광제 패턴의 원하는 형상을 얻을 수 있게 되므로, 높은 정밀도를 갖는 미세 배선 패턴 17을 얻는다.
또한, 본 실시예에서, 이용되는 감광제는 양성 감광제로 제한되지 않고 원하는 형상의 도금막을 형성할 수 있는 어떤 종류의 감광제도 포함하며; 또한, 노광방식도 1:1 투영 노광으로 제한되지 않고, 원하는 해상도를 얻을 수 있는 어떤 종류의 노광방식도 같은 효과를 얻기 위해 이용될 수 있다. 또한, 막 형성공정은 전해도금 공정으로 제한되지 않고, 무전해도금 공정도 포함한다. 기판 재료와 배선 재료는 위에서 설명한 재료들로 제한되지 않으며, 도금 공정에 이용될 수 있는 어떤 종류의 재료도 사용될 수 있다.
[마스크 패턴]
마스크의 위에 형성되고 해상한계 이하인 광폭(light width)을 갖는 차광 패턴 또는 투광 패턴은 어떤 형상이라도 바람직하다. 도 5(a), (b) 내지 도 8(a), (b)는 각각 사진 마스크 위에 형성되고 해상한계 이하인 선폭을 갖는 투광 패턴을 나타내며, 또한 사진 마스크를 이용하여 형성한 감광제 패턴의 단면을 나타낸다. 즉, 도 5(a), 5(b)는 직선형 투광 패턴 21a를 갖는 사진 마스크 21을 이용한 노광 및 현상을 통해 얻어진 감광제 패턴 22의 단면을 나타내는데, 투광 패턴 21a는 해상한계 이하인 선폭을 갖는다. 도 6(a), 6(b)는 해상한계 이하인 선폭을 갖는 격자형(lattice-type) 패턴 23a를 이용한 노광 및 현상을 통해 얻어진 감광제 패턴 24의 단면을 나타낸다. 도 7(a), 7(b)는 점(dot) 패턴 25a를 갖는 사진 마스크 25를 이용한 노광 및 현상을 통해 얻어진 감광제 패턴 26을 나타내는데, 점 패턴 25a는 해상한계 이하인 선폭을 갖는다. 도 8(a), 8(b)는 동심원 패턴 27a를 갖는 사진 마스크 27을 이용한 노광 및 현상을 통해 얻어진 감광제 패턴 28을 나타내는데, 감광제 패턴 27a는 선폭이 해상한계 이하이다. 또한, 패턴은 선폭이 해상한계 이하인 곡선형, 다각형, 타원형 또는 그 외의 형상일 수 있다. 또한 패턴은 상기 형상들이 조합된 형상일 수도 있다.
본 발명에 따르면, 열 또는 응력으로 인한 배선 패턴의 변형을 줄이면서 원하는 칫수, 형상 및 정밀도를 갖는 미세 배선 패턴을 얻을 수 있는 배선 패턴을 얻을 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 설명하였지만, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 다양한 형태들이 첨부된 특허청구범위 내에서 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 의해서 제한되지 않는다.

Claims (12)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 감광제를 하부도금 급전막의 위에 도포하는 단계;
    선폭이 빛의 해상한계 이하인 패턴을 갖는 사진 마스크를 통해 상기 감광제를 상기 빛에 노광하는 단계;
    상기 노광된 감광제를 현상해서 표면과 뒷면을 갖는 감광제 패턴을 형성시켜, 상기 감광제 패턴은 그 표면 위에 요부를 갖게 되고, 상기 요부는 상기 감광제패턴의 상기 뒷면에 닿지 않게 하는 단계;
    상기 감광제 패턴에 의해 피복되지 않는 급전막의 부분의 위에 도금금속을 석출시키는 단계;
    상기 석출 후에 상기 감광제 패턴을 떼어내는 단계; 및
    상기 도금금속에 의해 피복되지 않는 급전막의 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 감광제는 양성 감광제인 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 감광제를 하부도금 급전막의 위에 도포하는 단계;
    선폭이 빛의 해상한계보다 작은 제1패턴과 선폭이 빛의 해상한계와 같거나 큰 제2패턴을 갖는 사진 마스크를 통하여, 상기 제2패턴을 완전히 노출하도록 상기 감광제를 상기 빛에 노광하는 단계;
    상기 제2패턴을 갖는 감광제 패턴과 상기 제1패턴에 대응하고 상기 하부도금 급전막의 표면에 닿지 않도록 상기 감광제 패턴의 표면에 제공되는 다수의 요부들을 상기 하부도금 급전막 위에 형성하기 위해 상기 노광된 감광제를 현상하는 단계;
    상기 감광제 패턴에 의해 피복되지 않는 급전막의 부분의 위에 도금금속을 석출시키는 단계;
    상기 석출 후에 상기 감광제 패턴을 떼어내는 단계; 및
    상기 도금금속에 의해 피복되지 않는 급전막의 부분을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 감광제는 양성 감광제인 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
  10. 감광제를 기판 위에 도포하는 단계;
    선폭이 빛의 해상한계와 같거나 큰 감광제가 남도록 영역을 정의하는 제1패턴과 상기 제1패턴 내에 제공되고 선폭이 빛의 해상한계보다 작은 제2패턴을 갖는 사진 마스크를 통하여, 상기 제2패턴을 완전히 노출하도록 상기 감광제를 상기 빛에 노광하는 단계;
    상기 제1패턴을 갖는 감광제 패턴과 상기 제2패턴에 대응하고 상기 기판의 표면에 닿지 않도록 상기 감광제 패턴의 표면에 제공되는 다수의 요부들을 상기 기판 위에 형성하기 위해 상기 노광된 감광제를 현상하는 단계;
    상기 감광제 패턴과 상기 기판 위에서 금속재료를 석출시키는 단계; 및
    상기 감광제 위에서 상기 금속재료를 제거하기 위하여 상기 기판으로부터 상기 감광제를 순차적으로 떼어내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 감광제는 음성 감광제인 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
  12. 감광제를 기판 위에 도포하는 단계;
    선폭이 빛의 해상한계와 같거나 큰 감광제가 남도록 영역을 정의하는 제1패턴과 상기 제1패턴 내에 제공되고 선폭이 빛의 해상한계보다 작은 제2패턴을 갖는 사진 마스크를 통하여, 상기 제2패턴을 완전히 노출하도록 상기 감광제를 상기 빛에 노광하는 단계; 및
    상기 제1패턴을 갖는 감광제 패턴과 상기 제2패턴에 대응하고 상기 기판의 표면에 닿지 않도록 상기 감광제 패턴의 표면에 제공되는 다수의 요부들을 상기 기판 위에 형성하기 위해 상기 노광된 감광제를 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 배선 패턴의 형성공정.
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