JPH06151351A - 電極形成方法 - Google Patents
電極形成方法Info
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- JPH06151351A JPH06151351A JP30405992A JP30405992A JPH06151351A JP H06151351 A JPH06151351 A JP H06151351A JP 30405992 A JP30405992 A JP 30405992A JP 30405992 A JP30405992 A JP 30405992A JP H06151351 A JPH06151351 A JP H06151351A
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- resist
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】フォトリソグラフィー技術による電極パターン
形成方法において、立体形状表面への電極形成を実現す
る。 【構成】段差を有するＳｉ基板４１表面における段差斜
面に隣接する段差底面部での電極パターン形成方法にお
いて、スプレーコーティングによりポジ型レジストを二
層４３，４４に塗布し、なおかつ第一層レジスト層４３
を予め全面露光しておくことで多層レジスト層のパター
ンエッジをオーバーハング形状とするレジストパターン
を形成し、リフトオフ法により電極を形成することによ
って、露光時の段差斜面での反射光の影響を除いたこと
特徴とする。
形成方法において、立体形状表面への電極形成を実現す
る。 【構成】段差を有するＳｉ基板４１表面における段差斜
面に隣接する段差底面部での電極パターン形成方法にお
いて、スプレーコーティングによりポジ型レジストを二
層４３，４４に塗布し、なおかつ第一層レジスト層４３
を予め全面露光しておくことで多層レジスト層のパター
ンエッジをオーバーハング形状とするレジストパターン
を形成し、リフトオフ法により電極を形成することによ
って、露光時の段差斜面での反射光の影響を除いたこと
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】Ｓｉマイクロマシニング等で形成
される立体形状表面への電極形成方法に関する。
される立体形状表面への電極形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６（ａ）のごとくエッチングにより段
差を有するＳｉ基板６１の立体形状表面に電極を形成す
る場合、Ｓｉ基板表面に電極となる金属膜をスパッタ等
により形成し、これをフォトリソグラフィー技術より作
製したレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチ
ングして電極６２を形成する。このような電極形成方法
においては、図６（ｂ）のようにポジ型レジスト６５の
パターニングの際、段差斜面（（１１１）面）６６での
ＵＶ光６８の反射光６９により、非露光部が露光されて
しまう。
差を有するＳｉ基板６１の立体形状表面に電極を形成す
る場合、Ｓｉ基板表面に電極となる金属膜をスパッタ等
により形成し、これをフォトリソグラフィー技術より作
製したレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチ
ングして電極６２を形成する。このような電極形成方法
においては、図６（ｂ）のようにポジ型レジスト６５の
パターニングの際、段差斜面（（１１１）面）６６での
ＵＶ光６８の反射光６９により、非露光部が露光されて
しまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】段差を有するＳｉ基板
表面に成膜した導電性金属膜を、フォトリソグラフィー
技術により一括露光で形成されたレジストパターンをエ
ッチングマスクとしたエッチングにより電極を形成しよ
うとした場合、従来の技術では、反射率の高い電極表面
上では段差斜面での反射光によってレジストパターンが
損失し、その結果として電極が形成できないと言う課題
を有している。
表面に成膜した導電性金属膜を、フォトリソグラフィー
技術により一括露光で形成されたレジストパターンをエ
ッチングマスクとしたエッチングにより電極を形成しよ
うとした場合、従来の技術では、反射率の高い電極表面
上では段差斜面での反射光によってレジストパターンが
損失し、その結果として電極が形成できないと言う課題
を有している。
【０００４】本発明の目的とするところは、段差を有す
るＳｉ基板表面に電極パターン形成するに際して、段差
斜面からの反射光の影響を受けない電極形成方法を提供
することにある。
るＳｉ基板表面に電極パターン形成するに際して、段差
斜面からの反射光の影響を受けない電極形成方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電極形成方法
は、エッチングにより段差を有するＳｉ基板表面に電極
を形成する方法であって、 ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布
し、 ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを
塗布し、 ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、
現像することによって前記二層レジスト層のパターンエ
ッジをオーバーハング形状に形成し、 ｄ）リフトオフ法により電極を形成することを特徴とす
る。
は、エッチングにより段差を有するＳｉ基板表面に電極
を形成する方法であって、 ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布
し、 ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを
塗布し、 ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、
現像することによって前記二層レジスト層のパターンエ
ッジをオーバーハング形状に形成し、 ｄ）リフトオフ法により電極を形成することを特徴とす
る。
【０００６】また、前記レジスト塗布方法がスプレーコ
ーティングであり、かつレジストがポジ型であることを
特徴する。
ーティングであり、かつレジストがポジ型であることを
特徴する。
【０００７】
【作用】リフトオフ法により電極を形成するため、電極
形成部のみを露光すれば良く、段差斜面部にＵＶ光が当
たることがないため、段差底部のレジストパターンが段
差斜面の反射光の影響を受けることがない。
形成部のみを露光すれば良く、段差斜面部にＵＶ光が当
たることがないため、段差底部のレジストパターンが段
差斜面の反射光の影響を受けることがない。
【０００８】
【実施例】図１に示すようなエッチングで作製した段差
を有するＳｉ基板上へのＣｒ−Ａｕ電極の形成におい
て、本発明の実施例について説明する。基板表面の結晶
面方位を（１００）面とするＳｉ基板を水酸化カリウム
水溶液を用いた異方性エッチングを行うと図１のＳｉ基
板１１のような形状にエッチングされ、段差斜面１２に
は平滑な（１１１）面が形成される。このような溝状の
段差を有するＳｉ基板１１に図１のように段差上面１３
および段差下面１４を通るようにＣｒ−Ａｕ電極１５を
形成する電極作製方法について、図２、図３、図４を用
い説明する。電極を形成するエッチング加工済みの図２
（ａ）のようなＳｉ基板２１を硫酸洗浄し、よく水洗し
た後、熱酸化炉で摂氏１１００度、４時間、Ｗｅｔ酸化
の条件で図２（ｂ）のようにＳｉ基板表面に酸化膜２２
を１．１ミクロン形成し、この酸化膜を電極とＳｉ基板
を絶縁するための絶縁膜とする。次に図２（ｃ）のよう
にポジ型レジスト（第一層レジスト層）２３をスプレー
コーティングにより１ミクロンの厚さに塗布する。摂氏
８０度で１０分間プリベークした後、図２（ｄ）のよう
にＳｉ基板全面にＵＶ光２４を照射し第一層レジスト層
２３を５００ｍＪ／ｃｍ2 の照度で全面露光する。さら
にスプレーコーティングにより、図２（ｅ）のように１
ミクロンのポジ型レジスト層（第二層レジスト層）を形
成し、摂氏８０度で３０分間プリベークを行う。次に図
３（ａ）のように電極を形成したい部分を透過にしたフ
ォトマスクを用い、図３（ｂ）のように照度５００ｍＪ
／ｃｍ2 でパターン露光を行う。そしてポジ型レジスト
用現像液で１２０秒間現像すると第一層レジスト層３４
が全面露光されているため、図３（ｃ）のように多層レ
ジスト層３４，３５のパターンエッジがリフトオフ法に
適したオーバーハング形状になる。なお、このオーバー
ハング量（第一層レジスト層パターンエッジの第二層レ
ジスト層パターンエッジからの後退量）は現像時間によ
り調節でき、現像時間を長くするとオーバーハング量が
大きくすることができ、逆に現像時間を短くするとオー
バーハング量は小さくなる。続けて現像後、ポストベー
クを摂氏１２０度で３０分間行うが、このときポストベ
ーク温度が高すぎるとレジストが熱変形しオーバーハン
グ形状が変形してしまうため、ポストベーク温度を摂氏
１２０度とした。次に図４（ａ）のように、パターンエ
ッジにオーバーハング形状を有するレジストパターンを
形成したＳｉ基板４１上の電極形成面全面に、Ｃｒ層を
スパッタにより５００オングストローム成膜した後、Ｃ
ｒ層上に更にＡｕ層をスパッタにより２０００オングス
トローム成膜しＡｕ−Ｃｒ膜４５を形成する。このとき
Ａｕ−Ｃｒ電極４５はオーバーハングを有する多層レジ
スト膜４３，４４上および酸化膜４２上には図４（ａ）
中の拡大図のように形成され、オーバーハング部がＡｕ
ーＣｒ電極で覆われていないため、オーバーハング部分
からレジスト層を容易に剥離できる。最後にリフトオフ
法により電極を形成したＳｉ基板４１を超音波を印可し
たアセトン剥離槽に浸し、不必要なＡｕ−Ｃｒ電極と共
に多層レジスト層４３，４４を剥離することによって、
図４（ｂ）のように段差斜面での反射光の影響を受ける
ことなく段差を有する基板上への電極の形成ができる。
を有するＳｉ基板上へのＣｒ−Ａｕ電極の形成におい
て、本発明の実施例について説明する。基板表面の結晶
面方位を（１００）面とするＳｉ基板を水酸化カリウム
水溶液を用いた異方性エッチングを行うと図１のＳｉ基
板１１のような形状にエッチングされ、段差斜面１２に
は平滑な（１１１）面が形成される。このような溝状の
段差を有するＳｉ基板１１に図１のように段差上面１３
および段差下面１４を通るようにＣｒ−Ａｕ電極１５を
形成する電極作製方法について、図２、図３、図４を用
い説明する。電極を形成するエッチング加工済みの図２
（ａ）のようなＳｉ基板２１を硫酸洗浄し、よく水洗し
た後、熱酸化炉で摂氏１１００度、４時間、Ｗｅｔ酸化
の条件で図２（ｂ）のようにＳｉ基板表面に酸化膜２２
を１．１ミクロン形成し、この酸化膜を電極とＳｉ基板
を絶縁するための絶縁膜とする。次に図２（ｃ）のよう
にポジ型レジスト（第一層レジスト層）２３をスプレー
コーティングにより１ミクロンの厚さに塗布する。摂氏
８０度で１０分間プリベークした後、図２（ｄ）のよう
にＳｉ基板全面にＵＶ光２４を照射し第一層レジスト層
２３を５００ｍＪ／ｃｍ2 の照度で全面露光する。さら
にスプレーコーティングにより、図２（ｅ）のように１
ミクロンのポジ型レジスト層（第二層レジスト層）を形
成し、摂氏８０度で３０分間プリベークを行う。次に図
３（ａ）のように電極を形成したい部分を透過にしたフ
ォトマスクを用い、図３（ｂ）のように照度５００ｍＪ
／ｃｍ2 でパターン露光を行う。そしてポジ型レジスト
用現像液で１２０秒間現像すると第一層レジスト層３４
が全面露光されているため、図３（ｃ）のように多層レ
ジスト層３４，３５のパターンエッジがリフトオフ法に
適したオーバーハング形状になる。なお、このオーバー
ハング量（第一層レジスト層パターンエッジの第二層レ
ジスト層パターンエッジからの後退量）は現像時間によ
り調節でき、現像時間を長くするとオーバーハング量が
大きくすることができ、逆に現像時間を短くするとオー
バーハング量は小さくなる。続けて現像後、ポストベー
クを摂氏１２０度で３０分間行うが、このときポストベ
ーク温度が高すぎるとレジストが熱変形しオーバーハン
グ形状が変形してしまうため、ポストベーク温度を摂氏
１２０度とした。次に図４（ａ）のように、パターンエ
ッジにオーバーハング形状を有するレジストパターンを
形成したＳｉ基板４１上の電極形成面全面に、Ｃｒ層を
スパッタにより５００オングストローム成膜した後、Ｃ
ｒ層上に更にＡｕ層をスパッタにより２０００オングス
トローム成膜しＡｕ−Ｃｒ膜４５を形成する。このとき
Ａｕ−Ｃｒ電極４５はオーバーハングを有する多層レジ
スト膜４３，４４上および酸化膜４２上には図４（ａ）
中の拡大図のように形成され、オーバーハング部がＡｕ
ーＣｒ電極で覆われていないため、オーバーハング部分
からレジスト層を容易に剥離できる。最後にリフトオフ
法により電極を形成したＳｉ基板４１を超音波を印可し
たアセトン剥離槽に浸し、不必要なＡｕ−Ｃｒ電極と共
に多層レジスト層４３，４４を剥離することによって、
図４（ｂ）のように段差斜面での反射光の影響を受ける
ことなく段差を有する基板上への電極の形成ができる。
【０００９】以上の実施例で説明したように本発明は、
反射光の影響を排除し段差を有するＳｉ基板表面への電
極パターンの設計を容易にする利点を持っている。それ
は従来の方法では、段差下面部の反射光による露光領域
を推定、考慮し、電極配線パターンの設計をしなければ
ならなかったのに対し、本実施例ではそれが不必要とな
るからである。具体的には、この段差下面部の反射光に
よる露光領域は、水酸化カリウム水溶液によるエッチン
グで形成される段差の斜面角度が一定であることから図
５に示すように推定され、計算上、 Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で求められるＷの領域であり、ここで、Ｈは段差量（エ
ッチング量）である。従来方法ではこの反射光による露
光領域Ｗにはパターニングできない制約があったが、本
実施例によりこのような領域にも電極が形成でき、より
複雑な表面形状を有する基板にも自由に電極が形成でき
るようになった。
反射光の影響を排除し段差を有するＳｉ基板表面への電
極パターンの設計を容易にする利点を持っている。それ
は従来の方法では、段差下面部の反射光による露光領域
を推定、考慮し、電極配線パターンの設計をしなければ
ならなかったのに対し、本実施例ではそれが不必要とな
るからである。具体的には、この段差下面部の反射光に
よる露光領域は、水酸化カリウム水溶液によるエッチン
グで形成される段差の斜面角度が一定であることから図
５に示すように推定され、計算上、 Ｗ＝Ｈ／ｔａｎ２０゜ で求められるＷの領域であり、ここで、Ｈは段差量（エ
ッチング量）である。従来方法ではこの反射光による露
光領域Ｗにはパターニングできない制約があったが、本
実施例によりこのような領域にも電極が形成でき、より
複雑な表面形状を有する基板にも自由に電極が形成でき
るようになった。
【００１０】また、本実施例の電極形成方法は、リフト
オフ法による電極形成であるため、従来方法ではパター
ニングができなかった白金のようなエッチングの難しい
金属膜のパターニングに対しても適用できる。
オフ法による電極形成であるため、従来方法ではパター
ニングができなかった白金のようなエッチングの難しい
金属膜のパターニングに対しても適用できる。
【００１１】一方、本実施例で用いているスプレーコー
ティングが、立体形状表面へのレジストコーティングに
対して最も適していることは言うまでもないが、多層レ
ジストコート方法としてもスプレーコーティングが適し
ていると言える。例えば、スピンコーティング（立体形
状表面へのレジストコーティング法として不適切である
ことはあきらかであるが）で多層レジスト層を形成しよ
うとした場合、１層と２層のレジストが同型（同溶媒）
であると、２層目のレジストコーティング時に一層目レ
ジスト表面が再溶解し、２層目が均一にコーティングで
きない。その点、スピレーコーティングを用いるとレジ
スト中の溶媒が十分揮発した状態でレジストが被レジス
トコート面に付着するため、一層目レジスト表面を再溶
解することなく均一に２層目をコーティングできる。し
たがって、立体形状表面だけではなく平坦面上への難エ
ッチング金属材料のパターニングにもスプレーコーティ
ングによる多層レジスト層を用いたリフトオフ法での電
極形成が適していると言える。
ティングが、立体形状表面へのレジストコーティングに
対して最も適していることは言うまでもないが、多層レ
ジストコート方法としてもスプレーコーティングが適し
ていると言える。例えば、スピンコーティング（立体形
状表面へのレジストコーティング法として不適切である
ことはあきらかであるが）で多層レジスト層を形成しよ
うとした場合、１層と２層のレジストが同型（同溶媒）
であると、２層目のレジストコーティング時に一層目レ
ジスト表面が再溶解し、２層目が均一にコーティングで
きない。その点、スピレーコーティングを用いるとレジ
スト中の溶媒が十分揮発した状態でレジストが被レジス
トコート面に付着するため、一層目レジスト表面を再溶
解することなく均一に２層目をコーティングできる。し
たがって、立体形状表面だけではなく平坦面上への難エ
ッチング金属材料のパターニングにもスプレーコーティ
ングによる多層レジスト層を用いたリフトオフ法での電
極形成が適していると言える。
【００１２】
【発明の効果】パターン露光した第二層レジストを疑似
マスクとした現像により、多層レジスト層のパターンエ
ッジをオーバーハング形状にパターニングできるため、
リフトオフ法による電極形成が可能であり、段差斜面の
反射光の影響を受けない電極形成ができる。また、リフ
トオフ法による電極形成であるためエッチングによるパ
ターニングが難しい電極材料の立体形状表面の電極形成
に適している。
マスクとした現像により、多層レジスト層のパターンエ
ッジをオーバーハング形状にパターニングできるため、
リフトオフ法による電極形成が可能であり、段差斜面の
反射光の影響を受けない電極形成ができる。また、リフ
トオフ法による電極形成であるためエッチングによるパ
ターニングが難しい電極材料の立体形状表面の電極形成
に適している。
【図１】本発明の一実施例におけるＳｉ基板表面への電
極形成の斜視図である。
極形成の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例における電極形成プロセス断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の一実施例におけるレジストパターニン
グ工程の平面図及び断面図である。
グ工程の平面図及び断面図である。
【図４】本発明の一実施例におけるリフトオフ工程の断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の一実施例における段差斜面でのＵＶ光
の反射の模式図である。
の反射の模式図である。
【図６】従来の電極形成方法の斜視図及び断面図であ
る。
る。
１１ Ｓｉ基板 １２ 段差斜面 １３ 段差上面 １４ 固定部 １５ Ａｕ−Ｃｒ電極 ２１ Ｓｉ基板 ２２ 酸化膜 ２３ 第一層レジスト層 ２４ ＵＶ光 ２５ 第二層レジスト層 ３１ フォトマスクパターン ３２ Ｓｉ基板 ３３ 酸化膜 ３４ 第一層レジスト層 ３５ 第二層レジスト層 ３６ ＵＶ光 ４１ Ｓｉ基板 ４２ 酸化膜 ４３ 第一層レジスト層 ４４ 第二層レジスト層 ４５ Ａｕ−Ｃｒ電極 ５１ Ｓｉ基板 ５２ 段差斜面（（１１１）面） ５３ ＵＶ光 ５４ 反射光 ５５ 角度５５゜ ５６ 角度３５゜ ５７ 角度２０゜ ５８ 段差上部 ５９ 段差下部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 7352−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/30 ３６１ Ｃ 7352−4Ｍ ３６１ Ｖ
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチングにより段差を有するＳｉ基板
表面に電極を形成する方法であって、 ａ）前記段差を有するＳｉ基板表面にレジストを塗布
し、 ｂ）前記レジスト層を全面露光した後、更にレジストを
塗布し、 ｃ）前記二層に塗布したレジスト層をパターン露光し、
現像することによって前記二層レジスト層のパターンエ
ッジをオーバーハング形状に形成し、 ｄ）リフトオフ法により電極を形成することを特徴とす
る電極形成方法。 - 【請求項２】 前記レジスト塗布方法がスプレーコーテ
ィングであり、かつレジストがポジ型であることを特徴
する請求項１記載の電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30405992A JPH06151351A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30405992A JPH06151351A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151351A true JPH06151351A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17928546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30405992A Pending JPH06151351A (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151351A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003236799A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-26 | Minoru Sasaki | スプレーコーティングによるレジスト膜の成膜方法とこれを実施したレジスト膜の成膜装置 |
| US6894350B2 (en) | 2003-07-25 | 2005-05-17 | Ricoh Company, Ltd. | LDMOS transistor capable of attaining high withstand voltage with low on-resistance and having a structure suitable for incorporation with other MOS transistors |
| KR100763673B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-10-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 아이엠디 형성방법 |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-13 JP JP30405992A patent/JPH06151351A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003236799A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-26 | Minoru Sasaki | スプレーコーティングによるレジスト膜の成膜方法とこれを実施したレジスト膜の成膜装置 |
| US6894350B2 (en) | 2003-07-25 | 2005-05-17 | Ricoh Company, Ltd. | LDMOS transistor capable of attaining high withstand voltage with low on-resistance and having a structure suitable for incorporation with other MOS transistors |
| KR100763673B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2007-10-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 아이엠디 형성방법 |
| JP2015088678A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
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