JPS6347257B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6347257B2 JPS6347257B2 JP57112608A JP11260882A JPS6347257B2 JP S6347257 B2 JPS6347257 B2 JP S6347257B2 JP 57112608 A JP57112608 A JP 57112608A JP 11260882 A JP11260882 A JP 11260882A JP S6347257 B2 JPS6347257 B2 JP S6347257B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposed
- photoresist
- substrate
- mask
- areas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000911 decarboxylating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/153—Multiple image producing on single receiver
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路上に導電体を形成する
ためのフオトリソグラフイ方法に関し、更に具体
的にいえば、１つのフオトレジスト層を用いてポ
ジ、ネガの両方の像をつくることによつて集積回
路装置上で必要とされるすべての導電体を形成す
る方法に関する。
ためのフオトリソグラフイ方法に関し、更に具体
的にいえば、１つのフオトレジスト層を用いてポ
ジ、ネガの両方の像をつくることによつて集積回
路装置上で必要とされるすべての導電体を形成す
る方法に関する。
集積回路等の製造においてフオトリソグラフイ
技術を用いることは周知である。このようなフオ
トリソグラフイ技術では、フオトレジストを付着
し、付着したフオトレジストを光、電子ビーム等
の電磁放射に露光し、可溶な部分を除去する溶剤
で現像することが一般に行なわれる。最終的に必
要な導電体パターンの中の異なる部分を形成する
場合は複数のレジスト層を用い、各レジスト層で
異なつたパターン部分を形成するが、この場合
は、前に処理されたパターンに関してレジスト層
及びパターンを注意深く整合させる必要がある。
回路装置が小さくなればなるほど整合の問題が大
きくなり、歩留りの低下を招く。
技術を用いることは周知である。このようなフオ
トリソグラフイ技術では、フオトレジストを付着
し、付着したフオトレジストを光、電子ビーム等
の電磁放射に露光し、可溶な部分を除去する溶剤
で現像することが一般に行なわれる。最終的に必
要な導電体パターンの中の異なる部分を形成する
場合は複数のレジスト層を用い、各レジスト層で
異なつたパターン部分を形成するが、この場合
は、前に処理されたパターンに関してレジスト層
及びパターンを注意深く整合させる必要がある。
回路装置が小さくなればなるほど整合の問題が大
きくなり、歩留りの低下を招く。
本発明は１つのレジスト層を用いて、回路装置
上のすべての所要の接点及び導電体を形成するこ
とにより上記の問題を解決しようとするものであ
る。本発明は整合の問題をなくす自己整合技術に
適応性を有する。
上のすべての所要の接点及び導電体を形成するこ
とにより上記の問題を解決しようとするものであ
る。本発明は整合の問題をなくす自己整合技術に
適応性を有する。
本発明では、半導体基体の表面に１つのレジス
ト層を形成し、２つの異なるマスクを通して露光
することにより、ポジ及びネガの両方の像を独立
的に形成する。従つて複数の露光領域を異なつた
時間に形成することができ、回路装置表面で必要
とされるすべての接点及び導電体を１つのステツ
プで形成することができる。
ト層を形成し、２つの異なるマスクを通して露光
することにより、ポジ及びネガの両方の像を独立
的に形成する。従つて複数の露光領域を異なつた
時間に形成することができ、回路装置表面で必要
とされるすべての接点及び導電体を１つのステツ
プで形成することができる。
本発明において意図した第１の方法では、半導
体基体にフオトレジスト層を付着してポジ像をつ
くる。この結果基体表面にはフオトレジスト層の
大きな領域が残される。次に、ネガ像をつくるた
め、残りのフオトレジスト領域の選択された部分
を露光する。フオトレジストは次に、脱カルボキ
シル反応させて、ネガ像を含む露光フオトレジス
トを定着させるためベーキング加熱される。即
ち、ネガ像を含むフオトレジストはアルカリ不溶
性にされる。残つているすべての未露光フオトレ
ジストはアルカリ可溶性にするように全面露光さ
れ、従つて脱カルボキシル反応されたネガ像に影
響を与えることなく容易に除去できる。導電体の
付着の後、残つているフオトレジスト即ち脱カル
ボキシル反応されたネガ像が除去されると所望の
導電体パターンが得られる。
体基体にフオトレジスト層を付着してポジ像をつ
くる。この結果基体表面にはフオトレジスト層の
大きな領域が残される。次に、ネガ像をつくるた
め、残りのフオトレジスト領域の選択された部分
を露光する。フオトレジストは次に、脱カルボキ
シル反応させて、ネガ像を含む露光フオトレジス
トを定着させるためベーキング加熱される。即
ち、ネガ像を含むフオトレジストはアルカリ不溶
性にされる。残つているすべての未露光フオトレ
ジストはアルカリ可溶性にするように全面露光さ
れ、従つて脱カルボキシル反応されたネガ像に影
響を与えることなく容易に除去できる。導電体の
付着の後、残つているフオトレジスト即ち脱カル
ボキシル反応されたネガ像が除去されると所望の
導電体パターンが得られる。
第２の方法は同様のステツプを用いるが、自己
整合マスクが形成されるように順序が変えられ
る。これは、最初フオトレジストを露光し、脱カ
ルボキシル反応させ、そして所望のネガ像を定着
させ、次にポジ像を露光、現像、エツチして、未
露光レジスト及びネガ像レジストの両方を残すこ
とによつて達成される。ポジ像露光されたレジス
トのエツチングの後に、残つているすべての未露
光レジストをアルカリ可溶性にするようにウエハ
が全面露光される。導電体の付着及びリフト・オ
フにより所望の導電体パターンが形成される。
整合マスクが形成されるように順序が変えられ
る。これは、最初フオトレジストを露光し、脱カ
ルボキシル反応させ、そして所望のネガ像を定着
させ、次にポジ像を露光、現像、エツチして、未
露光レジスト及びネガ像レジストの両方を残すこ
とによつて達成される。ポジ像露光されたレジス
トのエツチングの後に、残つているすべての未露
光レジストをアルカリ可溶性にするようにウエハ
が全面露光される。導電体の付着及びリフト・オ
フにより所望の導電体パターンが形成される。
通常ポジのフオトレジストはイミダゾールのよ
うな塩基を少量付加した場合はネガ及びポジの両
方の像を持つことができる。
うな塩基を少量付加した場合はネガ及びポジの両
方の像を持つことができる。
エツチング及びリフト・オフ方法を用いたフオ
トリソグラフイ技術は周知であり、このようなフ
オトリソグラフイ技術ではフオトレジストが用い
られる。電磁放射への露光によつてフオトレジス
トに化学反応が生じるが、化学反応の度合は露光
の際のエネルギの総量及び時間に依存する。すべ
ての変数を調和させることにより、フオトレジス
トに潜像を形成することができる。
トリソグラフイ技術は周知であり、このようなフ
オトリソグラフイ技術ではフオトレジストが用い
られる。電磁放射への露光によつてフオトレジス
トに化学反応が生じるが、化学反応の度合は露光
の際のエネルギの総量及び時間に依存する。すべ
ての変数を調和させることにより、フオトレジス
トに潜像を形成することができる。
もしフオトレジストのある部分をマスクすれ
ば、この部分を元の状態のままにすることができ
る。
ば、この部分を元の状態のままにすることができ
る。
第１図〜第７図は本発明による第１の方法を示
している。第１図において、基板１０の表面１３
には酸化物層のような絶縁層１１が被覆され、そ
の上には、Shipley社のAZ1350J又はHunt社の
204のような、キノン・ジアジト増感剤を有する
フエノール樹脂の如きポジ・フオトレジスト層１
２が付着される。イミダゾールのような塩基物質
を含むポジ・フオトレジストが適当である。
している。第１図において、基板１０の表面１３
には酸化物層のような絶縁層１１が被覆され、そ
の上には、Shipley社のAZ1350J又はHunt社の
204のような、キノン・ジアジト増感剤を有する
フエノール樹脂の如きポジ・フオトレジスト層１
２が付着される。イミダゾールのような塩基物質
を含むポジ・フオトレジストが適当である。
第２図において、フオトレジスト被覆基板１０
上にマスク１４が配置される。便宜上、このマス
クはポジ・マスクと呼ぶことにする。このポジ・
マスク１４はフオトレジストと接触するものでも
接触しないものでもよい。マスクは光学的に透明
な領域と不透明な領域からなつている。ポジ・マ
スク１４は光学的に透明な部分あるいは開口１
５，１６を有する。これらの透明領域を通して、
紫外線、電子、イオン等のような電磁放射が矢印
１７，１８のように入れられ、フオトレジスト層
の領域１９，２０を露光する。マスクを取り去
り、フオトレジスト層が更に露光されないように
保護しながらフオトレジスト層１２を現像する。
これは、例えば、0.23規定の水酸化カリウム溶液
に半導体基体を浸漬して露光領域１９，２０を除
去し、第３図のようにフオトレジスト１２に開口
２１，２２を形成することにより行なうことがで
きる。
上にマスク１４が配置される。便宜上、このマス
クはポジ・マスクと呼ぶことにする。このポジ・
マスク１４はフオトレジストと接触するものでも
接触しないものでもよい。マスクは光学的に透明
な領域と不透明な領域からなつている。ポジ・マ
スク１４は光学的に透明な部分あるいは開口１
５，１６を有する。これらの透明領域を通して、
紫外線、電子、イオン等のような電磁放射が矢印
１７，１８のように入れられ、フオトレジスト層
の領域１９，２０を露光する。マスクを取り去
り、フオトレジスト層が更に露光されないように
保護しながらフオトレジスト層１２を現像する。
これは、例えば、0.23規定の水酸化カリウム溶液
に半導体基体を浸漬して露光領域１９，２０を除
去し、第３図のようにフオトレジスト１２に開口
２１，２２を形成することにより行なうことがで
きる。
領域１９，２０の除去によつて、フオトレジス
ト層１２は３つのフオトレジスト・アイランド領
域１２ａ，１２ｂ，１２ｃに分けられる。開口２
１，２２が設けられたならば、下側の二酸化シリ
コン層１１は例えばフツ化水素酸のようなエツチ
剤によりエツチされ、開口２３，２４が形成され
る。従つて開口２３，２４では基板１０の表面１
３が露出する。開口２３，２４を形成する酸処理
の際にレジストの下にアンダーカツトが生じる。
これはアンダーカツトされた開口２３，２４の上
のフオトレジストを除去するのに好都合である。
別のマスク即ちネガ・マスク２５がフオトレジス
ト層の上に置かれる。このネガ・マスク２５は基
本的には元のマスクと逆あるいは相補パターンの
ものであり、開口２１，２２の部分に光学的不透
明領域２６，２７を有する。しかし不透明領域２
６，２７は開口２１，２２を覆うだけでなく、こ
れらの開口の縁部の領域も覆うように形成され
る。開口２１，２２の縁部における不透明領域２
６，２７の重なりは開口２３，２４のアンダーカ
ツトよりも大きくされる。次にフオトレジスト・
アイランド１２ａ，１２ｂ，１２ｃがマスク２５
の透明部分を通して露光される。このときの放射
は矢印２８，２９，３０で示されている。露光領
域３１，３２，３３では光化学反応が生じ、未露
光領域３４，３５はもとのままである。露光され
た基板は低温炉に入れられベーキングされる。こ
のベーキングにより、露光された部分３１，３
２，３３は露光によつてフオトレジストにつくら
れた分解生成物を脱カルボキシル反応させ、通常
の水酸化カリウム・レジスト現像液のようなアル
カリ溶液に実質的に不溶性になる。典型的には、
約95℃、10分間の加熱で露光部分３１，３２，３
３に所望の状態を与えることができる。領域３
４，３５は元のままであるから、このベーキング
によつて影響されない。このベーキングの後、基
板は炉から取出され、電磁放射に露光される。こ
れにより、開口２１，２２に隣接する未露光領域
３４，３５はアルカリ可溶性になる。0.095規定
の水酸化カリウム溶液で溶解すると、開口２１，
２２は拡大された形になる。基板表面に残つてい
るのは、露光されベーキングされ硬化されたフオ
トレジスト部分３１，３２，３３の最終レリー
フ・パターンのみである。
ト層１２は３つのフオトレジスト・アイランド領
域１２ａ，１２ｂ，１２ｃに分けられる。開口２
１，２２が設けられたならば、下側の二酸化シリ
コン層１１は例えばフツ化水素酸のようなエツチ
剤によりエツチされ、開口２３，２４が形成され
る。従つて開口２３，２４では基板１０の表面１
３が露出する。開口２３，２４を形成する酸処理
の際にレジストの下にアンダーカツトが生じる。
これはアンダーカツトされた開口２３，２４の上
のフオトレジストを除去するのに好都合である。
別のマスク即ちネガ・マスク２５がフオトレジス
ト層の上に置かれる。このネガ・マスク２５は基
本的には元のマスクと逆あるいは相補パターンの
ものであり、開口２１，２２の部分に光学的不透
明領域２６，２７を有する。しかし不透明領域２
６，２７は開口２１，２２を覆うだけでなく、こ
れらの開口の縁部の領域も覆うように形成され
る。開口２１，２２の縁部における不透明領域２
６，２７の重なりは開口２３，２４のアンダーカ
ツトよりも大きくされる。次にフオトレジスト・
アイランド１２ａ，１２ｂ，１２ｃがマスク２５
の透明部分を通して露光される。このときの放射
は矢印２８，２９，３０で示されている。露光領
域３１，３２，３３では光化学反応が生じ、未露
光領域３４，３５はもとのままである。露光され
た基板は低温炉に入れられベーキングされる。こ
のベーキングにより、露光された部分３１，３
２，３３は露光によつてフオトレジストにつくら
れた分解生成物を脱カルボキシル反応させ、通常
の水酸化カリウム・レジスト現像液のようなアル
カリ溶液に実質的に不溶性になる。典型的には、
約95℃、10分間の加熱で露光部分３１，３２，３
３に所望の状態を与えることができる。領域３
４，３５は元のままであるから、このベーキング
によつて影響されない。このベーキングの後、基
板は炉から取出され、電磁放射に露光される。こ
れにより、開口２１，２２に隣接する未露光領域
３４，３５はアルカリ可溶性になる。0.095規定
の水酸化カリウム溶液で溶解すると、開口２１，
２２は拡大された形になる。基板表面に残つてい
るのは、露光されベーキングされ硬化されたフオ
トレジスト部分３１，３２，３３の最終レリー
フ・パターンのみである。
基板は蒸着装置（図示せず）に入れられ、全表
面にアルミニウムのような薄い金属層３６が付着
される。次に基板は強力な現像液又は剥離液例え
ばＮ―メチル―２―ピロリドン又はブチル・アセ
テートに入れられ、フオトレジスト部分３１，３
２，３３を除去する。開口領域２１，２２の部分
の金属のみが残される。
面にアルミニウムのような薄い金属層３６が付着
される。次に基板は強力な現像液又は剥離液例え
ばＮ―メチル―２―ピロリドン又はブチル・アセ
テートに入れられ、フオトレジスト部分３１，３
２，３３を除去する。開口領域２１，２２の部分
の金属のみが残される。
以上述べた方法は、要するに、集積回路の酸化
表面に付着したフオトレジスト層の選択された領
域を露光現像してポジ像を形成し、表面の酸化物
をエツチングし、最初の像のネガ像を形成するよ
うにフオトレジスト層の他の領域を露光し、脱カ
ルボキシル反応させてネガ像を定着させるためフ
オトレジスト層をベーキングし、残りのすべての
未露光フオトレジスト領域をアルカリ可溶性にす
るように全面露光し、アルカリ可溶性のフオトレ
ジスト領域を除去し、これにより、導電体を付着
したときネガ像を除去することによつてその上の
導電体をリフト・オフできるようにしたものであ
る。
表面に付着したフオトレジスト層の選択された領
域を露光現像してポジ像を形成し、表面の酸化物
をエツチングし、最初の像のネガ像を形成するよ
うにフオトレジスト層の他の領域を露光し、脱カ
ルボキシル反応させてネガ像を定着させるためフ
オトレジスト層をベーキングし、残りのすべての
未露光フオトレジスト領域をアルカリ可溶性にす
るように全面露光し、アルカリ可溶性のフオトレ
ジスト領域を除去し、これにより、導電体を付着
したときネガ像を除去することによつてその上の
導電体をリフト・オフできるようにしたものであ
る。
従つて、１つのフオトレジスト層を用いて導電
体接点開口領域及び導電体リフト・オフ領域の両
方を定めることができる。
体接点開口領域及び導電体リフト・オフ領域の両
方を定めることができる。
ネガ・マスクはポジ・マスクのパターンと相補
形である必要はなく、全く違つたパターンを持つ
こともでき、例えば開口２１，２２の間に相互接
続導電体パターンを定めるように用いることもで
きる。
形である必要はなく、全く違つたパターンを持つ
こともでき、例えば開口２１，２２の間に相互接
続導電体パターンを定めるように用いることもで
きる。
第８図〜第１４図は本発明の意図した第２の方
法を示している。基板５０の表面５３には酸化物
層５１があり、これは第１図において述べたよう
なフオトレジスト層５２で被覆されている。
法を示している。基板５０の表面５３には酸化物
層５１があり、これは第１図において述べたよう
なフオトレジスト層５２で被覆されている。
第９図において、基板５０上にネガ・マスク５
４が置かれる。マスク５４は不透明部分５５，５
６及び透明部分５７，５８，５９を有する。矢印
で示される電磁放射によつて領域６０，６１，６
２が露光される。基板はこの時点で低温炉に入れ
られてベーキングされ、露光領域を脱カルボキシ
ル反応させてアルカリ不溶性にする。
４が置かれる。マスク５４は不透明部分５５，５
６及び透明部分５７，５８，５９を有する。矢印
で示される電磁放射によつて領域６０，６１，６
２が露光される。基板はこの時点で低温炉に入れ
られてベーキングされ、露光領域を脱カルボキシ
ル反応させてアルカリ不溶性にする。
この場合も約95℃、10分間の加熱が用いられ
る。ベーキング・ステツプの後、基板は炉から出
され、ポジ・マスク６３が置かれる。マスク６３
は透明部分６４，６５を有する。透明部分６４，
６５はネガ・マスク５４の不透明領域５５，５６
よりも小さく且つこれらの領域の境界内に位置す
るように設けられる。矢印で示されるように、透
明部分６４，６５を通る放射によりフオトレジス
ト領域６７，６８が露光される。従つてこの時点
では、フオトレジスト層は異なる特性を有する３
つの部分からなつていることになる。即ち、領域
６０，６１，６２は露光され脱カルボキシル反応
された部分であり、領域６７，６８は露光された
だけの部分であり、領域６９，７０，７１，７２
は未露光の部分である。
る。ベーキング・ステツプの後、基板は炉から出
され、ポジ・マスク６３が置かれる。マスク６３
は透明部分６４，６５を有する。透明部分６４，
６５はネガ・マスク５４の不透明領域５５，５６
よりも小さく且つこれらの領域の境界内に位置す
るように設けられる。矢印で示されるように、透
明部分６４，６５を通る放射によりフオトレジス
ト領域６７，６８が露光される。従つてこの時点
では、フオトレジスト層は異なる特性を有する３
つの部分からなつていることになる。即ち、領域
６０，６１，６２は露光され脱カルボキシル反応
された部分であり、領域６７，６８は露光された
だけの部分であり、領域６９，７０，７１，７２
は未露光の部分である。
次に第１１図のように露光領域６７，６８が標
準の0.23規定の水酸化カリウム・フオトレジスト
現像液で除去され、開口７３，７４を形成する。
露出された酸化物層５１はフツ化水素酸で処理さ
れ、アンダーカツトを有する開口７５，７６を形
成する。
準の0.23規定の水酸化カリウム・フオトレジスト
現像液で除去され、開口７３，７４を形成する。
露出された酸化物層５１はフツ化水素酸で処理さ
れ、アンダーカツトを有する開口７５，７６を形
成する。
その後未露光領域６９，７０，７１，７２が露
光されてアルカリ可溶性にされ、0.095規定の水
酸化カリウムのようなアルカリ溶液現像液で除去
される。これにより開口７３，７４が拡大され、
露光されベーキングされた領域６０，６１，６２
のみが残されることになる。
光されてアルカリ可溶性にされ、0.095規定の水
酸化カリウムのようなアルカリ溶液現像液で除去
される。これにより開口７３，７４が拡大され、
露光されベーキングされた領域６０，６１，６２
のみが残されることになる。
次に第１３図のようにアルミニウムの如き金属
層７５が付着され、領域６０，６１，６２はＮ―
メチル―２―ピロリドンのような剥離剤で除去さ
れる。この結果金属領域７７ａ，７７ｂのみが表
面に残される。
層７５が付着され、領域６０，６１，６２はＮ―
メチル―２―ピロリドンのような剥離剤で除去さ
れる。この結果金属領域７７ａ，７７ｂのみが表
面に残される。
第１図〜第７図は本発明の第１の方法を例示す
る断面図、及び第８図〜第１４図は本発明の第２
の方法を例示する断面図である。 １０，５０…基板、１１，５１…酸化物層、１
２，５２…フオトレジスト層、１４，６３…ポ
ジ・マスク、２５，５４…ネガ・マスク、３６，
７７…金属層。
る断面図、及び第８図〜第１４図は本発明の第２
の方法を例示する断面図である。 １０，５０…基板、１１，５１…酸化物層、１
２，５２…フオトレジスト層、１４，６３…ポ
ジ・マスク、２５，５４…ネガ・マスク、３６，
７７…金属層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 露光によつてアルカリ可溶性になる、塩基物
質を含むポジ・フオトレジスト層を被処理基体に
付着し、 ポジ・マスクを用いて上記フオトレジスト層を
選択的に露光し、 アルカリ溶液で現像処理して上記基体の第１の
領域を露出させ、 上記第１の領域に対して第１の処理を施し、 ネガ・マスクを用いて未露光フオトレジスト領
域を選択的に露光し、 ベーキング処理して、上記ネガ・マスクにより
露光されたネガ像を定着させてアルカリ不溶性に
し、 残つている未露光フオトレジスト領域を露光
し、 アルカリ溶液で現像処理して上記基体の第２の
領域を露出させ、 上記第１及び第２の領域に対して第２の処理を
施すこと、 を含むフオトリソグラフイ方法。 ２ 露光によつてアルカリ可溶性になる、塩基物
質を含むポジ・フオトレジスト層を被処理基体に
付着し、 ネガ・マスクを用いて上記フオトレジスト層を
選択的に露光し、 ベーキング処理して、上記ネガ・マスクにより
露光されたネガ像を定着させてアルカリ不溶性に
し、 ポジ・マスクを用いて未露光フオトレジスト領
域を選択的に露光し、 アルカリ溶液で現像処理して上記基体の第１の
領域を露出させ、 上記第１の領域に対して第１の処理を施し、 残つている未露光フオトレジスト領域を露光
し、 アルカリ溶液で現像処理して上記基体の第２の
領域を露出させ、 上記第１及び第２の領域に対して第２の処理を
施すこと、 を含むフオトリソグラフイ方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US295477 | 1981-08-24 | ||
| US06/295,477 US4377633A (en) | 1981-08-24 | 1981-08-24 | Methods of simultaneous contact and metal lithography patterning |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5834922A JPS5834922A (ja) | 1983-03-01 |
| JPS6347257B2 true JPS6347257B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=23137888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57112608A Granted JPS5834922A (ja) | 1981-08-24 | 1982-07-01 | フオトリソグラフイ方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4377633A (ja) |
| EP (1) | EP0072933B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5834922A (ja) |
| DE (1) | DE3271354D1 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4576900A (en) * | 1981-10-09 | 1986-03-18 | Amdahl Corporation | Integrated circuit multilevel interconnect system and method |
| DE3337315A1 (de) * | 1982-10-13 | 1984-04-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa | Zweifach-lichtempfindliche zusammensetzungen und verfahren zur erzeugung bildmustergemaesser photoresistschichten |
| US4640738A (en) * | 1984-06-22 | 1987-02-03 | International Business Machines Corporation | Semiconductor contact protection |
| US4687730A (en) * | 1985-10-30 | 1987-08-18 | Rca Corporation | Lift-off technique for producing metal pattern using single photoresist processing and oblique angle metal deposition |
| JPS62229834A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPH01134917A (ja) * | 1987-11-19 | 1989-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | パターンの形成方法 |
| US5087547A (en) * | 1990-03-02 | 1992-02-11 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Dual-tone photoresist utilizing diazonaphthoquinone resin and carbodiimide stabilizer |
| US5888908A (en) * | 1992-04-30 | 1999-03-30 | Stmicroelectronics, Inc. | Method for reducing reflectivity of a metal layer |
| FR2737927B1 (fr) * | 1995-08-17 | 1997-09-12 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de formation de trous dans une couche de materiau photosensible, en particulier pour la fabrication de sources d'electrons |
| JPH09319097A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-12-12 | Sumitomo Chem Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| US5955244A (en) * | 1996-08-20 | 1999-09-21 | Quantum Corporation | Method for forming photoresist features having reentrant profiles using a basic agent |
| US5972570A (en) * | 1997-07-17 | 1999-10-26 | International Business Machines Corporation | Method of photolithographically defining three regions with one mask step and self aligned isolation structure formed thereby |
| US6007968A (en) | 1997-10-29 | 1999-12-28 | International Business Machines Corporation | Method for forming features using frequency doubling hybrid resist and device formed thereby |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL295980A (ja) * | 1962-07-31 | |||
| US3421206A (en) * | 1965-10-19 | 1969-01-14 | Sylvania Electric Prod | Method of forming leads on semiconductor devices |
| US3594168A (en) * | 1967-02-13 | 1971-07-20 | Gen Electric Information Syste | Method for fabricating photographic artwork for printed circuits |
| US3506442A (en) * | 1968-09-27 | 1970-04-14 | Bell Telephone Labor Inc | Photomask modification and registration test methods |
| US3661582A (en) * | 1970-03-23 | 1972-05-09 | Western Electric Co | Additives to positive photoresists which increase the sensitivity thereof |
| US3784380A (en) * | 1970-11-11 | 1974-01-08 | Honeywell Inf Systems | Method for manufacturing artwork for printed circuit boards |
| BE789196A (fr) * | 1971-09-25 | 1973-03-22 | Kalle Ag | Matiere a copier photosensible |
| US3930857A (en) * | 1973-05-03 | 1976-01-06 | International Business Machines Corporation | Resist process |
| FR2274072A1 (fr) * | 1974-06-06 | 1976-01-02 | Ibm | Procede de formation d'images en materiau photoresistant, applicable notamment dans l'industrie des semi-conducteurs |
| DE2529054C2 (de) * | 1975-06-30 | 1982-04-29 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung eines zur Vorlage negativen Resistbildes |
| US4040891A (en) * | 1976-06-30 | 1977-08-09 | Ibm Corporation | Etching process utilizing the same positive photoresist layer for two etching steps |
| JPS566236A (en) * | 1979-06-28 | 1981-01-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photosensitive material and pattern forming method using it |
| JPS569740A (en) * | 1979-07-05 | 1981-01-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image forming method |
| GB2067329B (en) * | 1979-12-18 | 1983-03-09 | Ebauches Sa | Method for manufacturing the substrate of an electrochromic display cell |
-
1981
- 1981-08-24 US US06/295,477 patent/US4377633A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-07-01 JP JP57112608A patent/JPS5834922A/ja active Granted
- 1982-07-27 EP EP82106777A patent/EP0072933B1/en not_active Expired
- 1982-07-27 DE DE8282106777T patent/DE3271354D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4377633A (en) | 1983-03-22 |
| DE3271354D1 (en) | 1986-07-03 |
| EP0072933B1 (en) | 1986-05-28 |
| JPS5834922A (ja) | 1983-03-01 |
| EP0072933A1 (en) | 1983-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4174219A (en) | Method of making a negative exposure mask | |
| JPS6347257B2 (ja) | ||
| JP2701765B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0142639A2 (en) | Method for forming narrow images on semiconductor substrates | |
| US3986876A (en) | Method for making a mask having a sloped relief | |
| JP2001297997A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP0030117B1 (en) | Method of forming an opening in a negative resist film | |
| JPS62245251A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| US3951659A (en) | Method for resist coating of a glass substrate | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| KR100220940B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 | |
| JPH0458170B2 (ja) | ||
| JP3421268B2 (ja) | パターン形成法 | |
| KR100369866B1 (ko) | 반도체소자의미세콘택홀형성방법 | |
| KR100269614B1 (ko) | 마스크형성방법 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JP4267298B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS6315249A (ja) | 光学マスクの製造方法 | |
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR950012541B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 | |
| JPH07263314A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR20050030343A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPS62297841A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 |