JPS589944B2 - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS589944B2 JPS589944B2 JP50014734A JP1473475A JPS589944B2 JP S589944 B2 JPS589944 B2 JP S589944B2 JP 50014734 A JP50014734 A JP 50014734A JP 1473475 A JP1473475 A JP 1473475A JP S589944 B2 JPS589944 B2 JP S589944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- photoresist
- reference photomask
- transparent substrate
- photomasks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子製造用のフォトマスクに関する
ものであり、特に基準フォトマスクから複数枚の複写フ
ォトマスクを高精度に密着焼付けする際に有効である改
良形のフォトマスクに関するものである。
ものであり、特に基準フォトマスクから複数枚の複写フ
ォトマスクを高精度に密着焼付けする際に有効である改
良形のフォトマスクに関するものである。
従来、半導体素子を製造するのに使用されるフォトマス
クは、実物の１００倍から２００倍に拡大された原図を
製作し、これを実物の１０倍から２０倍にまで正確に第
１次縮小撮影をおこなってレテイクルとよばれる中間フ
ォトマスクを製作した後、さらにステップアンドリピー
ト機構が付加されたフォトリピータとよばれる装置によ
ってレテイクルを原版として実物大に第２次縮小し、同
時に１枚の高解像力乾板上に素子パターンを正確に位置
決めして多数個配列、露光させることによって基準フォ
トマスクを製作してきた。
クは、実物の１００倍から２００倍に拡大された原図を
製作し、これを実物の１０倍から２０倍にまで正確に第
１次縮小撮影をおこなってレテイクルとよばれる中間フ
ォトマスクを製作した後、さらにステップアンドリピー
ト機構が付加されたフォトリピータとよばれる装置によ
ってレテイクルを原版として実物大に第２次縮小し、同
時に１枚の高解像力乾板上に素子パターンを正確に位置
決めして多数個配列、露光させることによって基準フォ
トマスクを製作してきた。
また、素子パターンの微細化の要求に対して、高解像力
乾板では残留黒化銀部と脱銀面の境界部分の不鋭明さや
パターン寸法幅によって光学濃度に差があるなどの理由
によって高解像力乾板を使用する代りに、ガラスなどの
透明基板上に金属薄膜を５００Åから３，０００Åの厚
みに蒸着法などによって膜付けし、さらに金属薄膜面に
フォトレジストを塗布した金属フォトマスク用プレート
上に配列露光させて、基準フォトマスクを製作してきた
。
乾板では残留黒化銀部と脱銀面の境界部分の不鋭明さや
パターン寸法幅によって光学濃度に差があるなどの理由
によって高解像力乾板を使用する代りに、ガラスなどの
透明基板上に金属薄膜を５００Åから３，０００Åの厚
みに蒸着法などによって膜付けし、さらに金属薄膜面に
フォトレジストを塗布した金属フォトマスク用プレート
上に配列露光させて、基準フォトマスクを製作してきた
。
しかし、実際の半導体製造ラインにおいては、基準フォ
トマスクの製作には非常に長い時間が必要でありかつ量
産性が良くないので、密着焼付け法により基準フォトマ
スクから製作された複写フォトマスクを使用するか、複
写フォトマスクを準基準フォトマスクとしてさらに１回
密着焼付けしたフォトマスクを使用してきた。
トマスクの製作には非常に長い時間が必要でありかつ量
産性が良くないので、密着焼付け法により基準フォトマ
スクから製作された複写フォトマスクを使用するか、複
写フォトマスクを準基準フォトマスクとしてさらに１回
密着焼付けしたフォトマスクを使用してきた。
しかし密着焼付けする際、基板の平坦度の状態によって
は密着操作をおこなった状態でも２枚のフォトマスクの
一部に空気がそのまま残ることによってフォトマスク全
面での密着が完了するまでに長い時間を必要としたり、
部分的に密着不良のまま残ることが数多く発生した。
は密着操作をおこなった状態でも２枚のフォトマスクの
一部に空気がそのまま残ることによってフォトマスク全
面での密着が完了するまでに長い時間を必要としたり、
部分的に密着不良のまま残ることが数多く発生した。
密着不良は焼付けられた複写フォトマスク内でのパター
ン寸法の精度低下やパターンの形状不良の問題をおこし
てフォトマスクとしての品質を落していた。
ン寸法の精度低下やパターンの形状不良の問題をおこし
てフォトマスクとしての品質を落していた。
以上の問題は従来から明らかな事実ではあったが、パタ
ーンの微細化と高精度化の要求が高まるにつれて見逃せ
ない問題となってきた。
ーンの微細化と高精度化の要求が高まるにつれて見逃せ
ない問題となってきた。
また逆に基板の形状によっては高密着状態が得られるこ
とによって密着焼付終了後、相互のフォトマスク２枚を
引き離すことが困難となり、引き離しに許容値以上の力
を加えることによってフォトマスク上に傷が入ったり、
複写フォトマスク上の乳剤やフォトレジストがはがされ
たりする危険があった。
とによって密着焼付終了後、相互のフォトマスク２枚を
引き離すことが困難となり、引き離しに許容値以上の力
を加えることによってフォトマスク上に傷が入ったり、
複写フォトマスク上の乳剤やフォトレジストがはがされ
たりする危険があった。
このように密着焼付け作業においては、基準フォトマス
クと複写されるフォトマスクとが容易に高密着状態に達
する必要があるとともに作業終了後は容易に高密着状態
が解除されなければならない。
クと複写されるフォトマスクとが容易に高密着状態に達
する必要があるとともに作業終了後は容易に高密着状態
が解除されなければならない。
そこで、この発明は、このような点を考えて、金属フォ
トマスクから成る基準フォトマスクを通常の写真製版技
術で製作した後、素子パターンとして不必要な基板部分
に凹んだ多数の溝を成形することによって相互のフォト
マスクが密着時でも密着面の内部まで空気の流出入を可
能にし、フォトマスク全面で高密着が得られるようにす
ると同時に密着焼付け後のフォトマスクの引き離しを容
易にしたものである。
トマスクから成る基準フォトマスクを通常の写真製版技
術で製作した後、素子パターンとして不必要な基板部分
に凹んだ多数の溝を成形することによって相互のフォト
マスクが密着時でも密着面の内部まで空気の流出入を可
能にし、フォトマスク全面で高密着が得られるようにす
ると同時に密着焼付け後のフォトマスクの引き離しを容
易にしたものである。
以下この発明の一実施例を添附図面について説明する。
第１図ａはこの発明のフオトマスク特に改良した基準フ
ォトマスクを製作する前の基準フォトマスク１０を示し
、この基準フォトマスクはガラスまたは石英などの透明
基板１と、この透明基板１上に形成されたクロムなどの
金属あるいはその酸化物２の不透明パターンとから成る
。
ォトマスクを製作する前の基準フォトマスク１０を示し
、この基準フォトマスクはガラスまたは石英などの透明
基板１と、この透明基板１上に形成されたクロムなどの
金属あるいはその酸化物２の不透明パターンとから成る
。
まず第１図ａに示した基準フォトマスク１０のパターン
形成面側に米国ハント（ ＨＵＮＴ ）社製のウエイコ
ート・アイシー・レジスト・タイプ３（ＷＡＹＣＯＡＴ
ＩＣ ＲＥＳＩＳＴ ＴＹＰＥ ３ ）とよぱれるフォ
トレジストを回転塗布機によって０．５μから１．０μ
の厚さに塗布する。
形成面側に米国ハント（ ＨＵＮＴ ）社製のウエイコ
ート・アイシー・レジスト・タイプ３（ＷＡＹＣＯＡＴ
ＩＣ ＲＥＳＩＳＴ ＴＹＰＥ ３ ）とよぱれるフォ
トレジストを回転塗布機によって０．５μから１．０μ
の厚さに塗布する。
次にフォトレジスト内に残る揮発成分を除去するために
８０°Ｃの乾燥炉で３０分間ベー・キング処理をおこな
った後に自然冷却をおこなう。
８０°Ｃの乾燥炉で３０分間ベー・キング処理をおこな
った後に自然冷却をおこなう。
その結果、第１図ｂに示すようにフォトレジスト層３が
形成される。
形成される。
次に基準フォトマスク１０上の素子サイズより、１０μ
から２０μ小さく、素子として必要な部分を全面露光で
きるような第２図のレテイクル４を製作し、このレテイ
クル４を原版とし、フォトリピータによってフオトレジ
スト塗布とベーキング処理の終った基準フォトマスク１
０上に素子サイズのピッチ送り量で配列露光をおこなう
。
から２０μ小さく、素子として必要な部分を全面露光で
きるような第２図のレテイクル４を製作し、このレテイ
クル４を原版とし、フォトリピータによってフオトレジ
スト塗布とベーキング処理の終った基準フォトマスク１
０上に素子サイズのピッチ送り量で配列露光をおこなう
。
露光の終った基準フォトマスク１０は米国ハント社指定
のワイコート現像液、リンス液を使って３０秒間づつ現
像処理をおこない、直ちに清浄な窒素ガスで吹付け乾燥
させる。
のワイコート現像液、リンス液を使って３０秒間づつ現
像処理をおこない、直ちに清浄な窒素ガスで吹付け乾燥
させる。
第１図Ｃは現像処理の終った基準フォトマスクを示す。
現像処理が終った後、１５０℃で２０分間ノヘーキング
処理によってフォトレジスト層３と基板１の接着力を高
める。
処理によってフォトレジスト層３と基板１の接着力を高
める。
次にＮＨ４Ｆ（１０ｇ）とＨＦ（１０ｍｌ）とＨ２０
（ ２ ５ ｍｌ ）から成るエッチング液（液温４０
℃）を予め調整しておいてエッチング処理をおこなう。
（ ２ ５ ｍｌ ）から成るエッチング液（液温４０
℃）を予め調整しておいてエッチング処理をおこなう。
なお、この場合のエッチングは基準フォトマスク１０を
エッチング液中に１０分間浸漬しておこなう。
エッチング液中に１０分間浸漬しておこなう。
このエッチング処理によって基板１は第１図ｄのように
約２μの深さ寸でエッチングされ、もって溝５が形成さ
れる。
約２μの深さ寸でエッチングされ、もって溝５が形成さ
れる。
エッチングが終了したら直ちに水洗、乾燥をおこない最
後に、表面に残った硬化したフォトレジスト層３をフォ
トレジスト剥離液例えば米国アライド・ケミカル（ＡＬ
ＬＩＥＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬ）社製のＡ−３０に１０分
間浸した後水洗することによって第１図ｅのような改良
された基準フォトマスク１０′が製作される。
後に、表面に残った硬化したフォトレジスト層３をフォ
トレジスト剥離液例えば米国アライド・ケミカル（ＡＬ
ＬＩＥＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬ）社製のＡ−３０に１０分
間浸した後水洗することによって第１図ｅのような改良
された基準フォトマスク１０′が製作される。
第３図ａは改良前の基準フォトマスク１０、第３図ｂは
この発明の改良した基準フォトマスク１０′を斜め方向
から観察した図である。
この発明の改良した基準フォトマスク１０′を斜め方向
から観察した図である。
また第４図のように基板１の外周部の一部に凹んだ溝５
を形成してもほぼ同様の結果が得られる。
を形成してもほぼ同様の結果が得られる。
なお、上述の実施例は単にこの発明の原理を示すに止ま
り、この発明の範囲に伺らの限定を加えるものではない
。
り、この発明の範囲に伺らの限定を加えるものではない
。
第１図ａないし第１図ｅはこの発明の一実施例の諸製作
段階における断面図、第２図はこの発明の一実施例を製
作する際に使用されるレテイクルの平面図、第３図ａと
第３図ｂはそれぞれ改良前、改良後の基準フォトマスク
を示す斜視図、第４図はこの発明の他は実施例の斜視図
である。 １は透明基板、２は金属あるいは金属酸化物の不透明パ
ターン、３はフォトレジスト層、４はレテイクル、５は
溝、１０は改良前の基準フォトマスク、１０′は改良後
の基準フォトマスクである。
段階における断面図、第２図はこの発明の一実施例を製
作する際に使用されるレテイクルの平面図、第３図ａと
第３図ｂはそれぞれ改良前、改良後の基準フォトマスク
を示す斜視図、第４図はこの発明の他は実施例の斜視図
である。 １は透明基板、２は金属あるいは金属酸化物の不透明パ
ターン、３はフォトレジスト層、４はレテイクル、５は
溝、１０は改良前の基準フォトマスク、１０′は改良後
の基準フォトマスクである。
Claims (1)
- １ 透明基板と、この透明基板上に形成された金属ある
いは金属酸化物の不透明パターンとから成る半導体素子
製造用のフォトマスクにおいて、透明基板あるいは不透
明パターンの、素子パターンとして不必要な部分に溝を
設けたことを特徴とするフオートマスク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50014734A JPS589944B2 (ja) | 1975-02-03 | 1975-02-03 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50014734A JPS589944B2 (ja) | 1975-02-03 | 1975-02-03 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5195778A JPS5195778A (ja) | 1976-08-21 |
| JPS589944B2 true JPS589944B2 (ja) | 1983-02-23 |
Family
ID=11869342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50014734A Expired JPS589944B2 (ja) | 1975-02-03 | 1975-02-03 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589944B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52160402U (ja) * | 1976-05-31 | 1977-12-06 | ||
| JPS6019159B2 (ja) * | 1976-12-18 | 1985-05-14 | 工業技術院長 | 磁気バブル素子製作用ホトマスク |
| JPS5735952U (ja) * | 1980-08-08 | 1982-02-25 | ||
| JPH05142760A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-11 | Sharp Corp | フオトマスク |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105073A (ja) * | 1974-01-22 | 1975-08-19 |
-
1975
- 1975-02-03 JP JP50014734A patent/JPS589944B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50105073A (ja) * | 1974-01-22 | 1975-08-19 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5195778A (ja) | 1976-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6323657B2 (ja) | ||
| JPH0210362A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| KR100432794B1 (ko) | 배선 패턴을 형성하는 공정 | |
| JP4206669B2 (ja) | エッチングパターン形成方法 | |
| JPS589944B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPS60230650A (ja) | 微細パタ−ンの製作法 | |
| US3458370A (en) | Fotoform-metallic evaporation mask making | |
| US3701659A (en) | Photolithographic masks of semiconductor material | |
| JPS6033505A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2712407B2 (ja) | ２層フォトレジストを用いた微細パターンの形成方法 | |
| JPS646449B2 (ja) | ||
| KR960000185B1 (ko) | 자동 배치형 위상반전마스크 제조 방법 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS646448B2 (ja) | ||
| KR960000184B1 (ko) | 자동 배치형 위상반전마스크 제조 방법 | |
| JP2666420B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5950053B2 (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPS63288020A (ja) | 電極作成方法 | |
| JPS6114721A (ja) | マスク作製方法 | |
| KR20050030343A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| JPH02240996A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH07273113A (ja) | リフトオフプロセスパターン形成方法 | |
| JPS5842237A (ja) | 凹凸パタ−ンの形成方法 |