JPH05142760A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPH05142760A JPH05142760A JP30907691A JP30907691A JPH05142760A JP H05142760 A JPH05142760 A JP H05142760A JP 30907691 A JP30907691 A JP 30907691A JP 30907691 A JP30907691 A JP 30907691A JP H05142760 A JPH05142760 A JP H05142760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- gap
- central portion
- mask surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハと常に完全に密着させることができ、
したがって常に良好な状態で露光を行うことができるフ
ォトマスクを提供する。 【構成】 ガラス板の片面(マスク面)１aに所定のパタ
ーン３を並べたフォトマスク１において、マスク面１a
のパターン３の隙間に、この面１aの中心部Ｃから周辺
部Ｐに至る溝５を碁盤の目状に設ける。
したがって常に良好な状態で露光を行うことができるフ
ォトマスクを提供する。 【構成】 ガラス板の片面(マスク面)１aに所定のパタ
ーン３を並べたフォトマスク１において、マスク面１a
のパターン３の隙間に、この面１aの中心部Ｃから周辺
部Ｐに至る溝５を碁盤の目状に設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フォトマスクに関
し、より詳しくは、密着露光に用いられるフォトマスク
に関する。
し、より詳しくは、密着露光に用いられるフォトマスク
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に示すように、従来のフォトマスク
１０１は、ガラス板の片面(マスク面)１０１aに多数の
パターン１０３を焼き付け印刷したものである(なお、
１０２はパターンを設けた円領域を示している。)。上
記マスク面１０１aは平坦に仕上げられている。露光を
行う場合、図４(a)に示すように、まず、マスク面１０
１aを下方へ向けた状態でフォトマスク１０１がマスク
ホルダ１０６にセットされる。次に、ウエハ１０８(予
めフォトレジスト１０７が塗布されている)が、ウエハ
チャック１０９に載置され、このウエハチャック１０９
の上面に設けられた図示しない細孔を通して吸着され
る。そして、上記フォトマスク１０１のマスク面１０１
aとウエハ１０８のフォトレジスト１０７側の面とが所
定の隙間１２０を空けて対向され、この隙間１２０(お
よびマスクホルダ１０６とウエハチャック１０９の間の
隙間)にＮ2ガスが満たされる。隙間１２０の圧力は真空
計１１０で観測されるようになっており、この段階では
大気圧に等しく設定される。次に、同図(b),(c)に示す
ように、上記隙間１２０が真空に排気される。ここで、
フォトマスク１０１とウエハ１０８の中心部Ｃ付近から
圧力低下が始まることから、同図(b)に示すようにフォ
トマスク１０１とウエハ１０８とは互いに中心部Ｃ付近
から密着してゆき、同図(c)に示すように最後に周辺部
Ｐが密着する。次に、同図(d)に示すように、ウエハチ
ャック１０９に設けられた細孔を通してＮ2ガスがわず
かに噴出される。これにより、ウエハ１０８がフォトマ
スク１０１側へ押し付けられ、フォトマスク１０１とウ
エハ１０８との密着度が高まる。この状態で、フォトマ
スク１０１の上方からウエハ１０８に対して露光が行な
われる(密着露光法)。
１０１は、ガラス板の片面(マスク面)１０１aに多数の
パターン１０３を焼き付け印刷したものである(なお、
１０２はパターンを設けた円領域を示している。)。上
記マスク面１０１aは平坦に仕上げられている。露光を
行う場合、図４(a)に示すように、まず、マスク面１０
１aを下方へ向けた状態でフォトマスク１０１がマスク
ホルダ１０６にセットされる。次に、ウエハ１０８(予
めフォトレジスト１０７が塗布されている)が、ウエハ
チャック１０９に載置され、このウエハチャック１０９
の上面に設けられた図示しない細孔を通して吸着され
る。そして、上記フォトマスク１０１のマスク面１０１
aとウエハ１０８のフォトレジスト１０７側の面とが所
定の隙間１２０を空けて対向され、この隙間１２０(お
よびマスクホルダ１０６とウエハチャック１０９の間の
隙間)にＮ2ガスが満たされる。隙間１２０の圧力は真空
計１１０で観測されるようになっており、この段階では
大気圧に等しく設定される。次に、同図(b),(c)に示す
ように、上記隙間１２０が真空に排気される。ここで、
フォトマスク１０１とウエハ１０８の中心部Ｃ付近から
圧力低下が始まることから、同図(b)に示すようにフォ
トマスク１０１とウエハ１０８とは互いに中心部Ｃ付近
から密着してゆき、同図(c)に示すように最後に周辺部
Ｐが密着する。次に、同図(d)に示すように、ウエハチ
ャック１０９に設けられた細孔を通してＮ2ガスがわず
かに噴出される。これにより、ウエハ１０８がフォトマ
スク１０１側へ押し付けられ、フォトマスク１０１とウ
エハ１０８との密着度が高まる。この状態で、フォトマ
スク１０１の上方からウエハ１０８に対して露光が行な
われる(密着露光法)。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォト
マスク１０１とウエハ１０８とが中心部Ｃから周辺部Ｐ
へ密着してゆく速さと上記隙間１２０を真空排気する速
度とを同調させることは極めて困難であり、真空排気速
度の方が相対的に速くなってしまうことがある。このよ
うな場合、図４(b)〜(d)に示ように、フォトマスク１０
１とウエハ１０８の中心部Ｃに隙間１２０aが残り、こ
の結果、露光時にパターンひずみが生じて不良品になる
という問題がある。
マスク１０１とウエハ１０８とが中心部Ｃから周辺部Ｐ
へ密着してゆく速さと上記隙間１２０を真空排気する速
度とを同調させることは極めて困難であり、真空排気速
度の方が相対的に速くなってしまうことがある。このよ
うな場合、図４(b)〜(d)に示ように、フォトマスク１０
１とウエハ１０８の中心部Ｃに隙間１２０aが残り、こ
の結果、露光時にパターンひずみが生じて不良品になる
という問題がある。
【０００４】そこで、この発明の目的は、ウエハと常に
完全に密着させることができ、したがって常に良好な状
態で露光を行うことができるフォトマスクを提供するこ
とにある。
完全に密着させることができ、したがって常に良好な状
態で露光を行うことができるフォトマスクを提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明のフォトマスクは、ガラス板の片面に所定
のパターンが並ぶフォトマスクにおいて、上記パターン
が並ぶ面に、この面の中心部から周辺部に至る溝が設け
られていることを特徴としている。
め、この発明のフォトマスクは、ガラス板の片面に所定
のパターンが並ぶフォトマスクにおいて、上記パターン
が並ぶ面に、この面の中心部から周辺部に至る溝が設け
られていることを特徴としている。
【０００６】また、上記溝は、上記パターンの隙間に碁
盤の目状に設けられているのが望ましい。
盤の目状に設けられているのが望ましい。
【０００７】
【作用】この発明のフォトマスクは、パターンが並ぶ面
に、この面の中心部から周辺部に至る溝が設けられてい
る。このフォトマスクとウエハとを所定の隙間を空けて
対向させ、この隙間を真空排気して上記フォトマスクと
ウエハとを密着させる場合、フォトマスクとウエハとが
中心部から周辺部へ密着してゆく速さよりも真空排気速
度の方が相対的に速くなって中心部に隙間が残ろうとし
ても、上記溝を通して中心部から周辺部へ向けて排気が
行なわれる。この結果、フォトマスクとウエハの中心部
に隙間が残らなくなり、フォトマスクとウエハとが常に
完全に密着するようになる。したがって、露光時にパタ
ーンひずみが生じなくなって、常に良好な状態で露光が
行なわれる。
に、この面の中心部から周辺部に至る溝が設けられてい
る。このフォトマスクとウエハとを所定の隙間を空けて
対向させ、この隙間を真空排気して上記フォトマスクと
ウエハとを密着させる場合、フォトマスクとウエハとが
中心部から周辺部へ密着してゆく速さよりも真空排気速
度の方が相対的に速くなって中心部に隙間が残ろうとし
ても、上記溝を通して中心部から周辺部へ向けて排気が
行なわれる。この結果、フォトマスクとウエハの中心部
に隙間が残らなくなり、フォトマスクとウエハとが常に
完全に密着するようになる。したがって、露光時にパタ
ーンひずみが生じなくなって、常に良好な状態で露光が
行なわれる。
【０００８】また、上記溝は上記パターンの隙間に碁盤
の目状に設けられている場合、上記フォトマスクとウエ
ハの中心部から周辺部への排気経路が増える。したがっ
て、中心部から周辺部への排気が容易に行なわれる。こ
の結果、フォトマスクとウエハとの密着度が高まり、さ
らに良好な状態で露光が行なわれる。
の目状に設けられている場合、上記フォトマスクとウエ
ハの中心部から周辺部への排気経路が増える。したがっ
て、中心部から周辺部への排気が容易に行なわれる。こ
の結果、フォトマスクとウエハとの密着度が高まり、さ
らに良好な状態で露光が行なわれる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明のフォトマスクを実施例によ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
【００１０】図１は一実施例のフォトマスク１を示して
いる。このフォトマスク１は、マスク面１aの円領域２
に多数のパターン３を焼き付け印刷したものである。し
かも、上記マスク面１aの各パターン３の隙間に、マス
ク面１aの中心部Ｃから周辺部Ｐに至る溝５を碁盤の目
状に設けている。上記マスク面１aのうち溝５以外の部
分は平坦に仕上げられている。
いる。このフォトマスク１は、マスク面１aの円領域２
に多数のパターン３を焼き付け印刷したものである。し
かも、上記マスク面１aの各パターン３の隙間に、マス
ク面１aの中心部Ｃから周辺部Ｐに至る溝５を碁盤の目
状に設けている。上記マスク面１aのうち溝５以外の部
分は平坦に仕上げられている。
【００１１】露光を行う場合、図１(a)に示すように、
まず、マスク面１aを下方へ向けた状態でフォトマスク
１をマスクホルダ６にセットする。次に、ウエハ８(予
めフォトレジスト７が塗布されている)をウエハチャッ
ク９に載置し、ウエハ８をこのウエハチャック９の上面
に設けた図示しない細孔を通して吸着する。そして、上
記フォトマスク１のマスク面１aとウエハ８のフォトレ
ジスト７側の面とを所定の隙間２０を空けて対向させ、
この隙間２０(およびマスクホルダ６とウエハチャック
９の間の隙間)にＮ2ガスを満たす。隙間２０の圧力は、
従来と同様に真空計(図示せず)で観測できるようにして
おり、この段階では大気圧に等しく設定する。次に、同
図(b),(c),(d)に示すように、上記隙間２０を真空排気
してゆく。ここで、フォトマスク１とウエハ８の中心部
Ｃ付近から圧力低下が始まることから、同図(b),(c)に
示すようにフォトマスク１とウエハ８とは互いに中心部
Ｃ付近から密着してゆき、同図(d)に示すように最後に
周辺部Ｐが密着する。ここで、フォトマスク１とウエハ
８とが中心部Ｃから周辺部Ｐへ密着してゆく速さよりも
真空排気速度の方が相対的に速くなって中心部Ｃに隙間
が残ろうとしても、上記溝５を通して中心部Ｃから周辺
部Ｐへ向けて排気が行なわれる。この結果、フォトマス
クとウエハの中心部Ｃに隙間が残らなくなり、フォトマ
スク１とウエハ８とを完全に密着させることができる。
次に、同図(e)に示すように、ウエハチャック９に設け
た細孔を通してＮ2ガスをわずかに噴出させる。これに
より、ウエハ８をフォトマスク１側へ押し付け、フォト
マスク１とウエハ８との密着度を高める。この状態で、
フォトマスク１の上方からウエハ８に対して露光を行
う。フォトマスク１とウエハ８とを完全に密着させてい
るので、露光時にパターンひずみが生じることがなく、
常に良好な状態で露光を行うことができる。
まず、マスク面１aを下方へ向けた状態でフォトマスク
１をマスクホルダ６にセットする。次に、ウエハ８(予
めフォトレジスト７が塗布されている)をウエハチャッ
ク９に載置し、ウエハ８をこのウエハチャック９の上面
に設けた図示しない細孔を通して吸着する。そして、上
記フォトマスク１のマスク面１aとウエハ８のフォトレ
ジスト７側の面とを所定の隙間２０を空けて対向させ、
この隙間２０(およびマスクホルダ６とウエハチャック
９の間の隙間)にＮ2ガスを満たす。隙間２０の圧力は、
従来と同様に真空計(図示せず)で観測できるようにして
おり、この段階では大気圧に等しく設定する。次に、同
図(b),(c),(d)に示すように、上記隙間２０を真空排気
してゆく。ここで、フォトマスク１とウエハ８の中心部
Ｃ付近から圧力低下が始まることから、同図(b),(c)に
示すようにフォトマスク１とウエハ８とは互いに中心部
Ｃ付近から密着してゆき、同図(d)に示すように最後に
周辺部Ｐが密着する。ここで、フォトマスク１とウエハ
８とが中心部Ｃから周辺部Ｐへ密着してゆく速さよりも
真空排気速度の方が相対的に速くなって中心部Ｃに隙間
が残ろうとしても、上記溝５を通して中心部Ｃから周辺
部Ｐへ向けて排気が行なわれる。この結果、フォトマス
クとウエハの中心部Ｃに隙間が残らなくなり、フォトマ
スク１とウエハ８とを完全に密着させることができる。
次に、同図(e)に示すように、ウエハチャック９に設け
た細孔を通してＮ2ガスをわずかに噴出させる。これに
より、ウエハ８をフォトマスク１側へ押し付け、フォト
マスク１とウエハ８との密着度を高める。この状態で、
フォトマスク１の上方からウエハ８に対して露光を行
う。フォトマスク１とウエハ８とを完全に密着させてい
るので、露光時にパターンひずみが生じることがなく、
常に良好な状態で露光を行うことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のフ
ォトマスクは、パターンが並ぶマスク面に中心部から周
辺部に至る溝が設けられているので、真空排気を行うこ
とによってウエハと常に完全に密着させることができ
る。したがって、常に良好な状態で露光を行うことがで
きる。
ォトマスクは、パターンが並ぶマスク面に中心部から周
辺部に至る溝が設けられているので、真空排気を行うこ
とによってウエハと常に完全に密着させることができ
る。したがって、常に良好な状態で露光を行うことがで
きる。
【００１３】また、上記溝が上記パターンの隙間に碁盤
の目状に設けられている場合、フォトマスクとウエハと
の密着度を高めることができ、さらに良好な状態で露光
を行うことができる。
の目状に設けられている場合、フォトマスクとウエハと
の密着度を高めることができ、さらに良好な状態で露光
を行うことができる。
【図１】 この発明の一実施例のフォトマスクを示す図
である。
である。
【図２】 上記フォトマスクを用いて露光を行う工程を
示す図である。
示す図である。
【図３】 従来のフォトマスクを示す図である。
【図４】 上記従来のフォトマスクを用いて露光を行う
工程を示す図である。
工程を示す図である。
１ フォトマスク １a マスク面 ２ 円領域 ３ パターン ５ 溝 ６ マスクホルダ ７ レジスト ８ ウエハ ９ ウエハチャック ２０ 隙間 Ｃ 中心部 Ｐ 周辺部
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス板の片面に所定のパターンが並ぶ
フォトマスクにおいて、 上記パターンが並ぶ面に、この面の中心部から周辺部に
至る溝が設けられていることを特徴とするフォトマス
ク。 - 【請求項２】 上記溝は、上記パターンの隙間に碁盤の
目状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載
のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30907691A JPH05142760A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30907691A JPH05142760A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142760A true JPH05142760A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17988595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30907691A Pending JPH05142760A (ja) | 1991-11-25 | 1991-11-25 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142760A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5195778A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-21 | ||
| JPS52153669A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-20 | Toshiba Corp | Photo mask of semiconductor integrated circuit |
| JPS5376397A (en) * | 1976-12-18 | 1978-07-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Photo mask for manufacturing magnetic bubble element |
| JPS53112673A (en) * | 1977-03-12 | 1978-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Mask alignment method in semiconductor device manufacturing process and photo mask used for its execution |
| JPS625243A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Ricoh Co Ltd | コンタクト露光用マスク |
| JPS62143054A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | マスク |
-
1991
- 1991-11-25 JP JP30907691A patent/JPH05142760A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5195778A (ja) * | 1975-02-03 | 1976-08-21 | ||
| JPS52153669A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-20 | Toshiba Corp | Photo mask of semiconductor integrated circuit |
| JPS5376397A (en) * | 1976-12-18 | 1978-07-06 | Agency Of Ind Science & Technol | Photo mask for manufacturing magnetic bubble element |
| JPS53112673A (en) * | 1977-03-12 | 1978-10-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Mask alignment method in semiconductor device manufacturing process and photo mask used for its execution |
| JPS625243A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-12 | Ricoh Co Ltd | コンタクト露光用マスク |
| JPS62143054A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Hitachi Ltd | マスク |
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