JPH09330866A - プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置 - Google Patents
プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置Info
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- JPH09330866A JPH09330866A JP8149079A JP14907996A JPH09330866A JP H09330866 A JPH09330866 A JP H09330866A JP 8149079 A JP8149079 A JP 8149079A JP 14907996 A JP14907996 A JP 14907996A JP H09330866 A JPH09330866 A JP H09330866A
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- photomask
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- suction stage
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスクによる近接露光時にフォトマス
クに異物が付着してしまい、その異物による隣接間ショ
ートが発生していた。 【解決手段】 露光する基板を搭載した基板吸着ステー
ジ８を第１のフォトマスク３の真下に移動し、基板吸着
ステージ８に設けたアライメントマーク９、１０を基準
に第１のフォトマスク３をアライメントし、通常露光量
より小さいが解像するギリギリの露光量で１回目の近接
露光を行ない、１回露光した基板を搭載した基板吸着ス
テージ８を第１のフォトマスク３と同一パターン形状の
第２のフォトマスク５の真下に移動し、基板吸着ステー
ジ８のアライメントマーク９、１０を基準に第２のフォ
トマスク５をアライメントし、１回目と同じ露光量で２
回目の近接露光を行なう装置である。
クに異物が付着してしまい、その異物による隣接間ショ
ートが発生していた。 【解決手段】 露光する基板を搭載した基板吸着ステー
ジ８を第１のフォトマスク３の真下に移動し、基板吸着
ステージ８に設けたアライメントマーク９、１０を基準
に第１のフォトマスク３をアライメントし、通常露光量
より小さいが解像するギリギリの露光量で１回目の近接
露光を行ない、１回露光した基板を搭載した基板吸着ス
テージ８を第１のフォトマスク３と同一パターン形状の
第２のフォトマスク５の真下に移動し、基板吸着ステー
ジ８のアライメントマーク９、１０を基準に第２のフォ
トマスク５をアライメントし、１回目と同じ露光量で２
回目の近接露光を行なう装置である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２枚のフォトマス
クのアライメントを基板吸着ステージのアライメントマ
ークで行なう、プロキシミティー露光の方法及び装置に
関する。
クのアライメントを基板吸着ステージのアライメントマ
ークで行なう、プロキシミティー露光の方法及び装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のプロキシミティー露光としては、
搬入された、ポジレジストが塗布されたガラス基板を１
台の基板吸着ステージに機械的に位置決めした後、真空
吸着を行ない、予め１台のマスク吸着ステージにセット
されたフォトマスクと基板との隙間を一定に保持し、１
台の光源による所定の露光後、基板吸着ステージからガ
ラス基板を移動させガラス基板を搬出する露光方法及び
露光装置がある。
搬入された、ポジレジストが塗布されたガラス基板を１
台の基板吸着ステージに機械的に位置決めした後、真空
吸着を行ない、予め１台のマスク吸着ステージにセット
されたフォトマスクと基板との隙間を一定に保持し、１
台の光源による所定の露光後、基板吸着ステージからガ
ラス基板を移動させガラス基板を搬出する露光方法及び
露光装置がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例では、露光するための光源、基板吸着ステージ、マ
スク吸着ステージが１台ずつで、しかも移動できない。
そのため、ポジレジスト塗布後プリベークされたガラス
基板上にごみ等の異物が付着したままガラス基板が露光
位置に搬入され、基板吸着ステージの所定の位置に位置
決めピン等で機械的に位置決めされた後に吸着され、フ
ォトマスクに対して一定の隙間に保持された時に、異物
がフォトマスクと基板との隙間より大きい場合、異物と
フォトマスクが接触してしまう。これにより、フォトマ
スクに異物が付着してしまい、次のガラス基板上のポジ
レジストを露光する際にその異物によって光が遮断され
てしまうので、次工程である現象においてもポジレジス
トは除去されない。そして現像後、ポストベーク、エッ
チング、レジスト剥離といったパターニング工程を行な
うと隣接間ショートになってしまう。しかも、次から露
光されたガラス基板全てに共通の隣接間ショートが発生
してしまうという問題点があった。尚、ここでいう「隣
接間ショート」とは、透明電極や金属膜が本来残らない
エリアに透明電極や金属膜が残ってしまい、電気的に絶
縁されなければならないライン同志が電気的に導通して
しまう状態をいう。
来例では、露光するための光源、基板吸着ステージ、マ
スク吸着ステージが１台ずつで、しかも移動できない。
そのため、ポジレジスト塗布後プリベークされたガラス
基板上にごみ等の異物が付着したままガラス基板が露光
位置に搬入され、基板吸着ステージの所定の位置に位置
決めピン等で機械的に位置決めされた後に吸着され、フ
ォトマスクに対して一定の隙間に保持された時に、異物
がフォトマスクと基板との隙間より大きい場合、異物と
フォトマスクが接触してしまう。これにより、フォトマ
スクに異物が付着してしまい、次のガラス基板上のポジ
レジストを露光する際にその異物によって光が遮断され
てしまうので、次工程である現象においてもポジレジス
トは除去されない。そして現像後、ポストベーク、エッ
チング、レジスト剥離といったパターニング工程を行な
うと隣接間ショートになってしまう。しかも、次から露
光されたガラス基板全てに共通の隣接間ショートが発生
してしまうという問題点があった。尚、ここでいう「隣
接間ショート」とは、透明電極や金属膜が本来残らない
エリアに透明電極や金属膜が残ってしまい、電気的に絶
縁されなければならないライン同志が電気的に導通して
しまう状態をいう。
【０００４】そこで本発明は上記従来技術の問題点に鑑
み、プロキシミティー露光装置の基板吸着ステージに基
準となるアライメントマークを設け、そのアライメント
マークを基準に、パターンの同じ２枚のフォトマスクの
アライメントと露光を２回連続して行なえるようにし
て、異物が付着したフォトマスクによる隣接間ショート
の発生を防ぐことができる露光方法及び露光装置を提供
することにある。
み、プロキシミティー露光装置の基板吸着ステージに基
準となるアライメントマークを設け、そのアライメント
マークを基準に、パターンの同じ２枚のフォトマスクの
アライメントと露光を２回連続して行なえるようにし
て、異物が付着したフォトマスクによる隣接間ショート
の発生を防ぐことができる露光方法及び露光装置を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するために手段】上記目的を達成するため
に第１発明のプロキシミティー露光方法は、露光する１
枚の基板と、同一パターン形状の２枚のフォトマスクと
を用意し、まず、１枚のフォトマスクと前記基板とをア
ライメントして前記基板に対し１回目の近接露光を行な
い、次に、露光された前記基板ともう１枚のフォトマス
クとを対向させてアライメントして、露光された前記基
板に対し１回目の露光と同一条件で２回目の近接露光を
行なうことを特徴とする。
に第１発明のプロキシミティー露光方法は、露光する１
枚の基板と、同一パターン形状の２枚のフォトマスクと
を用意し、まず、１枚のフォトマスクと前記基板とをア
ライメントして前記基板に対し１回目の近接露光を行な
い、次に、露光された前記基板ともう１枚のフォトマス
クとを対向させてアライメントして、露光された前記基
板に対し１回目の露光と同一条件で２回目の近接露光を
行なうことを特徴とする。
【０００６】また、第２発明は、露光するための光源
と、フォトマスクを吸着保持するマスク吸着ステージ
と、露光される基板を吸着保持する基板吸着ステージと
を備え、前記基板と前記フォトマスクを近接させて前記
基板に対し前記光源による露光を行なうプロキシミティ
ー露光装置において、前記フォトマスクと、前記フォト
マスクと同一パターン形状のもう１枚のフォトマスクと
に替えつつ、前記基板に対し連続して２回の近接露光を
行なう露光手段を備えたことを特徴とする。
と、フォトマスクを吸着保持するマスク吸着ステージ
と、露光される基板を吸着保持する基板吸着ステージと
を備え、前記基板と前記フォトマスクを近接させて前記
基板に対し前記光源による露光を行なうプロキシミティ
ー露光装置において、前記フォトマスクと、前記フォト
マスクと同一パターン形状のもう１枚のフォトマスクと
に替えつつ、前記基板に対し連続して２回の近接露光を
行なう露光手段を備えたことを特徴とする。
【０００７】この場合、前記基板吸着ステージに、前記
フォトマスクのアライメントの基準となるアライメント
マークが設けられていることがコストダウンを図る上で
好ましい。
フォトマスクのアライメントの基準となるアライメント
マークが設けられていることがコストダウンを図る上で
好ましい。
【０００８】また、上記の露光装置において、前記光
源、前記フォトマスク及び前記マスク吸着ステージは各
々２つずつ有し、前記露光手段は、前記基板吸着ステー
ジを第１のフォトマスクに対向させ、前記基板吸着ステ
ージのアライメントマークを基準に前記第１のフォトマ
スクをアライメントした後に前記基板に対し１回目の近
接露光を行ない、次いで、露光された前記基板を保持し
たまま前記基板吸着ステージを前記第１のフォトマスク
と同一パターン形状の第２のフォトマスクに対向させ、
前記基板吸着ステージのアライメントマークを基準に前
記第２のフォトマスクをアライメントした後、露光され
た前記基板に対し２回目の近接露光を行なう機構からな
ることを特徴とするものや、前記光源は１台、前記フォ
トマスク及び前記マスク吸着ステージは各々２つずつ有
し、前記露光手段は、前記基板吸着ステージに第１のフ
ォトマスクを対向させ、前記基板吸着ステージのアライ
メントマークを基準に第１のフォトマスクをアライメン
トした後に前記基板に対し１回目の近接露光を行ない、
次いで、露光された前記基板を保持したまま前記基板吸
着ステージに前記第１のフォトマスクと同一パターン形
状の第２のフォトマスクを対向させ、前記基板吸着ステ
ージのアライメントマークを基準に前記第２のフォトマ
スクをアライメントした後、露光された前記基板に対し
２回目の近接露光を行なう機構からなることを特徴とす
るものが考えられる。
源、前記フォトマスク及び前記マスク吸着ステージは各
々２つずつ有し、前記露光手段は、前記基板吸着ステー
ジを第１のフォトマスクに対向させ、前記基板吸着ステ
ージのアライメントマークを基準に前記第１のフォトマ
スクをアライメントした後に前記基板に対し１回目の近
接露光を行ない、次いで、露光された前記基板を保持し
たまま前記基板吸着ステージを前記第１のフォトマスク
と同一パターン形状の第２のフォトマスクに対向させ、
前記基板吸着ステージのアライメントマークを基準に前
記第２のフォトマスクをアライメントした後、露光され
た前記基板に対し２回目の近接露光を行なう機構からな
ることを特徴とするものや、前記光源は１台、前記フォ
トマスク及び前記マスク吸着ステージは各々２つずつ有
し、前記露光手段は、前記基板吸着ステージに第１のフ
ォトマスクを対向させ、前記基板吸着ステージのアライ
メントマークを基準に第１のフォトマスクをアライメン
トした後に前記基板に対し１回目の近接露光を行ない、
次いで、露光された前記基板を保持したまま前記基板吸
着ステージに前記第１のフォトマスクと同一パターン形
状の第２のフォトマスクを対向させ、前記基板吸着ステ
ージのアライメントマークを基準に前記第２のフォトマ
スクをアライメントした後、露光された前記基板に対し
２回目の近接露光を行なう機構からなることを特徴とす
るものが考えられる。
【０００９】上記のとおりの発明では、露光する１枚の
基板と、同一パターン形状の２枚のフォトマスクとを用
意し、まず、１枚目のフォトマスクで前記基板に対し１
回目の近接露光を行ない、次に、露光された前記基板に
対しもう１枚のフォトマスク、で１回目の露光と同一条
件で２回目の近接露光を行なう。従って、基板上の異物
が１回目の露光時のフォトマスクへの近接移動により付
着され、この状態で基板が露光されても、この露光され
た基板を１枚目のフォトマスクと同一パターン形状のフ
ォトマスク下へ近接移動して１回目の露光と同一条件で
２回目の露光を行なえば、２枚目のフォトマスクには異
物は付着しないので、異物による隣接間ショートを防ぐ
ことが可能である。また、従来例のように、次から露光
するガラス基板全てに共通の隣接間ショートが発生する
こともない。
基板と、同一パターン形状の２枚のフォトマスクとを用
意し、まず、１枚目のフォトマスクで前記基板に対し１
回目の近接露光を行ない、次に、露光された前記基板に
対しもう１枚のフォトマスク、で１回目の露光と同一条
件で２回目の近接露光を行なう。従って、基板上の異物
が１回目の露光時のフォトマスクへの近接移動により付
着され、この状態で基板が露光されても、この露光され
た基板を１枚目のフォトマスクと同一パターン形状のフ
ォトマスク下へ近接移動して１回目の露光と同一条件で
２回目の露光を行なえば、２枚目のフォトマスクには異
物は付着しないので、異物による隣接間ショートを防ぐ
ことが可能である。また、従来例のように、次から露光
するガラス基板全てに共通の隣接間ショートが発生する
こともない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１１】（第１の実施の形態）図１は本発明による
プロキシミティー露光装置の第１の実施形態を最もよく
表わす図面であり、（ａ）は露光方向に対し垂直に見た
図、（ｂ）は露光方向から見たガラス基板の平面図を示
す。
プロキシミティー露光装置の第１の実施形態を最もよく
表わす図面であり、（ａ）は露光方向に対し垂直に見た
図、（ｂ）は露光方向から見たガラス基板の平面図を示
す。
【００１２】本形態のプロキシミティー露光装置は、所
定のパターンのフォトマスクと、このフォトマスクと同
一パターン形状のもう１枚のフォトマスクとに替えつ
つ、基板に対し連続して２回の近接露光を行なう露光手
段を備えたものである。例えば図１に示すように、露光
するための第１の光源１及び第２の光源２を有する。第
１の光源１の下には、アライメントマーク（不図示）を
有する第１のフォトマスク３を光源側面で吸着する第１
のマスク吸着ステージ４が設置され、同様に、第２の光
源２の下には、アライメントマーク（不図示）を有する
第２のフォトマスク５を光源側面で吸着する第２のマス
ク吸着ステージ６が設置されている。この第２のフォト
マスク５は第１のフォトマスク３のパターンと同一形状
を持つものである。
定のパターンのフォトマスクと、このフォトマスクと同
一パターン形状のもう１枚のフォトマスクとに替えつ
つ、基板に対し連続して２回の近接露光を行なう露光手
段を備えたものである。例えば図１に示すように、露光
するための第１の光源１及び第２の光源２を有する。第
１の光源１の下には、アライメントマーク（不図示）を
有する第１のフォトマスク３を光源側面で吸着する第１
のマスク吸着ステージ４が設置され、同様に、第２の光
源２の下には、アライメントマーク（不図示）を有する
第２のフォトマスク５を光源側面で吸着する第２のマス
ク吸着ステージ６が設置されている。この第２のフォト
マスク５は第１のフォトマスク３のパターンと同一形状
を持つものである。
【００１３】さらに、この露光装置は、露光されるガラ
ス基板７を機械的に位置決めし吸着を行なう基板吸着ス
テージ８を備えている。この基板吸着ステージ８は、第
１のマスク吸着ステージ４または第２のマスク吸着ステ
ージ６の真下に移動し、フォトマスクとガラス基板とを
一定の隙間に保持するために該ステージ４または６に対
して昇降可能になっている。
ス基板７を機械的に位置決めし吸着を行なう基板吸着ス
テージ８を備えている。この基板吸着ステージ８は、第
１のマスク吸着ステージ４または第２のマスク吸着ステ
ージ６の真下に移動し、フォトマスクとガラス基板とを
一定の隙間に保持するために該ステージ４または６に対
して昇降可能になっている。
【００１４】また、基板吸着ステージ８には、フォトマ
スク３及び５とアライメントを行なうためにアライメン
トマーク９、１０が設けられている。
スク３及び５とアライメントを行なうためにアライメン
トマーク９、１０が設けられている。
【００１５】次に、図１を参照して、上記構成によるプ
ロキシミティー露光方法について説明する。
ロキシミティー露光方法について説明する。
【００１６】まず、露光されるガラス基板７を用意す
る。このガラス基板７としては、透明電極等を全面的に
成膜した後、この上面にポジレジストをスピンナーによ
って約２μｍの膜厚でコーティングし、次にホットプレ
ートにより１００℃、２分のプリベークを行なったもの
が用いられる。
る。このガラス基板７としては、透明電極等を全面的に
成膜した後、この上面にポジレジストをスピンナーによ
って約２μｍの膜厚でコーティングし、次にホットプレ
ートにより１００℃、２分のプリベークを行なったもの
が用いられる。
【００１７】上記のようなガラス基板７は本形態の露光
装置に搬入され、機械的な加工でアライメントマーク
９、１０が設けられた基板吸着ステージ８上に位置決め
ピンにより位置決めされた後、この基板吸着ステージ８
に真空吸着される。
装置に搬入され、機械的な加工でアライメントマーク
９、１０が設けられた基板吸着ステージ８上に位置決め
ピンにより位置決めされた後、この基板吸着ステージ８
に真空吸着される。
【００１８】そして、基板吸着ステージ８は第１のマス
ク吸着ステージ４の真下に移動し、マスク吸着ステージ
４に搭載された第１のフォトマスク３とガラス基板７と
の隙間（ギャップ）が８０μｍになるまで、図中矢印イ
方向に上昇する。
ク吸着ステージ４の真下に移動し、マスク吸着ステージ
４に搭載された第１のフォトマスク３とガラス基板７と
の隙間（ギャップ）が８０μｍになるまで、図中矢印イ
方向に上昇する。
【００１９】ここで第１のフォトマスク３のアライメン
トマーク（不図示）と基板吸着ステージ８に設けられた
アライメントマーク９、１０を用い、基板吸着ステージ
８のアライメントマーク９、１０を基準に第１のフォト
マスク３がアライメントされ、第１の光源１によってガ
ラス基板７が露光される。このとき、通常の露光量は８
０ｍＪ／ｃｍ2であるが、解像するギリギリの露光量で
ある５０ｍＪ／ｃｍ2で露光した。
トマーク（不図示）と基板吸着ステージ８に設けられた
アライメントマーク９、１０を用い、基板吸着ステージ
８のアライメントマーク９、１０を基準に第１のフォト
マスク３がアライメントされ、第１の光源１によってガ
ラス基板７が露光される。このとき、通常の露光量は８
０ｍＪ／ｃｍ2であるが、解像するギリギリの露光量で
ある５０ｍＪ／ｃｍ2で露光した。
【００２０】次に、基板吸着ステージ８は図中矢印ロ方
向に下降し、ガラス基板７を真空吸着したまま図中矢印
ハ方向に移動して、第２のマスク吸着ステージ６の真下
に位置する。そして上記１回目の露光と同様、基板吸着
ステージ８は第２のフォトマスク５とガラス基板７との
隙間（ギャップ）が８０μｍになるまで図中矢印ニ方向
に上昇する。その後、第２のフォトマスク５のアライメ
ントマーク（不図示）を用い、基板吸着ステージ８のア
ライメントマーク９、１０を基準に第２のフォトマスク
５がアライメントされ、ガラス基板７は第２の光源２に
より５０ｍＪ／ｃｍ2で露光される。
向に下降し、ガラス基板７を真空吸着したまま図中矢印
ハ方向に移動して、第２のマスク吸着ステージ６の真下
に位置する。そして上記１回目の露光と同様、基板吸着
ステージ８は第２のフォトマスク５とガラス基板７との
隙間（ギャップ）が８０μｍになるまで図中矢印ニ方向
に上昇する。その後、第２のフォトマスク５のアライメ
ントマーク（不図示）を用い、基板吸着ステージ８のア
ライメントマーク９、１０を基準に第２のフォトマスク
５がアライメントされ、ガラス基板７は第２の光源２に
より５０ｍＪ／ｃｍ2で露光される。
【００２１】上記のような露光後、基板吸着ステージ８
は図中矢印ホ方向に下降し、ガラス基板７の吸着を解除
し、ガラス基板７は露光装置から搬出される。そして、
別のガラス基板を露光するために基板吸着ステージ８は
図中矢印ヘ方向に移動され第１のマスク吸着ステージ４
の下に配置される。
は図中矢印ホ方向に下降し、ガラス基板７の吸着を解除
し、ガラス基板７は露光装置から搬出される。そして、
別のガラス基板を露光するために基板吸着ステージ８は
図中矢印ヘ方向に移動され第１のマスク吸着ステージ４
の下に配置される。
【００２２】その後、現像、ポストベーク、エッチン
グ、レジスト剥離の工程を行なったが、本例では隣接間
ショートの無いことが確認された。
グ、レジスト剥離の工程を行なったが、本例では隣接間
ショートの無いことが確認された。
【００２３】このように本形態では、露光する基板を搭
載した基板吸着ステージ８を第１のフォトマスク３の真
下に移動し、基板吸着ステージ８に設けたアライメント
マーク９、１０を基準に第１のフォトマスク３をアライ
メントし、通常露光量より小さいが解像するギリギリの
露光量で１回目の近接露光を行ない、さらに１回露光し
た基板を搭載した基板吸着ステージ８を第１のフォトマ
スク３と同一パターン形状の第２のフォトマスク５の真
下に移動し、基板吸着ステージ８のアライメントマーク
９、１０を基準に第２のフォトマスク５をアライメント
し、１回目と同じ露光量で２回目の近接露光を行なっ
た。
載した基板吸着ステージ８を第１のフォトマスク３の真
下に移動し、基板吸着ステージ８に設けたアライメント
マーク９、１０を基準に第１のフォトマスク３をアライ
メントし、通常露光量より小さいが解像するギリギリの
露光量で１回目の近接露光を行ない、さらに１回露光し
た基板を搭載した基板吸着ステージ８を第１のフォトマ
スク３と同一パターン形状の第２のフォトマスク５の真
下に移動し、基板吸着ステージ８のアライメントマーク
９、１０を基準に第２のフォトマスク５をアライメント
し、１回目と同じ露光量で２回目の近接露光を行なっ
た。
【００２４】図２は、本形態による露光時の、ガラス基
板に付着していた異物の影響を説明するための図であ
る。この図に示すように、ガラス基板７上の異物が第１
回目の露光時の第１のフォトマスク３への近接移動によ
り付着され、この状態でガラス基板７が露光されても、
この露光されたガラス基板７を第１のフォトマスク３と
同一パターン形状の第２のフォトマスク５下へ近接移動
して第１回目の露光と同一条件で２回目の露光を行なえ
ば、第２のフォトマスク５には異物は付着しないので、
異物による隣接間ショートを防ぐことができる。また、
従来例のように、次から露光するガラス基板全てに共通
の隣接間ショートが発生することはない。
板に付着していた異物の影響を説明するための図であ
る。この図に示すように、ガラス基板７上の異物が第１
回目の露光時の第１のフォトマスク３への近接移動によ
り付着され、この状態でガラス基板７が露光されても、
この露光されたガラス基板７を第１のフォトマスク３と
同一パターン形状の第２のフォトマスク５下へ近接移動
して第１回目の露光と同一条件で２回目の露光を行なえ
ば、第２のフォトマスク５には異物は付着しないので、
異物による隣接間ショートを防ぐことができる。また、
従来例のように、次から露光するガラス基板全てに共通
の隣接間ショートが発生することはない。
【００２５】（第２の実施の形態）図３は本発明による
プロキシミティー露光装置の第２の実施形態を最もよく
表す図面であり、（ａ）は露光方向に対して垂直に見た
図、（ｂ）は露光方向から見たガラス基板の平面図を示
す。
プロキシミティー露光装置の第２の実施形態を最もよく
表す図面であり、（ａ）は露光方向に対して垂直に見た
図、（ｂ）は露光方向から見たガラス基板の平面図を示
す。
【００２６】本形態のプロキシミティー露光装置は、所
定のパターンのフォトマスクと、このフォトマスクと同
一パターン形状のもう１枚のフォトマスクとに替えつ
つ、基板に対し連続して２回の近接露光を行なう露光手
段を備えたもので、例えば図３に示すように、露光する
ための光源１１を１つ備える。この光源１１の真下の所
定の位置には、第１のフォトマスク１２を光源側面で吸
着する第１のマスク吸着ステージ１３と、第２のフォト
マスク１４を光源側面で吸着する第２のマスク吸着ステ
ージ１５とが移動可能になっている。第１のフォトマス
ク１２および第２のフォトマスク１４にはそれぞれアラ
イメントマーク（不図示）が設けられ、また両者のフォ
トマスクのパターン形状は同一である。
定のパターンのフォトマスクと、このフォトマスクと同
一パターン形状のもう１枚のフォトマスクとに替えつ
つ、基板に対し連続して２回の近接露光を行なう露光手
段を備えたもので、例えば図３に示すように、露光する
ための光源１１を１つ備える。この光源１１の真下の所
定の位置には、第１のフォトマスク１２を光源側面で吸
着する第１のマスク吸着ステージ１３と、第２のフォト
マスク１４を光源側面で吸着する第２のマスク吸着ステ
ージ１５とが移動可能になっている。第１のフォトマス
ク１２および第２のフォトマスク１４にはそれぞれアラ
イメントマーク（不図示）が設けられ、また両者のフォ
トマスクのパターン形状は同一である。
【００２７】さらに、第１のマスク吸着ステージ１３ま
たは第２のマスク吸着ステージ１５が移動される所定の
位置の真下には、露光されるガラス基板１６を機械的に
位置決めし吸着を行なう基板吸着ステージ１７が配され
ている。この基板吸着ステージ１７は、フォトマスクと
ガラス基板とを一定の隙間に保持するために前記マスク
吸着ステージ１３または１５に対して昇降可能になって
いる。
たは第２のマスク吸着ステージ１５が移動される所定の
位置の真下には、露光されるガラス基板１６を機械的に
位置決めし吸着を行なう基板吸着ステージ１７が配され
ている。この基板吸着ステージ１７は、フォトマスクと
ガラス基板とを一定の隙間に保持するために前記マスク
吸着ステージ１３または１５に対して昇降可能になって
いる。
【００２８】また、基板吸着ステージ１７には、フォト
マスク１２及び１４とアライメントを行なうためにアラ
イメントマーク１８、１９が設けられている。
マスク１２及び１４とアライメントを行なうためにアラ
イメントマーク１８、１９が設けられている。
【００２９】尚、本形態ではマスク吸着ステージが２個
設けられているが、第１のマスク吸着ステージ１３と第
２のマスク吸着ステージ１５を一体のステージにし、こ
のステージ上に第１のフォトマスク１２と第２のフォト
マスク１４を所定の間隔で離して置いたものであっても
よい。
設けられているが、第１のマスク吸着ステージ１３と第
２のマスク吸着ステージ１５を一体のステージにし、こ
のステージ上に第１のフォトマスク１２と第２のフォト
マスク１４を所定の間隔で離して置いたものであっても
よい。
【００３０】次に、図３を参照して、上記構成によるプ
ロキシミティー露光方法について説明する。
ロキシミティー露光方法について説明する。
【００３１】まず、露光されるガラス基板１６を用意す
る。このガラス基板１６は、第１の実施形態と同様にポ
ジレジストをコーティングしたものとした。
る。このガラス基板１６は、第１の実施形態と同様にポ
ジレジストをコーティングしたものとした。
【００３２】上記のようなガラス基板１６は本形態の露
光装置に搬入され、機械的な加工でアライメントマーク
１８、１９が設けられた基板吸着ステージ１７上に位置
決めピンにより位置決めされた後、この基板吸着ステー
ジ１７に真空吸着される。そして、第１のフォトマスク
１２を搭載した第１のマスク吸着ステージ１３が図中ア
方向に移動されて光源１１の真下、言い換えればガラス
基板１６の直上の所定の位置に配置される。
光装置に搬入され、機械的な加工でアライメントマーク
１８、１９が設けられた基板吸着ステージ１７上に位置
決めピンにより位置決めされた後、この基板吸着ステー
ジ１７に真空吸着される。そして、第１のフォトマスク
１２を搭載した第１のマスク吸着ステージ１３が図中ア
方向に移動されて光源１１の真下、言い換えればガラス
基板１６の直上の所定の位置に配置される。
【００３３】さらに、基板吸着ステージ１７は、第１の
マスク吸着ステージ１３に搭載された第１のフォトマス
ク１２とガラス基板７との隙間（ギャップ）が８０μｍ
になるまで、図中矢印イ方向に上昇する。
マスク吸着ステージ１３に搭載された第１のフォトマス
ク１２とガラス基板７との隙間（ギャップ）が８０μｍ
になるまで、図中矢印イ方向に上昇する。
【００３４】ここで第１のフォトマスク１２のアライメ
ントマーク（不図示）と基板吸着ステージ１７に設けら
れたアライメントマーク１８、１９を用い、基板吸着ス
テージ１７のアライメントマーク１８、１９を基準に第
１のフォトマスク１２がアライメントされ、光源１１に
よってガラス基板１６が露光される。このとき、通常の
露光量は８０ｍＪ／ｃｍ2であるが、解像するギリギリ
の露光量である５０ｍＪ／ｃｍ2で露光した。
ントマーク（不図示）と基板吸着ステージ１７に設けら
れたアライメントマーク１８、１９を用い、基板吸着ス
テージ１７のアライメントマーク１８、１９を基準に第
１のフォトマスク１２がアライメントされ、光源１１に
よってガラス基板１６が露光される。このとき、通常の
露光量は８０ｍＪ／ｃｍ2であるが、解像するギリギリ
の露光量である５０ｍＪ／ｃｍ2で露光した。
【００３５】次に、基板吸着ステージ１７が図中矢印ウ
方向に下降すると共に、第１のフォトマスク吸着ステー
ジ１３が図中矢印エ方向に移動して光源１１の真下の所
定の位置から退避する。これに代わって第２のマスク吸
着ステージ１５が図中矢印オ方向に移動して光源１１の
真下の所定の位置に配置される。
方向に下降すると共に、第１のフォトマスク吸着ステー
ジ１３が図中矢印エ方向に移動して光源１１の真下の所
定の位置から退避する。これに代わって第２のマスク吸
着ステージ１５が図中矢印オ方向に移動して光源１１の
真下の所定の位置に配置される。
【００３６】そして上記１回目の露光と同様、基板吸着
ステージ１７は、第２のマスク吸着ステージ１５に搭載
された第２のフォトマスク１４とガラス基板１６との隙
間（ギャップ）が８０μｍになるまで、図中矢印イ方向
に上昇する。その後、第２のフォトマスク１４のアライ
メントマーク（不図示）を用い、基板吸着ステージ１７
のアライメントマーク１８、１９を基準に第２のフォト
マスク１４がアライメントされ、ガラス基板１６は光源
１１により５０ｍＪ／ｃｍ2で露光される。
ステージ１７は、第２のマスク吸着ステージ１５に搭載
された第２のフォトマスク１４とガラス基板１６との隙
間（ギャップ）が８０μｍになるまで、図中矢印イ方向
に上昇する。その後、第２のフォトマスク１４のアライ
メントマーク（不図示）を用い、基板吸着ステージ１７
のアライメントマーク１８、１９を基準に第２のフォト
マスク１４がアライメントされ、ガラス基板１６は光源
１１により５０ｍＪ／ｃｍ2で露光される。
【００３７】上記のような露光後、基板吸着ステージ１
７は図中矢印ウ方向に下降し、ガラス基板１６の吸着を
解除し、ガラス基板１６は露光装置から搬出される。そ
して、別のガラス基板を露光するために第２のマスク吸
着ステージ１５は図中矢印カ方向に退避される。
７は図中矢印ウ方向に下降し、ガラス基板１６の吸着を
解除し、ガラス基板１６は露光装置から搬出される。そ
して、別のガラス基板を露光するために第２のマスク吸
着ステージ１５は図中矢印カ方向に退避される。
【００３８】その後、現像、ポストベーク、エッチン
グ、レジスト剥離の工程を行なったが、本例では隣接間
ショートの無いことが確認された。
グ、レジスト剥離の工程を行なったが、本例では隣接間
ショートの無いことが確認された。
【００３９】このように本形態では、露光する基板を搭
載した基板吸着ステージ８の直上の所定の位置に第１の
フォトマスク１２を移動し、基板吸着ステージ１７に設
けたアライメントマーク１８、１９を基準に第１のフォ
トマスク１２をアライメントし、通常露光量より小さい
が解像するギリギリの露光量で１回目の近接露光を行な
い、さらに１回露光した基板を搭載した基板吸着ステー
ジ１７の直上の所定の位置に第１のフォトマスク１２と
同一パターン形状の第２のフォトマスク１４を移動し、
基板吸着ステージ１７のアライメントマーク１８、１９
を基準に第２のフォトマスク１４をアライメントし、１
回目と同じ露光量で２回目の近接露光を行なった。
載した基板吸着ステージ８の直上の所定の位置に第１の
フォトマスク１２を移動し、基板吸着ステージ１７に設
けたアライメントマーク１８、１９を基準に第１のフォ
トマスク１２をアライメントし、通常露光量より小さい
が解像するギリギリの露光量で１回目の近接露光を行な
い、さらに１回露光した基板を搭載した基板吸着ステー
ジ１７の直上の所定の位置に第１のフォトマスク１２と
同一パターン形状の第２のフォトマスク１４を移動し、
基板吸着ステージ１７のアライメントマーク１８、１９
を基準に第２のフォトマスク１４をアライメントし、１
回目と同じ露光量で２回目の近接露光を行なった。
【００４０】図４は、本形態による近接露光時の、ガラ
ス基板に付着していた異物の影響を説明するための図で
ある。この図に示すように、、第１回目の露光時の第１
のフォトマスク１２への近接移動により第１のフォトマ
スク１２に異物１２が付着され、この状態でガラス基板
１６が露光されても、この露光されたガラス基板１６に
対して再度、第１のフォトマスク１２と同一パターン形
状の第２のフォトマスク１４で第１回目の露光と同一条
件の２回目の近接露光が行なわれるので、異物による隣
接間ショートを防ぐことができる。また、従来例のよう
に、次から露光する基板全てに共通の隣接間ショートが
発生することはない。
ス基板に付着していた異物の影響を説明するための図で
ある。この図に示すように、、第１回目の露光時の第１
のフォトマスク１２への近接移動により第１のフォトマ
スク１２に異物１２が付着され、この状態でガラス基板
１６が露光されても、この露光されたガラス基板１６に
対して再度、第１のフォトマスク１２と同一パターン形
状の第２のフォトマスク１４で第１回目の露光と同一条
件の２回目の近接露光が行なわれるので、異物による隣
接間ショートを防ぐことができる。また、従来例のよう
に、次から露光する基板全てに共通の隣接間ショートが
発生することはない。
【００４１】尚、以上説明した第１及び第２の実施形態
は、露光するガラス基板にアライメントマークを設けず
に、基板吸着ステージに設けてあることを特徴とする。
以下に、基板吸着ステージにアライメントマークを設け
た場合の利点を述べる。
は、露光するガラス基板にアライメントマークを設けず
に、基板吸着ステージに設けてあることを特徴とする。
以下に、基板吸着ステージにアライメントマークを設け
た場合の利点を述べる。
【００４２】ガラス基板に予めフォトリソ工程により基
準となるアライメントマークが設けられていても、上述
した形態のように１つの基板吸着ステージと、同一パタ
ーン形状のフォトマスクを搭載した２つのマスク吸着ス
テージとを備え、かつ基板吸着ステージ若しくはマスク
吸着ステージが移動できる構成にしてあれば、ガラス基
板のアライメントマークを基準に２枚の同じフォトマス
クを用いて、アライメントと露光からなる工程を連続し
て２回行なうことのできる本発明と同等の効果が得られ
る。
準となるアライメントマークが設けられていても、上述
した形態のように１つの基板吸着ステージと、同一パタ
ーン形状のフォトマスクを搭載した２つのマスク吸着ス
テージとを備え、かつ基板吸着ステージ若しくはマスク
吸着ステージが移動できる構成にしてあれば、ガラス基
板のアライメントマークを基準に２枚の同じフォトマス
クを用いて、アライメントと露光からなる工程を連続し
て２回行なうことのできる本発明と同等の効果が得られ
る。
【００４３】しかし、ガラス基板にアライメントマーク
を設けるためには１回のフォトリソ工程が必要である。
この事は、１回目のフォトリソ工程でアライメントマー
クとパターンを同時に作成し、次に２回目のフォトリソ
工程で、このアライメントマークを基準にパターンの異
なった２枚目のフォトマスクをアライメントした後に露
光するリペアー工程のように計２回のフォトリソ工程が
必要になる為、工程数として、上述した形態の１回分の
フォトリソ工程につきアライメントマークのフォトリソ
工程分がさらに増えてしまう。
を設けるためには１回のフォトリソ工程が必要である。
この事は、１回目のフォトリソ工程でアライメントマー
クとパターンを同時に作成し、次に２回目のフォトリソ
工程で、このアライメントマークを基準にパターンの異
なった２枚目のフォトマスクをアライメントした後に露
光するリペアー工程のように計２回のフォトリソ工程が
必要になる為、工程数として、上述した形態の１回分の
フォトリソ工程につきアライメントマークのフォトリソ
工程分がさらに増えてしまう。
【００４４】したがって、上述の形態のように予め基板
吸着ステージにアライメントマークを設けておく事は、
アライメントマーク形成のフォトリソ工程が省けると同
時に１回分のフォトリソ工程でリペアー工程も兼ねるの
でコストダウンに繋がる。
吸着ステージにアライメントマークを設けておく事は、
アライメントマーク形成のフォトリソ工程が省けると同
時に１回分のフォトリソ工程でリペアー工程も兼ねるの
でコストダウンに繋がる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明した本発明は、プロキシミティ
ー露光において、露光する１枚の基板と、同一パターン
形状の２枚のフォトマスクとを用い、１枚目のフォトマ
スクで前記基板に対し１回目の近接露光を行なった後、
露光された前記基板に対しもう１枚のフォトマスクで１
回目の露光と同一条件で２回目の近接露光を行なうこと
により、１回目の近接露光時のフォトマスクに異物が基
板から付着しても、その異物による隣接間ショートを防
ぐことができる。また、従来例のように、次から露光す
るガラス基板全てに共通の隣接間ショートが発生するこ
ともない。
ー露光において、露光する１枚の基板と、同一パターン
形状の２枚のフォトマスクとを用い、１枚目のフォトマ
スクで前記基板に対し１回目の近接露光を行なった後、
露光された前記基板に対しもう１枚のフォトマスクで１
回目の露光と同一条件で２回目の近接露光を行なうこと
により、１回目の近接露光時のフォトマスクに異物が基
板から付着しても、その異物による隣接間ショートを防
ぐことができる。また、従来例のように、次から露光す
るガラス基板全てに共通の隣接間ショートが発生するこ
ともない。
【００４６】さらに、マスクアライメントの基準となる
アライメントマークを基板吸着ステージに設けることに
より、アライメントマークを基板に設けるフォトリソ工
程が省けてコストダウンが図れる。
アライメントマークを基板吸着ステージに設けることに
より、アライメントマークを基板に設けるフォトリソ工
程が省けてコストダウンが図れる。
【図１】本発明によるプロキシミティー露光装置の第１
の実施形態を最もよく表わす図面であり、（ａ）は露光
方向に対し垂直に見た図、（ｂ）は露光方向から見たガ
ラス基板の平面図を示す。
の実施形態を最もよく表わす図面であり、（ａ）は露光
方向に対し垂直に見た図、（ｂ）は露光方向から見たガ
ラス基板の平面図を示す。
【図２】本発明によるプロキシミティー露光装置の第１
の実施形態による露光時の、ガラス基板に付着していた
異物の影響を説明するための図である。
の実施形態による露光時の、ガラス基板に付着していた
異物の影響を説明するための図である。
【図３】本発明によるプロキシミティー露光装置の第２
の実施形態を最もよく表す図面であり、（ａ）は露光方
向に対して垂直に見た図、（ｂ）は露光方向から見たガ
ラス基板の平面図を示す。
の実施形態を最もよく表す図面であり、（ａ）は露光方
向に対して垂直に見た図、（ｂ）は露光方向から見たガ
ラス基板の平面図を示す。
【図４】本発明によるプロキシミティー露光装置の第２
の実施形態による露光時の、ガラス基板に付着していた
異物の影響を説明するための図である。
の実施形態による露光時の、ガラス基板に付着していた
異物の影響を説明するための図である。
１ 第１の光源 ２ 第２の光源 ３、１２ 第１のフォトマスク ４、１３ 第１のマスク吸着ステージ ５、１４ 第２のフォトマスク ６、１５ 第２のマスク吸着ステージ ７、１６ ガラス基板 ８、１７ 基板吸着ステージ ９、１０、１８、１９ アライメントマーク １１ 光源 ２０、２１ 異物
Claims (5)
- 【請求項１】 露光する１枚の基板と、同一パターン形
状の２枚のフォトマスクとを用意し、まず、１枚のフォ
トマスクと前記基板とをアライメントして前記基板に対
し１回目の近接露光を行ない、次に、露光された前記基
板ともう１枚のフォトマスクとを対向させてアライメン
トして、露光された前記基板に対し１回目の露光と同一
条件で２回目の近接露光を行なうプロキシミティー露光
方法。 - 【請求項２】 露光するための光源と、フォトマスクを
吸着保持するマスク吸着ステージと、露光される基板を
吸着保持する基板吸着ステージとを備え、前記基板と前
記フォトマスクを近接させて前記基板に対し前記光源に
よる露光を行なうプロキシミティー露光装置において、 前記フォトマスクと、前記フォトマスクと同一パターン
形状のもう１枚のフォトマスクとに替えつつ、前記基板
に対し連続して２回の近接露光を行なう露光手段を備え
たことを特徴とするプロキシミティー露光装置。 - 【請求項３】 前記基板吸着ステージに、前記フォトマ
スクのアライメントの基準となるアライメントマークが
設けられていることを特徴とする請求項２に記載のプロ
キシミティー露光装置。 - 【請求項４】 前記光源、前記フォトマスク及び前記マ
スク吸着ステージは各々２つずつ有し、 前記露光手段は、前記基板吸着ステージを第１のフォト
マスクに対向させ、前記基板吸着ステージのアライメン
トマークを基準に前記第１のフォトマスクをアライメン
トした後に前記基板に対し１回目の近接露光を行ない、
次いで、露光された前記基板を保持したまま前記基板吸
着ステージを前記第１のフォトマスクと同一パターン形
状の第２のフォトマスクに対向させ、前記基板吸着ステ
ージのアライメントマークを基準に前記第２のフォトマ
スクをアライメントした後、露光された前記基板に対し
２回目の近接露光を行なう機構からなることを特徴とす
る請求項３に記載のプロキシミティー露光装置。 - 【請求項５】 前記光源は１台、前記フォトマスク及び
前記マスク吸着ステージは各々２つずつ有し、 前記露光手段は、前記基板吸着ステージに第１のフォト
マスクを対向させ、前記基板吸着ステージのアライメン
トマークを基準に第１のフォトマスクをアライメントし
た後に前記基板に対し１回目の近接露光を行ない、次い
で、露光された前記基板を保持した前記基板吸着ステー
ジに前記第１のフォトマスクと同一パターン形状の第２
のフォトマスクを対向させ、前記基板吸着ステージのア
ライメントマークを基準に前記第２のフォトマスクをア
ライメントした後、露光された前記基板に対し２回目の
近接露光を行なう機構からなることを特徴とする請求項
３に記載のプロキシミティー露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149079A JPH09330866A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8149079A JPH09330866A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330866A true JPH09330866A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15467242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8149079A Pending JPH09330866A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330866A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006031025A (ja) * | 2004-07-19 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 平板表示装置の製造システム及び製造方法 |
| JP2008026474A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置 |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP8149079A patent/JPH09330866A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006031025A (ja) * | 2004-07-19 | 2006-02-02 | Samsung Electronics Co Ltd | 平板表示装置の製造システム及び製造方法 |
| JP2008026474A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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| A02 | Decision of refusal |
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