JPH06252023A - 両面パターン形成方法 - Google Patents
両面パターン形成方法Info
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- JPH06252023A JPH06252023A JP5036597A JP3659793A JPH06252023A JP H06252023 A JPH06252023 A JP H06252023A JP 5036597 A JP5036597 A JP 5036597A JP 3659793 A JP3659793 A JP 3659793A JP H06252023 A JPH06252023 A JP H06252023A
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- pattern
- photomask
- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 所定のパターンを、１枚の基板の表面と裏面
に、表面と裏面との間でパターン位置を対応させて形成
する。 【構成】 まず、透明基板８の表面８Ａに、第１のフォ
トマスクのパターン２２Ａと位置合わせマーク２４Ａ,
２４Ａ′とを転写して形成する。透明基板８の裏面８Ｂ
にレジスト１７を塗布した後、アライメント装置の顕微
鏡の視野１２内に設けられた基準マーク１４,１４′
に、第２のフォトマスク１Ｂの位置合わせマーク４Ｂ,
４Ｂ′を位置合わせする。次に、ステージ１０を動かし
て、上記基準マーク１４,１４′に、表面８Ａ側の位置
合わせマーク２４Ａ,２４Ａ′を位置合わせする。露
光、現像、エッチングを行って、透明基板８の裏面８Ｂ
に、第２のフォトマスク１Ｂのパターン２２Ｂを転写し
て形成する。
に、表面と裏面との間でパターン位置を対応させて形成
する。 【構成】 まず、透明基板８の表面８Ａに、第１のフォ
トマスクのパターン２２Ａと位置合わせマーク２４Ａ,
２４Ａ′とを転写して形成する。透明基板８の裏面８Ｂ
にレジスト１７を塗布した後、アライメント装置の顕微
鏡の視野１２内に設けられた基準マーク１４,１４′
に、第２のフォトマスク１Ｂの位置合わせマーク４Ｂ,
４Ｂ′を位置合わせする。次に、ステージ１０を動かし
て、上記基準マーク１４,１４′に、表面８Ａ側の位置
合わせマーク２４Ａ,２４Ａ′を位置合わせする。露
光、現像、エッチングを行って、透明基板８の裏面８Ｂ
に、第２のフォトマスク１Ｂのパターン２２Ｂを転写し
て形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ホログラムなどを形
成するのに適した両面パターン形成方法に関する。より
詳しくは、所定のパターンを、１枚の基板の表面と裏面
に、表面と裏面との間でパターン位置を対応させて形成
する方法に関する。
成するのに適した両面パターン形成方法に関する。より
詳しくは、所定のパターンを、１枚の基板の表面と裏面
に、表面と裏面との間でパターン位置を対応させて形成
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、両面にパターンを有する基板を形
成する場合、２枚のガラスウエハ基板の片面(表面)にそ
れぞれ所定のパターンを形成し、各ガラスウエハ基板の
裏面同士を貼り合わせて１枚の基板としていた。
成する場合、２枚のガラスウエハ基板の片面(表面)にそ
れぞれ所定のパターンを形成し、各ガラスウエハ基板の
裏面同士を貼り合わせて１枚の基板としていた。
【０００３】例えば、図５(a)に示すように、ガラスウ
エハ基板１０８の表面１０８Ａにレジスト１０７を塗布
し、同図(b)に示すように、レジスト１０７にフォトマ
スク１０１Ａを通して紫外線１０９を露光する。ここ
で、フォトマスク１０１Ａは、図６(a)に示すように、
略矩形状のガラス板の片面(領域１０３Ａ内)に単位パタ
ーン１０２Ａを所定ピッチで複数設けるとともに、略Ｌ
字状の位置合わせマーク１０４Ａ,１０４Ａ′を図にお
いて左右対称に設けて構成されている。図５(c)に示す
ように、現像を行ってレジスト１０７の露光された箇所
を除去し、同図(d)に示すように、エッチングを行って
ガラスウエハ基板１０８の表面１０８Ａにパターン１２
２Ａと、位置合わせマーク１２４Ａ,１２４Ａ′とを形
成する。この後、同図(e)に示すように、レジスト１０
７をアッシングして除去する。一方、同図(f)に示すよ
うに、ガラスウエハ基板１５８の表面１５８Ａにレジス
ト１５７を塗布し、同図(g)に示すように、レジスト１
５７にフォトマスク１０１Ｂを通して紫外線１５９を露
光する。ここで、フォトマスク１０１Ｂは、図６(b)に
示すように、略矩形状のガラス板の片面(領域１０３Ｂ
内)に単位パターン１０２Ｂを所定ピッチで複数設ける
とともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク１０４Ｂ,１０
４Ｂ′を図において左右対称に設けて構成されている。
図５(h)に示すように、現像を行ってレジスト１５７の
露光された箇所を除去し、同図(i)に示すように、エッ
チングを行ってガラスウエハ基板１５８の表面１５８Ａ
にパターン１５２Ａと、位置合わせマーク１５４Ｂ,１
５４Ｂ′とを形成する。この後、同図(j)に示すよう
に、レジスト１０７をアッシングして除去する。次に、
同図(k)に示すように、ガラスウエハ基板１０８を裏返
して裏面１０８Ｂに接着剤として紫外線硬化樹脂１１５
を塗布し、同図(l)に示すように、この上にガラスウエ
ハ基板１５８を裏面１５８Ｂを下にして重ねる。アライ
メント治具１１６,１１６′によってガラスウエハ基板
１０８,１５８を水平方向に移動させて、同図(m)に示す
ように、位置合わせマーク１５４Ｂ′と１２４Ａ、位置
合わせマーク１５４Ｂと１２４Ａがそれぞれ上下に重な
るように調整し、しかる後、紫外線１１７を照射する。
これにより、樹脂１１５を硬化させてガラスウエハ基板
１０８,１５８を完全に接着する(工程完了)。
エハ基板１０８の表面１０８Ａにレジスト１０７を塗布
し、同図(b)に示すように、レジスト１０７にフォトマ
スク１０１Ａを通して紫外線１０９を露光する。ここ
で、フォトマスク１０１Ａは、図６(a)に示すように、
略矩形状のガラス板の片面(領域１０３Ａ内)に単位パタ
ーン１０２Ａを所定ピッチで複数設けるとともに、略Ｌ
字状の位置合わせマーク１０４Ａ,１０４Ａ′を図にお
いて左右対称に設けて構成されている。図５(c)に示す
ように、現像を行ってレジスト１０７の露光された箇所
を除去し、同図(d)に示すように、エッチングを行って
ガラスウエハ基板１０８の表面１０８Ａにパターン１２
２Ａと、位置合わせマーク１２４Ａ,１２４Ａ′とを形
成する。この後、同図(e)に示すように、レジスト１０
７をアッシングして除去する。一方、同図(f)に示すよ
うに、ガラスウエハ基板１５８の表面１５８Ａにレジス
ト１５７を塗布し、同図(g)に示すように、レジスト１
５７にフォトマスク１０１Ｂを通して紫外線１５９を露
光する。ここで、フォトマスク１０１Ｂは、図６(b)に
示すように、略矩形状のガラス板の片面(領域１０３Ｂ
内)に単位パターン１０２Ｂを所定ピッチで複数設ける
とともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク１０４Ｂ,１０
４Ｂ′を図において左右対称に設けて構成されている。
図５(h)に示すように、現像を行ってレジスト１５７の
露光された箇所を除去し、同図(i)に示すように、エッ
チングを行ってガラスウエハ基板１５８の表面１５８Ａ
にパターン１５２Ａと、位置合わせマーク１５４Ｂ,１
５４Ｂ′とを形成する。この後、同図(j)に示すよう
に、レジスト１０７をアッシングして除去する。次に、
同図(k)に示すように、ガラスウエハ基板１０８を裏返
して裏面１０８Ｂに接着剤として紫外線硬化樹脂１１５
を塗布し、同図(l)に示すように、この上にガラスウエ
ハ基板１５８を裏面１５８Ｂを下にして重ねる。アライ
メント治具１１６,１１６′によってガラスウエハ基板
１０８,１５８を水平方向に移動させて、同図(m)に示す
ように、位置合わせマーク１５４Ｂ′と１２４Ａ、位置
合わせマーク１５４Ｂと１２４Ａがそれぞれ上下に重な
るように調整し、しかる後、紫外線１１７を照射する。
これにより、樹脂１１５を硬化させてガラスウエハ基板
１０８,１５８を完全に接着する(工程完了)。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の形成方法では、ガラスウエハ基板１０８,１５８を
貼り合わせているため、作業に非常に手間がかかるとい
う問題がある。また、貼り合わせのときガラスウエハ基
板１０８,１５８の間に気泡が入って、不良品となるこ
とがある。さらに、アライメント治具１１６,１１６′
によって位置合わせを行った後、樹脂１１５を完全に硬
化させるまでの間に、ガラスウエハ基板１０８,１５８
が互いに位置ずれして、不良品になることがある。この
ように、従来は、ガラスウエハ基板１０８,１５８を貼
り合わせる工程に起因して、工数が増加し、不良が生じ
て歩留が低下するという問題があった。
来の形成方法では、ガラスウエハ基板１０８,１５８を
貼り合わせているため、作業に非常に手間がかかるとい
う問題がある。また、貼り合わせのときガラスウエハ基
板１０８,１５８の間に気泡が入って、不良品となるこ
とがある。さらに、アライメント治具１１６,１１６′
によって位置合わせを行った後、樹脂１１５を完全に硬
化させるまでの間に、ガラスウエハ基板１０８,１５８
が互いに位置ずれして、不良品になることがある。この
ように、従来は、ガラスウエハ基板１０８,１５８を貼
り合わせる工程に起因して、工数が増加し、不良が生じ
て歩留が低下するという問題があった。
【０００５】そこで、この発明の目的は、ガラスウエハ
基板を貼り合わせる工程を省略して、所定のパターン
を、１枚の基板の表面と裏面に、表面と裏面との間でパ
ターン位置を対応させて形成できる両面パターン形成方
法を提供することにある。
基板を貼り合わせる工程を省略して、所定のパターン
を、１枚の基板の表面と裏面に、表面と裏面との間でパ
ターン位置を対応させて形成できる両面パターン形成方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の両面パターン形成方法は、ガラス板の片
面に所定のパターンを有するとともに、上記片面の２箇
所に所定の位置合わせマークを有する第１,第２のフォ
トマスクを用いて、上記第１,第２のフォトマスクのパ
ターンを、１枚の透明基板の表面と裏面に、上記表面と
裏面との間でパターン位置を対応させて転写して形成す
る両面パターン形成方法であって、上記透明基板の表面
に第１のレジストを塗布し、上記第１のフォトマスクを
通して上記第１のレジストを露光し、続いて、現像を行
って上記第１のレジストをパターン化する工程と、上記
第１のレジストをマスクとしてエッチングを行って、上
記透明基板の表面に、上記第１のフォトマスクのパター
ンと位置合わせマークとを転写して形成する工程と、上
記透明基板の裏面に第２のレジストを塗布した後、所定
のアライメント装置のステージ上に上記透明基板を上記
裏面側を上にして載置するとともに、上記透明基板上に
平行に上記第２のフォトマスクを配し、上記アライメン
ト装置の顕微鏡の対物レンズの焦点を上記第２のフォト
マスクのパターン面の高さに合わせた状態で上記第２の
フォトマスクを水平面内で移動させて、この第２のフォ
トマスクの２箇所の位置合わせマークを上記顕微鏡の視
野内に設けられた基準マークにそれぞれ位置合わせする
工程と、上記顕微鏡の対物レンズの焦点を上記透明基板
の表面の高さに合わせ、この状態で上記ステージを水平
面内で移動させて、上記透明基板の表面に転写した２箇
所の位置合わせマークを上記顕微鏡の視野内に設けられ
た上記基準マークにそれぞれ位置合わせする工程と、上
記第２のフォトマスクを通して上記第２のレジストを露
光し、続いて、現像を行って上記第２のレジストをパタ
ーン化する工程と、上記第２のレジストをマスクとして
エッチングを行って、上記透明基板の裏面に、上記第２
のフォトマスクのパターンを転写して形成する工程を有
することを特徴としている。
め、この発明の両面パターン形成方法は、ガラス板の片
面に所定のパターンを有するとともに、上記片面の２箇
所に所定の位置合わせマークを有する第１,第２のフォ
トマスクを用いて、上記第１,第２のフォトマスクのパ
ターンを、１枚の透明基板の表面と裏面に、上記表面と
裏面との間でパターン位置を対応させて転写して形成す
る両面パターン形成方法であって、上記透明基板の表面
に第１のレジストを塗布し、上記第１のフォトマスクを
通して上記第１のレジストを露光し、続いて、現像を行
って上記第１のレジストをパターン化する工程と、上記
第１のレジストをマスクとしてエッチングを行って、上
記透明基板の表面に、上記第１のフォトマスクのパター
ンと位置合わせマークとを転写して形成する工程と、上
記透明基板の裏面に第２のレジストを塗布した後、所定
のアライメント装置のステージ上に上記透明基板を上記
裏面側を上にして載置するとともに、上記透明基板上に
平行に上記第２のフォトマスクを配し、上記アライメン
ト装置の顕微鏡の対物レンズの焦点を上記第２のフォト
マスクのパターン面の高さに合わせた状態で上記第２の
フォトマスクを水平面内で移動させて、この第２のフォ
トマスクの２箇所の位置合わせマークを上記顕微鏡の視
野内に設けられた基準マークにそれぞれ位置合わせする
工程と、上記顕微鏡の対物レンズの焦点を上記透明基板
の表面の高さに合わせ、この状態で上記ステージを水平
面内で移動させて、上記透明基板の表面に転写した２箇
所の位置合わせマークを上記顕微鏡の視野内に設けられ
た上記基準マークにそれぞれ位置合わせする工程と、上
記第２のフォトマスクを通して上記第２のレジストを露
光し、続いて、現像を行って上記第２のレジストをパタ
ーン化する工程と、上記第２のレジストをマスクとして
エッチングを行って、上記透明基板の裏面に、上記第２
のフォトマスクのパターンを転写して形成する工程を有
することを特徴としている。
【０００７】
【実施例】以下、この発明の両面パターン形成方法を実
施例により詳細に説明する。
施例により詳細に説明する。
【０００８】図４(a)に示す第１のフォトマスク１Ａ
と、同図(b)に示す第２のフォトマスク１Ｂを用いるも
のとする。第１のフォトマスク１Ａは、略矩形状のガラ
ス板の片面(領域３Ａ内)に単位パターン２Ａを所定ピッ
チで複数設けるとともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク
４Ａ,４Ａ′と、ライン状の位置合わせマーク５Ａ,５
Ａ′を図において左右対称に設けて構成されている。一
方、第１のフォトマスク１Ｂは、略矩形状のガラス板の
片面(領域３Ｂ内)に単位パターン２Ｂを所定ピッチで複
数設けるとともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク４Ｂ,
４Ｂ′を図において左右対称に設けて構成されている。
位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′は、矩形状の透明領域６
Ｂ,６Ｂ′内に設けられている。
と、同図(b)に示す第２のフォトマスク１Ｂを用いるも
のとする。第１のフォトマスク１Ａは、略矩形状のガラ
ス板の片面(領域３Ａ内)に単位パターン２Ａを所定ピッ
チで複数設けるとともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク
４Ａ,４Ａ′と、ライン状の位置合わせマーク５Ａ,５
Ａ′を図において左右対称に設けて構成されている。一
方、第１のフォトマスク１Ｂは、略矩形状のガラス板の
片面(領域３Ｂ内)に単位パターン２Ｂを所定ピッチで複
数設けるとともに、略Ｌ字状の位置合わせマーク４Ｂ,
４Ｂ′を図において左右対称に設けて構成されている。
位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′は、矩形状の透明領域６
Ｂ,６Ｂ′内に設けられている。
【０００９】上記第１,第２のフォトマスク１Ａ,１Ｂの
パターンを、図１(a)に示す１枚の透明基板(例えば、ガ
ラス板)８の表面８Ａと裏面８Ｂに、次のようにして形
成する。
パターンを、図１(a)に示す１枚の透明基板(例えば、ガ
ラス板)８の表面８Ａと裏面８Ｂに、次のようにして形
成する。
【００１０】まず、図１(a)に示すように、透明基板
８の表面８Ａに第１のレジスト７を塗布する。同図(b)
に示すように、上記透明基板８を所定のアライメント装
置のステージ１０上に載置し、第１のフォトマスク１Ａ
を通して第１のレジスト７を露光する(光を矢印９で表
す)。続いて、同図(c)に示すように、現像を行って第１
のレジスト７をパターン化する。
８の表面８Ａに第１のレジスト７を塗布する。同図(b)
に示すように、上記透明基板８を所定のアライメント装
置のステージ１０上に載置し、第１のフォトマスク１Ａ
を通して第１のレジスト７を露光する(光を矢印９で表
す)。続いて、同図(c)に示すように、現像を行って第１
のレジスト７をパターン化する。
【００１１】次に、同図(d)に示すように、第１のレ
ジスト７をマスクとしてエッチングを行って、透明基板
８の表面８Ａに、第１のフォトマスク１Ａのパターン２
Ａと位置合わせマーク４Ａ,４Ａ′とを転写する。ここ
では、転写されたパターンを２２Ａ、転写された位置合
わせマークを２４Ａ,２４Ａ′で表している。この後、
同図(e)に示すように、アッシングを行ってレジスト７
を除去する。
ジスト７をマスクとしてエッチングを行って、透明基板
８の表面８Ａに、第１のフォトマスク１Ａのパターン２
Ａと位置合わせマーク４Ａ,４Ａ′とを転写する。ここ
では、転写されたパターンを２２Ａ、転写された位置合
わせマークを２４Ａ,２４Ａ′で表している。この後、
同図(e)に示すように、アッシングを行ってレジスト７
を除去する。
【００１２】次に、同図(f)に示すように、上記透明
基板８の裏面８Ｂに第２のレジスト１７を塗布する。同
図(g)に示すように、上記アライメント装置のステージ
１０上に透明基板８を裏面側を上にして載置し、透明基
板８上に平行に第２のフォトマスク１Ｂを配する。
基板８の裏面８Ｂに第２のレジスト１７を塗布する。同
図(g)に示すように、上記アライメント装置のステージ
１０上に透明基板８を裏面側を上にして載置し、透明基
板８上に平行に第２のフォトマスク１Ｂを配する。
【００１３】ここで、上記アライメント装置には、図２
(h)に示すように、左右一対の対物レンズ１１,１１′が
設けられている。また、同図(i)に示すように、上記ア
ライメント装置の顕微鏡の視野(この例では、左半分が
対物レンズ１１、右半分が対物レンズ１１′に対応して
いる)１２には、ます目状のスコープライン１３が設け
られている。このスコープライン１３のうち縦方向のラ
イン１４,１４′と横方向のライン１５を基準ラインと
して選択する。視野１２の左半分に縦方向のライン１４
と横方向のライン１５との交差箇所が１つの基準マーク
を構成し、視野１２の右半分に縦方向のライン１４′と
横方向のライン１５との交差箇所がもう１つの基準マー
クを構成する。
(h)に示すように、左右一対の対物レンズ１１,１１′が
設けられている。また、同図(i)に示すように、上記ア
ライメント装置の顕微鏡の視野(この例では、左半分が
対物レンズ１１、右半分が対物レンズ１１′に対応して
いる)１２には、ます目状のスコープライン１３が設け
られている。このスコープライン１３のうち縦方向のラ
イン１４,１４′と横方向のライン１５を基準ラインと
して選択する。視野１２の左半分に縦方向のライン１４
と横方向のライン１５との交差箇所が１つの基準マーク
を構成し、視野１２の右半分に縦方向のライン１４′と
横方向のライン１５との交差箇所がもう１つの基準マー
クを構成する。
【００１４】次に、同図(j)に示すように、対物レン
ズ１１,１１′の焦点を第２のフォトマスク１Ｂのパタ
ーン面の高さに合わせる。このとき、通常は、同図(k)
に示すように、第２のフォトマスク１Ｂの２箇所の位置
合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′は、基準ライン１４,１５;１
４′,１５に対してそれぞれ位置ずれしている。そこ
で、第２のフォトマスク１Ｂを水平面内で移動させて、
同図(l)に示すように、位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′の
Ｌ字の各辺を基準ライン１４,１５;１４′,１５にそれ
ぞれ位置合わせする。位置が合った時点で、対物レンズ
１１,１１′に対する第２のフォトマスク１Ｂの水平面
内の動きを止める。
ズ１１,１１′の焦点を第２のフォトマスク１Ｂのパタ
ーン面の高さに合わせる。このとき、通常は、同図(k)
に示すように、第２のフォトマスク１Ｂの２箇所の位置
合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′は、基準ライン１４,１５;１
４′,１５に対してそれぞれ位置ずれしている。そこ
で、第２のフォトマスク１Ｂを水平面内で移動させて、
同図(l)に示すように、位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′の
Ｌ字の各辺を基準ライン１４,１５;１４′,１５にそれ
ぞれ位置合わせする。位置が合った時点で、対物レンズ
１１,１１′に対する第２のフォトマスク１Ｂの水平面
内の動きを止める。
【００１５】次に、同図(m)に示すように、上記顕微
鏡の対物レンズ１１,１１′の焦点を上記透明基板８の
表面８Ａの高さに合わせる。このとき、通常は、同図
(n)に示すように、工程で表面８Ａに転写された位置
合わせマーク２４Ａ,２４Ａ′は、基準ライン１４,１
５;１４,１５′に対してそれぞれ位置ずれしている。そ
こで、上記ステージ１０を水平面内で移動させて、同図
(o)に示すように、上記位置合わせマーク２４Ａ,２４
Ａ′のＬ字の各辺を基準ライン１４,１５;１４,１５′
にそれぞれ位置合わせする。位置が合った時点で、対物
レンズ１１,１１′に対するステージ１０の水平面内の
動きを止める。
鏡の対物レンズ１１,１１′の焦点を上記透明基板８の
表面８Ａの高さに合わせる。このとき、通常は、同図
(n)に示すように、工程で表面８Ａに転写された位置
合わせマーク２４Ａ,２４Ａ′は、基準ライン１４,１
５;１４,１５′に対してそれぞれ位置ずれしている。そ
こで、上記ステージ１０を水平面内で移動させて、同図
(o)に示すように、上記位置合わせマーク２４Ａ,２４
Ａ′のＬ字の各辺を基準ライン１４,１５;１４,１５′
にそれぞれ位置合わせする。位置が合った時点で、対物
レンズ１１,１１′に対するステージ１０の水平面内の
動きを止める。
【００１６】次に、図３(p)に示すように、第２のフ
ォトマスク１Ｂを通して第２のレジスト１７を露光する
(光を矢印１９で表す)。続いて、同図(q)に示すよう
に、現像を行って、第２のレジスト１７をパターン化す
る。
ォトマスク１Ｂを通して第２のレジスト１７を露光する
(光を矢印１９で表す)。続いて、同図(q)に示すよう
に、現像を行って、第２のレジスト１７をパターン化す
る。
【００１７】次に、同図(r)に示すように、第２のレ
ジスト１７をマスクとしてエッチングを行って、透明基
板８の裏面８Ａに、第２のフォトマスク１Ｂのパターン
２Ｂを転写する。ここでは、転写されたパターンを２２
Ｂで表している(なお、位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′の
転写後のパターンは省略している。)。この後、同図(s)
に示すように、アッシングを行ってレジスト１７を除去
する。
ジスト１７をマスクとしてエッチングを行って、透明基
板８の裏面８Ａに、第２のフォトマスク１Ｂのパターン
２Ｂを転写する。ここでは、転写されたパターンを２２
Ｂで表している(なお、位置合わせマーク４Ｂ,４Ｂ′の
転写後のパターンは省略している。)。この後、同図(s)
に示すように、アッシングを行ってレジスト１７を除去
する。
【００１８】このようにして、第１,第２のフォトマス
クのパターン２２Ａ,２２Ｂを、１枚の透明基板８の表
面８Ａと裏面８Ｂに、パターン位置を対応させて転写し
て形成することができる。
クのパターン２２Ａ,２２Ｂを、１枚の透明基板８の表
面８Ａと裏面８Ｂに、パターン位置を対応させて転写し
て形成することができる。
【００１９】この両面パターン形成方法では、ガラスウ
エハ基板を貼り合わせるのでなく、１枚の基板の表面と
裏面にパターン形成しているので、従来に比して、作業
の手間を大幅に省略することができる。また、貼り合わ
せを行っていないので、ガラスウエハ基板の間に気泡が
入ったり、ガラスウエハ基板が位置ずれしたりして、不
良品になることがない。したがって、工数を減少できる
とともに、歩留を高めることができる。
エハ基板を貼り合わせるのでなく、１枚の基板の表面と
裏面にパターン形成しているので、従来に比して、作業
の手間を大幅に省略することができる。また、貼り合わ
せを行っていないので、ガラスウエハ基板の間に気泡が
入ったり、ガラスウエハ基板が位置ずれしたりして、不
良品になることがない。したがって、工数を減少できる
とともに、歩留を高めることができる。
【００２０】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の両
面パターン形成方法は、第１,第２のフォトマスクのパ
ターンを、１枚の透明基板の表面と裏面に、パターン位
置を対応させて転写して形成することができる。ガラス
ウエハ基板を貼り合わせるのでなく、１枚の透明基板の
表面と裏面にパターン形成できるので、従来に比して、
作業の手間を大幅に省略することができる。また、貼り
合わせを行っていないので、ガラスウエハ基板の間に気
泡が入ったり、ガラスウエハ基板が位置ずれしたりし
て、不良品になることがない。したがって、工数を減少
できるとともに、歩留を高めることができる。
面パターン形成方法は、第１,第２のフォトマスクのパ
ターンを、１枚の透明基板の表面と裏面に、パターン位
置を対応させて転写して形成することができる。ガラス
ウエハ基板を貼り合わせるのでなく、１枚の透明基板の
表面と裏面にパターン形成できるので、従来に比して、
作業の手間を大幅に省略することができる。また、貼り
合わせを行っていないので、ガラスウエハ基板の間に気
泡が入ったり、ガラスウエハ基板が位置ずれしたりし
て、不良品になることがない。したがって、工数を減少
できるとともに、歩留を高めることができる。
【図１】 この発明の一実施例の両面パターン形成方法
を説明する工程図である。
を説明する工程図である。
【図２】 この発明の一実施例の両面パターン形成方法
を説明する工程図である。
を説明する工程図である。
【図３】 この発明の一実施例の両面パターン形成方法
を説明する工程図である。
を説明する工程図である。
【図４】 上記両面パターン形成方法で用いるフォトマ
スクを示す図である。
スクを示す図である。
【図５】 従来の両面パターン形成方法を説明する工程
図である。
図である。
【図６】 上記従来の両面パターン形成方法で用いるフ
ォトマスクを示す図である。
ォトマスクを示す図である。
１Ａ,１Ｂ フォトマスク ２Ａ,２Ｂ 単位パターン ４Ａ,４Ａ′,４Ｂ,４Ｂ′ 位置合わせマーク ６Ｂ,６Ｂ′ 透明領域 ８ 透明基板 ８Ａ 表面 ８Ｂ 裏面 ２２Ａ,２２Ｂ 転写されたパターン ２４Ａ,２４Ａ′ 転写された位置合わせマーク
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス板の片面に所定のパターンを有す
るとともに、上記片面の２箇所に所定の位置合わせマー
クを有する第１,第２のフォトマスクを用いて、上記第
１,第２のフォトマスクのパターンを、１枚の透明基板
の表面と裏面に、上記表面と裏面との間でパターン位置
を対応させて転写して形成する両面パターン形成方法で
あって、 上記透明基板の表面に第１のレジストを塗布し、上記第
１のフォトマスクを通して上記第１のレジストを露光
し、続いて、現像を行って上記第１のレジストをパター
ン化する工程と、 上記第１のレジストをマスクとしてエッチングを行っ
て、上記透明基板の表面に、上記第１のフォトマスクの
パターンと位置合わせマークとを転写して形成する工程
と、 上記透明基板の裏面に第２のレジストを塗布した後、所
定のアライメント装置のステージ上に上記透明基板を上
記裏面側を上にして載置するとともに、上記透明基板上
に平行に上記第２のフォトマスクを配し、上記アライメ
ント装置の顕微鏡の対物レンズの焦点を上記第２のフォ
トマスクのパターン面の高さに合わせた状態で上記第２
のフォトマスクを水平面内で移動させて、この第２のフ
ォトマスクの２箇所の位置合わせマークを上記顕微鏡の
視野内に設けられた基準マークにそれぞれ位置合わせす
る工程と、 上記顕微鏡の対物レンズの焦点を上記透明基板の表面の
高さに合わせ、この状態で上記ステージを水平面内で移
動させて、上記透明基板の表面に転写した２箇所の位置
合わせマークを上記顕微鏡の視野内に設けられた上記基
準マークにそれぞれ位置合わせする工程と、 上記第２のフォトマスクを通して上記第２のレジストを
露光し、続いて、現像を行って上記第２のレジストをパ
ターン化する工程と、 上記第２のレジストをマスクとしてエッチングを行っ
て、上記透明基板の裏面に、上記第２のフォトマスクの
パターンを転写して形成する工程を有することを特徴と
する両面パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5036597A JP2886408B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 両面パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5036597A JP2886408B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 両面パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06252023A true JPH06252023A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2886408B2 JP2886408B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=12474203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5036597A Expired - Fee Related JP2886408B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 両面パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2886408B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010190935A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク基板の作製方法 |
| JP2010192491A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | ＳｉＣ半導体装置及びその製造方法 |
| JP2013004572A (ja) * | 2011-06-13 | 2013-01-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| WO2022127216A1 (zh) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 中国科学院光电技术研究所 | 双面少层超构表面器件及其加工方法 |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP5036597A patent/JP2886408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010190935A (ja) * | 2009-02-16 | 2010-09-02 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク基板の作製方法 |
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| DE102012203844B4 (de) * | 2011-06-13 | 2017-06-22 | Mitsubishi Electric Corp. | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| WO2022127216A1 (zh) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 中国科学院光电技术研究所 | 双面少层超构表面器件及其加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2886408B2 (ja) | 1999-04-26 |
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