CN113608411A - 一种玻璃基底双面图形制备方法 - Google Patents
一种玻璃基底双面图形制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113608411A CN113608411A CN202110867075.XA CN202110867075A CN113608411A CN 113608411 A CN113608411 A CN 113608411A CN 202110867075 A CN202110867075 A CN 202110867075A CN 113608411 A CN113608411 A CN 113608411A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass substrate
- sided
- film
- double
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 73
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 29
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007688 edging Methods 0.000 claims description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 2
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开了一种玻璃基底双面图形制备方法，S1，在玻璃基底第一面上制备薄膜图形，第一面薄膜上的对位标识设置在靠近玻璃基底边沿区域内；S2，在玻璃基底第二面上涂覆第二面薄膜，然后对第二面与对位标识设置区域对应的区域进行去边；然后将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，对第二面曝光；然后对第二面进行显影，得到具有双面薄膜图形的晶圆。能够通过传统的单面曝光机实现双面图形的制备，且精度高于双面曝光机制备出产品的精度。
Description
技术领域
本发明属于光学镜头制作领域，涉及一种玻璃基底双面图形制备方法。
背景技术
双面光刻是针对硅及其它半导体基底发展起来的加工技术，旨在基底两面制作光刻图样并且实现映射对准曝光，一般的此种工艺制作都由双面曝光机完成，传统的单面曝光机无法完成；目前国内外有成套的大型双面曝光装置，但其价格昂贵，且对位精度远低于传统的单面曝光机。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种玻璃基底双面图形制备方法，能够通过传统的单面曝光机实现双面图形的制备，且精度高于双面曝光机制备出产品的精度。
为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：
一种玻璃基底双面图形制备方法，包括以下步骤；
S1，在玻璃基底第一面上制备薄膜图形，第一面薄膜上的对位标识设置在靠近玻璃基底边沿区域内；
S2，在玻璃基底第二面上涂覆第二面薄膜，然后对第二面与对位标识设置区域对应的区域进行去边；然后将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，对第二面曝光；然后对第二面进行显影，得到具有双面薄膜图形的晶圆。
优选的，对位标识设置在距离玻璃基底边沿8-12mm区域内。
优选的，薄膜采用黑胶制成。
优选的，去边时，采用PGMEA或EGMEA去边溶剂对需要去边的区域进行喷涂。
优选的，玻璃基底第一面和第二面在涂覆黑胶后，均进行85～120℃下30～120s的软烤。
优选的，玻璃基底第一面和第二面在曝光时，均通过掩膜版进行曝光。
进一步，将对准标记多个位置进行定位，计算出曝光时的玻璃基底移动的准确位置，将掩膜版和玻璃基底对准。
优选的，玻璃基底第一面和第二面在显影时，进行烘烤PEB，温度为90～100℃，时间为60～120s。
优选的，玻璃基底的厚度为70～210um，第一面薄膜和第二面薄膜薄膜的厚度均为0.8～2um。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明通过将玻璃基底先制备薄膜的一面，在靠近玻璃基底边沿区域内设置对位标识，再进行第二面曝光时，将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，达到定位的效果，从而使两面的图形定位一致，保证了双面图形的制备效果，实现了通过传统的单面曝光机实现双面图形的制备，且由于传统的单面曝光机精度高于双面曝光机，因此本方法制备出的产品精度高于双面曝光机制备出产品的精度。
进一步，软烤目的是为了将基底上覆盖的光刻胶溶剂去除，增强光刻胶的粘附性，同时缓和在旋转过程中光刻胶胶膜内产生的应力，改善均匀性、抗蚀性、线宽控制，进一步优化光刻胶的光吸收特性。
进一步，PEB的目的为降低或消除驻波效应，激发光刻胶的PAG(光敏产酸剂)产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除，使之能溶解于显影液。
附图说明
图1为本发明的双面图形结构截面图；
图2为本发明的去边工艺示意图。
其中：1-玻璃基底1；2-第一面薄膜2；3-第二面薄膜3。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细描述：
本发明所述的玻璃基底双面图形制备方法。
本实施例的玻璃基体两侧薄膜均采用黑胶制成，黑胶是一种特殊负性光刻胶。光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。除了以上光刻胶的特点以外，黑胶具有极低的光透过率(小于3％)和反射率(小于15％)、抗擦伤等众多优良的物理性能，以及良好的化学稳定性和一些其他的半导体特性，容易制备成光学器件中的光遮挡图形，己经被广泛地应用于结构光，超薄指纹，摄像头光学结构等许多方面。
在玻璃基底1上进行第一面图形光刻，目的是完成相应的工艺图形和对位标识制作：首先运用涂胶机台给第一面spincoating式涂上一定厚度的黑胶薄膜：黑胶薄膜的厚度要做到精准控制且随产品要求进行调整，涂布完成后进行85～120℃，30～120s的软烤以蒸发黑胶中的溶剂增强黑胶薄膜与玻璃基底1的粘附力；然后利用装有第一面掩膜版的曝光机进行第一面曝光：曝光时应选取合适的曝光能量和焦点，保证黑胶膜充分曝光；之后第一面显影：对于显影来说，选取合适PEB(Post Exposure Baking)烘烤条件和显影时间控制非常重要，有助于图形形成良好的形貌，本实施例PEB温度为90～100℃，时间为60～120s；最后送入箱式烘箱对黑胶薄膜进行固化；至此第一面薄膜2图形制作完成，第一面薄膜2的对位标识设置在距离玻璃基底1边沿8-12mm区域内。
对准：为了成功地在衬底上形成图形，必须把衬底上的图形正确地与投影掩膜版上的图形对准。只有每个投影的图形都能正确地和衬底上的图形匹配，才能实现相应器件的功能。为了实现这个目标，对准就是通过识别对位标记的位置从而确定衬底上图形的位置、方向和变形的过程，然后利用这些数据与投影掩膜版图形建立起正确的关系。对准必须快速、重复、正确和精确，对准过程的结果，或者每个连续的图形与先前层匹配的精度，被称作套准精度。套准精度是测量对准系统把版图套准到硅片上图形的能力，套准容差描述将要形成的图形层和前层图形的最大相对位移；
曝光机对准过程：1)玻璃基底1经过涂胶和烘烤后被传送到曝光机里，放置在晶圆工件台上；同时，掩模版被放置在光刻机的掩模工件台上。2)之后曝光机的晶圆对准系统先会调整玻璃基底1的位置，使之与晶圆工件台初步对准；掩模对准系统也会调整掩模的位置，使之与掩模工件台初步对准。3)然后光刻机的对准系统做掩模与玻璃基底1的对准。先是粗对准，只需要使用2个对准标记，一般是选取玻璃基底1上两个相距较远的对准标记。后是精细对准，需要测量多个对准标记。通过对多个对准标记的定位，对准系统可以计算出曝光时的晶圆工件台移动的准确位置，以实现极小的套刻误差(overlay)。此外对准系统还可以接受外部输入的补正参数，对曝光位置做进一步的校正。
第一面光刻结束并做完其它工艺之后进行第二面图形光刻:在玻璃基底1第二面spin coating式涂胶涂上一定厚度的黑胶，形成第二面薄膜3，涂胶完成后，进行宽度为8-12mm的去边，去边范围第一面薄膜2的对位标识设置区域相同；与去边工艺(EBR)如图2，将玻璃基板边缘8-12mm范围的光刻胶去除，这样就会在玻璃基板边缘10mm内形成无光刻胶区域；然后利用装有第二面掩膜版的曝光机进行第二面曝光：曝光机的对准激光或者CCD对准光线利用洗边工艺形成的10mm无光刻胶区穿过玻璃基底1识别该区域第一光刻形成的对位标识，进行对准曝光；之后进行第二面显影；送入箱式烘箱对黑胶薄膜进行固化；至此第二面黑胶薄膜图形制作完成。
去边工艺：光刻胶旋涂完成后利用化学或光学的方法去除玻璃基底1边缘处的光刻胶，称为光刻胶边缘修复Edge Bead Removal(EBR)，也叫光刻胶去边；
在光刻胶旋涂的过程中，多余的胶会被离心力推到玻璃基底1的边缘，大部分被甩离玻璃基底1，有一部分残留在玻璃基底1边缘。由于玻璃基底1边缘气流相对速度很大，导致残留的胶很快固化，形成隆起的边缘。在表面张力的作用下，少量的胶甚至沿着边缘流到玻璃基底1背面，对玻璃基底1背面造成污染。且这部分胶容易发生剥离而影响其他部分的图形，或者造成污染，需要在旋涂结束后立即去除。
去除方法可以采用化学方法(Chemical EBR)，如图2所示，旋涂结束后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反边缘处，一般小于2mm,并小心控制不要达到光刻胶有效区域。
也可以选用光学方法(Opitcal EBR)，即硅片边缘曝光(Wafer Edge Exposure,WEE)。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，激发化学反应，这样在最后显影时，边缘的光刻胶就与曝光图形同时溶解在显影液里达到去除光刻胶的目的。
玻璃基底1的厚度为70～210um，薄膜的厚度为0.8～2um。
使用传统单面曝光机及其工艺方法无法在精准对位的前提条件完成第二面图形的光刻，这是由传统曝光机使用顶部对准模式和黑胶膜光低透过率所决定的。
对于传统光刻机来说，无论采用激光对准还是图像识别对准模式，其信号均从上至下的到达晶圆表面来识别对位标识，由于黑胶膜对光的高遮挡特性导致光无法穿透第二面的黑胶膜从而穿透玻璃来识别第一面的对位标识，因此无法完成对准曝光。
对于双面曝光机而言，其对准原理为先通过位于曝光机承片台下部的两路CCD光学成像系统从下而上分别摄取掩模上的左右对准标记并由计算机储存起来将标识记录在显示器上，然后将第一面已经曝光过的衬底反过来，第二面朝上，通过调整CCD，从下而上摄取样片正面已经光刻好的对准标记，此时虽然由于衬底挡光，不能同时摄取掩模上的对准标记，但因掩模标记图像在第一步中已被计算机保存起来了，所以在计算机显示器上仍能同时看到掩摸和样片底面的对准标记，最后通过调节掩膜对准位移台的X方向，Y方向，角度θ的位置使正面的对准标记与显示器上记录的掩膜版上的对准标记进行对准，之后曝光。
与以上的双面曝光机的对准曝光相比，本方案通过对工艺的改进利用传统的单面曝光机完成双面光刻：第二面涂胶时加宽度为10mm去边(EBR)工艺：正常的去边工艺目的消除涂胶后晶圆边缘的异常区域减少污染，宽度小于2mm；而作为改进本方案第二面涂胶的去边宽度达到10mm,这样玻璃基板边缘10mm范围的黑胶薄膜被去除，就会在玻璃基板边缘10mm内形成无黑胶区域，形成10mm的第二面透光区；第二面曝光时选择边缘10mm区域的对位标识：一般对位标识的选择会根据晶圆大小决定一定数量的对位标识，同时兼顾标识在晶圆上均匀分布；而作为改进本方案第二面曝光时选择的对位标识均分布在晶圆边缘10mm区域内，只有这样曝光时曝光机的对准光才可以穿过晶圆边缘10mm的无黑胶区域识别第一面光刻形成的对位标识，从而达到第二面和第一面的精准对位曝光。
对位精度测试：至此第一面和第二面双面黑胶薄膜的光刻工艺完成，并且实现了精准对位。具体对位偏差视所用曝光机的对位能力，本例中所用的stepper光刻机对位偏差＜1um,双面光刻完成之后通过测量相应的套刻Mark确认第一面和第二面的对准偏差也控制在1um左右，满足工艺要求。
以上内容仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明权利要求书的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，包括以下步骤；
S1，在玻璃基底(1)第一面上制备薄膜图形，第一面薄膜(2)上的对位标识设置在靠近玻璃基底(1)边沿区域内；
S2，在玻璃基底(1)第二面上涂覆第二面薄膜(3)，然后对第二面与对位标识设置区域对应的区域进行去边；然后将对准光线穿过第二面去边区域识别该区域第一面光刻形成的对位标识，对第二面曝光；然后对第二面进行显影，得到具有双面薄膜图形的晶圆。
2.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，对位标识设置在距离玻璃基底(1)边沿8-12mm区域内。
3.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，薄膜采用黑胶制成。
4.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，去边时，采用PGMEA或EGMEA去边溶剂对需要去边的区域进行喷涂。
5.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)第一面和第二面在涂覆黑胶后，均进行85～120℃下30～120s的软烤。
6.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)第一面和第二面在曝光时，均通过掩膜版进行曝光。
7.根据权利要求6所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，将对准标记多个位置进行定位，计算出曝光时的玻璃基底(1)移动的准确位置，将掩膜版和玻璃基底(1)对准。
8.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)第一面和第二面在显影时，进行烘烤PEB，温度为90～100℃，时间为60～120s。
9.根据权利要求1所述的玻璃基底双面图形制备方法，其特征在于，玻璃基底(1)的厚度为70～210um，第一面薄膜(2)和第二面薄膜(3)薄膜的厚度均为0.8～2um。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110867075.XA CN113608411A (zh) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 一种玻璃基底双面图形制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110867075.XA CN113608411A (zh) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 一种玻璃基底双面图形制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113608411A true CN113608411A (zh) | 2021-11-05 |
Family
ID=78306049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110867075.XA Pending CN113608411A (zh) | 2021-07-29 | 2021-07-29 | 一种玻璃基底双面图形制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113608411A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114063397A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种微孔陶瓷吸附平台及基于其制备无印记产品的方法 |
| WO2024055712A1 (zh) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 深圳迈塔兰斯科技有限公司 | 一种双面超透镜的加工方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240676A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | アライメント方法 |
| JP2010103155A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Fujinon Corp | パターニング方法 |
| CN103399465A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 |
| CN103985663A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-13 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法 |
| CN112558437A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种双面少层超构表面器件的加工方法 |
-
2021
- 2021-07-29 CN CN202110867075.XA patent/CN113608411A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007240676A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | アライメント方法 |
| JP2010103155A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Fujinon Corp | パターニング方法 |
| CN103399465A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 |
| CN103985663A (zh) * | 2014-05-15 | 2014-08-13 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法 |
| CN112558437A (zh) * | 2020-12-18 | 2021-03-26 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种双面少层超构表面器件的加工方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114063397A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-18 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种微孔陶瓷吸附平台及基于其制备无印记产品的方法 |
| WO2024055712A1 (zh) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 深圳迈塔兰斯科技有限公司 | 一种双面超透镜的加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4269505A (en) | Device for the projection printing of the masks of a mask set onto a semiconductor substrate | |
| CN113608411A (zh) | 一种玻璃基底双面图形制备方法 | |
| IE802181L (en) | Prealignment of a wafer | |
| CN105573064B (zh) | 曝光方法、曝光装置和物品制造方法 | |
| CN103869638B (zh) | 一种穿透晶圆的光刻对准方法 | |
| JP6978284B2 (ja) | 露光システム、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
| JPH07321012A (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| US20090170024A1 (en) | Method of Patterning a Substrate, Photosensitive Layer Stack and System for Lithography | |
| US5001038A (en) | Process for photoimaging a three dimensional printed circuit substrate | |
| JPH09127702A (ja) | 大サイズ基板用露光装置および露光方法 | |
| CN107703714A (zh) | 一种显示器的基板的制造方法及光罩 | |
| CN102023477B (zh) | 光刻方法 | |
| JPS59178729A (ja) | フォトレジストプロセスにおける露光方法 | |
| CN114267577A (zh) | 一种光刻胶侧壁形貌控制方法 | |
| JP2001022098A (ja) | 露光装置におけるアライメント装置、被露光基板、及びアライメントマーク | |
| JPS60177623A (ja) | 露光装置 | |
| JPH09146257A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP2002351049A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
| JP2886408B2 (ja) | 両面パターン形成方法 | |
| KR100604041B1 (ko) | 마스크 제조방법 | |
| US20230296993A1 (en) | Managing multi-objective alignments for imprinting | |
| JPH08306621A (ja) | 露光方法、露光装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH05134387A (ja) | 位相シフトマスクの構造、露光方式、露光装置及び半導体装置 | |
| JPH01117322A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH0256919A (ja) | ダミーウエハおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |