JPS62260155A - 薄膜パタ−ンの補修方法 - Google Patents
薄膜パタ−ンの補修方法Info
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- JPS62260155A JPS62260155A JP61103422A JP10342286A JPS62260155A JP S62260155 A JPS62260155 A JP S62260155A JP 61103422 A JP61103422 A JP 61103422A JP 10342286 A JP10342286 A JP 10342286A JP S62260155 A JPS62260155 A JP S62260155A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 150000002472 indium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は基板に薄膜より成る・リーンを形成した部品に
おいて、薄膜の・！ターンに発生した欠損箇所を補修す
る方法に関する。
おいて、薄膜の・！ターンに発生した欠損箇所を補修す
る方法に関する。
一般に基板の表面に薄膜よシ成る・リーンを形成した部
品としては、液晶表示素子の電極基板、プリント基板な
どの配線基板、あるいはフォトレジストの露光に用いる
フォトマスクなどがある。
品としては、液晶表示素子の電極基板、プリント基板な
どの配線基板、あるいはフォトレジストの露光に用いる
フォトマスクなどがある。
電極基板や配線基板は絶縁基板の表面に導電材料で電極
や配線のパターンを形成したものであシ、またフォトマ
スクは透明基板の表面にクロムなどの遮光材料によプマ
スクノ々ターンを形成して光の透過を規制するものであ
る。
や配線のパターンを形成したものであシ、またフォトマ
スクは透明基板の表面にクロムなどの遮光材料によプマ
スクノ々ターンを形成して光の透過を規制するものであ
る。
しかして、このような基板に薄膜よシ成るパターンを形
成した部品においては、その製造時や取扱い時に・ぐタ
ーンの一部が欠けて基板から剥離し欠損を生じることが
あり、この場合には部品の機能を損ねることになる。例
えば配線基板では配線パターンの一部が欠損して断線す
ると信号の導通に支障をきたし、フォトマスクではマス
ク・ダター／の一部が欠損すると、その箇所に光が透過
して正確な露光に支障をきたすことになる。特に最近は
との部品における・譬ターンが微細化、高密化しており
（例えば液晶テレビの電極基板では１画素が１００μ×
１００μで画素ピッチが１０〜１５μ程度）、これに伴
いノｌターンの欠損事故の発生も増大してきている。
成した部品においては、その製造時や取扱い時に・ぐタ
ーンの一部が欠けて基板から剥離し欠損を生じることが
あり、この場合には部品の機能を損ねることになる。例
えば配線基板では配線パターンの一部が欠損して断線す
ると信号の導通に支障をきたし、フォトマスクではマス
ク・ダター／の一部が欠損すると、その箇所に光が透過
して正確な露光に支障をきたすことになる。特に最近は
との部品における・譬ターンが微細化、高密化しており
（例えば液晶テレビの電極基板では１画素が１００μ×
１００μで画素ピッチが１０〜１５μ程度）、これに伴
いノｌターンの欠損事故の発生も増大してきている。
そこで、パターンが欠損した部品に対して・母ターンの
欠損箇所を補修し製造歩溜りを向上させることが行なわ
れている。従来、・譬ターンの欠損箇所を補修する方法
としてはリフトオフ法が採用されている。この方法は基
板にフォトレゾストを塗布し欠損箇所に応じて露光、現
像を行ない、次にレジスト上に金属などの膜を形成し、
その後にレジストを剥離（リフトオフ）して露光部分の
膜を残す方法である。
欠損箇所を補修し製造歩溜りを向上させることが行なわ
れている。従来、・譬ターンの欠損箇所を補修する方法
としてはリフトオフ法が採用されている。この方法は基
板にフォトレゾストを塗布し欠損箇所に応じて露光、現
像を行ない、次にレジスト上に金属などの膜を形成し、
その後にレジストを剥離（リフトオフ）して露光部分の
膜を残す方法である。
しかしながら、このリフトオフ法で狭い部分に膜付けを
行う為には、高解像度のフォトレジストを使用するとと
もに高精度のマスクアライナを用いて正確にマスク合せ
を行わなければならず、補修作業が面倒であっ九。また
、膜付は領域が極めて狭い場合には、膜付は領域に蒸着
物質が届きに＜＜、また届いたとしてもフォトレジスト
を剥離する際その一部が剥れる等の問題もあった。
行う為には、高解像度のフォトレジストを使用するとと
もに高精度のマスクアライナを用いて正確にマスク合せ
を行わなければならず、補修作業が面倒であっ九。また
、膜付は領域が極めて狭い場合には、膜付は領域に蒸着
物質が届きに＜＜、また届いたとしてもフォトレジスト
を剥離する際その一部が剥れる等の問題もあった。
〔発明の目的〕
本発明は前記事情に基づいてなされたもので、薄膜よシ
成るパターンが微細で且つ高密度でありても、その欠損
箇所の補修を簡単且つ精度良く行なうことができる薄膜
パターンの補修方法を提供することを目的とする。
成るパターンが微細で且つ高密度でありても、その欠損
箇所の補修を簡単且つ精度良く行なうことができる薄膜
パターンの補修方法を提供することを目的とする。
本発明の・やターン補修方法は、基板の表面に薄膜よシ
成る・９ターンを形成した部品に分いてパターンの欠損
箇所が位置する基板の表面に、前記薄膜と同一または同
等の物質を塗着し、その後にレーザ光を照射して前記・
臂ターンから食み出す前記物質の不用塗着部分を除去す
ることを特徴とするものである。
成る・９ターンを形成した部品に分いてパターンの欠損
箇所が位置する基板の表面に、前記薄膜と同一または同
等の物質を塗着し、その後にレーザ光を照射して前記・
臂ターンから食み出す前記物質の不用塗着部分を除去す
ることを特徴とするものである。
以下本発明を図面で示す実施例について説明する。
本発明の薄膜・す―ン補修方法の一実施例を第１図ない
し第３図について説明する。
し第３図について説明する。
この実施例において対象とする薄膜パターンを施した部
品は、液晶表示素子に用いる電極基板であり、この電極
基板は透明ガラス板からなる基板１の表面に酸化インジ
ウム（ｒ ｎ ２０３ ）や酸化スズ（ＳｎＯ□）など
の透明導電材よシ成る電極２を配列形成したものである
。
品は、液晶表示素子に用いる電極基板であり、この電極
基板は透明ガラス板からなる基板１の表面に酸化インジ
ウム（ｒ ｎ ２０３ ）や酸化スズ（ＳｎＯ□）など
の透明導電材よシ成る電極２を配列形成したものである
。
ここで、この電極基板において第１図で示すように電極
列の中間に位置する１個の電極２の中央部が基板１より
剥離して欠損箇所ｊが発生したものとする。
列の中間に位置する１個の電極２の中央部が基板１より
剥離して欠損箇所ｊが発生したものとする。
そこで、まず第２図で示すように前記基板１０表面にお
ける電極２の欠損箇所３に、電極２の形成材料と同じ物
質すなわち酸化インジウムや酸化スズなどの透明導電材
４を塗着する。この方法は、はじめに前記透明導電材４
の溶液例えば有機インジウムの化合物溶液を刷毛を用い
るなどの方法により基板１の表面に塗布し、その後に塗
布し九溶液を焼成して酸化インジウムとして基板１の表
面に塗着するものである。この場合、透明導電材４は基
板１表面における電極２の欠損箇所３だけに特定して塗
着する必要はなく、この欠損箇所３を含めた広い領域に
余裕をもって塗着すれば良い。
ける電極２の欠損箇所３に、電極２の形成材料と同じ物
質すなわち酸化インジウムや酸化スズなどの透明導電材
４を塗着する。この方法は、はじめに前記透明導電材４
の溶液例えば有機インジウムの化合物溶液を刷毛を用い
るなどの方法により基板１の表面に塗布し、その後に塗
布し九溶液を焼成して酸化インジウムとして基板１の表
面に塗着するものである。この場合、透明導電材４は基
板１表面における電極２の欠損箇所３だけに特定して塗
着する必要はなく、この欠損箇所３を含めた広い領域に
余裕をもって塗着すれば良い。
次いで、レーザ装置、例えばＹＡＧ（Ｙ、Ａｔ５０１２
）レーザを使用して、レーザ光を前記基板１の表面にお
ける前記透明導電材４の不用塗着部分に照射する。ここ
で透明導電材４の不用撞着部分とは、電極２の本来のパ
ターンから食み出した部分、例えば隣接する電極２に接
触する部分のことであり、この不用塗着部分はレーザ光
の照射により溶解されて除去される。このトリミングに
よシ第３図に示すように電極２の欠損箇所３には電極２
の形状に正確に沿った透明導電材４の膜が形成され、こ
の膜が欠損箇所３ｔ−介して分断している電極２の各部
分と接着して電気的に接続する。なお、ＹＡＧレーザは
基板１であるガラス板には吸収されず、従ってガラス板
を傷つけることなく補修作業を行なうことができる。
）レーザを使用して、レーザ光を前記基板１の表面にお
ける前記透明導電材４の不用塗着部分に照射する。ここ
で透明導電材４の不用撞着部分とは、電極２の本来のパ
ターンから食み出した部分、例えば隣接する電極２に接
触する部分のことであり、この不用塗着部分はレーザ光
の照射により溶解されて除去される。このトリミングに
よシ第３図に示すように電極２の欠損箇所３には電極２
の形状に正確に沿った透明導電材４の膜が形成され、こ
の膜が欠損箇所３ｔ−介して分断している電極２の各部
分と接着して電気的に接続する。なお、ＹＡＧレーザは
基板１であるガラス板には吸収されず、従ってガラス板
を傷つけることなく補修作業を行なうことができる。
この実施例では基板１の表面における電極２の欠損箇所
３に透明導電材４を塗着するために塗布焼成方法を採用
したが、これに限定されず他の方法例えばリフトオフ法
を採用することができる。
３に透明導電材４を塗着するために塗布焼成方法を採用
したが、これに限定されず他の方法例えばリフトオフ法
を採用することができる。
リフトオフ法を採用する場合には、基板の表面にフォト
レノスト、例えばボゾタイグのフォトレジストを塗布し
、次にレジストに対して電極の欠損箇所だけでなくその
周辺の部分を含む比較的広い領域を露光し現像する。そ
の後に蒸着またはス・やツタリングによりレノストの表
面に透明導電材からなる膜を膜付けし、さらにレゾスト
を基板表面かう剥離する。この時、レジストと一緒に透
明導電材膜がとれ、前記露光部分すなわち欠損箇所およ
びその周辺の膜が残る。最後に透明導電材膜の不用塗着
部分に対しＹＡＧレーザを照射してトリミングを行ない
、不用塗着部分を除去する。
レノスト、例えばボゾタイグのフォトレジストを塗布し
、次にレジストに対して電極の欠損箇所だけでなくその
周辺の部分を含む比較的広い領域を露光し現像する。そ
の後に蒸着またはス・やツタリングによりレノストの表
面に透明導電材からなる膜を膜付けし、さらにレゾスト
を基板表面かう剥離する。この時、レジストと一緒に透
明導電材膜がとれ、前記露光部分すなわち欠損箇所およ
びその周辺の膜が残る。最後に透明導電材膜の不用塗着
部分に対しＹＡＧレーザを照射してトリミングを行ない
、不用塗着部分を除去する。
また、この実施例においてレジスト上に膜付けを行なう
方法として、蒸着やスパッタリングに限定されず、無電
解メッキを採用しても良い。
方法として、蒸着やスパッタリングに限定されず、無電
解メッキを採用しても良い。
これまで説明した実施例は全て液晶表示素子の電極基板
を対象したものであるが、本発明はその他の基板に薄膜
ノリーンを施した部品を対象とすることができる。例え
ば合成樹脂フィルム等からなる基板の表面に銅からなる
配線・母ターンを形成した配線基板において配線ノやタ
ーンに欠損箇所が生じた場合にも適用できる。また、透
明ガラス板からなる基板の表面にクロムなどの遮光性材
料によりマスク・ぐターンを形成してなるフォトマスク
にも適用できる。
を対象したものであるが、本発明はその他の基板に薄膜
ノリーンを施した部品を対象とすることができる。例え
ば合成樹脂フィルム等からなる基板の表面に銅からなる
配線・母ターンを形成した配線基板において配線ノやタ
ーンに欠損箇所が生じた場合にも適用できる。また、透
明ガラス板からなる基板の表面にクロムなどの遮光性材
料によりマスク・ぐターンを形成してなるフォトマスク
にも適用できる。
によれば、基板の表面に形成された薄膜より成るパター
ンの欠損筒ハ「に補修物ＩＸを塗着し、しかる後にレー
ザ光の照射によシ補修物質の不用塗着部分を除去するも
ので、パターンの欠損箇所の補修を精度良く行なうこと
ができ、特に微細で且つ高密度のパターンにおける補修
も精度良く行なうことが可能であり、しかも最後の工程
でレーザ光に補修物質のトリミングを行なうために、微
細で且つ高密度の、ｐ４ターンであっても、補修物質の
塗布領域は欠損箇所を含む広い領域で良い。このため塗
布法やリフトオフ法々どの任意の方法を採用でき補修作
業を容易に行なうことができる。
ンの欠損筒ハ「に補修物ＩＸを塗着し、しかる後にレー
ザ光の照射によシ補修物質の不用塗着部分を除去するも
ので、パターンの欠損箇所の補修を精度良く行なうこと
ができ、特に微細で且つ高密度のパターンにおける補修
も精度良く行なうことが可能であり、しかも最後の工程
でレーザ光に補修物質のトリミングを行なうために、微
細で且つ高密度の、ｐ４ターンであっても、補修物質の
塗布領域は欠損箇所を含む広い領域で良い。このため塗
布法やリフトオフ法々どの任意の方法を採用でき補修作
業を容易に行なうことができる。
第２図（ａ） （ｂ）Ｉｄパターン欠損箇所に補修物質
を塗着した状態を示す電極基板の平面図および材面図、
第３図は補修物質をトリミングした状態を示す電極基板
の平面図である。 １・・・基板、２・・・電極（・ぐターン）、３・・・
欠損箇所、４・・・補修物質。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦（ａ）
（ｂ）第１ 日 （ａ） （ｂ）第 ２０
を塗着した状態を示す電極基板の平面図および材面図、
第３図は補修物質をトリミングした状態を示す電極基板
の平面図である。 １・・・基板、２・・・電極（・ぐターン）、３・・・
欠損箇所、４・・・補修物質。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦（ａ）
（ｂ）第１ 日 （ａ） （ｂ）第 ２０
Claims (1)
- 基板の表面に形成された薄膜より成るパターンの欠損
箇所を補修する方法であって、前記薄膜パターンの欠損
箇所が位置する前記基板の表面に、前記薄膜と同一また
は同等の物質を塗着し、その後にレーザ光を照射して前
記パターンから食み出す前記物質の不用塗着部分を除去
することを特徴とする薄膜パターンの補修方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61103422A JPS62260155A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 薄膜パタ−ンの補修方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61103422A JPS62260155A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 薄膜パタ−ンの補修方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62260155A true JPS62260155A (ja) | 1987-11-12 |
Family
ID=14353600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61103422A Pending JPS62260155A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 薄膜パタ−ンの補修方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62260155A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005190893A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 照光式押釦スイッチ用部材 |
| JP2009098517A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク |
| JP2012073553A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法 |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP61103422A patent/JPS62260155A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005190893A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 照光式押釦スイッチ用部材 |
| JP2009098517A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Sk Electronics:Kk | 多階調フォトマスクの欠陥修正方法及び欠陥が修正された多階調フォトマスク |
| JP2012073553A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-12 | Hoya Corp | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、及びフォトマスク、並びにパターン転写方法 |
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