JPS617839A - ハ−ドマスク修正法 - Google Patents
ハ−ドマスク修正法Info
- Publication number
- JPS617839A JPS617839A JP59128956A JP12895684A JPS617839A JP S617839 A JPS617839 A JP S617839A JP 59128956 A JP59128956 A JP 59128956A JP 12895684 A JP12895684 A JP 12895684A JP S617839 A JPS617839 A JP S617839A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hard mask
- resist
- plating
- substrate
- alloy
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/88—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof prepared by photographic processes for production of originals simulating relief
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はＩＣ集積回路やトランジスタ、液晶パネル等の
製造に用いらノア、るフオトエツヂング用・７オ） 八
−ドマスクの製造において発生する１画像欠陥を修正す
る方法に関する。
製造に用いらノア、るフオトエツヂング用・７オ） 八
−ドマスクの製造において発生する１画像欠陥を修正す
る方法に関する。
フォトマスクは従来より銀乳剤等を用いたエマルジョン
マスクが使用されているが表面がゼラチンで格成されて
いる為表面強度が低く傷がつき耐久性が悪い欠点を有し
ている。この耐久性を向上させる為に、透明なガラス等
の基板上に％金属、金属酸化物等を蒸着、スパッタリン
グ又はメッキ等を施し、エツチング法でパターン化シタ
ハードマスクが最近多くなってきている。これらの特徴
は機械強度が大きく耐久性が著しく良い利点を有する半
面、パターン形成時に種々の欠陥を生じやすいという問
題がある。この欠陥は設計上、不要な箇所に残存する場
合と、必要部分が欠落して、脱落部となる２種類に大別
される。このような欠陥のあるハードマスクを使用する
と、例えば液晶パネルにおいて転写されたものは、導通
性、外観特性の低下や歩留り低下がおこる。従って設計
上許容される以上の画像欠陥を鳴するハードマスクは使
用出来ない。その為にハードマスクに発生する画像欠陥
の修正方法の確立は工業的に極めて重要な意義をもって
いる。時延設計上必要な部分が欠落している部分の修正
方法が問題であり焼成硬化樹脂を欠陥部に付着させる方
式や、特開昭５６−５２７５１の如くレジスト上から欠
陥部に高エネルギー粒子を注入し、レジストを固化させ
る方式、又は欠陥部のみレジストを除去した状態で蒸着
、スパッタリング等圧より修正をおこなう方式がとられ
それなりの効果を得ている。しかしこれらの方法は、例
えば焼成硬化タイプ樹脂付着及びレジスト硬化処理につ
いて欠陥部の皮膜厚みが、金属パターン部に対して数倍
から数百倍となり高精度を必要とするフォトマスク忙は
、精度保障面からつかえない。又、蒸着やスパッタリン
グ等真空を必要とする方法では、密着性を向上させる為
の温度上昇によりレジストが固化され剥離が困難であり
、剥離時に表面にキズ等欠陥部を増加させる現象がある
。さらには製造技術的にコストが高くなり容易に出来な
い。又、レジストからのガス発生忙よる品質のバラツキ
が大きく、製造上の負荷が大きかった。
マスクが使用されているが表面がゼラチンで格成されて
いる為表面強度が低く傷がつき耐久性が悪い欠点を有し
ている。この耐久性を向上させる為に、透明なガラス等
の基板上に％金属、金属酸化物等を蒸着、スパッタリン
グ又はメッキ等を施し、エツチング法でパターン化シタ
ハードマスクが最近多くなってきている。これらの特徴
は機械強度が大きく耐久性が著しく良い利点を有する半
面、パターン形成時に種々の欠陥を生じやすいという問
題がある。この欠陥は設計上、不要な箇所に残存する場
合と、必要部分が欠落して、脱落部となる２種類に大別
される。このような欠陥のあるハードマスクを使用する
と、例えば液晶パネルにおいて転写されたものは、導通
性、外観特性の低下や歩留り低下がおこる。従って設計
上許容される以上の画像欠陥を鳴するハードマスクは使
用出来ない。その為にハードマスクに発生する画像欠陥
の修正方法の確立は工業的に極めて重要な意義をもって
いる。時延設計上必要な部分が欠落している部分の修正
方法が問題であり焼成硬化樹脂を欠陥部に付着させる方
式や、特開昭５６−５２７５１の如くレジスト上から欠
陥部に高エネルギー粒子を注入し、レジストを固化させ
る方式、又は欠陥部のみレジストを除去した状態で蒸着
、スパッタリング等圧より修正をおこなう方式がとられ
それなりの効果を得ている。しかしこれらの方法は、例
えば焼成硬化タイプ樹脂付着及びレジスト硬化処理につ
いて欠陥部の皮膜厚みが、金属パターン部に対して数倍
から数百倍となり高精度を必要とするフォトマスク忙は
、精度保障面からつかえない。又、蒸着やスパッタリン
グ等真空を必要とする方法では、密着性を向上させる為
の温度上昇によりレジストが固化され剥離が困難であり
、剥離時に表面にキズ等欠陥部を増加させる現象がある
。さらには製造技術的にコストが高くなり容易に出来な
い。又、レジストからのガス発生忙よる品質のバラツキ
が大きく、製造上の負荷が大きかった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的
とするところは、欠陥部を部分メッキ修正し、簡易に無
欠陥の高品質ハードマスクを提供することにある。
とするところは、欠陥部を部分メッキ修正し、簡易に無
欠陥の高品質ハードマスクを提供することにある。
本発明のハードマスク修正法は、画像欠陥部を有するハ
ードマスク上に感光樹脂層を形成する工程と前記欠陥部
分の感光樹脂層除去後、触媒化処理を施し乾燥彼、該ハ
ードマスクを熱板上に設置して、無電解ニッケルを部分
メッキする工程を含むことを特徴とする。
ードマスク上に感光樹脂層を形成する工程と前記欠陥部
分の感光樹脂層除去後、触媒化処理を施し乾燥彼、該ハ
ードマスクを熱板上に設置して、無電解ニッケルを部分
メッキする工程を含むことを特徴とする。
以下本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１
第１図は本発明のハードマスク修正法の主工程を示す断
面図で第１図（Ｇ） において透明なガラス基板１の上
に１０００〜２０００五程度の厚さに蒸着又はスパッタ
リング化よりクロムの遮光用パターン２が形成されてお
り、これは通常のフォトプロセス工程を経て形成されて
いる。この時のクロムの遮光用パターン２には第２図に
示す如くカケ４、スクラッチ８．ピンホール５等の欠陥
を有していることがある。この表面を清浄にした後フォ
トレジスト０ＦＰＲ−７７（東京応化工業製）７をスピ
ンナー塗布し、ついで１００℃で８０分間ソフトベーク
し、５０００にの膜厚を得る１次にスポット露光装置に
よって第２図に示す欠陥部上のフォトレジストのみを選
択的に第１図に示すスポット露光６を行ない、所定の現
像液で現像し欠陥部分のみフォトレジストを除去した。
面図で第１図（Ｇ） において透明なガラス基板１の上
に１０００〜２０００五程度の厚さに蒸着又はスパッタ
リング化よりクロムの遮光用パターン２が形成されてお
り、これは通常のフォトプロセス工程を経て形成されて
いる。この時のクロムの遮光用パターン２には第２図に
示す如くカケ４、スクラッチ８．ピンホール５等の欠陥
を有していることがある。この表面を清浄にした後フォ
トレジスト０ＦＰＲ−７７（東京応化工業製）７をスピ
ンナー塗布し、ついで１００℃で８０分間ソフトベーク
し、５０００にの膜厚を得る１次にスポット露光装置に
よって第２図に示す欠陥部上のフォトレジストのみを選
択的に第１図に示すスポット露光６を行ない、所定の現
像液で現像し欠陥部分のみフォトレジストを除去した。
１００℃で８０分間ポストベークし、酸処理を行なった
。
。
次に表面を弱アルカリ脱脂液にて洗浄しガラスの導電化
処理の為に塩化第−錫溶液及び、塩化パラジウム溶液浸
漬により、表面触媒化処理を施し乾燥した。ついでガラ
スを７５℃〜８５℃に加熱し欠陥部に無電解ニッケル流
を０．５ ＣＣ滴下し、加秒〜１分間メッキを行なった
。レジスト７を剥離し、２００℃で５時間ガラスを加熱
して１５００Ａのニッケルーリン合金メッキ層８にて完
全に修正された無欠陥のハードマスクパターン第８図を
得た。
処理の為に塩化第−錫溶液及び、塩化パラジウム溶液浸
漬により、表面触媒化処理を施し乾燥した。ついでガラ
スを７５℃〜８５℃に加熱し欠陥部に無電解ニッケル流
を０．５ ＣＣ滴下し、加秒〜１分間メッキを行なった
。レジスト７を剥離し、２００℃で５時間ガラスを加熱
して１５００Ａのニッケルーリン合金メッキ層８にて完
全に修正された無欠陥のハードマスクパターン第８図を
得た。
実施例２
ガラス上にニッケルーリン合金１５００Ａ（ＤＪ［厚で
第２図に示すピンホール５．スクラッチ８の欠陥を有す
るパターン化されたハードマスク上Ｋｐ、ｚ−１８５０
（シブレイ社製）レジスト７を塗布しついで（資）℃で
８θ分間ソフトベークして６０００Ａの膜厚を得た１次
にスポット露光装置で第２図に示す欠陥部分上の７オト
レジストを選択的にスポット露光（第１図に示す６）し
、所定の現像液及びリンス液で現像し、欠陥部分のみフ
オトレジス）ｔ−除去し１００℃で加分間ポストベーク
した。次に表面脱脂後実施例ＩＫ記した如く触媒化処理
乾燥を行なって、ガラスを６６℃〜７６℃に加熱しなが
ら欠陥部に無電解ニッケルメッキ液を１釦滴下し、１〜
２分間部分メッキを行ない、メッキＮ８を形成し、レジ
ストを有機溶剤でハクリした所、完全に修正された、ハ
ードマスクパターン第８図を得た。
第２図に示すピンホール５．スクラッチ８の欠陥を有す
るパターン化されたハードマスク上Ｋｐ、ｚ−１８５０
（シブレイ社製）レジスト７を塗布しついで（資）℃で
８θ分間ソフトベークして６０００Ａの膜厚を得た１次
にスポット露光装置で第２図に示す欠陥部分上の７オト
レジストを選択的にスポット露光（第１図に示す６）し
、所定の現像液及びリンス液で現像し、欠陥部分のみフ
オトレジス）ｔ−除去し１００℃で加分間ポストベーク
した。次に表面脱脂後実施例ＩＫ記した如く触媒化処理
乾燥を行なって、ガラスを６６℃〜７６℃に加熱しなが
ら欠陥部に無電解ニッケルメッキ液を１釦滴下し、１〜
２分間部分メッキを行ない、メッキＮ８を形成し、レジ
ストを有機溶剤でハクリした所、完全に修正された、ハ
ードマスクパターン第８図を得た。
以上述べたように本発明によれば、微細なハードマスク
の欠陥修正を通常のメッキ工程を部分メッキとの組み合
せとした為に、蒸着やスパッタリングのような真空機器
やイオン注入装置等高価で特別な装置を使用することな
く、パターンとＩ′ｌｔぼ同じ膜厚から構成される耐久
性の高いニッケル合金皮膜を品質安定性良く得る事がで
き、大巾なコストダウンが可能である。
の欠陥修正を通常のメッキ工程を部分メッキとの組み合
せとした為に、蒸着やスパッタリングのような真空機器
やイオン注入装置等高価で特別な装置を使用することな
く、パターンとＩ′ｌｔぼ同じ膜厚から構成される耐久
性の高いニッケル合金皮膜を品質安定性良く得る事がで
き、大巾なコストダウンが可能である。
さらに本発明は同様なる加熱形態の一つとして加熱雰囲
気内での処理や、コバルト合金メッキ、銅メッキ等への
波及が可能である。
気内での処理や、コバルト合金メッキ、銅メッキ等への
波及が可能である。
第１図（α）〜（ｄ）は本発明のハードマスクイ自正法
の主工程の一実施例を工程順に示す断面図。 第２図はハードマスクに発生する外観欠陥の概要を模式
的に示す平面図であり、第８図は本発明により第２図の
欠陥を修正した状態’を模式的に示す平面図である。 １・・・透明ガラス基板 ２・Φ・遮光用パターン ８１・スクラッチ ４・・・カケ ５１・ピンホール ６・―・スポット露光 ７１瞭レジスト ８・・・メッキ層 以 上
の主工程の一実施例を工程順に示す断面図。 第２図はハードマスクに発生する外観欠陥の概要を模式
的に示す平面図であり、第８図は本発明により第２図の
欠陥を修正した状態’を模式的に示す平面図である。 １・・・透明ガラス基板 ２・Φ・遮光用パターン ８１・スクラッチ ４・・・カケ ５１・ピンホール ６・―・スポット露光 ７１瞭レジスト ８・・・メッキ層 以 上
Claims (1)
- 透明基板上に無機遮光パターンを有するハードマスク
上に感光性樹脂皮膜層を形成し、画像欠陥部の前記樹脂
を除去後、触媒化処理乾燥を経て、該ハードマスクを加
熱しながら、金属及び金属合金を部分メッキする事を特
徴とするハードマスク修正法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128956A JPS617839A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | ハ−ドマスク修正法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59128956A JPS617839A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | ハ−ドマスク修正法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS617839A true JPS617839A (ja) | 1986-01-14 |
Family
ID=14997568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59128956A Pending JPS617839A (ja) | 1984-06-22 | 1984-06-22 | ハ−ドマスク修正法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS617839A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5405720A (en) * | 1985-08-07 | 1995-04-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition containing 1,2 quinonediazide compound, alkali-soluble resin and monooxymonocarboxylic acid ester solvent |
| US8193882B2 (en) | 2008-08-07 | 2012-06-05 | Denso Corporation | Starting device for engines |
| US8307726B2 (en) | 2008-01-18 | 2012-11-13 | Denso Corporation | Starter with compact structure |
-
1984
- 1984-06-22 JP JP59128956A patent/JPS617839A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5405720A (en) * | 1985-08-07 | 1995-04-11 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Radiation-sensitive composition containing 1,2 quinonediazide compound, alkali-soluble resin and monooxymonocarboxylic acid ester solvent |
| US5494784A (en) * | 1985-08-07 | 1996-02-27 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Method of pattern formation utilizing radiation-sensitive resin composition containing monooxymonocarboxylic acid ester solvent |
| US5925492A (en) * | 1985-08-07 | 1999-07-20 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition utilizing monooxymonocarboxylic acid ester solvent |
| US6228554B1 (en) | 1985-08-07 | 2001-05-08 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
| US6270939B1 (en) | 1985-08-07 | 2001-08-07 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
| US8307726B2 (en) | 2008-01-18 | 2012-11-13 | Denso Corporation | Starter with compact structure |
| US8601888B2 (en) | 2008-01-18 | 2013-12-10 | Denso Corporation | Starter with compact structure |
| US8193882B2 (en) | 2008-08-07 | 2012-06-05 | Denso Corporation | Starting device for engines |
| US8421562B2 (en) | 2008-08-07 | 2013-04-16 | Denso Corporation | Starting device for engines |
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