JPS62172364A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等の製作に変角するフォトマス
クの製造方法に関する。
クの製造方法に関する。
従来、フォトマスクの製造上、原版の投影パターンに対
し明暗か同じポジパターンと明暗が反転したネガパター
ンの２種類のパターンｙ２Ｈ造する方床としてネガ型と
ポジ型の２種類のレジストを用いる製造方法と１柚類の
レジストヲ用いたりフトオ７法による製造方法である。
し明暗か同じポジパターンと明暗が反転したネガパター
ンの２種類のパターンｙ２Ｈ造する方床としてネガ型と
ポジ型の２種類のレジストを用いる製造方法と１柚類の
レジストヲ用いたりフトオ７法による製造方法である。
２種類のレジストを用いる製造方法としては、まずガラ
ス基板上に被、着されたＣｒまたはＴａ等の遮光膜面上
にレジストと称される感光材料を塗布しこねに紫外線、
電子線、あるいはＸ線を用いてパターン露光し、現象処
理を施して所定のパターン形状を形成する。
ス基板上に被、着されたＣｒまたはＴａ等の遮光膜面上
にレジストと称される感光材料を塗布しこねに紫外線、
電子線、あるいはＸ線を用いてパターン露光し、現象処
理を施して所定のパターン形状を形成する。
次に、このレジストパターンの無い部分の泄光膜、つ才
り露出している部分の遮光膜を化学エツチングなどの方
法によって除去し、かかる後レジストを溶解除去する。
り露出している部分の遮光膜を化学エツチングなどの方
法によって除去し、かかる後レジストを溶解除去する。
この場合、ポジ型のレジストを用いると感光した部分の
レジストが現像処理によって除去されるため、エツチン
グによりこの部分の遮光膜が除去される。したがって投
影パターンに対して明暗が同じマスクパターンが形成さ
れる。
レジストが現像処理によって除去されるため、エツチン
グによりこの部分の遮光膜が除去される。したがって投
影パターンに対して明暗が同じマスクパターンが形成さ
れる。
又、ネガ型のレジストを用いた場合は、感光した部分の
レジストが現像処理によって残留し、未感光部分が除去
され、したがって投影パターンに対して反転したパター
ンが形成される。
レジストが現像処理によって残留し、未感光部分が除去
され、したがって投影パターンに対して反転したパター
ンが形成される。
一方、リフトオフ法を用いる製造方法さしては第２図（
ａ）に示すごとく卯、像処理を終えた後、第２図（ｂｌ
に示すごさくシリコン等の薄膜４をスパッタ法あるいは
真空蒸着法などを用いて基板表面全体に被着させ、しか
る後レジストを溶解除去することによりレジスト上に被
着している薄膜も同時に除去され、第２図（Ｃ）の様に
なる。さらにｇ２図（ｄ）に示すごとく、シリコン等の
薄膜４をエツチングの際の保ａＮとして化学エツチング
等の処理をすれは被りされた部分は残って投影パターン
に対して反転したパターンが形成される。
ａ）に示すごとく卯、像処理を終えた後、第２図（ｂｌ
に示すごさくシリコン等の薄膜４をスパッタ法あるいは
真空蒸着法などを用いて基板表面全体に被着させ、しか
る後レジストを溶解除去することによりレジスト上に被
着している薄膜も同時に除去され、第２図（Ｃ）の様に
なる。さらにｇ２図（ｄ）に示すごとく、シリコン等の
薄膜４をエツチングの際の保ａＮとして化学エツチング
等の処理をすれは被りされた部分は残って投影パターン
に対して反転したパターンが形成される。
上記の製造方法を用いて投影パターンから明暗が反転し
た２種類のフォトマスクを製造することが出来るが、こ
れら従来の方法のうち２種類のレジストを使い分ける製
造方法ではポジ型およびネガ型の２独類のレジスト処理
工程が必要になり、工程が抜雑になるという欠点があっ
た。
た２種類のフォトマスクを製造することが出来るが、こ
れら従来の方法のうち２種類のレジストを使い分ける製
造方法ではポジ型およびネガ型の２独類のレジスト処理
工程が必要になり、工程が抜雑になるという欠点があっ
た。
他方、リフトオフ法を用いた場合では、レジストは１種
類を用いることで済むが、シリコン等の薄膜を被着させ
るための設備的投資が大去くコストが高くなり、また簿
膜を被着させる工程時間が長く、生産効率が悪いという
欠点がある。
類を用いることで済むが、シリコン等の薄膜を被着させ
るための設備的投資が大去くコストが高くなり、また簿
膜を被着させる工程時間が長く、生産効率が悪いという
欠点がある。
さらに、レジスト上にもシリコン等の薄膜が被着するた
めレジストを除去した時に剥離した前記薄膜の破片が７
オトマスク基板表面へ再付着し、エツチング不良等を起
こしやすいという問題点があった。
めレジストを除去した時に剥離した前記薄膜の破片が７
オトマスク基板表面へ再付着し、エツチング不良等を起
こしやすいという問題点があった。
本発明は上記従来方法の問題点を解決し、１種類のンジ
ストヲ用いメッキ法を行なうことにより明暗が反転した
２種類のフォトマスクを製造する簡便な方法を提供する
ことを目的とする。
ストヲ用いメッキ法を行なうことにより明暗が反転した
２種類のフォトマスクを製造する簡便な方法を提供する
ことを目的とする。
本発明は遮光膜を設けた基板上に所定形状のレジストパ
ターンを形成し、該レジストパターンが形成されていな
い部分にメッキ＃を被着した後前記レジストパターンを
除去し、エツチング不良を施して前記メッキ膜の被着し
ていない部分の遮光膜を除去することを特徴とするフォ
トマスクの製造方法であり、以下図面により説明する。
ターンを形成し、該レジストパターンが形成されていな
い部分にメッキ＃を被着した後前記レジストパターンを
除去し、エツチング不良を施して前記メッキ膜の被着し
ていない部分の遮光膜を除去することを特徴とするフォ
トマスクの製造方法であり、以下図面により説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明Ｉこ関するフォトマスク
の製造方法を示す図であり、第１図（ａ）はレジストパ
ターン形成工桿、第１図（ｂｌはメッキ膜被着工程、第
１図（Ｃ）はレジスト除去処理工程、第１図（ｄ）は遮
光膜エツチング工程、第１図（ｅ）はメッキ膜除去工程
の終了後におけるフォトマスクの断面図である。
の製造方法を示す図であり、第１図（ａ）はレジストパ
ターン形成工桿、第１図（ｂｌはメッキ膜被着工程、第
１図（Ｃ）はレジスト除去処理工程、第１図（ｄ）は遮
光膜エツチング工程、第１図（ｅ）はメッキ膜除去工程
の終了後におけるフォトマスクの断面図である。
ます、第１図（ａ）に示すごとく、ガ°ラス等の基板Ｈ
こ遮光用のマスク材料よりなる遮光Ｍ２を被着したフォ
トマスク基板表面に紫外線、電子線、あるいはＸＨ等に
感光するレジストを塗布し、パターン露光、現像処理を
行ない前記フォトマスク基板表面にレジストパターン３
を形成して遮光膜２をレジスト抜機部分とレジスト不在
部分とに分ける。
こ遮光用のマスク材料よりなる遮光Ｍ２を被着したフォ
トマスク基板表面に紫外線、電子線、あるいはＸＨ等に
感光するレジストを塗布し、パターン露光、現像処理を
行ない前記フォトマスク基板表面にレジストパターン３
を形成して遮光膜２をレジスト抜機部分とレジスト不在
部分とに分ける。
次に、第２図に示すごとくレジスト不在部分表面にメッ
キ法を用いてメッキ膜５を被着する。このメッキ法とし
ては電解メッキ法、及び無電解メッキ法、共に有効であ
り、メッキ膜に用いる材質としては第１図（ｄ）の遮光
膜エツチング工程において遮光膜のエツチング液によっ
てエツチングされないものを適用する。
キ法を用いてメッキ膜５を被着する。このメッキ法とし
ては電解メッキ法、及び無電解メッキ法、共に有効であ
り、メッキ膜に用いる材質としては第１図（ｄ）の遮光
膜エツチング工程において遮光膜のエツチング液によっ
てエツチングされないものを適用する。
次に、有機溶媒やレジスト剥離剤にフォトマスクを浸漬
する等の方法でレジストの除去処理を施し、第１図（ｃ
ｌに示すように連光膜２の表面にメッキ膜５を残す。さ
らに、化学エツチング等の処理を施してメッキ膜５で被
覆されていない部分の遮光膜を除去し、第１図（ｄ）に
示すようにメッキ膜で被覆された部分のみに遮光マスク
パターンを形成する。
する等の方法でレジストの除去処理を施し、第１図（ｃ
ｌに示すように連光膜２の表面にメッキ膜５を残す。さ
らに、化学エツチング等の処理を施してメッキ膜５で被
覆されていない部分の遮光膜を除去し、第１図（ｄ）に
示すようにメッキ膜で被覆された部分のみに遮光マスク
パターンを形成する。
最後にメッキ膜５のみを腐食させるエツチング液を用い
て不用となりたメッキ膜を除去することにより第１図（
ｅ）に示すごとくレジストパターンと完全にネガ、ポジ
反転した（明暗が反転した）マスクパターンを製造する
ことが可能である。
て不用となりたメッキ膜を除去することにより第１図（
ｅ）に示すごとくレジストパターンと完全にネガ、ポジ
反転した（明暗が反転した）マスクパターンを製造する
ことが可能である。
なお、メッキ膜厚が十分薄く、７オトマスクとして使用
しても悪影響を生じなければメッキ膜５は特に除去しな
くてもよい。
しても悪影響を生じなければメッキ膜５は特に除去しな
くてもよい。
また、レジストパターンと明暗が同じマスクパターンを
製造するには第１図（ａ）の状態からすぐに遮光膜エッ
チング工程を行ない最後にレジメ）％除去すればよい。
製造するには第１図（ａ）の状態からすぐに遮光膜エッ
チング工程を行ない最後にレジメ）％除去すればよい。
次に本発明である製造方法を実施例により詳細に説明す
る。
る。
実施例１
厚さ約１．６ｍｌ＃Ｉのガラス基板に遮光膜として厚さ
８００＾のクロム膜を真空蒸着したフォトマスク基板を
２枚用意する。
８００＾のクロム膜を真空蒸着したフォトマスク基板を
２枚用意する。
次にネガ型のレジスト （東京応化社製 商品名ｒＯＭ
Ｒ８Ｊ）を厚さｌ／Ｒにスピンナーでコーティングする
。
Ｒ８Ｊ）を厚さｌ／Ｒにスピンナーでコーティングする
。
次に露光装置を用い、原版パターンを紫外線密着露光し
、現像処理を施して遮光膜面上に１０１Ｉｎの回路パタ
ーンを形成する。形成された２枚のフォトマスク基板上
のレジストパターンはネガ型のため露光パターンとは明
暗が反転したパターンとなっており、うち１枚はフォト
エツチング法により露光パターンと明暗が反転したパタ
ーンのフォトマスクが製造される。他方のフォトマスク
基板は［１メツキ法を用いてメッキ膜を被着させる。
、現像処理を施して遮光膜面上に１０１Ｉｎの回路パタ
ーンを形成する。形成された２枚のフォトマスク基板上
のレジストパターンはネガ型のため露光パターンとは明
暗が反転したパターンとなっており、うち１枚はフォト
エツチング法により露光パターンと明暗が反転したパタ
ーンのフォトマスクが製造される。他方のフォトマスク
基板は［１メツキ法を用いてメッキ膜を被着させる。
電解メッキとしては、まず陽極には黒鉛を用い、陰極に
は露光、現像処理したフォトマスク基板を取り付けて塩
化ニッケル及び硫酸、塩酸系より成る希酸槽に入れ電解
酸洗いを行ないフォトマスク基板のＣｒ不動態層を除去
する。次に陽極に金を用い、陰極はフォトマスク基板を
取り付けたます、ジアノ希酸カリウム及びくえん酸系よ
り成る槽に入れ電解金メッキを行ない２００〜５００
Ｘ程度金メッキ膜を破着させ、水洗及び乾燥する。
は露光、現像処理したフォトマスク基板を取り付けて塩
化ニッケル及び硫酸、塩酸系より成る希酸槽に入れ電解
酸洗いを行ないフォトマスク基板のＣｒ不動態層を除去
する。次に陽極に金を用い、陰極はフォトマスク基板を
取り付けたます、ジアノ希酸カリウム及びくえん酸系よ
り成る槽に入れ電解金メッキを行ない２００〜５００
Ｘ程度金メッキ膜を破着させ、水洗及び乾燥する。
次にメッキしたフォトマスク基板をアセトンに浸漬して
レジストを溶解除去する。
レジストを溶解除去する。
さらに該フォトマスク基板を硝酸セリウムアンモニウム
系のエツチング液に浸漬し、金メッキされていない部分
の遮光膜をエツチング除去する。
系のエツチング液に浸漬し、金メッキされていない部分
の遮光膜をエツチング除去する。
その後王水で金メッキ膜をエツチング除去する。
これによりフォトエツチング法で製造したフォトマスク
と明暗が完全に反転したフォトマスクの２種類の７オト
マスクが簡単な工程でしかも短い作業時間で製造された
。なお、レジストについては実施例に使用したものに限
定されず、例えば電子線露光用レジスト、Ｘ＃露光用レ
ジストを使用しても同様の効果が得られる。
と明暗が完全に反転したフォトマスクの２種類の７オト
マスクが簡単な工程でしかも短い作業時間で製造された
。なお、レジストについては実施例に使用したものに限
定されず、例えば電子線露光用レジスト、Ｘ＃露光用レ
ジストを使用しても同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明の方法を用いれば、１種類の
レジストで明暗が反転したフォトマスクを容易に製造Ｔ
ることが可能となった。
レジストで明暗が反転したフォトマスクを容易に製造Ｔ
ることが可能となった。
したがって２種類のレジストを使用するような煩雑さも
無く、明暗の反転処理工程も簡単なもので済み、ざらに
リフトオフ法で問題となるシリコン等の膜片が存在しな
い為、膜片付着によるエツチング不良等も無くなり、高
品質のフォトマスクを歩留り良く製造することが可能で
ある。
無く、明暗の反転処理工程も簡単なもので済み、ざらに
リフトオフ法で問題となるシリコン等の膜片が存在しな
い為、膜片付着によるエツチング不良等も無くなり、高
品質のフォトマスクを歩留り良く製造することが可能で
ある。
第１図（ａ）〜ｔｅｌは本発明によるフォトマスクの製
造方法を示す工程説明図であり、（ａ）はレジストパタ
ーン形成工程、（ｂ）はメッキ膜被着工程、（Ｃ）はレ
ジスト除去処理工程、ｆｄｌは遮光膜エッチング工程、
（ｅｌはメッキ膜除去工程におけるフォトマスクの断面
図、第２薗ｆａ）〜（ｄ）は従来のリフトオフ法による
フォトマスクの製造工程を示す工程説明図であり、（ａ
）はレジストパターン形成工程、（ｂ）はシリコン等の
薄膜被着工程、（Ｃ）はレジスト除去処理工程、（ｄｌ
は遮光膜エツチング工程におけるフォトマスクの断面図
である。 ｌ・・・基板 ２・・・マスク材料よりなる遮光膜 ３・・・レジストパターン ４・・・シリコン等の薄膜 ５・・・メッキ膜 特許出願人 アルプス電気株式会社 第 １ 図 第 ２ 図
造方法を示す工程説明図であり、（ａ）はレジストパタ
ーン形成工程、（ｂ）はメッキ膜被着工程、（Ｃ）はレ
ジスト除去処理工程、ｆｄｌは遮光膜エッチング工程、
（ｅｌはメッキ膜除去工程におけるフォトマスクの断面
図、第２薗ｆａ）〜（ｄ）は従来のリフトオフ法による
フォトマスクの製造工程を示す工程説明図であり、（ａ
）はレジストパターン形成工程、（ｂ）はシリコン等の
薄膜被着工程、（Ｃ）はレジスト除去処理工程、（ｄｌ
は遮光膜エツチング工程におけるフォトマスクの断面図
である。 ｌ・・・基板 ２・・・マスク材料よりなる遮光膜 ３・・・レジストパターン ４・・・シリコン等の薄膜 ５・・・メッキ膜 特許出願人 アルプス電気株式会社 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 遮光膜を設けた基板上に所定形状のレジストパターンを
形成し、該レジストパターンが形成されていない部分に
メッキ膜を被着した後、前記レジストパターンを除去し
、エッチング処理を施して前記メッキ膜の被着していな
い部分の遮光膜を除去することを特徴とするフォトマス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61014529A JPS62172364A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | フオトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61014529A JPS62172364A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62172364A true JPS62172364A (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=11863664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61014529A Pending JPS62172364A (ja) | 1986-01-24 | 1986-01-24 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62172364A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020095703A (ko) * | 2001-06-15 | 2002-12-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
-
1986
- 1986-01-24 JP JP61014529A patent/JPS62172364A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020095703A (ko) * | 2001-06-15 | 2002-12-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 위상반전 마스크의 제조방법 |
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