JPH0629647A - フォトレジストの剥離方法 - Google Patents
フォトレジストの剥離方法Info
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- JPH0629647A JPH0629647A JP18113092A JP18113092A JPH0629647A JP H0629647 A JPH0629647 A JP H0629647A JP 18113092 A JP18113092 A JP 18113092A JP 18113092 A JP18113092 A JP 18113092A JP H0629647 A JPH0629647 A JP H0629647A
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- copper
- resist
- copper foil
- solder plating
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 下地銅箔上のフォトレジスト残渣をＯ2にＣ
Ｆ4を添加した混合ガスプラズマで除去し、エッチング
処理工程でエッチングレジストである半田めっき被膜の
溶出を防止して、歩留よく銅配線を形成する。 【構成】 基材１上の下地銅箔２の表面全体にフォトレ
ジスト３を被着させた後、パターン化学銅めっき層４を
形成し、その上にＳｎ比４０％以下の半田めっき皮膜５
を形成した後、フォトレジスト３の剥離を行う。半田め
っき皮膜５この半田めっき皮膜５処理で下地銅箔２上に
残留したレジスト残渣６を、Ｏ2にＣＦ4を添加した混合
ガスプラズマでアツシングして除去する。パターン銅め
っき層４の上にＳｎ比を４０％以下とした半田めっき被
膜５は、次工程の下地銅箔の除去のためのエッチング処
理前の湯洗処理で溶出することがなく、エッチング処理
工程での銅残り不良を防止することができ、歩留よく銅
配線を形成することができる。
Ｆ4を添加した混合ガスプラズマで除去し、エッチング
処理工程でエッチングレジストである半田めっき被膜の
溶出を防止して、歩留よく銅配線を形成する。 【構成】 基材１上の下地銅箔２の表面全体にフォトレ
ジスト３を被着させた後、パターン化学銅めっき層４を
形成し、その上にＳｎ比４０％以下の半田めっき皮膜５
を形成した後、フォトレジスト３の剥離を行う。半田め
っき皮膜５この半田めっき皮膜５処理で下地銅箔２上に
残留したレジスト残渣６を、Ｏ2にＣＦ4を添加した混合
ガスプラズマでアツシングして除去する。パターン銅め
っき層４の上にＳｎ比を４０％以下とした半田めっき被
膜５は、次工程の下地銅箔の除去のためのエッチング処
理前の湯洗処理で溶出することがなく、エッチング処理
工程での銅残り不良を防止することができ、歩留よく銅
配線を形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板上に
微細パターンを加工するプリント配線基板の製造方法に
係り、特に、パターン銅めっき工法において、歩留良く
パターンを加工するために使用して好適なフォトレジス
トの剥離方法に関する。
微細パターンを加工するプリント配線基板の製造方法に
係り、特に、パターン銅めっき工法において、歩留良く
パターンを加工するために使用して好適なフォトレジス
トの剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント配線基板の製造時、パターン銅
とめっきレジストとを形成するために使用したフォトレ
ジストを剥離した後に残る残渣を除去する方法に関する
従来技術として、例えば、特開昭昭６０−２０６１９０
号公報等に記載された技術が知られている。この従来技
術は、フォトレジストを剥離したプリント配線基板を強
酸中に浸漬した後に、レジストの残渣を耐酸性のブラシ
で機械的に除去するというものである。
とめっきレジストとを形成するために使用したフォトレ
ジストを剥離した後に残る残渣を除去する方法に関する
従来技術として、例えば、特開昭昭６０−２０６１９０
号公報等に記載された技術が知られている。この従来技
術は、フォトレジストを剥離したプリント配線基板を強
酸中に浸漬した後に、レジストの残渣を耐酸性のブラシ
で機械的に除去するというものである。
【０００３】また、他の従来技術として、例えば、特開
平３−４０４８４号公報等に記載された技術が知られて
いる。この従来技術は、その後の工程で使用されるエッ
チング用マスクとしての半田めっきレジストの被膜を溶
出させることなく、フォトレジストの残渣を除去するた
めに、残留レジスト処理液なる薬液を用いるものであ
る。
平３−４０４８４号公報等に記載された技術が知られて
いる。この従来技術は、その後の工程で使用されるエッ
チング用マスクとしての半田めっきレジストの被膜を溶
出させることなく、フォトレジストの残渣を除去するた
めに、残留レジスト処理液なる薬液を用いるものであ
る。
【０００４】しかし、これらの従来技術は、作業上の手
間が多くかかり、フォトレジストの残渣を完全に除去す
ることが困難であるという問題点を有している。
間が多くかかり、フォトレジストの残渣を完全に除去す
ることが困難であるという問題点を有している。
【０００５】このような問題点を解決し、フォトレジス
トの残渣を短時間に完全に除去することのできる従来技
術として、Ｏ2ガスにＣＦ4ガスを添加したプラズマを用
いる方法が知られている。以下、この従来技術を図面に
より説明する。
トの残渣を短時間に完全に除去することのできる従来技
術として、Ｏ2ガスにＣＦ4ガスを添加したプラズマを用
いる方法が知られている。以下、この従来技術を図面に
より説明する。
【０００６】図３は従来技術を説明するプリント配線基
板の加工方法の主要な部分におけるプリント配線基板の
断面図である。図３において、１は基材、２は下地銅
箔、３はフォトレジスト、４はパターン化学銅めっき
層、５は半田めっき被膜、６はレジスト残渣、７は半田
めっきの溶出層である。
板の加工方法の主要な部分におけるプリント配線基板の
断面図である。図３において、１は基材、２は下地銅
箔、３はフォトレジスト、４はパターン化学銅めっき
層、５は半田めっき被膜、６はレジスト残渣、７は半田
めっきの溶出層である。
【０００７】下地銅箔２が設けられている基材１上に、
パターン化学銅めっき層４及びその上の半田めっき皮膜
５を形成する場合、通常、下地銅箔２の表面全体にフォ
トレジスト３を被着させた後、公知の手法によりパター
ン化学銅めっき層４及びその上の半田めっき皮膜５を形
成して、図３（ａ）に示すような状態にされる。この場
合、半田めっき皮膜５に使用される半田は、一般に、Ｓ
ｎ比６０％の半田、すなわち、Ｐｂ４０％、Ｓｎ６０％
の半田が使用される。
パターン化学銅めっき層４及びその上の半田めっき皮膜
５を形成する場合、通常、下地銅箔２の表面全体にフォ
トレジスト３を被着させた後、公知の手法によりパター
ン化学銅めっき層４及びその上の半田めっき皮膜５を形
成して、図３（ａ）に示すような状態にされる。この場
合、半田めっき皮膜５に使用される半田は、一般に、Ｓ
ｎ比６０％の半田、すなわち、Ｐｂ４０％、Ｓｎ６０％
の半田が使用される。
【０００８】このパターン化学銅めっき層４及びその上
の半田めっき皮膜５が形成された配線基板は、塩化メチ
レン等の有機溶剤によりフォトレジスト３が剥離され
る。一般に、この有機溶剤によるフォトレジスト３の剥
離処理では、完全にフォトレジスト３を除去することが
できず、図３（ｂ）に示すようにレジスト残渣６が残っ
てしまう。
の半田めっき皮膜５が形成された配線基板は、塩化メチ
レン等の有機溶剤によりフォトレジスト３が剥離され
る。一般に、この有機溶剤によるフォトレジスト３の剥
離処理では、完全にフォトレジスト３を除去することが
できず、図３（ｂ）に示すようにレジスト残渣６が残っ
てしまう。
【０００９】このため、この処理を行った配線基板は、
Ｏ2ガスにＣＨ4ガスを添加したプラズマによりアッシン
グ処理されて、レジスト残渣６の除去が行われ、図３
（ｃ）に示すような、レジスト残渣６のない状態にされ
るが、この処理は、レジスト残渣６を完全に除去するた
めに複数回行われる。
Ｏ2ガスにＣＨ4ガスを添加したプラズマによりアッシン
グ処理されて、レジスト残渣６の除去が行われ、図３
（ｃ）に示すような、レジスト残渣６のない状態にされ
るが、この処理は、レジスト残渣６を完全に除去するた
めに複数回行われる。
【００１０】このアッシング処理後、下地銅箔のエッチ
ング前処理工程で、例えば、１００℃、５分の湯洗によ
る銅表面処理が行われるが、エッチングレジストとして
使用する半田めっき被膜５は、前述のアッシング処理で
変質されてしまっており、前述の銅表面処理で半田めっ
き被膜５が解け出して、下地銅箔２の上に、図３（ｄ）
に示すように、半田めっきの溶出層７を形成してしま
う。
ング前処理工程で、例えば、１００℃、５分の湯洗によ
る銅表面処理が行われるが、エッチングレジストとして
使用する半田めっき被膜５は、前述のアッシング処理で
変質されてしまっており、前述の銅表面処理で半田めっ
き被膜５が解け出して、下地銅箔２の上に、図３（ｄ）
に示すように、半田めっきの溶出層７を形成してしま
う。
【００１１】その後、公知のエッチング処理を行って、
下地銅箔２の除去を行うが、図３（ｅ）に示すように、
半田めっきの溶出層７の下部の下地銅箔２が残る不良を
発生させる。
下地銅箔２の除去を行うが、図３（ｅ）に示すように、
半田めっきの溶出層７の下部の下地銅箔２が残る不良を
発生させる。
【００１２】前述したように、アッシング処理を使用す
るフォトレジストの除去方法の従来技術は、半田めっき
被膜を溶出させてまい、下地銅箔の完全な除去を行うこ
とができないものである。
るフォトレジストの除去方法の従来技術は、半田めっき
被膜を溶出させてまい、下地銅箔の完全な除去を行うこ
とができないものである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】一般に、プリント配線
基板の製造におけるパターン銅めっき工法は、銅めっき
時のフォトレジストの剥離を防止するため、めっきレジ
ストとしてのフォトレジストフィルムを下地銅箔上に強
固に密着させて行っている。
基板の製造におけるパターン銅めっき工法は、銅めっき
時のフォトレジストの剥離を防止するため、めっきレジ
ストとしてのフォトレジストフィルムを下地銅箔上に強
固に密着させて行っている。
【００１４】このため、エッチングレジストとなる半田
めっき被膜をパターン銅めっき上に形成した後のレジス
ト剥離の工程では、前述したフォトレジストを完全に除
去することができず、レジスト残渣が下地銅箔上に残存
する。
めっき被膜をパターン銅めっき上に形成した後のレジス
ト剥離の工程では、前述したフォトレジストを完全に除
去することができず、レジスト残渣が下地銅箔上に残存
する。
【００１５】このレジスト残渣をクリーンに除去するに
は、Ｏ2 プラズマによるアツシング処理が好ましく、さ
らに、レジスト残渣を高速に除去するために、従来技術
の項で説明したように、Ｏ2ガスにＣＦ4ガスを添加した
プラズマが用いられる。
は、Ｏ2 プラズマによるアツシング処理が好ましく、さ
らに、レジスト残渣を高速に除去するために、従来技術
の項で説明したように、Ｏ2ガスにＣＦ4ガスを添加した
プラズマが用いられる。
【００１６】しかし、既に説明したように、このＯ2ガ
スにＣＦ4ガスを添加したプラズマアツシングによる従
来技術は、その後の下地銅箔を除去するためのエッチン
グレジストである半田めっき被膜を変質させ、半田めっ
き被膜を溶出させてしまい、これにより、下地銅箔を完
全に除去することができず、銅残り不良を発生させると
いう問題点を有している。
スにＣＦ4ガスを添加したプラズマアツシングによる従
来技術は、その後の下地銅箔を除去するためのエッチン
グレジストである半田めっき被膜を変質させ、半田めっ
き被膜を溶出させてしまい、これにより、下地銅箔を完
全に除去することができず、銅残り不良を発生させると
いう問題点を有している。
【００１７】本発明の目的は、前述した従来技術の問題
点を解決し、銅箔上に残留しためっきレジストとしての
フォトレジストをＯ2ガスにＣＦ4ガスを添加したプラズ
マにより除去する方法において、下地銅箔除去のための
エッチングレジストである半田めっき被膜の溶出を防止
することのできるフォトレジストの剥離方法を提供する
ことにある。
点を解決し、銅箔上に残留しためっきレジストとしての
フォトレジストをＯ2ガスにＣＦ4ガスを添加したプラズ
マにより除去する方法において、下地銅箔除去のための
エッチングレジストである半田めっき被膜の溶出を防止
することのできるフォトレジストの剥離方法を提供する
ことにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば前記目的
は、銅箔上に残留しためっきレジストとしてのフォトレ
ジストをＯ2ガスにＣＦ4ガスを添加したプラズマで除去
する場合、下地銅箔を除去するために使用するエッチン
グレジストである半田めっき被膜のＳｎ比を４０％以下
とすることにより達成される。
は、銅箔上に残留しためっきレジストとしてのフォトレ
ジストをＯ2ガスにＣＦ4ガスを添加したプラズマで除去
する場合、下地銅箔を除去するために使用するエッチン
グレジストである半田めっき被膜のＳｎ比を４０％以下
とすることにより達成される。
【００１９】
【作用】パターン銅めっきを行った後、そのパターン銅
めっき上に、Ｓｎ比が４０％以下のエッチングレジスト
として使用する半田めっき被膜を形成する。次に、めっ
きレジストとして使用したフォトレジストを剥離した
後、銅箔表面上に残留したフォトレジストをＯ2ガスに
ＣＦ4ガスを添加したプラズマを用いて除去する。続い
て、前述の半田めっき被膜をエッチングレジストとして
下地銅箔をエッチングすることにより銅配線を形成す
る。
めっき上に、Ｓｎ比が４０％以下のエッチングレジスト
として使用する半田めっき被膜を形成する。次に、めっ
きレジストとして使用したフォトレジストを剥離した
後、銅箔表面上に残留したフォトレジストをＯ2ガスに
ＣＦ4ガスを添加したプラズマを用いて除去する。続い
て、前述の半田めっき被膜をエッチングレジストとして
下地銅箔をエッチングすることにより銅配線を形成す
る。
【００２０】本発明によれば、エッチングレジストであ
る半田めっき被膜のＳｎ比を４０％以下にすることによ
り、半田めっき被膜のプラズマ耐性を向上させることが
できるため、エッチング処理工程で半田めっき被膜の溶
出を防止することができる。
る半田めっき被膜のＳｎ比を４０％以下にすることによ
り、半田めっき被膜のプラズマ耐性を向上させることが
できるため、エッチング処理工程で半田めっき被膜の溶
出を防止することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明によるフォトレジストの剥離方
法の一実施例を図面により詳細に説明する。
法の一実施例を図面により詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明の一実施例を説明するプリン
ト配線基板の加工方法の主要な部分におけるプリント配
線基板の断面図、図２は半田めっき被膜のＳｎ比とアッ
シング処理後の湯洗処理時における半田めっき被膜の膜
厚変化量との関係を説明する図である。図１における符
号は図３の場合と同一である。
ト配線基板の加工方法の主要な部分におけるプリント配
線基板の断面図、図２は半田めっき被膜のＳｎ比とアッ
シング処理後の湯洗処理時における半田めっき被膜の膜
厚変化量との関係を説明する図である。図１における符
号は図３の場合と同一である。
【００２３】下地銅箔２が設けられている基材１上に、
パターン化学銅めっき層４及びその上の半田めっき皮膜
５を形成する場合、通常、下地銅箔２の表面全体にフォ
トレジスト３を被着させた後、公知の手法によりパター
ン化学銅めっき層４を形成し、さらにその上に半田めっ
き皮膜５を形成して、図１（ａ）に示すような状態にさ
れる。本発明の一実施例の場合、半田めっき皮膜５に使
用される半田は、Ｓｎ比４０％の半田、すなわち、Ｐｂ
６０％、Ｓｎ４０％の半田が使用される。
パターン化学銅めっき層４及びその上の半田めっき皮膜
５を形成する場合、通常、下地銅箔２の表面全体にフォ
トレジスト３を被着させた後、公知の手法によりパター
ン化学銅めっき層４を形成し、さらにその上に半田めっ
き皮膜５を形成して、図１（ａ）に示すような状態にさ
れる。本発明の一実施例の場合、半田めっき皮膜５に使
用される半田は、Ｓｎ比４０％の半田、すなわち、Ｐｂ
６０％、Ｓｎ４０％の半田が使用される。
【００２４】その後、パターン化学銅めっき層４の形成
に使用しためっきレジストであるフォトレジスト３〔例
えば、日立化成工業（株）製フォトレジストフィルムＳ
Ａ−７０７０〕を塩化メチレン等の有機溶剤により剥離
する。フォトレジスト３は、有機溶剤による剥離だけで
完全に除去されず、下地銅箔２上にレジスト残渣６が発
生し、図１（ｂ）に示すような状態になる。
に使用しためっきレジストであるフォトレジスト３〔例
えば、日立化成工業（株）製フォトレジストフィルムＳ
Ａ−７０７０〕を塩化メチレン等の有機溶剤により剥離
する。フォトレジスト３は、有機溶剤による剥離だけで
完全に除去されず、下地銅箔２上にレジスト残渣６が発
生し、図１（ｂ）に示すような状態になる。
【００２５】このレジスト残渣６は、厚さがおよそ１０
μｍであり、これを除去するため、Ｏ2：ＣＦ4：Ｎ2＝
７０：２０：１０の混合ガスのプラズマによる６０分の
アツシング処理を２〜３サイクル行う。これにより、図
１（ｃ）に示すように、レジスト残渣６を完全に除去し
た状態とされる。
μｍであり、これを除去するため、Ｏ2：ＣＦ4：Ｎ2＝
７０：２０：１０の混合ガスのプラズマによる６０分の
アツシング処理を２〜３サイクル行う。これにより、図
１（ｃ）に示すように、レジスト残渣６を完全に除去し
た状態とされる。
【００２６】次に、エッチング前処理工程の銅表面処理
として、１００℃、５分の湯洗を行う。図１に示す本発
明の一実施例では、半田めっき被膜５として使用する半
田が、Ｓｎ比４０％のものてあるので、レジスト残渣６
を完全に除去するために、上記混合ガスプラズマによる
アツシング処理を長時間施しても、半田めっき被膜５が
変質することがなく、エッチング前処理工程の湯洗によ
る銅表面処理で半田めっきの溶出を防止することがで
き、この処理の終了後、図１（ｄ）に示すように、下地
銅箔２の表面にレジスト残渣６及び半田めっきの溶出層
の全くない状態される。
として、１００℃、５分の湯洗を行う。図１に示す本発
明の一実施例では、半田めっき被膜５として使用する半
田が、Ｓｎ比４０％のものてあるので、レジスト残渣６
を完全に除去するために、上記混合ガスプラズマによる
アツシング処理を長時間施しても、半田めっき被膜５が
変質することがなく、エッチング前処理工程の湯洗によ
る銅表面処理で半田めっきの溶出を防止することがで
き、この処理の終了後、図１（ｄ）に示すように、下地
銅箔２の表面にレジスト残渣６及び半田めっきの溶出層
の全くない状態される。
【００２７】その後、公知のエッチング処理液、例え
ば、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、Ｈ3ＰＯ4、Ｈ2ＳＯ4、ＣＨ3ＣＯ
ＯＨの混合液によるエッチング処理を行うことにより、
下地銅箔２が除去され、図１（ｅ）に示すように、銅配
線パターンが形成される。
ば、Ｈ2Ｏ2、ＨＮＯ3、Ｈ3ＰＯ4、Ｈ2ＳＯ4、ＣＨ3ＣＯ
ＯＨの混合液によるエッチング処理を行うことにより、
下地銅箔２が除去され、図１（ｅ）に示すように、銅配
線パターンが形成される。
【００２８】本発明の一実施例によれば、前述の方法に
より、歩留よく銅配線を形成することができる。
より、歩留よく銅配線を形成することができる。
【００２９】前述した本発明の一実施例は、パターン化
学銅めっき層上の半田めっき被膜の半田として、Ｓｎ比
が４０％の半田を使用するとして説明したが、本発明
は、この半田の組成を、Ｓｎ比を４０％以下とすること
により、前述と同様な効果を得ることができる。
学銅めっき層上の半田めっき被膜の半田として、Ｓｎ比
が４０％の半田を使用するとして説明したが、本発明
は、この半田の組成を、Ｓｎ比を４０％以下とすること
により、前述と同様な効果を得ることができる。
【００３０】図２には、パターン化学銅めっき層上にＳ
ｎ比を変えた半田めっき被膜を形成し、Ｏ2：ＣＦ4：Ｎ
2＝７０：２０：１０の混合ガスプラズマに１２０分間
晒した後、１００℃、５分の湯洗処理を施した場合の半
田めっき被膜厚の湯洗処理前後の変化が示されている。
ｎ比を変えた半田めっき被膜を形成し、Ｏ2：ＣＦ4：Ｎ
2＝７０：２０：１０の混合ガスプラズマに１２０分間
晒した後、１００℃、５分の湯洗処理を施した場合の半
田めっき被膜厚の湯洗処理前後の変化が示されている。
【００３１】なお、半田めっき被膜厚の湯洗処理前後の
変化は、蛍光Ｘ線微小部膜厚計により測定して求めるこ
とができる。
変化は、蛍光Ｘ線微小部膜厚計により測定して求めるこ
とができる。
【００３２】この図２から判るように、混合ガスプラズ
マに晒された半田めっき被膜の湯洗処理での溶出は、半
田のＳｎ比を４０％以下とすることにより防止すること
ができる。
マに晒された半田めっき被膜の湯洗処理での溶出は、半
田のＳｎ比を４０％以下とすることにより防止すること
ができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、下
地銅箔のエッチングレジストである半田めっき被膜のＳ
ｎ比を４０％以下にすることにより、下地銅箔上に厚膜
状態で残留しためっきレジストのためのフォトレジスト
残渣をＯ2にＣＦ4を添加した混合ガスプラズマで完全に
除去でき、また、このプラズマに長時間半田めっき被膜
を晒しても、半田めっきを変質させず、その後の湯洗処
理によっても半田めっき被膜の溶出を防止することがで
きるので、歩留よく銅配線の形成を行うことができる。
地銅箔のエッチングレジストである半田めっき被膜のＳ
ｎ比を４０％以下にすることにより、下地銅箔上に厚膜
状態で残留しためっきレジストのためのフォトレジスト
残渣をＯ2にＣＦ4を添加した混合ガスプラズマで完全に
除去でき、また、このプラズマに長時間半田めっき被膜
を晒しても、半田めっきを変質させず、その後の湯洗処
理によっても半田めっき被膜の溶出を防止することがで
きるので、歩留よく銅配線の形成を行うことができる。
【図１】本発明の一実施例を説明するプリント配線基板
の加工方法の主要な部分におけるプリント配線基板の断
面図である。
の加工方法の主要な部分におけるプリント配線基板の断
面図である。
【図２】半田めっき被膜のＳｎ比とアッシング処理後の
湯洗処理時における半田めっき被膜の膜厚変化量との関
係を説明する図である。
湯洗処理時における半田めっき被膜の膜厚変化量との関
係を説明する図である。
【図３】従来技術を説明するプリント配線基板の加工方
法の主要な部分におけるプリント配線基板の断面図であ
る。
法の主要な部分におけるプリント配線基板の断面図であ
る。
１ 基材 ２ 下地銅箔 ３ フォトレジスト ４ パターン化学銅めっき層 ５ 半田めっき被膜 ６ レジスト残渣 ７ 半田めっきの溶出層
Claims (1)
- 【請求項１】 下地銅除去のためのエッチング用マスク
として半田めっき被膜をパターン銅めっき上に形成した
後、パターン銅めっきのために使用したフォトレジスト
を剥離し、その後、プリント配線基板上に残存するフォ
トレジスト残渣を、Ｏ2 ガスを主成分とするプラズマに
より除去するするプリント配線基板の製造方法におい
て、前記半田めっき被膜のＳｎ比を４０％以下とするこ
とを特徴とするフォトレジストの剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18113092A JPH0629647A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | フォトレジストの剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18113092A JPH0629647A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | フォトレジストの剥離方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629647A true JPH0629647A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16095401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18113092A Pending JPH0629647A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | フォトレジストの剥離方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629647A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073754A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電気部品の製造方法 |
| WO2012046841A1 (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板の製造方法及びそのプリント配線板の製造方法を用いて得られたプリント配線板 |
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| CN110035620A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-07-19 | 深圳市科路迪机械设备有限公司 | Ses生产线 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP18113092A patent/JPH0629647A/ja active Pending
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