JPH0936084A - パターン形成方法 - Google Patents

パターン形成方法

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JPH0936084A
JPH0936084A JP8185861A JP18586196A JPH0936084A JP H0936084 A JPH0936084 A JP H0936084A JP 8185861 A JP8185861 A JP 8185861A JP 18586196 A JP18586196 A JP 18586196A JP H0936084 A JPH0936084 A JP H0936084A
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photoresist
etching
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードフレーム等の微細加工を可能とする。 【解決手段】 本発明によるパターンの形成方法は、エ
ッチング液に対して不溶性の金属を基板に被覆してメッ
キ膜を形成する段階と、前記メッキ膜にフォトレジスト
を塗布してフォトレジスト膜を形成する段階と、前記フ
ォトレジスト膜を所定パターンのマスクを用いて露光・
現像してフォトレジストパターンを形成する段階と、前
記フォトレジストパターンを用いてメッキ膜パターンを
形成する段階と、前記フォトレジストパターンを取り除
く段階と、前記メッキ膜パターンをエッチングマスクと
して用いて前記基板を食刻する段階と、前記メッキ膜パ
ターンを取り除く段階とを備える。これにより、基板エ
ッチング段階のエッチングマスクとして従来のフォトレ
ジストパターンをメッキ膜パターンに取り替える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパターン形成方法に
係り、さらに詳細にはエッチングによりパターンを形成
するにおいてメッキ膜パターンを食刻マスクとして用い
て所定のパターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エッチング方法はリードフレームのよう
な半導体部品、印刷回路基板及び陰極線管のシャドーマ
スクなどを製作する多様な技術分野に適用される。通
常、かかる加工方法は基板を複雑な形状のパターンに加
工する必要性から用いられる。本願では多様な技術分野
に用いられるエッチングによるパターンの形成方法につ
いて便宜上リードフレームの製作工程を例にとって説明
する。
【０００３】半導体素子の必須的な部分であるリードフ
レームは半導体素子の機能を外部回路に伝え、半導体素
子を独立された一つの部品として支持する。リードフレ
ームは通常半導体チップの安着されるベースと、半導体
チップとワイヤボンディングされる内部リード（inner
lead) と、前記内部リードと外部回路との間を相互連結
する外部リードとで構成される。エッチングによるリー
ドフレームの製造方法においては、基板の表面にフォト
レジストを塗布した後、マスクを被せて露光・現像して
所定のフォトレジストパターンを形成し、このパターン
をマスクとして用いて基板を食刻剤により食刻させるこ
とによりリードフレームを形成する。この際、通常の食
刻剤はリードフレーム基板の上下面に一定の圧力で噴霧
される。
【０００４】図１は従来の技術によりリードフレームを
エッチング加工する方法を順次に示すフローチャートで
ある。前処理された金属基板上にフォトレジストが塗布
される。フォトレジストは通常液状のフォトレジストと
乾状のフォトレジストとに分かれる。液状のフォトレジ
ストはカゼインやポリビニルのような水溶性樹脂と二ク
ロム酸塩のような感光液を一定の比率で混合することに
より製造される。この液状のフォトレジストが基板上に
約５〜１０μｍの厚さで塗布される。その後、フォトレ
ジストは露光段階を経るが、これはフォトマスクをフォ
トレジストの上に設けてから光を照射することである。
フォトレジストは露光段階を経る間、露光された部分は
硬化され、露光されない部分は軟質状態に残る。
【０００５】現像段階では通常現像液により露光されな
い部分は取り除かれ、露光部は取り除かれなくてフォト
レジストパターンが形成される。
【０００６】現像段階の終了後、エッチング液を基板に
加圧噴霧するエッチング作業が行われる。前記現像され
たパターンはエッチング液に対して不溶性なので、パタ
ーン形成のためのエッチング工程でエッチングマスクの
役割を果たす。
【０００７】しかしながら、かかる従来の技術のエッチ
ング方法によるリードフレームの製造には幾つか問題点
がある。何より問題となるのはリードフレームの微細加
工が困難であるということである。リードフレームはそ
の形状の特性上、外側のリードピッチよりは内側のリー
ドピッチがきわめて稠密になるので、前述したエッチン
グ方法によりリードフレームを形成するためにはごく精
密な作業が必要とされる。リードフレームの金属基板上
にフォトレジストを５〜１０μｍ程度塗布すると、その
厚さは前記リードピッチに比べ相対的に厚いので、微細
加工は困難になる。その上、液状のフォトレジストは耐
エッチング性が足りないため、エッチング工程の間、フ
ォトレジストパターン膜が損なわれて過度にエッチング
されたパターンが形成されることがあり、ノズルから高
圧で噴射されるエッチング液により同様な効果をもたら
す可能性がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の問題点
を解消するために案出されたものであり、本発明の目的
はメッキ膜パターンを食刻マスクとして用いてパターン
を形成する方法を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的はメッキ膜パターンをエ
ッチングマスクとして用いたエッチング方法によりリー
ドフレームを製造する方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明によると、エッチング液に対して不溶性の金属
を基板に被覆してメッキ膜を形成する段階と、前記メッ
キ膜にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形
成する段階と、前記フォトレジスト膜を所定パターンの
マスクを用いて露光・現像してフォトレジストパターン
を形成する段階と、前記フォトレジストパターンを用い
てメッキ膜パターンを形成する段階と、前記フォトレジ
ストパターンを取り除く段階と、前記メッキ膜パターン
をエッチングマスクとして用いて前記基板を食刻する段
階と、前記メッキ膜パターンを取り除く段階とを備える
パターン形成方法が提供される。
【００１１】望ましくは、前記メッキ膜の形成は電気化
学的反応を用いる電気メッキによりなり、前記メッキ膜
パターンの形成及びメッキ膜パターンの除去は電気メッ
キの逆電流を印加することによりなる。
【００１２】本発明の他の目的を達成するために、エッ
チング液に対して不溶性の金属をリードフレーム基板に
被覆してメッキ膜を形成する段階と、前記メッキ膜にフ
ォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成する段
階と、前記フォトレジスト膜を所定パターンのマスクを
用いて露光・現像してフォトレジストパターンを形成す
る段階と、前記フォトレジストパターンを用いてメッキ
膜パターンを形成する段階と、前記フォトレジストパタ
ーンを取り除く段階と、前記メッキ膜パターンをエッチ
ングマスクとして用いて前記基板を食刻する段階と、前
記メッキ膜パターンを取り除く段階とを備えるリードフ
レームの製造方法が提供される。
【００１３】望ましくは、前記メッキ膜の形成は電気メ
ッキによりなり、前記メッキ膜パターンの形成及びメッ
キ膜パターンの除去は電気メッキの逆電流を印加するこ
とによりなる。
【００１４】望ましくは、前記メッキ膜の厚さは０．１
〜１μｍである。
【００１５】また、前記リードフレーム用の基板は銅合
金、鉄合金、ニッケル合金またはステンレススチール合
金のうちいずれか一つよりなり、前記メッキ膜は金、銀
またはパラジウムのうちいずれか一つの金属で形成する
ことが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき本発
明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１７】図２は本発明によるパターン形成方法を用
いてリードフレームを製造する方法を順次に示すフロー
チャートであり、図３は製造段階別の基板の断面図であ
る。図３の斜線部分は該当材料の除去状態を示す。
【００１８】前処理されたリードフレームの基板にはエ
ッチング液に対して不溶性のメッキ材料を被覆させるメ
ッキ作業が行われる。メッキ作業はエッチング液に対し
て不溶性かつメッキ可能な全ての金属を用いるが、銀、
金またはパラジウムを用いることが望ましい。特に、リ
ードフレームの基板材料として銅合金、ニッケル合金、
ステンレス合金または鉄合金を用いる場合にはコスト、
電気伝導性の面から銀をメッキ材料として用いることが
もっとも望ましい。メッキはメッキ材料の溶解された溶
液に対して電解又は非電解方式で析出を行うことにより
なるが、電気析出が望ましい。この際、メッキ膜の厚さ
は０．１〜１μｍ程度である。
【００１９】メッキ作業の終了後、フォトレジストをメ
ッキ膜上に塗布する作業を行い、露光及び現像は一般の
方法により行われる。
【００２０】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）はメッキ膜の形
成された基板上にフォトレジストパターンを形成する過
程を示す。基板３１の上下面にメッキ膜３２を形成し、
その上に再びフォトレジスト膜３３を形成した後、マス
ク（図示せず）を被覆させて露光・現像することにより
フォトレジストパターンが形成される。
【００２１】図３（Ｃ）はメッキ膜パターンの形成過程
を示す。フォトレジストパターンを用いるメッキ膜パタ
ーンの形成はメッキ時の逆方向に電流を印加することに
よりなる。即ち、フォトレジストパターン３３Ａにより
保護されるメッキ膜３２はメッキの逆電流により取り除
かれないが、メッキ膜が取り除かれて露出された部位の
メッキ膜３２はメッキの逆電流により剥離される。した
がって、メッキ膜パターン３２Ａはフォトレジストパタ
ーン３３Ａと同じパターンで形成される。
【００２２】図３（Ｄ）はフォトレジストパターンの除
去過程を示す。メッキ膜パターンの形成後はフォトレジ
ストパターン３３Ａを取り除く。フォトレジストパター
ン３３Ａの除去は通常の方法によりＮａＯＨ（水酸化ナ
トリウム）などを用いて行われる。フォトレジストパタ
ーンが完全に取り除かれた後はリードフレームの基板３
１の上にメッキ膜パターン３２のみが約０．１〜１μｍ
の厚さで形成されている。
【００２３】図３（Ｅ）は基板をエッチングする過程を
示す。リードフレーム基板のエッチング作業はメッキ膜
パターン３２Ａをエッチングマスクとして用いることに
よりなる。メッキ膜の材料は前述したようにエッチング
液に対して不溶性なので、メッキ膜が残っている部分で
はエッチングが行われないが、メッキ膜が取り除かれて
基板３１が露出された部位ではエッチングが行われる。
エッチング作業が終わると、基板３１にはフォトレジス
トパターンと同じ所定のパターンが形成される。一旦、
リードフレーム基板３１が所定のパターンで形成される
と、メッキ膜パターンを取り除く作業（図２のメッキ膜
パターンの除去段階）が行われるべきである。このよう
な作業は前述したようにメッキの逆電流を印加すること
により可能になる。既にフォトレジスト膜は全部取り除
かれた状態なので、リードフレームの基板上に残留する
メッキ膜が逆電流により取り除かれることにより、図３
（Ｆ）に示したような所定のパターンのリードフレーム
基板が形成される。
【００２４】メッキ作業は仕上げられたリードフレーム
が求める品質を提供しうるようにリードフレームの一定
の部位をメッキする作業である。
【００２５】
【発明の効果】本発明によるパターンの形成方法及びそ
の一実施例であるリードフレームの製造方法では、基板
のエッチング段階のエッチングマスクとして従来のフォ
トレジストパターンをメッキ膜パターンに取り替えたの
で、微細加工が可能である。特に、メッキ膜の厚さが
０．１〜１μｍであってフォトレジスト膜の５〜１０μ
ｍよりもはるかに薄いにもかかわらず強度はかえって強
いので、メッキ膜の割れ現象が防止される。かつ、エッ
チングの際、加圧噴霧されるエッチング液に対してメッ
キ膜は耐性が強くて過度なエッチングや過小なエッチン
グが防止され、エッチングの噴霧圧力も自由に調節でき
る。さらに、メッキ時の予備工程であるストライク工程
が不要であり、もとの基板の表面汚染のような不良を大
幅に減らすことができる。
【００２６】以上、本発明を図面に示した一実施例のみ
を参照してリードフレームの製造方法について説明し
た。しかしながら、本発明の技術分野において通常の知
識を持つ者なら、これから多様な変形及び均等な実施例
が可能であるという点は理解するはずである。したがっ
て、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲によ
り決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術によるリードフレームの製造方法の
順序図である。
【図２】本発明によるリードフレームの製造方法の順序
図である。
【図３】（Ａ）乃至（Ｆ）は本発明によるリードフレー
ムの製造方法の段階別の断面図である。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 エッチング液に対して不溶性の金属を基
    板に被覆してメッキ膜を形成する段階と、 前記メッキ膜にフォトレジストを塗布してフォトレジス
    ト膜を形成する段階と、 前記フォトレジスト膜を所定パターンのマスクを用いて
    露光・現像してフォトレジストパターンを形成する段階
    と、 前記フォトレジストパターンを用いてメッキ膜パターン
    を形成する段階と、 前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、 前記メッキ膜パターンをエッチングマスクとして用いて
    前記基板を食刻する段階と、 前記メッキ膜パターンを取り除く段階とを備えるパター
    ン形成方法。
  2. 【請求項２】 前記メッキ膜の形成は電気化学的反応を
    用いる電気メッキによりなり、前記メッキ膜パターンの
    形成及びメッキ膜パターンの除去は電気メッキの逆電流
    を印加することによりなることを特徴とする請求項１に
    記載のパターン形成方法。
  3. 【請求項３】 エッチング液に対して不溶性の金属をリ
    ードフレーム基板に被覆してメッキ膜を形成する段階
    と、 前記メッキ膜にフォトレジストを塗布してフォトレジス
    ト膜を形成する段階と、 前記フォトレジスト膜を所定パターンのマスクを用いて
    露光・現像してフォトレジストパターンを形成する段階
    と、 前記フォトレジストパターンを用いてメッキ膜パターン
    を形成する段階と、 前記フォトレジストパターンを取り除く段階と、 前記メッキ膜パターンをエッチングマスクとして用いて
    前記基板を食刻する段階と、 前記メッキ膜パターンを取り除く段階とを備えるリード
    フレームの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記メッキ膜の形成は電気メッキにより
    なり、前記メッキ膜パターンの形成及びメッキ膜パター
    ンの除去は電気メッキの逆電流を印加することによりな
    ることを特徴とする請求項３に記載のリードフレームの
    製造方法。
  5. 【請求項５】 前記メッキ膜の厚さは０．１〜１μｍで
    あることを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム
    の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記リードフレーム用の基板は銅合金、
    鉄合金、ニッケル合金またはステンレススチール合金の
    うちいずれか一つよりなり、前記メッキ膜は金、銀また
    はパラジウムのうちいずれか一つの金属で形成すること
    を特徴とする請求項３に記載のリードフレームの製造方
    法。
JP8185861A 1995-07-18 1996-07-16 パターン形成方法 Pending JPH0936084A (ja)

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KR95P21105 1995-07-18
KR1019950021105A KR0165413B1 (ko) 1995-07-18 1995-07-18 패턴 에칭 방법

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TW (1) TW418345B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494702B1 (ko) * 2014-10-22 2015-02-26 (주)메가메디칼 네블라이저용 메쉬 제조방법
JP2023165494A (ja) * 2022-05-06 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 ステンレス板の製造方法及びステンレス板を用いた発光装置の製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100227520B1 (ko) * 1997-03-12 1999-11-01 강진수 턴스타일 애드슬리브의 커버
JP2000040679A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
CN1081246C (zh) * 1999-07-29 2002-03-20 上海交通大学 镍钛合金薄膜多元化学刻蚀剂
DE10129670A1 (de) * 2001-06-20 2003-01-09 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Materialbibliothek
US6699356B2 (en) 2001-08-17 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures
KR100819797B1 (ko) * 2002-05-02 2008-04-07 삼성테크윈 주식회사 리이드 프레임의 제조 방법 및, 그에 의해서 제조된리이드 프레임
WO2005015308A2 (en) * 2003-08-08 2005-02-17 Quantiscript Inc. Fabrication process for high resolution lithography masks using evaporated or plasma assisted electron sensitive resists with plating image reversal
JP2006229147A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Toshiba Corp 半導体装置のレイアウト最適化方法、フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法およびプログラム
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
US7973394B2 (en) * 2009-06-10 2011-07-05 Blondwich Limited Enhanced integrated circuit package

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4583218A (en) * 1983-05-11 1986-04-15 At&T Bell Laboratories Control communication in a switching system having clustered remote switching modules
JP2769038B2 (ja) * 1990-03-19 1998-06-25 三菱電機株式会社 パターン形成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101494702B1 (ko) * 2014-10-22 2015-02-26 (주)메가메디칼 네블라이저용 메쉬 제조방법
JP2023165494A (ja) * 2022-05-06 2023-11-16 日亜化学工業株式会社 ステンレス板の製造方法及びステンレス板を用いた発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5770096A (en) 1998-06-23
KR970008379A (ko) 1997-02-24
CN1148637A (zh) 1997-04-30
KR0165413B1 (ko) 1999-02-01
CN1147621C (zh) 2004-04-28
DE19628264A1 (de) 1997-01-23
TW418345B (en) 2001-01-11

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