JPS612156A - フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は金ＰＡ表面に所定の模様、文字、溝等を加工
する一加丁法であるフォトファブリケーションに使用す
るマスクの製作方法に閃するものである。

フォトファブリケーションにおいて、通常の工程で使用
するマスクはエマルジョン層を持つフィルム製が主であ
るが、このフィルム製マスクは、被加工物とエマルショ
ン層とを密着させて使用するために傷がイ」き易く、ま
たプラスチックフィルムをベースとしているため、変形
による歪みも多く発生し、銀塩膜のむらや剥離により、
ピンホールができやすい等の多くの欠点を持っている。

このような理由で、フィルム製マスクは量産用には不適
当である。

以上の、ｌ：３な欠点がないフォトファブリケーション
用マスクとして、−・殻にはハードマスクと呼ばれるガ
ラス板上に金属蒸着膜の模様をつけたマスクが使用され
ているが、高価であり、かつ複雑微細な立体形状のマス
クの製作は不可能である。

立体形状の７オトエツチング用マスクについては、特開
昭５１−１３１４３２号公報に示されたような型刻によ
る７第１・エツチング用マスクの製作方法がある。この
方法の場合はメッキ層の厚さが厚いとｒｊＳ１図に示さ
れたように、フォトレジスト２上にメッキ３がはみ出す
現象か生じるため、液加１゛物に形成するための模様、
文字、溝等の輪郭の精度が悪くなる。しかし、」−記の
現象を防止するためにメッキ層の厚みを薄くすると、被
加工物と同形状に作られた模型１がらの剥離が極めて困
難になり；かりに剥離できたとしても、メッキ層が薄い
ためその形状を変形しないように維持することは極め＜
Ｓしい。

この発明は、前記の電鋳技術を利用して作られる７オト
エンチング用マスクの製作において、比較的簡単な加］
二を加えることにより、マスクとしての精度を落さず、
しかも被加工物の７オトエツチングの量産加工に充分耐
え得る強度をもったフォトファブリケーション用マスク
の製作方法の提供を目的とするものである。

次に、二の発明の実施例を閃を参照しなが゛ら説明する
。まずフォトエンチング用マスクを使用して７オトエツ
チングする被加工物と同形状の導電性材料よりなる模型
°１または導電性被膜を被覆した模型を製作する。この
模型１は被加工物の形状如何により、はぼ同寸法のもの
を用意する必要がある。この模型１の表面１１には、後
工程におけるメッキがむらにならないように、かつ金属
マスクとなるメッキ層が容易に剥離できるように洗浄お
よび酸化被膜形成などの表面処理を行う。次に模型１の
表面１１に７１トレノストを塗布し、これが乾燥したら
、通常の露光、現象に使用されるような第１の７オトマ
スク４１をフォトレジストが塗布された模型１にかぶせ
、露光、現象を行い、模型１の表面１１に、被加工物に
加工する模様、文字、溝等をフォトレジスト２１により
形成させる。次に模型１における前記フォトレジスト２
１のない表面部分にメッキを行い、第１のメッキ層３１
を形成させる。この場合にｒｊＳｌのメッキ層３１の厚
さが７オトレジ゛スト２１の厚さ以内であれば、第１の
７オトマスクと同程度の輪郭精度を保つことができるが
、メッキ層３１の厚さがフォトレジスト２１の厚さを越
えると、前述したように、第１図にみられるようなアッ
パーデポジットと呼ばれる電鋳特有の現象が生じ、厚み
の増加と共に、急激に精度の低下が見られる。このよう
な理由から精度を保つ上で、メッキ層３１の厚さは７オ
トレンスト２１と同じ厚さか、またはそれ以下にする必
要がある。この第１回目のメッキ作業によって形成され
た第１のメッキ層３１上およびフォトレジスト上に再び
フォトレジスト２０を第３図に示されたよす２うに塗布
し、乾燥する。次いで最初に用いた第１の７オトマスク
より若干小さい所定の模様、文字、溝等をもった第２の
７オトマスク４２を用いて、露光、現象を行う。このよ
うなマスク４２をイ史用することにより、現象後には最
初に形成された第１のメッキ層３１上のフォトレジスト
の中、メッキ層の面積より若干小さい部分のフォトレジ
ストが溶解するようにする。次にこのフォトレジストが
溶けて露出した第１のメッキ層上に再びメッキを行い、
第２のメッキ層を形成する。

この第２のメッキ層３２が完成したら、さらに第２のメ
ッキ層３２およびフォトレジスト２２上にフォトレジス
トを塗布、乾燥し、第２回目に用いたマスフと同じか、
または小さい所要の模様、文字、溝等をもったマスクを
用いて７オトエツチングを実施する。そして露出された
メッキ層表面にさらにｔＸＳ３のメッキ層３３を形成す
る。以上の工程を必要に応じて何回も繰返すことにより
、多層のメッキ層が得られるが、本実施例では３屑とす
る。

次に第５図に示されたように模型１の表面が７オトレジ
スＦ層２５と多層のメッキ層で覆われた状態で、低融点
金属例えば適度の粘度のハング溶融体を多層メッキ層の
上層に塗布する。このハングの溶解体が冷却すれば、第
６図に示されたように多層金属メッキ層の上にハング層
５が溶着同化した剛性および強度の大きいマスクが得ら
れる６以上の実施例では被加工物が平板状のもの、従っ
て対応する模型も平板上のものについて説明したが、上
記の方法は、立体的、複雑な形状を呈Ｖる被加工物用の
マスクの製作についても適用出来るものである。

この発明のマスクの製作方法は、多層の金ＦＡ層に低融
点金属を比較的手軽に塗布小米るので、コストのかから
ないノブ法であり、しかも製作されたマスクは、多層金
属層の厚さがせいぜい１０ミクロン程度であるのに対し
、低融点金属の厚さは数１００ミクロンであり、多層金
属のみよりなるマスクに比較して、Ｉ！７さが格段に増
加するので、剛性、強度が著しく増大し、耐久性におい
ても優れている。

また本発明により製作されたマスクはメッキ電鋳等に起
因する多層金属層における内部応力による変形を低融点
金ＰＡ層により抑制するので、マス様、文字、溝等をも
った被加工物を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電鋳による金属マスクの製作過程の一部
を示す断面図、ｔｔＳ２図ないしｔＩＳ６母はこの発明
の実施例を示す断面図で、第２図はマスクとしての第１
の金属メッキ層を得る方法を示す断面図、第３図は第２
の金属メッキ層を得るための準備工程を示す断面図、第
１図はｖＳ２の金属メ・ツキ層が得られたことを示す断
面図、ｆｊＳＳ図はマスクとしての多層の金属メッキ層
が得られた状態の断面図、第６図は上記の多層の金属メ
ッキ層【こ、さらに溶解しｔこハングを溶着して固化し
た状態を示す断面図である。。 符号の説明 １は模型、２０は７オ）レノスト、２．２１．２２は露
光現ｆ５１後の７１１１−ノスト、３はメッキ層、；）
１は第１の７ノへ一層、３２は第２のメッキ層、３′３
（土弟３の７７キＪ１り、５はハング層。 ’１６許出願人　　口木精ゴー株式会社等３）凹 ′　　　　写４圏 濠　乙　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）被加工物とほぼ同寸法、同形状の導電性模型の表
   面部にメッキのムラ防止やメッキ層の剥離の容易性のた
   めの洗浄および酸化防止被膜形成等の表面処理を行い、
   その表面にフォトレジストの被膜を形成し、予め用意し
   た所要の溝や模様等を有する第１のフォトマスクを使用
   し、露光、現象を行って模型の表面部にフォトレジスト
   による所要の溝や模様等を形成させ、次に前記表面部に
   メッキを行い、メッキ完了後、模型からメッキ層を取外
   して所要の溝や模様等を有する金属マスクを製作する方
   法において、模型表面部に金属マスク用のメッキ層を形
   成後、このメッキ層を模型に附着させたゝの状態で、フ
   ォトレジスト上およびメッキ層表面にフォトレジストに
   よる第２の被膜を形成させ、前記第１のマスクより小さ
   い所要の溝や模様等を有する第２のマスクを第２の被膜
   にかぶせて、前記と同様の手段でフォトレジストにより
   溝や模様等を形成させ、最初の金属メッキ層上にさらに
   第２のメッキ層を形成させ、次にこの第２のメッキ層上
   にフォトレジストによる第３の被膜を形成させ、所要の
   溝や横様等を有する第３のマスクを前記第３のフォトレ
   ジスト被膜にかぶせて、前記と同様の手段でフォトレジ
   ストによる溝や模様等を形成させ、第２のメッキ層上に
   さらに第３のメッキ層を形成させ、以下必要に応じ上記
   の順序にしたがってメッキ層の上にメッキ層を形成して
   その厚さを増し、多層のメッキ層を模型に附着させたま
   まの状態で、さらにメッキ層上に低融点金属を溶着して
   、より剛性の大きい金属製マスクを得ることを特徴とす
   るフォトファブリケーション用マスクの製作方法。