JPS589414B2 - フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法 - Google Patents

フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法

Info

Publication number
JPS589414B2
JPS589414B2 JP52099489A JP9948977A JPS589414B2 JP S589414 B2 JPS589414 B2 JP S589414B2 JP 52099489 A JP52099489 A JP 52099489A JP 9948977 A JP9948977 A JP 9948977A JP S589414 B2 JPS589414 B2 JP S589414B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
model
plating layer
plating
mask
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP52099489A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5433670A (en
Inventor
川上耕一
大山康司
中島繁
田中守
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NSK Ltd
Original Assignee
NSK Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NSK Ltd filed Critical NSK Ltd
Priority to JP52099489A priority Critical patent/JPS589414B2/ja
Publication of JPS5433670A publication Critical patent/JPS5433670A/ja
Publication of JPS589414B2 publication Critical patent/JPS589414B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は金属表面に所定の模様、文字、溝等を加工す
る一加工法であるフオトフアプリケーションに使用する
マスクの製造方法に関するものである。
フオトフアプリケーションにおいて、通常の工程で使用
するマスクはエマルジョン層を持つフイルム製が主であ
るが、このフィルム製マスクは、被加工物とエマルジョ
ン層とを密着させて使用するために傷が付き易く、また
プラスチックフィルムをベースとしているため、変形に
よる歪みも多く発生し、銀塩膜のむらや剥離により、ピ
ンホールができやすい等の多くの欠点を持っている。
このような理由で、フイルム製マスクは量産用には不適
当である。
以上のような欠点がないフオトフアプリケーション用マ
スクとして、一般にはハードマスクと呼ばれるガラス板
上に金属蒸着膜の模様をつけたマスクが使用されている
が、高価であり、かつ複雑微細な立体形状のマスクの製
作は不可能である。
立体形状のフォトエッチング用マスクについては,特開
昭51−131432号公報に示されたような電鋳によ
るフォトエッチング用マスクの製作方法がある。
この方法の場合はメッキ層の厚さが厚いと第1図に示さ
れたように、フォトレジスト2上にメツキ3がはみ出す
現像が生じるため、被加工物に形成するための模様、文
字、溝等の輪郭の精度が悪くなる。
しかし上記の現象を防止するためにメッキ層の厚みを薄
くすると、被加工物と同形状に作られた模型1からの剥
離が極めて困難になり、かりに剥離できたとしても、メ
ッキ層が薄いためその形状を変形しないように維持する
ことは極めて難しい。
この発明は、前記の醒鋳技術を利用して作られるフォト
エッチング用マスクの製作において、比較的簡単な加工
を加えることにより、マスクとしての精度を落さず、し
かも被加工物のフオトエッチングの量産加工に充分耐え
得る強度をもったフオットフアプリケーション用マスク
の製作方法の提供を目的とするものである。
次にこの発明の第1の実施例を図を参照しながラ説明す
る。
先ずフォトエッチング用マスクを使用してフォトエッチ
ングする被加工物と同形状の導電性材料よりなる模型1
または導電性被膜を被覆した模型を製作する。
この模型1は被加工物の形状如何により、ほゞ同寸法の
ものを用意する必要がある。
この模型1の表面11には、後工程におけるメッキがむ
らにならないように、かつ金属マスクとなるメッキ層が
容易に剥離できるように洗浄および酸化被膜形成などの
表面処理を行う。
次に模型1の表面11にフォトレジストを塗布し、これ
が乾燥したら、通常フォトエッチングに使用されるよう
なフォトマスク4をフォトレジストが塗布された模型1
にかぶせ、露光、現象を行い、模型1の表面11に、被
加工物に加工する模様、文字、溝等をフォトレジスト2
により形成される。
次に模型1における前記フォトレジスト2のない表面部
分にメッキを行い,メッキ層31を形成させる。
この場合に、形成されたメッキ層31の厚さがフォトレ
ジスト2の厚さ以内あれば、第1のフォトマスクと同程
度の輪郭精度を保つことができるが、メッキ層31の厚
さがフォトレジスト2の厚さを越えると、前述したよう
に、第1図に見られるようなアッパーデポジットと呼ば
れる電鋳特有の現象が生じ、厚みの増加と共に、急激に
精度の低下が見られる。
このような理由から精度を保つ上で、メッキ層31の厚
みはフォトレジスト2と同じ厚さか、またはそれ以下に
する必要がある。
上記のメッキ工程によって形成されたメッキ層31はそ
のま5にしておき、フォトレジスト2のみ、その除去液
によって除去する。
第3図に示すようにこのフォトレジストが除去出来たら
紫外線を透過する樹脂を準備し、上記のメッキ層31お
よび模型1の表面部11に樹脂5を第4図のようにモー
ルドする。
しかる後模型1からこのメッキ層31を樹脂と共に取外
す。
上記の場合において、メッキ層31における上層の表面
を粗くしておくと、樹脂との接触面積が増大し、接着強
度を増すことができる。
次に示す第2の実施例は、被加工物に加工すべき模様や
文字等の一部が他の部分と不連続となる場合である。
この実施例においては、第6図のように環状のメッキ層
32.33が同心的に二条形成される場合を示したがこ
の環状のメッキ層32,33を形成する工程は、第1の
実施例と同様である。
次にフォトレジストを除去液で除去し、第7図に示され
たように模型1の表面11には、メッキ層32.33の
みを附着させた状態で、紫外線の透過可能な樹脂5を第
8図のようにメッキ層32.33および模型1の表面1
1にモールドする。
これらのメッキ層32,33は樹脂5によって補強され
ると共に通常なら不連続となる部分が樹脂によって連続
状態となり、一体のマスクとし模型1より取外すことが
できる。
次に示す第3の実施例はマスクのメッキ層の一部が他の
部分に比較して狭い幅を有する場合である。
第9図には第1の実施例や第2の実施例と同様の工程で
,模型1の表面11にメッキ層34を形成し、フォトレ
ジストを除去した状態が示されており、このメッキ層3
4には矩形部分と円形部分および両者をつなぐ幅の狭い
部分6がある。
この模型1の表面11に形成されたメッキ層34と,模
型1の表面11を覆うように第10図に示されたように
紫外線の透過可能な樹脂5をモールドする。
樹脂5をモールド後、このマスクを模型1から取外せば
、メッキ層の幅の狭い部分も樹脂によって補強されるの
で、メッキ層を変形させることなく、容易に模型からマ
スクとして取外すことができる。
この発明の方法によって製作されたマスクは、従来の金
属マスクに比較して十分な剛性を有すると共に、弾性が
あり、気体不透過の膜であるので被加工物に密着し易く
、真空保持を必要とする加工のときには特に有利である
またこの発明の方法によれば、通常の製作方法では分離
してしまうマスクを一体として製作することができるの
で、取扱いが容易となる。
またこの樹脂で補強する方法は、比較的複雑な模様、文
字等の加工を目的とする場合のマスクの製作に適してい
る。
なお実施例ではいずれも平板状のマスクの製作方法につ
いて説明したが、上記の方法は立体形状のマスクの製作
にも適用出来るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電鋳による金属マスクの製作過程の一部
を示す断面図、第2図ないし第5図はこの発明の第1の
実施例を示すもので、第2図はマスクとしてのメッキ層
を得る方法を示す断面図、第3図は模型表面にメッキ層
のみが残されたときの断面図、第4図はメッキ層および
模型の表面に樹脂をモールドしたときの断面図、第5図
は完成したマスクの断面図、第6図ないし第8図はこの
発明の第2の実施例を示すもので、第6図は環状のメッ
キ層が模型表面に形成された平面図、第7図はフクトレ
ジストが除去されて模型表面にメッキ層のみが残された
ときの断面図、第8図はメッキ層および模型の表面に樹
脂をモールドしたときの断面図、第9図ないし第11図
はこの発明の第3の実施例を示すもので、第9図は模型
表面にメッキ層を形成し、フォトレジストを除去した場
合の平面図、第10図はメッキ層および模型の表面に樹
脂をモールドしたときの断面図、第11図は完成したマ
スクの断面図である。 符号の説明、1は模型、2はフォトレジスト、3,31
,32,33,34はメッキ層、4はフォトマスク、5
は紫外線を透過する樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被加工物とほぼ同寸法、同形状の導電性模型の表面
    部にメッキのムラ防止やメッキ層の剥離の容易性のため
    の洗浄および酸化被膜形成等の表面処理を行い,その表
    面にフォトレジストの被膜を形成し、予め用意した所定
    の溝や模様等を有するフォトマスクを使用し、露光、現
    像を行って模型の表面部にフォトレジストによる所定の
    溝や模様等を形成させ、次に前記表面部にメッキを行い
    、メッキ完了後、模型からメッキ層を取外して所定の溝
    や模型等を有する金属マスクを製作する方法において、
    模型表面部に金属マスク用のメッキ層を形成後、このメ
    ッキ層を模型に附着させたま一の状態で、フォトレジス
    トは除去し、紫外線透過可能な樹脂で、メッキ層および
    模型表面部をモールドして、十分な剛性を有するフォト
    マスクを得ることを特徴とするフオトフアプリケーショ
    ン用マスクの製作方法。
JP52099489A 1977-08-22 1977-08-22 フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法 Expired JPS589414B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52099489A JPS589414B2 (ja) 1977-08-22 1977-08-22 フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP52099489A JPS589414B2 (ja) 1977-08-22 1977-08-22 フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5433670A JPS5433670A (en) 1979-03-12
JPS589414B2 true JPS589414B2 (ja) 1983-02-21

Family

ID=14248708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52099489A Expired JPS589414B2 (ja) 1977-08-22 1977-08-22 フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS589414B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01118020U (ja) * 1988-01-29 1989-08-09

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62163074U (ja) * 1986-04-07 1987-10-16
JPH06105791A (ja) * 1992-01-28 1994-04-19 Katsuji Tsutsumi 洗浄装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01118020U (ja) * 1988-01-29 1989-08-09

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5433670A (en) 1979-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2340485A (en) Process of producing stencils
US4033831A (en) Method of making a bi-metal screen for thick film fabrication
JPS5669835A (en) Method for forming thin film pattern
JPS589414B2 (ja) フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法
JPH0348498B2 (ja)
JPH05106079A (ja) 表示体及びその製造方法
JPH0872141A (ja) エンボス版の製造方法
JPS54155771A (en) Pattern forming method
JPH03262690A (ja) スクリーン印刷用マスクの製造方法
JP3186859B2 (ja) 化粧板用賦形型の製造方法
JP2003183811A (ja) メタルマスク、及び、その製造方法
JPS612156A (ja) フオトフアブリケーシヨン用マスクの製作方法
JPH05131457A (ja) スタンパの製造方法
JPH03266473A (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPH0317294A (ja) 回路基板用樹脂成形金型を使用した基板の製造方法
JP3259417B2 (ja) 金属薄層パターンの製造方法及びパターン形成用フィルム並びにフィルムコンデンサー
US4109028A (en) Fabrication of cathodes for electrodeposition
JPH11236694A (ja) 微細部品用射出成形型の製造方法
JPH02170994A (ja) 微細パターン複製用金型の製作方法
JPS6132718A (ja) 合成樹脂成型金型の製法
JPS6039224B2 (ja) 回路パタ−ン打抜き用金型の製造方法
JPS5710989A (en) Pattern manufacture for jusephson-junction element
JPS5951157B2 (ja) 薄膜パタ−ンの製造方法
JPH0461611A (ja) 薄膜磁気ヘッドの製造法
KR0126649B1 (ko) 반도체 제조용 마스크의 크롬패턴 형성방법