JPH0461611A - 薄膜磁気ヘッドの製造法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造法

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JPH0461611A
JPH0461611A JP17055490A JP17055490A JPH0461611A JP H0461611 A JPH0461611 A JP H0461611A JP 17055490 A JP17055490 A JP 17055490A JP 17055490 A JP17055490 A JP 17055490A JP H0461611 A JPH0461611 A JP H0461611A
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JP
Japan
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photoresist
insulating layer
cut ends
cut end
thickness
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Pending
Application number
JP17055490A
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English (en)
Inventor
Shuichi Sawada
修一 沢田
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、薄膜磁気ヘッドの製造法に関し、絶縁層全
体の平坦性を保持するとともに、そのカット端部形状を
なだらかに形成することを可能にしたものである。
〔従来の技術〕
薄膜磁気ヘッドの製造工程の概要を第2図に基づいて説
明する。
■ 鏡面研磨された清浄な基板10として、例えばAN
203−Tic系セクセラミック板用意する。
■ 基板10上にスパッタ法によりS 102 。
A I 203等の絶縁膜12を10数μm付着する。
■ 下部磁性層14をスパッタリングや電気メツキ等に
より形成する。
■ ギャップ層16をスパッタ法により付着する。
ギャップ層16には下地絶縁膜12と同じS iO、A
 fl 20 a等を用いる。
■ 第1絶縁層18を形成する。通常、ポジ型のフォト
レジストを用い、これを塗布後所定形状のフォトマスク
を当てて露光・現像し、さらに加熱処理して安定に硬化
させる。
■ 第1コイル層20をCu等で電気メツキにより数μ
mの厚さに形成する。
■ 第2絶縁層22を第1絶縁層18と同じくポジ型フ
ォトレジストを用いて、塗布、露光、現像、加熱処理を
して安定に硬化させる。
■ 第2コイル層24をCu等で電気メ・ツキにより数
μmの厚さに形成する。
■ 第3絶縁層26を第1、第2絶縁層18゜22と同
じくポジ型フォトレジストを用いて、塗布、露光、現像
、加熱処理をして安定に硬化させる。
[相] 上部磁性層28を電気メツキで形成する。
O保護層30を5i02.A、l11203等でスノマ
ッタ法により付着して、全体を覆う。
第2絶縁層22を形成する工程(第2図■)の詳細を第
3図に示す。第2図■の状態からフォトレジスト22′
を塗布し、その上に第2絶縁層22のパターンを存する
マスクを配置して露光、現像して第2絶縁層22のパタ
ーンにカットする(第3図■−1)。そして、これを2
50℃前後で加熱してフォトレジストを硬化させて(焼
き締め)、第2絶縁層22を得る(第3図■−2)。
このような方法では、フォトレジスト22′の流動性が
不足するため、カット端部C1の断面形状が急俊となる
。このため、以後の工程てこの第2絶縁層22の上にさ
らに絶縁層(第2図Φ)の第3絶縁層26等)を積層す
ると、カット端部C1の段差にフォトレジストが溜まり
、フォ]・レジストの厚さか他の部分と異なり、正確な
フォトレジストパターンを形成しにくくなる欠点があっ
た。
そこで、このような問題を解決する方法として、特公平
2−767号公報に記載の方法があった。
これは、第4図■−1に示すように、フォトレジスト2
2′を第2絶縁層パターンにカット形成した状態から(
第4図■−1)、全面を再露光しく■−2)、これを加
熱処理して第2絶縁層22を形成するものである(■−
3)。
このようにすると、再露光によりフォトレジスト22′
内に光化学反応が生じて、加熱処理時のフォトレジスト
の流動性が著しく増大するので、第4図■−3に示すよ
うにカット端部C1がなだらかになり、以後の工程での
フォトレジスト塗布膜厚不均一の問題が解消される。
〔発明が解決しようとする課題〕
前記第4図■−2のようにフォトレジスト22′の全面
を再露光するものでは、同■−3の加熱処理時に全体の
流動性が増大するので、表面張力によりフォトレジスト
22′全体が丸く変形する。このため゛、コイル端部2
0′が露出して、次層コイルとのショートを起こし易く
なっていた。
また、全体の平坦性が失なわれて、以後の工程を困難と
する等の欠点があった。
この発明は、前記従来の技術における欠点を解決して、
絶縁層全体の平坦性を保持するとともに、そのカット端
部形状をなだらかに形成することを可能にした薄膜磁気
ヘッドの製造法を提供しようとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明は、基台上にフォトレジストを塗布し、これを
所定の絶縁層の形状に露光・現像してバタン化し、この
所定形状にパターン化されたフォトレジストのカット端
部の一部または全部を追加露光し、その後加熱処理して
当該フォトレジストを焼き締めることにより前記絶縁層
を形成することを特徴とするものである。
〔作 用〕
この発明によれば、カット端部を追加露光するので、加
熱処理時にその部分の流動性か増大し、カット端部をな
だらかにすることができるので、以後の工程でのフォト
レジスト塗布膜厚を均一化して、フォトレジストパター
ンを圧締にカットすることができる。
また、カット端部以外は追加露光しないので、全体の流
動性が増すことがなく、表面張力により全体が丸く変形
することがなく平坦性が保たれる。
したかって、コイル端部が露出したり、以後の工程に支
障をきたすことがなくなる。
なお、カット端部の全体を追加露光するのでなく、少く
とも上部に積層される部分を追加露光するたけても十分
である。
なお、前記追加露光する範囲を前記フォトレジストのカ
ット端部から当該絶縁層レジスト厚の17′5〜5倍の
幅に設定することにより、特に顕著にこの発明の効果が
得られる。
〔実施例〕
この発明の一実施例を以下説明する。薄膜磁気ヘッド製
造方法の全工程は全体が例えば前記第2図に示すように
構成される。この発明は、この全工程の中で第1、第2
、第3絶縁層18,22゜26の形成工程(第2図■、
■、■)等に適用することができる。
この発明を第2絶縁層22の形成に適用した一実施例を
第1図に示す。この工程について以下順を追って説明す
る。
■−1・第1コイル層20を形成した状態から(第2図
■)、第1絶縁層18を基台としてフォトレジスト22
′を塗布する。フォトレジスト22′としては、ノボラ
ック樹脂をベースとしたボン型レジスト等を用いること
ができる。
フォトレジスト22′の上に第2絶縁層パターンの形状
を有するフォトマスク32を配置して露光する。
■−百二露光した後現像処理することにより、フォトレ
ジスト22′は第2絶縁層パターンにカット形成される
■−1ii  :フォトレジスト22′のカット端部C
1に沿って所定幅の露光窓34を有する追加露れにより
、追加露光された部分で光化学反応を起こす。追加用フ
ォトマスク36の平面図を第5図に示す。このフォトマ
スク36は、例えばガラス基板上にCr等のパターンを
エツチングして作ることができる。
■−1v:追加露光後250℃前後で加熱処理すると、
追加露光されたカット端部c1は流動性が増してなだら
かとなる。したがって、以後の工程で第3絶縁層用のフ
すトレジストを塗布すると膜厚が均一となり、正確なフ
ォトレジストパターンを形成することができる。
また、カット端部C1以外は追加露光しないので、全体
の平坦性は保持される。したがって、コイル端部20′
が露出したり、以後の工程に支障をきたすことがなくな
る。
なお、■−1ijにおける追加露光の露光幅(フオシレ
ジスト22′上のカット端部C1からの露光幅)はフォ
トレジスト22′の厚さtの175〜5倍位が最適であ
ることが実験により確かめられた。すなわち、露光幅が
115を以下では、第6図に示すように焼き締め後の第
2絶縁層22のカット端部C1は急俊てあり、追加露光
の効果はあまり現われなかった。
また、露光幅が5を以上では、第7図に示すように、広
い部分で流動性が増加するため、カット端部C1はなだ
らかになるものの、コイル端部2〔ビは露出しやすく、
しかも盛り上りC2を生じて第2絶縁層22上面の平坦
性を阻害して、次工程以後に支障をきたし易くなった。
以上のような理由から追加露光の露光幅は115t〜5
tの範囲であることが望ましい。
C変更例〕 前記実施例では第2絶縁層22の形成にこの発明を適用
した場合について説明したが、第2図の第1、第3絶縁
層18.26等の形成にも適用することができる。
また、追加露光用フォトマスクは第8図に示すフォトマ
スク36′のように、中央部だけ遮光するものでもよい
。この場合の有効な露光幅はカット端部C1からフォト
マスク開口端部34′までの幅である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明によれば、カット端部を
追加露光するので、加熱処理時にその部分の流動性が増
大し、カット端部をなだらかにすることができるので、
以後の工程でのフォトレジスト塗布膜厚を均一化して、
フォトレジストパタ−ンを正確にカットすることができ
る。
また、カット端部以外は追加露光しないので、全体の流
動性が増すことがなく、表面張力により全体が丸く変形
することがなく平坦性が保たれる。
したがって、コイル端部が露出したり、以後の工程に支
障をきたすことがなくなる。
なお、前記追加露光する範囲を前記フォトレジストのカ
ット端部から当該絶縁層レジスト厚の115〜5倍の幅
に設定することにより、特に顕著にこの発明の効果が得
られる。
第6図、第7図は、追加露光の露光幅と形成される絶縁
層の断面形状の関係を示す図である。
第8図は、追加露光用フォトマスクの他の実施例を示す
断面図である。
18・・第1絶縁層(第2絶縁層に対する基台)、22
・・・第2絶縁層、22′・・・フォトレジスト、C1
・・・カット端部。
【図面の簡単な説明】
11図は、この発明の一実施例を示す工程図である。 第2図は、薄膜磁気ヘットの製造工程の概要を示す工程
図である。 第3図は、従来方法を示す工程図である。 第4図は、従来の再露光方法を示す工程図である。 第5図は、第1図■−1の状態の平面図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基台上にフォトレジストを塗布し、これを所定の
    絶縁層の形状に露光・現像してパターン化し、この所定
    形状にパターン化されたフォトレジストのカット端部の
    一部または全部を追加露光し、その後加熱処理して当該
    フォトレジストを焼き締めることにより前記絶縁層を形
    成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造法。
  2. (2)前記追加露光する範囲を前記フォトレジストのカ
    ット端部から当該絶縁層レジスト厚の1/5〜5倍の幅
    に設定することを特徴とする請求項1記載の薄膜磁気ヘ
    ッドの製造法。
JP17055490A 1990-06-28 1990-06-28 薄膜磁気ヘッドの製造法 Pending JPH0461611A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009129534A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Headway Technologies Inc 垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法
CN106517081A (zh) * 2016-10-28 2017-03-22 中国科学院深圳先进技术研究院 磁性封装微机器人及其制备方法

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