JPH0240914A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0240914A JPH0240914A JP19162488A JP19162488A JPH0240914A JP H0240914 A JPH0240914 A JP H0240914A JP 19162488 A JP19162488 A JP 19162488A JP 19162488 A JP19162488 A JP 19162488A JP H0240914 A JPH0240914 A JP H0240914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- patterns
- resin
- resist pattern
- heat
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 abstract description 6
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- YUJCWMGBRDBPDL-UHFFFAOYSA-N 4,4-dimethylpiperidine-2,6-dione Chemical compound CC1(C)CC(=O)NC(=O)C1 YUJCWMGBRDBPDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン形成方法に関し、特にパターン形成を
行う際に用いるフォトレジストパターンの熱的耐性を向
上させる方法に関する。
行う際に用いるフォトレジストパターンの熱的耐性を向
上させる方法に関する。
一般にフォトレジストパターンを用いて被エツチング膜
を高精度にパターン形成する際には、フォトレジストの
耐熱性及び耐ドライエツチング性を向上させることが好
ましい。従来、このようなフォトレジストの耐熱性及び
耐ドライエツチング性を向上させる方法としては、例え
ば刊行物ジャーナル・オフ・ザ・エレクトロケミカル・
ソサエティ（Ｊ、ＥＩｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、）
１２９巻６号 １３７９ページ（１９８２年）に示
されているように、所定形状のレジストパターンに遠紫
外線を照射することによって、フォトレジストに架橋反
応を生じさせ、レジストパターンを硬化させる方法があ
る。
を高精度にパターン形成する際には、フォトレジストの
耐熱性及び耐ドライエツチング性を向上させることが好
ましい。従来、このようなフォトレジストの耐熱性及び
耐ドライエツチング性を向上させる方法としては、例え
ば刊行物ジャーナル・オフ・ザ・エレクトロケミカル・
ソサエティ（Ｊ、ＥＩｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、）
１２９巻６号 １３７９ページ（１９８２年）に示
されているように、所定形状のレジストパターンに遠紫
外線を照射することによって、フォトレジストに架橋反
応を生じさせ、レジストパターンを硬化させる方法があ
る。
又、他の方法として、ニス・ビー・アイ・イー・コンフ
ァレス（ＳＰＩＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｏｎ Ｍ
ｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ） ６３１巻 ６２
ページ（１９８６年）に示されているように、所定形状
のレジストパターン上に薬液を塗布し、熱処理すること
によってレジストパターンの表面近傍と薬液を反応させ
て反応層を形成させることにより、耐熱性及び耐ドライ
エツチング性を向上させる方法がある。
ァレス（ＳＰＩＥ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ Ｏｎ Ｍ
ｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ） ６３１巻 ６２
ページ（１９８６年）に示されているように、所定形状
のレジストパターン上に薬液を塗布し、熱処理すること
によってレジストパターンの表面近傍と薬液を反応させ
て反応層を形成させることにより、耐熱性及び耐ドライ
エツチング性を向上させる方法がある。
上述した従来のフォトレジストの耐熱性及び耐ドライエ
ツチング性を向上させる方法において、前者のレジスト
パターンに遠紫外線を照射する方法では、レジストの膜
厚が厚い場合にはパターンに変形が生じるという問題を
有している。
ツチング性を向上させる方法において、前者のレジスト
パターンに遠紫外線を照射する方法では、レジストの膜
厚が厚い場合にはパターンに変形が生じるという問題を
有している。
また、後者のフォトレジストと薬液を反応させる方法で
は、レジストパターンの高さ、形状等によって反応のむ
らが生じ、均一にできないという問題を有している。
は、レジストパターンの高さ、形状等によって反応のむ
らが生じ、均一にできないという問題を有している。
本発明はレジストパターンを変形することなく、しかも
均一に耐性を向上することが可能なパターン形成方法を
提供することを目的としている。
均一に耐性を向上することが可能なパターン形成方法を
提供することを目的としている。
本発明のパターン形成方法は、被エツチング膜上に所要
パターンのレジストパターンを形成する工程と、このレ
ジストパターンを十分覆うように樹脂膜を形成する工程
と、この樹脂膜に対して少なくとも熱を加える工程と、
レジストパターンを残してこの樹脂膜を除去する工程と
、レジストパターンをマスクにして被エツチング膜をエ
ツチングする工程とを含んでいる。
パターンのレジストパターンを形成する工程と、このレ
ジストパターンを十分覆うように樹脂膜を形成する工程
と、この樹脂膜に対して少なくとも熱を加える工程と、
レジストパターンを残してこの樹脂膜を除去する工程と
、レジストパターンをマスクにして被エツチング膜をエ
ツチングする工程とを含んでいる。
上述した方法では、レジストパターンを樹脂で覆った状
態で熱処理することにより、レジストパターンの形状を
変化させることなく架橋反応を促進させ、レジストパタ
ーンの耐熱性、耐ドライエツチング性を向上させる。
態で熱処理することにより、レジストパターンの形状を
変化させることなく架橋反応を促進させ、レジストパタ
ーンの耐熱性、耐ドライエツチング性を向上させる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）乃至第１図（ｄ）は本発明の第１実施例を
工程順に示す断面図である。
工程順に示す断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、基板ｌの上面に形成
した被エツチング膜２の上に、所定平面形状のレジスト
パターン３を形成する。そして、この上に、第１図（ｂ
）に示すにように樹脂の一種であるＰＭＣＩ （Ｐｏ
ｌｙ −ｄｉｍｅｔｈｙｌｇｌｕｔａｒｉｍｉｄｅ）４
をスピンナーにより塗布する。このとき、ＰＭＣＩ４が
前記レジストパターン３を十分に覆うような厚さに塗布
を行う。また、塗布後には、オーブンにて１７０°Ｃ程
度の温度で熱処理する。
した被エツチング膜２の上に、所定平面形状のレジスト
パターン３を形成する。そして、この上に、第１図（ｂ
）に示すにように樹脂の一種であるＰＭＣＩ （Ｐｏ
ｌｙ −ｄｉｍｅｔｈｙｌｇｌｕｔａｒｉｍｉｄｅ）４
をスピンナーにより塗布する。このとき、ＰＭＣＩ４が
前記レジストパターン３を十分に覆うような厚さに塗布
を行う。また、塗布後には、オーブンにて１７０°Ｃ程
度の温度で熱処理する。
その後、ＰＭＣＩ４をシクロペンタノン薬液で剥離する
ことにより、第１図（ｃ）に示すように、前記レジスト
パターン３を再び残すことができる。
ことにより、第１図（ｃ）に示すように、前記レジスト
パターン３を再び残すことができる。
しかしながら、この状態でのレジストパターン３は、Ｐ
ＭＧ Ｉ ４を塗布した状態での熱処理によって、パタ
ーン形状の変化が防止された状態で架橋反応が促進され
、その性質、即ち耐熱性及び耐ドライエツチング性が改
善される。熱的には１７０°Ｃ程度まで耐えることが可
能となる。
ＭＧ Ｉ ４を塗布した状態での熱処理によって、パタ
ーン形状の変化が防止された状態で架橋反応が促進され
、その性質、即ち耐熱性及び耐ドライエツチング性が改
善される。熱的には１７０°Ｃ程度まで耐えることが可
能となる。
このため、第１図（ｄ）に示すように、レジストパター
ン３をエツチングマスクとしてＲＩＥ等のドライエツチ
ング方法によって被エツチング膜２をエツチングしても
、レジストパターン３は変形することなくエツチングに
耐えることができ、高精度のパターン形成が可能となる
。
ン３をエツチングマスクとしてＲＩＥ等のドライエツチ
ング方法によって被エツチング膜２をエツチングしても
、レジストパターン３は変形することなくエツチングに
耐えることができ、高精度のパターン形成が可能となる
。
第２図は本発明の第２実施例を説明するための断面図で
ある。この実施例においては、第１の実施例と同様に、
基板１の上層にある被エツチング膜２の上に形成した所
定形状のレジストパターン３の上に、これを十分に覆う
厚さになるようＰＭＣＩ４を塗布する。その上で、ＰＭ
Ｇ Ｉ ４に１７０°Ｃ程度の温度で熱を加え、更にＰ
ＭＣＩ４に遠紫外線５を照射している。
ある。この実施例においては、第１の実施例と同様に、
基板１の上層にある被エツチング膜２の上に形成した所
定形状のレジストパターン３の上に、これを十分に覆う
厚さになるようＰＭＣＩ４を塗布する。その上で、ＰＭ
Ｇ Ｉ ４に１７０°Ｃ程度の温度で熱を加え、更にＰ
ＭＣＩ４に遠紫外線５を照射している。
その後、アルカリ性現像液２例えばシブレイ社「マイク
ロポジット５ＡＩＩＯＩＪにてＰＭＧ Ｉ ４を剥離す
ることにより、被エツチング膜２上にレジストパターン
３を残し、かつこのレジストパターン３の熱的耐性を向
上させる。
ロポジット５ＡＩＩＯＩＪにてＰＭＧ Ｉ ４を剥離す
ることにより、被エツチング膜２上にレジストパターン
３を残し、かつこのレジストパターン３の熱的耐性を向
上させる。
なお、工程簡略化のために、ＰＭＣ；１４に熱を加えて
いる時に、同時に遠紫外線５を照射してもよい。
いる時に、同時に遠紫外線５を照射してもよい。
ここで、前記第１及び第２の実施例では樹脂の一種とし
てＰＭＣＩを取り上げたが、ＰＭＣＩ以外でもフォトレ
ジストパターンと混合しないような樹脂であれば同様の
効果を得ることができる。
てＰＭＣＩを取り上げたが、ＰＭＣＩ以外でもフォトレ
ジストパターンと混合しないような樹脂であれば同様の
効果を得ることができる。
以上説明したように本発明は、被エツチング膜上に形成
したレジストパターンを十分覆うように樹脂膜を形成し
た後に熱を加える工程を含んでいるので、レジストパタ
ーンの形状を変化させることなく架橋反応を促進させ、
レジストパターンの耐熱性、耐ドライエツチング性を向
上させることができ、高精度のエツチングを実現できる
。
したレジストパターンを十分覆うように樹脂膜を形成し
た後に熱を加える工程を含んでいるので、レジストパタ
ーンの形状を変化させることなく架橋反応を促進させ、
レジストパターンの耐熱性、耐ドライエツチング性を向
上させることができ、高精度のエツチングを実現できる
。
第１図（ａ）乃至第１図（ｄ）は本発明の第１実施例を
製造工程順に示す断面図、第２図は本発明の第２実施例
を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・被エツチング膜、３・・・レジ
ストパターン、４・・・ＰＭＣ；Ｉ（樹脂）、５・・・
遠紫外線。
製造工程順に示す断面図、第２図は本発明の第２実施例
を示す断面図である。 １・・・基板、２・・・被エツチング膜、３・・・レジ
ストパターン、４・・・ＰＭＣ；Ｉ（樹脂）、５・・・
遠紫外線。
Claims (1)
- １、被エッチング膜上に所要パターンのレジストパター
ンを形成する工程と、このレジストパターンを十分覆う
ように樹脂膜を形成する工程と、この樹脂膜に対して少
なくとも熱を加える工程と、前記レジストパターンを残
してこの樹脂膜を除去する工程と、該レジストパターン
をマスクにして前記被エッチング膜をエッチングする工
程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19162488A JPH0240914A (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19162488A JPH0240914A (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240914A true JPH0240914A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16277739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19162488A Pending JPH0240914A (ja) | 1988-07-30 | 1988-07-30 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6427802B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-08-06 | Sango Co., Ltd. | Muffler |
| KR20110027597A (ko) | 2009-09-08 | 2011-03-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 피처리체의 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
-
1988
- 1988-07-30 JP JP19162488A patent/JPH0240914A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6427802B1 (en) | 1998-05-26 | 2002-08-06 | Sango Co., Ltd. | Muffler |
| KR20110027597A (ko) | 2009-09-08 | 2011-03-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 피처리체의 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| US8759227B2 (en) | 2009-09-08 | 2014-06-24 | Tokyo Electron Limited | Method for processing a target object |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4988609A (en) | Method of forming micro patterns | |
| JPH0240914A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS62231901A (ja) | ブレ−ズド回折格子の製造方法 | |
| JPS60161621A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02181910A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS6132718A (ja) | 合成樹脂成型金型の製法 | |
| US5736276A (en) | Method for fabricating phase inverted mask | |
| JP2000182940A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0558650B2 (ja) | ||
| JPH02156244A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0511654B2 (ja) | ||
| JPH06216062A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR970009826B1 (ko) | 하프톤(Half-Tone)형 위상반전마스크 형성방법 | |
| JPS6331119A (ja) | パタ−ン形成法 | |
| JPH0385544A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH03108314A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH0461611A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造法 | |
| JPH07142323A (ja) | レジストパターン形成法 | |
| JP2713061B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP5487671B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| KR100250265B1 (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR970022537A (ko) | 역 메사 구조를 갖는 감광막 패턴 제조방법 | |
| KR970018041A (ko) | 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법 | |
| JPH03104113A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS59190230A (ja) | ガラス膜の形成方法 |