JPH06216062A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06216062A JPH06216062A JP25438093A JP25438093A JPH06216062A JP H06216062 A JPH06216062 A JP H06216062A JP 25438093 A JP25438093 A JP 25438093A JP 25438093 A JP25438093 A JP 25438093A JP H06216062 A JPH06216062 A JP H06216062A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング時におけるカバレージ形状を
改善しうる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 シリコンウェーハ１に形成された下地回路１
ｂ上にＳｉＯ2 膜１ａを形成し、その上に所定パターン
のフォトレジスト膜４を形成する。このシリコンウェー
ハ１に紫外線ＵＶを照射するとともに、シリコンウェー
ハ１を加熱する（図１Ａ）。ＳｉＯ2 膜１ａに対しウェ
ット法による等方性エッチングを行う（図１Ｂ）。フォ
トレジスト膜４をマスクとして異方性エッチングを行
い、コンタクトホール５を形成する（図１Ｃ）。Ａｌの
スパッタリングによってＡｌ配線６を形成する（図１
Ｄ）。
改善しうる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 シリコンウェーハ１に形成された下地回路１
ｂ上にＳｉＯ2 膜１ａを形成し、その上に所定パターン
のフォトレジスト膜４を形成する。このシリコンウェー
ハ１に紫外線ＵＶを照射するとともに、シリコンウェー
ハ１を加熱する（図１Ａ）。ＳｉＯ2 膜１ａに対しウェ
ット法による等方性エッチングを行う（図１Ｂ）。フォ
トレジスト膜４をマスクとして異方性エッチングを行
い、コンタクトホール５を形成する（図１Ｃ）。Ａｌの
スパッタリングによってＡｌ配線６を形成する（図１
Ｄ）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に、基体にコンタクトホールを形成する際のテー
パーを形成する方法に関する。
法、特に、基体にコンタクトホールを形成する際のテー
パーを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の方法としては、例えば図
７に示すようなものが知られている。この方法において
は、まず、図７Ａに示すように、シリコンウェーハ１１
に形成された下地回路１１ｂ上にＳｉＯ2 膜１１ａを形
成し、さらにその上に所定パターンのフォトレジスト膜
１２を形成する。次いで、図７Ｂに示すように、ＳｉＯ
2 膜１１ａに対しフォトレジスト膜１２をマスクして一
定時間等方性エッチング（テーパーエッチング）を行
う。その後、図７Ｃに示すように、同一のフォトレジス
ト膜１２をマスクとした異方性ドライエッチングによっ
て、残りのＳｉＯ2 膜１１ａを下地回路１１ｂに貫通す
るまでエッチングを行い、コンタクトホール１３を形成
する。そして、図７Ｄに示すように、Ａｌのスパッタリ
ングによってＡｌ配線１４を形成する。
７に示すようなものが知られている。この方法において
は、まず、図７Ａに示すように、シリコンウェーハ１１
に形成された下地回路１１ｂ上にＳｉＯ2 膜１１ａを形
成し、さらにその上に所定パターンのフォトレジスト膜
１２を形成する。次いで、図７Ｂに示すように、ＳｉＯ
2 膜１１ａに対しフォトレジスト膜１２をマスクして一
定時間等方性エッチング（テーパーエッチング）を行
う。その後、図７Ｃに示すように、同一のフォトレジス
ト膜１２をマスクとした異方性ドライエッチングによっ
て、残りのＳｉＯ2 膜１１ａを下地回路１１ｂに貫通す
るまでエッチングを行い、コンタクトホール１３を形成
する。そして、図７Ｄに示すように、Ａｌのスパッタリ
ングによってＡｌ配線１４を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のＡｌ
によるスパッタリング工程においては、コンタクトホー
ル１３の側壁１１ｄへのＡｌ分子付着率が低いと良好な
Ａｌのカバレージ形状（Ａｌで覆われるときの断面形
状）が得られない。この側壁１１ｄへのＡｌ分子の付着
率を向上させるためには、付着面に対して垂直に近い入
射角でＡｌ分子１５を入射させることが必要であり、ま
たＡｌ分子１５の絶対量も必要である。この入射角の臨
界点は、テーパーエッチングによるＳｉＯ2 膜１１ａの
テーパー部１１ｃの角度に依存し、このテーパー角度が
緩やかである方が、よりコンタクトホール１３の側壁１
１ｄへのＡｌ分子１５の付着率が高い。しかしながら、
上述した従来の方法では、フォトレジスト膜１２とＳｉ
Ｏ2 膜１１ａとの間の密着力が強いため、緩やかなテー
パー角度を得ることができない。その理由は、フォトレ
ジスト膜１２及びＳｉＯ2 膜１１ａ間の密着力が強い
と、これらの間に染み込むエッチング液が少なく、水平
方向即ち側壁１１ｄ方向のエッチングレートが遅くなる
からである。したがって、従来の方法によると、コンタ
クトホール１３の側壁１１ｄへのＡｌ分子１５の付着率
が少なく、Ａｌの良好なカバレージ形状が得られないと
いう問題があった。
によるスパッタリング工程においては、コンタクトホー
ル１３の側壁１１ｄへのＡｌ分子付着率が低いと良好な
Ａｌのカバレージ形状（Ａｌで覆われるときの断面形
状）が得られない。この側壁１１ｄへのＡｌ分子の付着
率を向上させるためには、付着面に対して垂直に近い入
射角でＡｌ分子１５を入射させることが必要であり、ま
たＡｌ分子１５の絶対量も必要である。この入射角の臨
界点は、テーパーエッチングによるＳｉＯ2 膜１１ａの
テーパー部１１ｃの角度に依存し、このテーパー角度が
緩やかである方が、よりコンタクトホール１３の側壁１
１ｄへのＡｌ分子１５の付着率が高い。しかしながら、
上述した従来の方法では、フォトレジスト膜１２とＳｉ
Ｏ2 膜１１ａとの間の密着力が強いため、緩やかなテー
パー角度を得ることができない。その理由は、フォトレ
ジスト膜１２及びＳｉＯ2 膜１１ａ間の密着力が強い
と、これらの間に染み込むエッチング液が少なく、水平
方向即ち側壁１１ｄ方向のエッチングレートが遅くなる
からである。したがって、従来の方法によると、コンタ
クトホール１３の側壁１１ｄへのＡｌ分子１５の付着率
が少なく、Ａｌの良好なカバレージ形状が得られないと
いう問題があった。
【０００４】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、スパッタリング時
におけるカバレージ形状を改善しうる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、スパッタリング時
におけるカバレージ形状を改善しうる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
示すように、酸化膜１ａが形成された基体１上にレジス
トパターン４を形成する工程と、この基体１を加熱しつ
つこの基体１に紫外線ＵＶを照射する工程と、上述のレ
ジストパターン４をマスクとして上述の酸化膜１ａにウ
ェット法による等方性エッチングを施す工程と、上述の
レジストパターン４をマスクとして上述の酸化膜１ａに
異方性エッチングを施してコンタクトホール５を形成す
る工程とを有するものである。この場合、基体１に対す
る紫外線ＵＶの照射量に基づいて側壁１ｄ方向のエッチ
ング量を制御することもできる。また、例えば図４に示
すように、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体１を加熱
しつつこの基体１に紫外線ＵＶを照射する工程が介在す
るように構成することもできる。
示すように、酸化膜１ａが形成された基体１上にレジス
トパターン４を形成する工程と、この基体１を加熱しつ
つこの基体１に紫外線ＵＶを照射する工程と、上述のレ
ジストパターン４をマスクとして上述の酸化膜１ａにウ
ェット法による等方性エッチングを施す工程と、上述の
レジストパターン４をマスクとして上述の酸化膜１ａに
異方性エッチングを施してコンタクトホール５を形成す
る工程とを有するものである。この場合、基体１に対す
る紫外線ＵＶの照射量に基づいて側壁１ｄ方向のエッチ
ング量を制御することもできる。また、例えば図４に示
すように、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体１を加熱
しつつこの基体１に紫外線ＵＶを照射する工程が介在す
るように構成することもできる。
【０００６】
【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、酸化膜
１ａが形成された基体１上にレジストパターン４を形成
した後、この基体１を加熱しつつ紫外線ＵＶを照射する
ことから、レジストパターン４と酸化膜１ａとの間の化
学的な密着力が弱くなる。このため、このレジストパタ
ーン４をマスクとしてこの酸化膜１ａにウェット法によ
る等方性エッチングを施した場合に、レジストパターン
４及び酸化膜１ａ間のエッチング剤の染み込み速度が速
く、コンタクトホール５の側壁１ｄ方向へのエッチング
レートが大きくなる。その結果、一定のエッチング時間
でより多くの側壁１ｄ方向のエッチングが可能になるた
め、従来例に比べコンタクトホール５のテーパー部１ｃ
の角度が緩やかになり、側壁１ｄに対する配線材料の付
着率が高まる。また、基体１に対する紫外線ＵＶの照射
量に基づいてコンタクトホール５の側壁１ｄ方向のエッ
チング量を制御することにより、コンタクトホール５の
テーパー部１ｃの角度を必要に応じて変えることができ
る。さらに、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体１を加熱
しつつ紫外線ＵＶを照射する工程が介在するように構成
すれば、例えば図４〜図６に示すように複数のテーパー
部１ｅ，１ｆが形成され、その結果、各テーパー部１
ｅ，１ｆの角度θ3 〜θ5 が大きくなる。
１ａが形成された基体１上にレジストパターン４を形成
した後、この基体１を加熱しつつ紫外線ＵＶを照射する
ことから、レジストパターン４と酸化膜１ａとの間の化
学的な密着力が弱くなる。このため、このレジストパタ
ーン４をマスクとしてこの酸化膜１ａにウェット法によ
る等方性エッチングを施した場合に、レジストパターン
４及び酸化膜１ａ間のエッチング剤の染み込み速度が速
く、コンタクトホール５の側壁１ｄ方向へのエッチング
レートが大きくなる。その結果、一定のエッチング時間
でより多くの側壁１ｄ方向のエッチングが可能になるた
め、従来例に比べコンタクトホール５のテーパー部１ｃ
の角度が緩やかになり、側壁１ｄに対する配線材料の付
着率が高まる。また、基体１に対する紫外線ＵＶの照射
量に基づいてコンタクトホール５の側壁１ｄ方向のエッ
チング量を制御することにより、コンタクトホール５の
テーパー部１ｃの角度を必要に応じて変えることができ
る。さらに、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体１を加熱
しつつ紫外線ＵＶを照射する工程が介在するように構成
すれば、例えば図４〜図６に示すように複数のテーパー
部１ｅ，１ｆが形成され、その結果、各テーパー部１
ｅ，１ｆの角度θ3 〜θ5 が大きくなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の
実施例について図１〜図６を参照して説明する。
実施例について図１〜図６を参照して説明する。
【０００８】図２は本発明の方法を実施するための装置
を示すものである。同図に示すように、この装置は、シ
リコンウェーハ１を加熱処理するためのホットプレート
２を有し、さらにホットプレート２の上方には、シリコ
ンウェーハ１に紫外線ＵＶを照射するためのＵＶ光照射
ランプ３を備えている。ホットプレート２は、シリコン
ウェーハ１を真空吸着するための孔（図示せず）を有し
ている。
を示すものである。同図に示すように、この装置は、シ
リコンウェーハ１を加熱処理するためのホットプレート
２を有し、さらにホットプレート２の上方には、シリコ
ンウェーハ１に紫外線ＵＶを照射するためのＵＶ光照射
ランプ３を備えている。ホットプレート２は、シリコン
ウェーハ１を真空吸着するための孔（図示せず）を有し
ている。
【０００９】図１Ａ〜Ｄは、第１実施例の方法を示すも
のである。本実施例においては、まずシリコンウェーハ
１に形成された下地回路１ｂ上にＳｉＯ2 膜１ａを形成
し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い所
定パターンのフォトレジスト膜４を形成する。そして、
図１Ａに示すように、ＵＶ光照射ランプ３を駆動してシ
リコンウェーハ１に紫外線ＵＶを照射すると同時に、ホ
ットプレート２によってシリコンウェーハ１を加熱す
る。
のである。本実施例においては、まずシリコンウェーハ
１に形成された下地回路１ｂ上にＳｉＯ2 膜１ａを形成
し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い所
定パターンのフォトレジスト膜４を形成する。そして、
図１Ａに示すように、ＵＶ光照射ランプ３を駆動してシ
リコンウェーハ１に紫外線ＵＶを照射すると同時に、ホ
ットプレート２によってシリコンウェーハ１を加熱す
る。
【００１０】図３Ａは紫外線照射のスケジュールの一例
を示すものである。同図に示すように、紫外線ＵＶを照
射し始めてから５秒間は、フォトレジスト膜４の発泡を
防止するために例えば２０ｍｗ／ｃｍ2 の低強度とし、
その後、６０秒まで例えば５００ｍｗ／ｃｍ2 の強度で
紫外線ＵＶの照射を行う。
を示すものである。同図に示すように、紫外線ＵＶを照
射し始めてから５秒間は、フォトレジスト膜４の発泡を
防止するために例えば２０ｍｗ／ｃｍ2 の低強度とし、
その後、６０秒まで例えば５００ｍｗ／ｃｍ2 の強度で
紫外線ＵＶの照射を行う。
【００１１】一方、図３Ｂはホットプレート２による加
熱スケジュールの一例を示すものである。同図に示すよ
うに、１００℃で加熱を開始してから６０秒後に２００
℃となるようにシリコンウェーハ１を加熱する。
熱スケジュールの一例を示すものである。同図に示すよ
うに、１００℃で加熱を開始してから６０秒後に２００
℃となるようにシリコンウェーハ１を加熱する。
【００１２】そして、このようなＵＶキュアリング処理
により、フォトレジスト膜４とＳｉＯ2 膜１ａとの間の
化学的な密着力が弱くなる。
により、フォトレジスト膜４とＳｉＯ2 膜１ａとの間の
化学的な密着力が弱くなる。
【００１３】次に、図１Ｂに示すように、ＳｉＯ2 膜１
ａに対しフォトレジスト膜４をマスクとしてウェット法
による一定時間の等方性エッチング（テーパーエッチン
グ）を行う。本実施例においては、上述したようにフォ
トレジスト膜４及びＳｉＯ2 膜１ａ間の密着力が弱くな
っているため、これら２層間へのエッチング剤の染み込
み速度が速く、このため側壁１ｄ方向へのエッチングレ
ートが大きくなり、一定のエッチング時間でより多くの
側壁１ｄ方向のエッチングが可能になる。この結果、図
１Ｂに示すように、従来例に比べテーパー部１ｃの角度
が緩やかになる。
ａに対しフォトレジスト膜４をマスクとしてウェット法
による一定時間の等方性エッチング（テーパーエッチン
グ）を行う。本実施例においては、上述したようにフォ
トレジスト膜４及びＳｉＯ2 膜１ａ間の密着力が弱くな
っているため、これら２層間へのエッチング剤の染み込
み速度が速く、このため側壁１ｄ方向へのエッチングレ
ートが大きくなり、一定のエッチング時間でより多くの
側壁１ｄ方向のエッチングが可能になる。この結果、図
１Ｂに示すように、従来例に比べテーパー部１ｃの角度
が緩やかになる。
【００１４】その後、同一のフォトレジスト膜４をマス
クとして異方性ドライエッチングによって、残りのＳｉ
Ｏ2 膜１ａを下地回路１ｂに貫通するまでエッチングを
行い、図１Ｃに示すようにコンタクトホール５を形成す
る。
クとして異方性ドライエッチングによって、残りのＳｉ
Ｏ2 膜１ａを下地回路１ｂに貫通するまでエッチングを
行い、図１Ｃに示すようにコンタクトホール５を形成す
る。
【００１５】さらに、図１Ｄに示すように、Ａｌのスパ
ッタリングによってＳｉＯ2 膜１ａ及び下地回路１ｂ上
にＡｌ配線６を形成する。
ッタリングによってＳｉＯ2 膜１ａ及び下地回路１ｂ上
にＡｌ配線６を形成する。
【００１６】かかる構成を有する本実施例によれば、図
１Ｃに示すように従来例に比べテーパー部１ｃの角度が
緩やかになるので、コンタクトホール５の側壁１ｄに対
するＡｌ分子７の入射角がより垂直に近くなり、その結
果、コンタクトホール５の側壁１ｄへのＡｌ分子７の付
着率が高まってより良好なＡｌのカバレージ形状を得る
ことができる。
１Ｃに示すように従来例に比べテーパー部１ｃの角度が
緩やかになるので、コンタクトホール５の側壁１ｄに対
するＡｌ分子７の入射角がより垂直に近くなり、その結
果、コンタクトホール５の側壁１ｄへのＡｌ分子７の付
着率が高まってより良好なＡｌのカバレージ形状を得る
ことができる。
【００１７】また、本実施例によれば、ＳｉＯ2 膜１ａ
のテーパー部１ｃの平坦性を向上させることができ、ま
た、それにより高温スパッタリングによるＡｌの埋め込
み形状を改善することができる。
のテーパー部１ｃの平坦性を向上させることができ、ま
た、それにより高温スパッタリングによるＡｌの埋め込
み形状を改善することができる。
【００１８】さらに、紫外線照射の強度及びスケジュー
ル、また加熱処理の温度及びスケジュールについては、
上述の実施例に限られることなく種々の変更を行うこと
ができる。これにより、ウェットエッチングにおけるフ
ォトレジスト膜４及びＳｉＯ 2 膜１ａ間の密着性ひいて
はテーパー部１ｃの角度をコントロールすることがで
き、最適のＡｌのカバレージ形状を得ることができる。
ル、また加熱処理の温度及びスケジュールについては、
上述の実施例に限られることなく種々の変更を行うこと
ができる。これにより、ウェットエッチングにおけるフ
ォトレジスト膜４及びＳｉＯ 2 膜１ａ間の密着性ひいて
はテーパー部１ｃの角度をコントロールすることがで
き、最適のＡｌのカバレージ形状を得ることができる。
【００１９】図４は本発明の第２実施例を示すものであ
り、以下、第１実施例と対応する部分には同一の符号を
付して説明する。
り、以下、第１実施例と対応する部分には同一の符号を
付して説明する。
【００２０】本実施例においても、まずシリコンウェー
ハ１に形成された下地回路１ｂ上にＳｉＯ2 膜１ａを形
成し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い
所定パターンのフォトレジスト膜４を形成する。そし
て、図４Ａに示すように、ＵＶ光照射ランプ３を駆動し
てシリコンウェーハ１に紫外線ＵＶを照射すると同時
に、ホットプレート２によってシリコンウェーハ１を加
熱する。
ハ１に形成された下地回路１ｂ上にＳｉＯ2 膜１ａを形
成し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い
所定パターンのフォトレジスト膜４を形成する。そし
て、図４Ａに示すように、ＵＶ光照射ランプ３を駆動し
てシリコンウェーハ１に紫外線ＵＶを照射すると同時
に、ホットプレート２によってシリコンウェーハ１を加
熱する。
【００２１】この場合、ＵＶキュアリングの条件は、所
望のテーパー角度（この点については後述する。）が得
られるように最適化する。そして、このようなＵＶキュ
アリング処理により、フォトレジスト膜４とＳｉＯ2 膜
１ａとの間の化学的な密着力がある程度弱くなる。
望のテーパー角度（この点については後述する。）が得
られるように最適化する。そして、このようなＵＶキュ
アリング処理により、フォトレジスト膜４とＳｉＯ2 膜
１ａとの間の化学的な密着力がある程度弱くなる。
【００２２】次に、図４Ｂに示す如く、第１実施例の場
合と同様に、ＳｉＯ2 膜１ａに対しフォトレジスト膜４
をマスクとしてウェット法による一定時間の等方性エッ
チングを行う。これにより、同図に示すように、テーパ
ー部１ｅが形成される。
合と同様に、ＳｉＯ2 膜１ａに対しフォトレジスト膜４
をマスクとしてウェット法による一定時間の等方性エッ
チングを行う。これにより、同図に示すように、テーパ
ー部１ｅが形成される。
【００２３】そして、図４Ｃに示すように、シリコンウ
ェーハ１に紫外線ＵＶを再度照射すると同時に、ホット
プレート２によってシリコンウェーハ１を加熱する。こ
れにより、フォトレジスト膜４とＳｉＯ2 膜１ａとの間
の化学的な密着力がさらに弱くなる。
ェーハ１に紫外線ＵＶを再度照射すると同時に、ホット
プレート２によってシリコンウェーハ１を加熱する。こ
れにより、フォトレジスト膜４とＳｉＯ2 膜１ａとの間
の化学的な密着力がさらに弱くなる。
【００２４】その後、図４Ｄに示すように、上述のウエ
ット法による等方性エッチングを再度行う。この場合、
フォトレジスト膜４及びＳｉＯ2 膜１ａ間の化学的な密
着力がさらに弱くなっているため、側壁１ｄ方向へのエ
ッチングレートはさらに大きくなり、その結果、ＳｉＯ
2 膜１ａに新たに形成されるテーパー部１ｆの角度はさ
らに緩く、水平に近づく。
ット法による等方性エッチングを再度行う。この場合、
フォトレジスト膜４及びＳｉＯ2 膜１ａ間の化学的な密
着力がさらに弱くなっているため、側壁１ｄ方向へのエ
ッチングレートはさらに大きくなり、その結果、ＳｉＯ
2 膜１ａに新たに形成されるテーパー部１ｆの角度はさ
らに緩く、水平に近づく。
【００２５】そして、第１実施例と同様に、フォトレジ
スト膜４をマスクとして異方性ドライエッチングにより
残りのＳｉＯ2 膜１ａを下地回路１ｂに貫通するまでエ
ッチングを行い、図４Ｅに示すようにコンタクトホール
５を形成する。
スト膜４をマスクとして異方性ドライエッチングにより
残りのＳｉＯ2 膜１ａを下地回路１ｂに貫通するまでエ
ッチングを行い、図４Ｅに示すようにコンタクトホール
５を形成する。
【００２６】最後に、図４Ｆに示すように、Ａｌのスパ
ッタリングによってＳｉＯ2 膜１ａ及び下地回路１ｂ上
にＡｌ配線６を形成する。
ッタリングによってＳｉＯ2 膜１ａ及び下地回路１ｂ上
にＡｌ配線６を形成する。
【００２７】次に、本実施例の作用効果を図５及び図６
を参照して説明する。本実施例の方法は、紫外線ＵＶの
照射とテーパーエッチングのサイクルを２回繰り返すこ
とにより、さらなるＡｌのカバレージ形状の向上が得ら
れるものである。
を参照して説明する。本実施例の方法は、紫外線ＵＶの
照射とテーパーエッチングのサイクルを２回繰り返すこ
とにより、さらなるＡｌのカバレージ形状の向上が得ら
れるものである。
【００２８】図５Ａは、紫外線ＵＶの照射とテーパーエ
ッチングのサイクルを１回行う第１実施例の場合におけ
るＡｌのカバレージ形状を示すものであり、また、図５
Ｂは、このサイクルを２回繰り返す第２実施例の場合に
おけるＡｌのカバレージ形状を示すものである。
ッチングのサイクルを１回行う第１実施例の場合におけ
るＡｌのカバレージ形状を示すものであり、また、図５
Ｂは、このサイクルを２回繰り返す第２実施例の場合に
おけるＡｌのカバレージ形状を示すものである。
【００２９】一般に、コンタクトホールの上部における
Ａｌのカバレージ形状は、例えば図５Ａ，Ｂに示すよう
に、絶縁膜であるＳｉＯ2 膜１ａの各部分Ｃ１〜Ｃ５に
おけるテーパー部の角度θ1 〜θ5 に依存し、この角度
θ1 〜θ5 が小さくなる程カバレージ形状が悪化する
（Ａｌ配線６の厚みが薄くなる。）ことが知られてい
る。
Ａｌのカバレージ形状は、例えば図５Ａ，Ｂに示すよう
に、絶縁膜であるＳｉＯ2 膜１ａの各部分Ｃ１〜Ｃ５に
おけるテーパー部の角度θ1 〜θ5 に依存し、この角度
θ1 〜θ5 が小さくなる程カバレージ形状が悪化する
（Ａｌ配線６の厚みが薄くなる。）ことが知られてい
る。
【００３０】そして、上述したように、第１実施例の１
サイクルエッチング方法では一段のテーパー部１ｃが得
られるのに対し、第２実施例の２サイクルエッチング方
法では二段のテーパー部１ｅ，１ｆが得られる。ここ
で、図５Ａ，Ｂから明らかなように、第２実施例の２サ
イクルエッチング方法により得られるテーパー部１ｅ，
１ｆの角度θ3 ，θ4 及びθ5 は、第１実施例の１サイ
クルエッチング方法によって得られるテーパー部１ｃの
角度θ1 ，θ2 より大きくなる。すなわち、 θ1 ，θ2 ＜θ3 ，θ4 ，θ5 の関係が成り立つ。したがって、上述した第２実施例の
方法によれば、以下の理由によって一層良好なカバレー
ジ形状を得ることができる。
サイクルエッチング方法では一段のテーパー部１ｃが得
られるのに対し、第２実施例の２サイクルエッチング方
法では二段のテーパー部１ｅ，１ｆが得られる。ここ
で、図５Ａ，Ｂから明らかなように、第２実施例の２サ
イクルエッチング方法により得られるテーパー部１ｅ，
１ｆの角度θ3 ，θ4 及びθ5 は、第１実施例の１サイ
クルエッチング方法によって得られるテーパー部１ｃの
角度θ1 ，θ2 より大きくなる。すなわち、 θ1 ，θ2 ＜θ3 ，θ4 ，θ5 の関係が成り立つ。したがって、上述した第２実施例の
方法によれば、以下の理由によって一層良好なカバレー
ジ形状を得ることができる。
【００３１】図６Ａ〜Ｃは、従来例及び第１，第２実施
例におけるコンタクトホール５のテーパー部１ｃ，１ｅ
及び１ｆの角度θ1 〜θ5 を模式的に示すものである。
例におけるコンタクトホール５のテーパー部１ｃ，１ｅ
及び１ｆの角度θ1 〜θ5 を模式的に示すものである。
【００３２】上述したように、第１実施例の方法によれ
ば、コンタクトホール５の側壁１ｄへのＡｌ分子の付着
率を高めて良好なＡｌのカバレージ形状を得ることがで
きるが、その一方、ＵＶキュアリング処理によりコンタ
クトホール５の側壁１ｄ方向へのエッチングレートが増
すため、一定時間エッチングを行った場合、コンタクト
ホール５のテーパー部の角度θ2 は、従来の方法によっ
て得られるテーパー部の角度θより小さくなる（図６
Ａ，Ｂ参照）。
ば、コンタクトホール５の側壁１ｄへのＡｌ分子の付着
率を高めて良好なＡｌのカバレージ形状を得ることがで
きるが、その一方、ＵＶキュアリング処理によりコンタ
クトホール５の側壁１ｄ方向へのエッチングレートが増
すため、一定時間エッチングを行った場合、コンタクト
ホール５のテーパー部の角度θ2 は、従来の方法によっ
て得られるテーパー部の角度θより小さくなる（図６
Ａ，Ｂ参照）。
【００３３】しかし、第２実施例の方法において、一段
目のテーパー部１ｅを形成する際のＵＶキュアリング処
理の強度を弱めれば、コンタクトホール５の側壁１ｄ方
向へのエッチングレートを抑えることができる。その結
果、図６Ｃに示すように、テーパー部１ｅの角度θ5 を
従来の方法によった場合と同程度まで広げることができ
る。
目のテーパー部１ｅを形成する際のＵＶキュアリング処
理の強度を弱めれば、コンタクトホール５の側壁１ｄ方
向へのエッチングレートを抑えることができる。その結
果、図６Ｃに示すように、テーパー部１ｅの角度θ5 を
従来の方法によった場合と同程度まで広げることができ
る。
【００３４】尚、場合によっては、最初にＵＶキュアリ
ング処理を行わないことも可能であり、その場合には、
テーパー部の角度を従来例と等しくすることができる。
ング処理を行わないことも可能であり、その場合には、
テーパー部の角度を従来例と等しくすることができる。
【００３５】さらに、上述したように、２回目のＵＶキ
ュアリング処理を行い二段目のテーパー部１ｆを形成す
ることにより、テーパー部分のカバレージ形状を劣化さ
せることなくコンタクトホール５の側壁１ｄのカバレー
ジ形状を向上させることができる。
ュアリング処理を行い二段目のテーパー部１ｆを形成す
ることにより、テーパー部分のカバレージ形状を劣化さ
せることなくコンタクトホール５の側壁１ｄのカバレー
ジ形状を向上させることができる。
【００３６】また、本実施例の方法を用いれば、第１実
施例と同様に、テーパー部分の平坦性向上を図ることが
でき、加えて、高温によるスパッタリングの際のＡｌの
埋め込み形状の改善を図ることもできる。
施例と同様に、テーパー部分の平坦性向上を図ることが
でき、加えて、高温によるスパッタリングの際のＡｌの
埋め込み形状の改善を図ることもできる。
【００３７】その他の構成及び作用については第１実施
例と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
例と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【００３８】尚、本実施例においては、２段階のテーパ
ー部を形成する場合について説明したが、本発明はこれ
に限られず、３段階以上のテーパー部を形成するように
構成することもできる。
ー部を形成する場合について説明したが、本発明はこれ
に限られず、３段階以上のテーパー部を形成するように
構成することもできる。
【００３９】また、上述の実施例においては、下地回路
上にＳｉＯ2 膜を形成した場合について説明したが、本
発明はこれに限られるものではなく、種々のコンタクト
ホールを形成する場合に適用することができる。
上にＳｉＯ2 膜を形成した場合について説明したが、本
発明はこれに限られるものではなく、種々のコンタクト
ホールを形成する場合に適用することができる。
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように本発明にあっては、酸
化膜が形成された基体上にレジストパターンを形成した
後、この基体を加熱しつつ紫外線を照射することから、
コンタクトホール側壁に対する例えばＡｌ分子等の配線
材料の付着率を高め、より良好なカバレージ形状を得る
ことができる。また、基体に対する紫外線の照射量に基
づいてコンタクトホール側壁方向のエッチング量を制御
することにより、コンタクトホールのテーパー部の角度
を必要に応じて変えることができ、最適のカバレージ形
状を得ることができる。さらに、等方性エッチングを施
す工程を複数回行い、各等方性エッチングを施す工程間
に基体を加熱しつつ紫外線を照射する工程を介在させる
ことにより、各テーパー部の角度を大きくすることがで
き、一層良好なカバレージ形状を得ることができる。
化膜が形成された基体上にレジストパターンを形成した
後、この基体を加熱しつつ紫外線を照射することから、
コンタクトホール側壁に対する例えばＡｌ分子等の配線
材料の付着率を高め、より良好なカバレージ形状を得る
ことができる。また、基体に対する紫外線の照射量に基
づいてコンタクトホール側壁方向のエッチング量を制御
することにより、コンタクトホールのテーパー部の角度
を必要に応じて変えることができ、最適のカバレージ形
状を得ることができる。さらに、等方性エッチングを施
す工程を複数回行い、各等方性エッチングを施す工程間
に基体を加熱しつつ紫外線を照射する工程を介在させる
ことにより、各テーパー部の角度を大きくすることがで
き、一層良好なカバレージ形状を得ることができる。
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の第１実施
例を工程順に示す説明図である。
例を工程順に示す説明図である。
【図２】本発明を実施するための装置の概略構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図３】Ａ 本実施例における紫外線照射のスケジュー
ルを示すグラフである。 Ｂ 同実施例におけるシリコンウェーハの加熱スケジュ
ールを示すグラフである。
ルを示すグラフである。 Ｂ 同実施例におけるシリコンウェーハの加熱スケジュ
ールを示すグラフである。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の第２実施
例を工程順に示す説明図である。
例を工程順に示す説明図である。
【図５】Ａ 第１実施例によるＡｌのカバレージ形状を
示す説明図である。 Ｂ 第２実施例によるＡｌのカバレージ形状を示す説明
図である。
示す説明図である。 Ｂ 第２実施例によるＡｌのカバレージ形状を示す説明
図である。
【図６】Ａ 従来の方法により得られるテーパー部の角
度を模式的に示す説明図である。 Ｂ 第１実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。 Ｃ 第２実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。
度を模式的に示す説明図である。 Ｂ 第１実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。 Ｃ 第２実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。
【図７】従来例に係る半導体装置の製造方法を工程順に
示す説明図である。
示す説明図である。
１ シリコンウェーハ １ａ ＳｉＯ2 膜 １ｂ 下地回路 １ｃ，１ｅ，１ｆ テーパー部 １ｄ 側壁 ４ フォトレジスト膜 ５ コンタクトホール ６ Ａｌ配線 ７ Ａｌ分子 ＵＶ 紫外線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205 21/90 Ｄ 7514−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁膜が形成された基体上にレジストパ
ターンを形成する工程と、上記基体を加熱しつつ該基体
に紫外線を照射する工程と、上記レジストパターンをマ
スクとして上記絶縁膜にウェット法による等方性エッチ
ングを施す工程と、上記レジストパターンをマスクとし
て上記絶縁膜に異方性エッチングを施してコンタクトホ
ールを形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 基体に対する紫外線の照射量に基づいて
側壁方向のエッチング量を制御することを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 等方性エッチングを施す工程が複数回行
われ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体を加熱
しつつ該基体に紫外線を照射する工程が介在することを
特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25438093A JPH06216062A (ja) | 1992-11-26 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-317222 | 1992-11-26 | ||
| JP31722292 | 1992-11-26 | ||
| JP25438093A JPH06216062A (ja) | 1992-11-26 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216062A true JPH06216062A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=26541661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25438093A Pending JPH06216062A (ja) | 1992-11-26 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216062A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150367A (ja) * | 1994-12-29 | 2007-06-14 | Stmicroelectronics Inc | 包囲条件を除去するためのプラグの拡大頭部を形成する構成体及び方法 |
| WO2012172904A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | シャープ株式会社 | パワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法 |
| US9727196B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-08-08 | Fujifilm Corporation | Wiring substrate |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP25438093A patent/JPH06216062A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007150367A (ja) * | 1994-12-29 | 2007-06-14 | Stmicroelectronics Inc | 包囲条件を除去するためのプラグの拡大頭部を形成する構成体及び方法 |
| WO2012172904A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | シャープ株式会社 | パワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法 |
| JP2013004691A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Sharp Corp | パワーデバイス |
| US9727196B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-08-08 | Fujifilm Corporation | Wiring substrate |
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