JPS6232617A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6232617A JPS6232617A JP17157585A JP17157585A JPS6232617A JP S6232617 A JPS6232617 A JP S6232617A JP 17157585 A JP17157585 A JP 17157585A JP 17157585 A JP17157585 A JP 17157585A JP S6232617 A JPS6232617 A JP S6232617A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- film
- photoresist
- electrode
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
従来の技術
従来、コンタクトホールを貫通して半導体装置の活性領
域に接続される配線用電極の電極保護膜形成方法は、半
導体基板上に、シリコン酸化膜等からなる電極保護膜を
形成し、その上にフォトレジスト膜を形成し、このフォ
トレジスト膜をマスクにして前記電極保護膜をエツチン
グしたのち、前記フォトレジスト膜を除去する方法が用
いられている。
域に接続される配線用電極の電極保護膜形成方法は、半
導体基板上に、シリコン酸化膜等からなる電極保護膜を
形成し、その上にフォトレジスト膜を形成し、このフォ
トレジスト膜をマスクにして前記電極保護膜をエツチン
グしたのち、前記フォトレジスト膜を除去する方法が用
いられている。
以下に従来の形成方法について説明する。
第２図（＆）〜（ｄ）は、従来の半導体装置およびその
製造方法を示し、同図（ａ）に示すように、シリコンウ
ェハ１上にベース拡散領域２およびエミッタ拡散領域３
の半導体活性領域をそれぞれ形成し、その上にシリコン
酸化膜６を形成している。このシリコン酸化膜６には、
ベースコンタクトホール４およびエミッタコンタクトホ
ール５がそれぞれ形成されている。そして配線用電極７
が前記ベースコンタクトホール４およびエミッタコンタ
クトホール５を貫通して前記ペース拡散領域２および工
ミッタ拡散領域３にそれぞれ接続されて形成されている
。
製造方法を示し、同図（ａ）に示すように、シリコンウ
ェハ１上にベース拡散領域２およびエミッタ拡散領域３
の半導体活性領域をそれぞれ形成し、その上にシリコン
酸化膜６を形成している。このシリコン酸化膜６には、
ベースコンタクトホール４およびエミッタコンタクトホ
ール５がそれぞれ形成されている。そして配線用電極７
が前記ベースコンタクトホール４およびエミッタコンタ
クトホール５を貫通して前記ペース拡散領域２および工
ミッタ拡散領域３にそれぞれ接続されて形成されている
。
そして、同図（ｂ）に示すように、配線用電極７には、
電極保護膜８が形成されている。この電極保護膜８は、
例えばｃｖｐ法によるシリコン酸化膜や金属酸化膜、或
いはポリイミド膜等からなるものである。
電極保護膜８が形成されている。この電極保護膜８は、
例えばｃｖｐ法によるシリコン酸化膜や金属酸化膜、或
いはポリイミド膜等からなるものである。
さらに、その上には、同図（Ｃ）に示すように、フォト
レジストを塗布してフォトレジスト膜９を形成し、これ
をマスクとして前記電極保護膜８をエツチング（図示せ
ず）することにより、同図（ｄ）に示すように、配線用
電極７または導電体（図示せず）を電気的に導出するた
めのポンディングパッド用開口部１ｏを形成する。その
後フォトレジスト膜９を除去して構成される。
レジストを塗布してフォトレジスト膜９を形成し、これ
をマスクとして前記電極保護膜８をエツチング（図示せ
ず）することにより、同図（ｄ）に示すように、配線用
電極７または導電体（図示せず）を電気的に導出するた
めのポンディングパッド用開口部１ｏを形成する。その
後フォトレジスト膜９を除去して構成される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記の従来の構成では、以下のような問
題を有していた。
題を有していた。
即ち、まず最初に、シリコン酸化膜等による電極保護膜
８を形成したのち、フォトレジストを塗布してフォトレ
ジスト膜９を形成し２１、このフォトレジスト膜９にパ
ターンマスク（図示せず）を介して露光現像し、所望の
フォトレジストパタ−−ン（図示せず）を得る。
８を形成したのち、フォトレジストを塗布してフォトレ
ジスト膜９を形成し２１、このフォトレジスト膜９にパ
ターンマスク（図示せず）を介して露光現像し、所望の
フォトレジストパタ−−ン（図示せず）を得る。
さらに、前記フォトレジストパターンをマスクとしてエ
ツチングを行ない、電極保護膜８にポンディングパッド
用開口部１０を形成する。そして、フォトレジスト膜９
を除去することによ−）で電極保護膜８が完成されるが
、電極保護膜８のエツチング制量が難かしく、例えば、
エツチング過剰のため配線用電極７の表面がエツチング
液によって侵蝕されたり、或いはエツチング不足により
ポンディングパッド用開口部１０が完全に形成されず保
護膜の一部が残るなど、エツチング制量如何に微妙に影
響し、以後のワイヤーボンディング工程に支障をきたす
問題がしばしばあった。
ツチングを行ない、電極保護膜８にポンディングパッド
用開口部１０を形成する。そして、フォトレジスト膜９
を除去することによ−）で電極保護膜８が完成されるが
、電極保護膜８のエツチング制量が難かしく、例えば、
エツチング過剰のため配線用電極７の表面がエツチング
液によって侵蝕されたり、或いはエツチング不足により
ポンディングパッド用開口部１０が完全に形成されず保
護膜の一部が残るなど、エツチング制量如何に微妙に影
響し、以後のワイヤーボンディング工程に支障をきたす
問題がしばしばあった。
本発明は、上述した従来の問題を解決するもので、半導
体装置の電極保護膜形成工程を簡素化し、配線用電極表
面がエツチング液に侵蝕されたり、また電極表面に保護
膜が残一つたりすることもなく、以後のボンディング工
程を安定させる優れた品質の半導体装置を提供すること
を目的とする。
体装置の電極保護膜形成工程を簡素化し、配線用電極表
面がエツチング液に侵蝕されたり、また電極表面に保護
膜が残一つたりすることもなく、以後のボンディング工
程を安定させる優れた品質の半導体装置を提供すること
を目的とする。
問題点を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明の半導体装置および
その形成方法は、配線用電極または導電体を形成した半
導体基板上にノボラック系フォトレジスト膜を塗布し、
前記フォトレジスト膜に前記電極または導電体を電気的
に導出するための開口部を露光現像により形成し、前記
フォトレジスト膜に遠紫外光を照射し同フォトレジスト
膜を加熱硬化することによって構成されている。
その形成方法は、配線用電極または導電体を形成した半
導体基板上にノボラック系フォトレジスト膜を塗布し、
前記フォトレジスト膜に前記電極または導電体を電気的
に導出するための開口部を露光現像により形成し、前記
フォトレジスト膜に遠紫外光を照射し同フォトレジスト
膜を加熱硬化することによって構成されている。
作用
仁の構成によって従来の電極保護膜に配線用電極または
導電体を電気的に導出するためのポンディングパッド用
開口部を形成するために必要なエツチング工程が省ける
ため、工程が減るばかシで上＜、電極表面がエツチング
液によって侵蝕されたシ、或いはエツチング不足により
ポンディングパッド用開口部が完全に形成されずに保護
膜の一部が残るなどといった問題をなくし、以後のワイ
ヤーボンディング特性を安定させる高信頼性の半導体装
置を得ることができる。
導電体を電気的に導出するためのポンディングパッド用
開口部を形成するために必要なエツチング工程が省ける
ため、工程が減るばかシで上＜、電極表面がエツチング
液によって侵蝕されたシ、或いはエツチング不足により
ポンディングパッド用開口部が完全に形成されずに保護
膜の一部が残るなどといった問題をなくし、以後のワイ
ヤーボンディング特性を安定させる高信頼性の半導体装
置を得ることができる。
実施列
以下本発明の実施列について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第１図（＆）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例におけＺ）
半導体装置およびその製造方法を示す。
半導体装置およびその製造方法を示す。
同図＜ａ）に示すように、シリコン酸化膜・１上にベー
ス拡散領域２およびエミッタ拡散領域３のそれぞれ半導
体活性領域を形成し、その上にシリコン酸化膜ｅを形成
している。このシリコン酸化膜６には、ベースコンタク
トホール４およびエミッタコンタクトホール５がそれぞ
れ形成されている。そして配線用電極γが前記ベースコ
ンタクトホール４お↓びエミッタコンタクトホール５を
貫通してペース拡散領域２およびエミッタ拡散領域３に
それぞれ接続されて形成されている。
ス拡散領域２およびエミッタ拡散領域３のそれぞれ半導
体活性領域を形成し、その上にシリコン酸化膜ｅを形成
している。このシリコン酸化膜６には、ベースコンタク
トホール４およびエミッタコンタクトホール５がそれぞ
れ形成されている。そして配線用電極γが前記ベースコ
ンタクトホール４お↓びエミッタコンタクトホール５を
貫通してペース拡散領域２およびエミッタ拡散領域３に
それぞれ接続されて形成されている。
そして、同図（ｂ）に示すように、配線用電極γにはフ
ォトレジスト膜９が形成されている。このフ、！トレジ
スト膜９は、ノボ２ツク系フォトレジストを塗布してな
シ、例えば東京応化社の０ＦＰＲ８ｏｏを用いている。
ォトレジスト膜９が形成されている。このフ、！トレジ
スト膜９は、ノボ２ツク系フォトレジストを塗布してな
シ、例えば東京応化社の０ＦＰＲ８ｏｏを用いている。
さて、前記塗布されたノボラック系フォトレジストに、
パターンマスク（図示せず）を介して選択露光し現像す
ると、所望のフォトレジストパターンを得るとともにポ
ンディングパッド用開口部１ｏを有するフォトレジスト
膜９を形成することができる。このフォトレジスト膜９
に遠紫外光を一括照射し、照射された基板を２５０°Ｃ
以上の雰囲気で約３０分間加熱すると、フォトレジスト
膜９は、膜全体が硬化し、同図（Ｃ）に示すように有機
溶剤に溶けないフォトレジスト膜９１になる。このフォ
トレジスト膜９１は、電極保護膜としての機能を果すも
のである。
パターンマスク（図示せず）を介して選択露光し現像す
ると、所望のフォトレジストパターンを得るとともにポ
ンディングパッド用開口部１ｏを有するフォトレジスト
膜９を形成することができる。このフォトレジスト膜９
に遠紫外光を一括照射し、照射された基板を２５０°Ｃ
以上の雰囲気で約３０分間加熱すると、フォトレジスト
膜９は、膜全体が硬化し、同図（Ｃ）に示すように有機
溶剤に溶けないフォトレジスト膜９１になる。このフォ
トレジスト膜９１は、電極保護膜としての機能を果すも
のである。
なお、前述した遠紫外光は、例えばキャノンＰＬ人５０
２Ｆ人を用いる場合には、パワー１７ｍＷ／ｄ、露光時
間３分間の条件下で行うとよい。
２Ｆ人を用いる場合には、パワー１７ｍＷ／ｄ、露光時
間３分間の条件下で行うとよい。
発明の効果
本発明は、半導体装置の保護膜にノボラック系フォトレ
ジスト膜を硬化させて形成することにより、エツチング
工程が不要となり工数削減をすることができるばかりで
なく、エツチングによる製品品質のばらつきをなくす優
れた品質の半導体装置を提供することができる。
ジスト膜を硬化させて形成することにより、エツチング
工程が不要となり工数削減をすることができるばかりで
なく、エツチングによる製品品質のばらつきをなくす優
れた品質の半導体装置を提供することができる。
第１図（ｉＬ）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例における
半導体装置の工程別断面図、第２図（ｉＬ）〜（ｄ）は
、従来の半導体装置の工程別断面図である。 １・・・・・・シリコン酸化膜・、２・・・・・・ベー
ス拡散領域、３・・・・・・エミッタ拡散領域、４・・
・・・・ベースコンタクトホール、６・・・・・エミッ
タコンタクトホール、６・・・・・・シリコン酸化膜、
７・・・・・・配線用電極、８，９１・・・・・・電極
保護膜、９・・・・・・フォトレジスト膜、１０・・・
・・・ポンディングパッド用開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（−
−−シリコンウニ八 ４−一一ヤースＪンｆ７Ｌ、Ｔ、−ル ５−へ−１むｊ ザ １−一−シｒ／コン＃ｊ！イζｌ（ イーーシリコンウエノ＼
半導体装置の工程別断面図、第２図（ｉＬ）〜（ｄ）は
、従来の半導体装置の工程別断面図である。 １・・・・・・シリコン酸化膜・、２・・・・・・ベー
ス拡散領域、３・・・・・・エミッタ拡散領域、４・・
・・・・ベースコンタクトホール、６・・・・・エミッ
タコンタクトホール、６・・・・・・シリコン酸化膜、
７・・・・・・配線用電極、８，９１・・・・・・電極
保護膜、９・・・・・・フォトレジスト膜、１０・・・
・・・ポンディングパッド用開口部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名（−
−−シリコンウニ八 ４−一一ヤースＪンｆ７Ｌ、Ｔ、−ル ５−へ−１むｊ ザ １−一−シｒ／コン＃ｊ！イζｌ（ イーーシリコンウエノ＼
Claims (2)
- （１）半導体基板上の電極または導電体を電気的に導出
するための開口部を有する保護膜を備え、同保護膜はフ
ォトレジスト膜を硬化させてなるものであることを特徴
とする半導体装置。 - （２）電極または導電体を付設した半導体基板上にノボ
ラック系フォトレジスト膜を塗布形成する工程と、開口
部を形成するために前記フォトレジスト膜を選択露光し
現像する工程と、前記フォトレジスト膜に遠紫外光を照
射する工程と、前記半導体基板上の前記フォトレジスト
膜を加熱硬化させる工程とを備えてなることを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17157585A JPS6232617A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17157585A JPS6232617A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6232617A true JPS6232617A (ja) | 1987-02-12 |
Family
ID=15925687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17157585A Pending JPS6232617A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6232617A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191439A (ja) * | 1987-06-18 | 1989-04-11 | Seiko Instr & Electron Ltd | 半導体装置 |
| JPH0330347A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP17157585A patent/JPS6232617A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191439A (ja) * | 1987-06-18 | 1989-04-11 | Seiko Instr & Electron Ltd | 半導体装置 |
| JPH0330347A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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