JPH01260831A - 感光性ポリイミドのパターニング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハにおいて絶縁膜として使用する
感光性ポリイミドのパターニング方法に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

従来、半導体ウエノ・において、シリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜を大面積の層間絶縁膜として使用することは
、信頼性の面から問題があった。

この問題は、上記絶縁膜に感光性ポリイミドを使用する
ことで解決することができ、ノ々イポーラＩＣなどで感
光性ポリイミドの使用が実用化されてきた。

感光性ポリイミドのパターニングは、リングラフィ法に
よるホトレ・シストのノ！ターニングと同様の方法で行
なえる。

第２図により従来の感光性ポリイミドのパターニング方
法全説明する。

半導体基板１表面に感光性ポリイミド２を塗布してプリ
ベークし〔図（ａ）　）　、上記感光性ポリイミド２上
にマスク４をマーク全台せて重ね、マスク４全通してマ
スク４下の感光性ポリイミド２を露光し〔図〜）〕、露
光した感光性ポリイミド２を現像して未露光部分をリン
スし〔図（Ｃ）〕、露光部分をキー７して〔図（ｄ）　
）　、所定の・にターンの感光性ポリイミド２の絶縁膜
を得る。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のような従来の・セターニング方法では、現像液に
対して未露光部分が溶解すると同時に、溶解レートに差
があるが、露光部分も溶解し、現像時に、膜減シといわ
れる現象が起こり、所定のポリイミド膜厚が得られず、
さらに、ポリイミド膜厚が面内でばらつくという問題が
あった。

本発明は、上記の問題を解消するためになされたもので
、露光部分が膜減りしなく、かつ、ポリイミド°膜、厚
が面内でばらつかないＡ’ターニング方法を提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の方法は、半導体ウェハ表面に所定の厚さに塗布
した感光性ポリイミド上にネガ型レジストを塗布し、上
記ネガ型レジストと感光性ポリイミドを同時に露光して
、上記ネガ型レジストを現像、リンスした後、ネガ型レ
ゾストの露光部分を保獲膜として感光性ポリイミドを現
像、リンスしてパターニングする方法である。

〔作用〕

露光によって硬化したネガ型レジストは、感光性ポリイ
ミドの現像液に対して耐性があり、感光性ポリイミド膜
ミド部分は硬化したネガ型レジストに保護されて、現像
が進行することなく、膜減りが起らなく、膜厚の面内ば
らつきも小さくなる。

〔実施例〕

以下、第１図により本発明の／４’ターニング方法を説
明する。

半導体基板１表面に感光性ポリイミド２を塗布してシリ
ベークし〔図（ａ）　）　、シリベークした感光性？ジ
イミド２上にネガ型レジスト３を塗布してプリベークし
〔図（ｂ）　］　、プリイークしたネガ型レジスト３上
にマスク４をマークを合せて重ね、マスク４を通してマ
スク４下のネガ型レジスト３と感光性ポリイミド２を同
時に露光し〔図（ｃ）〕、露光したネガ型レジスト３を
現像して未露光部分をリンスし〔図（ｄ）　）　％次に
、露光した感光性ポリイミドを現像して未露光部分をリ
ンスし〔図（ｅ）〕、露光部分をキーアして〔図（ｆ）
　）　、所定の・母ターンの感光性ポリイミド２の絶縁
膜を得る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、露光部分の膜減
りがなくなシ、所定の膜厚が得られ易く、膜厚の面内で
の均一性確保が容易になるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の・リーニング方法を示す断面図、第２
図は従来のノ４ターニング方法を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・感光性ポリイミド、３・
・・ネガ型レジスト、４・・・マスク。 なお図中同一符号は同一または相当する部分を示す。 特許出願人　　新日本無線株式会社 第１図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体ウェハにおいて絶縁膜として使用する感光性ポ
   リイミドのパターニング方法において、半導体ウェハ表
   面に所定の厚さに塗布した感光性ポリイミド上にネガ型
   レジストを塗布し、上記ネガ型レジストと感光性ポリイ
   ミドを同時に露光して、上記ネガ型レジストを現像し未
   露光部分を除去した後、上記ネガ型レジストの露光部分
   を保護膜として上記感光性ポリイミドを現像し未露光部
   分を除去してパターニングすることを特徴とする感光性
   ポリイミドのパターニング方法。