JPS5932893B2 - 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 - Google Patents
特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法Info
- Publication number
- JPS5932893B2 JPS5932893B2 JP58183016A JP18301683A JPS5932893B2 JP S5932893 B2 JPS5932893 B2 JP S5932893B2 JP 58183016 A JP58183016 A JP 58183016A JP 18301683 A JP18301683 A JP 18301683A JP S5932893 B2 JPS5932893 B2 JP S5932893B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- alignment
- reference mark
- wafer
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アライメント用の特殊な基準マークを用いた
マスクのアライメント方法に関する。
マスクのアライメント方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体装置の製造においては、ホト
エッチングの技術を応用して微細なパターンを半導体ウ
ェーハ表面に形成しているが、最近の傾向である微細化
やウェーハサイズの大形化などにともない、パターン焼
付け技術も一段と高度なものが要求されるようになつて
きている。これに対して、パターン焼付けに使用される
アライナーも種々のものがあるが、装置としての操作性
がよく、とくにマスクとウェーハの位置合せ（アライメ
ント）が容易であることが要求されている。マスクとウ
ェーハのアライメントには、ウェーハ上に設けた特殊な
マークに対し、マスク上の特殊マークを合わせるように
自動制御する方法を用い、マスクとウェーハのアライメ
ント操作を正確にかつ容易にしたオートアライメント装
置が考えられる。しかしながら、この種の特殊マークは
、第１図〜第２図に示すように、ウェーハ１のアライメ
ント用基準マーク２に対してマスク３のアライメント用
基準マーク４を図示するような形状のものを用いている
ために、ウェーハのセッティングのときに予備露光をし
て基準マークの部分のフォトレジストを硬化する際（こ
の部分のフォトレジストを硬化しておくことにより、ウ
ェーハのアライメント用基準マークは全工程にわたり１
組だけ設けておけばよい）、マスクのアライメント用基
準マーク下のフォトレジストを完全に露光するには、長
時間を必要としていた。
エッチングの技術を応用して微細なパターンを半導体ウ
ェーハ表面に形成しているが、最近の傾向である微細化
やウェーハサイズの大形化などにともない、パターン焼
付け技術も一段と高度なものが要求されるようになつて
きている。これに対して、パターン焼付けに使用される
アライナーも種々のものがあるが、装置としての操作性
がよく、とくにマスクとウェーハの位置合せ（アライメ
ント）が容易であることが要求されている。マスクとウ
ェーハのアライメントには、ウェーハ上に設けた特殊な
マークに対し、マスク上の特殊マークを合わせるように
自動制御する方法を用い、マスクとウェーハのアライメ
ント操作を正確にかつ容易にしたオートアライメント装
置が考えられる。しかしながら、この種の特殊マークは
、第１図〜第２図に示すように、ウェーハ１のアライメ
ント用基準マーク２に対してマスク３のアライメント用
基準マーク４を図示するような形状のものを用いている
ために、ウェーハのセッティングのときに予備露光をし
て基準マークの部分のフォトレジストを硬化する際（こ
の部分のフォトレジストを硬化しておくことにより、ウ
ェーハのアライメント用基準マークは全工程にわたり１
組だけ設けておけばよい）、マスクのアライメント用基
準マーク下のフォトレジストを完全に露光するには、長
時間を必要としていた。
これは、そのような形状のマスクのアライメント用基準
マークでは、露光用の紫外線がマスクのアライメント用
基準マーク下のフォトレジスト面に何折して照射する量
が少ないことより、このフォトレジスト面を完全に露光
するための照射量を得ることは露光時間を長くとる必要
があることに起因している。それゆえ本発明の目的は、
予備露光時間を可及的に小さくできるようなフスクのア
ライメント用基準マークを提供すること及びそれを用い
たマスクアライメント方法を提供することにある。
マークでは、露光用の紫外線がマスクのアライメント用
基準マーク下のフォトレジスト面に何折して照射する量
が少ないことより、このフォトレジスト面を完全に露光
するための照射量を得ることは露光時間を長くとる必要
があることに起因している。それゆえ本発明の目的は、
予備露光時間を可及的に小さくできるようなフスクのア
ライメント用基準マークを提供すること及びそれを用い
たマスクアライメント方法を提供することにある。
このような目的を達成するために本発明においては、数
多くの四辺形の小パターンを集合配置１ルて構成された
パターン及びそれを用いてマスクアライメントするもの
である。以下、本発明にかかる実施例を用いて説明する
。
多くの四辺形の小パターンを集合配置１ルて構成された
パターン及びそれを用いてマスクアライメントするもの
である。以下、本発明にかかる実施例を用いて説明する
。
第３図は、本発明の一実施例であるマスクのアライメン
ト用基準マークを示す拡大図である。同図において、５
は、本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク
であり、１辺が５μｍの正方形６を２μｍの離間距離を
もつて配夕１ルたパターンとしたものである。このアラ
イメント用基準マーク５の寸法については、正方形の一
辺が５μｍに対し、その離間距離を２μｍとするように
、従来のマスクのアライメント用基準マーク４と同様の
検出信号レベルが得られるものであればよい。本発明に
かかるマスクのアライメント用基準マーク５は、正方形
６の微小マーク（ガラス基板表面に形成した正方形のエ
マルジヨン薄膜あるいはクロム薄膜等の露光用照射線を
透過しないような薄膜）をたがいに離間して配列したパ
ターンのものである。そのため、ウエーハとマスクとを
アライメントする場合において、マスクのアライメント
用基準マーク５下のフオトレジスト（すなわち、ウエー
ハのアライメント用基準マーク近傍上のフオトレジスト
）を予備露光する際、マスクを通過した露光用照射線が
マスクのアライメント用基準マーク５における正方形６
の四辺よりすべて回折してフオトレジスト表面を露光す
る。したがつて、マスクのアライメント用基準マーク５
下のフオトレジストには、予備露光用照射線が十分に照
射するようになるために、短時間において、上記領域の
フオトレジストを十分露光することができ、従来の予備
露光時間にルして半分以下の時間で、ウエーハのアライ
メント用基準マーク近傍上のフオトレジストを完全に露
光して硬化することができる。第４図に示すものは、本
発明の他の実施例であるマスクのアライメント用基準マ
ーク７である。
ト用基準マークを示す拡大図である。同図において、５
は、本発明にかかるマスクのアライメント用基準マーク
であり、１辺が５μｍの正方形６を２μｍの離間距離を
もつて配夕１ルたパターンとしたものである。このアラ
イメント用基準マーク５の寸法については、正方形の一
辺が５μｍに対し、その離間距離を２μｍとするように
、従来のマスクのアライメント用基準マーク４と同様の
検出信号レベルが得られるものであればよい。本発明に
かかるマスクのアライメント用基準マーク５は、正方形
６の微小マーク（ガラス基板表面に形成した正方形のエ
マルジヨン薄膜あるいはクロム薄膜等の露光用照射線を
透過しないような薄膜）をたがいに離間して配列したパ
ターンのものである。そのため、ウエーハとマスクとを
アライメントする場合において、マスクのアライメント
用基準マーク５下のフオトレジスト（すなわち、ウエー
ハのアライメント用基準マーク近傍上のフオトレジスト
）を予備露光する際、マスクを通過した露光用照射線が
マスクのアライメント用基準マーク５における正方形６
の四辺よりすべて回折してフオトレジスト表面を露光す
る。したがつて、マスクのアライメント用基準マーク５
下のフオトレジストには、予備露光用照射線が十分に照
射するようになるために、短時間において、上記領域の
フオトレジストを十分露光することができ、従来の予備
露光時間にルして半分以下の時間で、ウエーハのアライ
メント用基準マーク近傍上のフオトレジストを完全に露
光して硬化することができる。第４図に示すものは、本
発明の他の実施例であるマスクのアライメント用基準マ
ーク７である。
これは、一辺が５μｍの正方形８を対角線にそつて配夕
１ルたパターンのものである。本実施例のマスクアライ
メント用基準マーク７は、図面よりあきらかのように、
従来のものに比してアライメント用基準マーク７の周辺
長が長くなり、予備露光用照射線が回折してフオトレジ
ストに照射する量が大になるために、前述したマスクの
アライメント用基準マーク５と同様な短い露光時間で予
備露光できフオトレジストを完全に硬化することができ
る。本発明は、上述したように、マスクのアライメント
用基準マークの形状を予備露光用照射線が可及的に回折
されやすいパターンとしているために、予備露光時間を
従来の半分以下に短縮することができる。
１ルたパターンのものである。本実施例のマスクアライ
メント用基準マーク７は、図面よりあきらかのように、
従来のものに比してアライメント用基準マーク７の周辺
長が長くなり、予備露光用照射線が回折してフオトレジ
ストに照射する量が大になるために、前述したマスクの
アライメント用基準マーク５と同様な短い露光時間で予
備露光できフオトレジストを完全に硬化することができ
る。本発明は、上述したように、マスクのアライメント
用基準マークの形状を予備露光用照射線が可及的に回折
されやすいパターンとしているために、予備露光時間を
従来の半分以下に短縮することができる。
そのため、ウエーハにマスクをアライメントする時間が
可及的に小さくなると共にオートアライメントが正確に
かつ短時間に行なえることより、省力化ができ、アライ
メント作業時間の短縮並びにウエーハのアライメント用
基準マークを損傷することなく数多くのアライメント操
作に同一のウエーハのアライメント基準マークを使用で
きる。本発明にかかるマスクのアライメント用基準マー
クは、上述した実施例に限定されることなく、四辺形を
種々の位相をもつて配夕１ルたパターンとすることによ
り種々の態様のマスクのアライメント用基準マークに適
用できる。
可及的に小さくなると共にオートアライメントが正確に
かつ短時間に行なえることより、省力化ができ、アライ
メント作業時間の短縮並びにウエーハのアライメント用
基準マークを損傷することなく数多くのアライメント操
作に同一のウエーハのアライメント基準マークを使用で
きる。本発明にかかるマスクのアライメント用基準マー
クは、上述した実施例に限定されることなく、四辺形を
種々の位相をもつて配夕１ルたパターンとすることによ
り種々の態様のマスクのアライメント用基準マークに適
用できる。
第１図は、ウエーハのアライメント用基準マークを示す
図、第２図は、マスクのアライメント用基準マークの一
例を示す図、第３図〜第４図は、本発明のそれぞれの実
施例であるマスクのアライメント用基準マークを示す図
である。 １・・・・・・半導体ウエーハ、２・・・・・・ウエー
ハのアライメント用基準マーク、３・・・・・・従来の
マスク、４・・・・・・従来のマスクのアライメント用
基準マーク、５，７・・・・・・本発明にかかるマスク
のアライメント用基準マーク。
図、第２図は、マスクのアライメント用基準マークの一
例を示す図、第３図〜第４図は、本発明のそれぞれの実
施例であるマスクのアライメント用基準マークを示す図
である。 １・・・・・・半導体ウエーハ、２・・・・・・ウエー
ハのアライメント用基準マーク、３・・・・・・従来の
マスク、４・・・・・・従来のマスクのアライメント用
基準マーク、５，７・・・・・・本発明にかかるマスク
のアライメント用基準マーク。
Claims (1)
- １ 第１の位置合せ用マークを有するウェーハの上記第
１位置合せ用マークと対応きれるべき第２位置合せ用マ
ークを有するマスクを用い、フォトレジスト膜が形成さ
れた状態の上記ウェーハ面にそれと離間して上記マスク
を配置し上記マスクを介して上記第１の位置合せ用マー
ク上のフォトレジスト膜を予備露光し、上記第１と第２
の位置合せ用マークを位置合せした状態で上記マスクを
介して上記フォトレジスト膜を露光するアライメント方
式であつて、上記第２の位置合せ用マークが小パターン
を規則的に複数個配列したパターンから構成されてなる
ことを特徴とするマスクのアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183016A JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183016A JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51060036A Division JPS5931852B2 (ja) | 1976-05-26 | 1976-05-26 | フォトレジスト露光用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986221A JPS5986221A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS5932893B2 true JPS5932893B2 (ja) | 1984-08-11 |
Family
ID=16128259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183016A Expired JPS5932893B2 (ja) | 1983-10-03 | 1983-10-03 | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932893B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166389A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Hisaka Works Ltd | プレート式熱交換器 |
-
1983
- 1983-10-03 JP JP58183016A patent/JPS5932893B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02166389A (ja) * | 1988-12-20 | 1990-06-27 | Hisaka Works Ltd | プレート式熱交換器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5986221A (ja) | 1984-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3402750B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| US4610948A (en) | Electron beam peripheral patterning of integrated circuits | |
| JPS5931852B2 (ja) | フォトレジスト露光用マスク | |
| JPS5932893B2 (ja) | 特殊基準マ−クを用いたマスクのアライメント方法 | |
| JPS6245026A (ja) | 半導体集積回路の写真製版方法 | |
| JPS63275115A (ja) | 半導体装置のパタ−ン形成方法 | |
| JPH058935U (ja) | 半導体装置のレチクル | |
| JP2647835B2 (ja) | ウェハーの露光方法 | |
| JPS5994418A (ja) | 半導体装置 | |
| KR0134169Y1 (ko) | 마스크 패턴 | |
| JPS58101427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2617613B2 (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
| JPS6215854B2 (ja) | ||
| JPH0766113A (ja) | レチクル及び位置合わせ用バーニアの形成方法 | |
| JPS6258139B2 (ja) | ||
| JPS60224224A (ja) | マスクアライメント方法 | |
| JPH04348343A (ja) | 縮小投影露光装置用レチクル | |
| JPS6072232A (ja) | パタ−ン位置合わせ方法 | |
| JPH0144009B2 (ja) | ||
| JPS6146026A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62265723A (ja) | レジスト露光方法 | |
| JPS58145125A (ja) | レジスト・マスクの形成方法 | |
| JPS59232418A (ja) | 微細パタ−ン形成法 | |
| JPS6030136A (ja) | パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6325920A (ja) | 露光方法および装置 |