JPH058935U - 半導体装置のレチクル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 縮小投影露光装置に用いるレチクル１１は、
１枚のレチクル１１に複数の工程の回路パターンを有す
る。 【効果】 １回のショットでの描画領域を有効に利用す
ることが可能になる。さらに１枚のレチクルに複数の工
程の回路パターンを設けているので、従来よりレチクル
の枚数が削減される。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は縮小投影露光装置に用いるレチクルの構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】

縮小投影露光装置は、レチクルと呼ばれる原版に形成した回路パターンを、縮 小投影レンズを介して感光性樹脂を形成した基板に結像投影し、この回路パター ン像をステップアンドリピート方式で基板の異なるショット領域に順次感光して いる。 この縮小投影露光装置を用いた感光性樹脂の露光においては、高解像度の感光 性樹脂パターンが得られ、さらに高精度な位置合わせ精度が得られる。

【０００３】 従来において、この縮小投影露光装置に用いるレチクルは、一工程の回路パタ ーンは、１枚のレチクルに形成している。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

縮小投影露光装置における１回のショットでの描画領域は、５倍レンズでは、 一辺が１４〜１５ｍｍ角のものと、２０ｍｍ角のものがあり、さらに１０倍レン ズでは、５〜６ｍｍ角のものと１０ｍｍ角のものとがある。量産の場合は、この 描画領域を最大限に使用し、処理能力を上げている。

【０００５】 しかしながら量産の前段階において、回路の一部分を形成して動作を確認した り、単体のトランジスタや、抵抗や、容量などを形成して、特性を確認したり、 特性を測定したりするための実験レチクルでは、上述の描画領域を最大限に使う ことはない。したがって、実験レチクルにおいては、１回のショットでの描画領 域を最大限に使うことはなく、無駄がある。

【０００６】 本考案の目的は、上記課題を解決して、縮小投影露光装置における１回のショ ットでの描画領域を有効に利用することが可能な、半導体装置におけるレチクル 構造を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、本考案の縮小投影露光装置に用いるレチクルは、 この１枚のレチクルに複数の工程の回路パターンを設ける。

【０００８】

【実施例】

以下図面を用いて本考案におけるレチクルの構成を説明する。 図１は本考案のレチクルの構成を示す平面図である。

【０００９】 本考案のレチクル１１は、このレチクル１１を４分割し、工程Ａ１３と、工程 Ｂ１５と、工程Ｃ１７と、工程Ｄ１９との４工程分の回路パターン（図示せず） を１枚のレチクル１１に設ける。

【００１０】 この工程Ａ１３と、工程Ｂ１５と、工程Ｃ１７と、工程Ｄ１９とは、たとえば ＭＯＳトランジスタの製造に用いるレチクル１１であれば、以下のように構成す る。工程Ａ１３の領域には、素子間分離を行うための耐酸化膜の形成のための回 路パターンを設け、工程Ｂ１５の領域には、ＭＯＳトランジスタのゲート電極の 形成のための回路パターンを設け、工程Ｃ１７の領域には、層間絶縁膜に形成す る接続穴の形成のための回路パターンを設け、工程Ｄの領域には、素子間の配線 を行う配線の形成のための回路パターンを設ける。

【００１１】 さらに、工程Ａ１３と、工程Ｂ１５と、工程Ｃ１７と、工程Ｄ１９との回路パ ターンを形成した境界部のレチクル１１に、遮光部２１を設ける。この遮光部２ １は、後述する露光工程において、不要な部分への露光光の回り込みを防止する ために設ける。遮光部２１の幅は、１５０ミクロン程度あれば良い。さらにこの 遮光部２１は、工程Ａ１３と、工程Ｂ１５と、工程Ｃ１７と、工程Ｄ１９との回 路パターンの形成と同時に形成し、酸化クロムで構成する。

【００１２】 次に本考案のレチクルを用いた露光方法を説明する。図２は本考案のレチクル を用いた露光方法を示す平面図である。

【００１３】 まず図２（ａ）に示すように、縮小投影露光装置の絞りの役割を行うブライン ド２３の開口の大きさを、工程Ａ１３の領域の大きさになるように調整する。そ の後、さらにブラインド２３の開口位置を、レチクル１１の工程Ａ１３の位置に 合致させる。

【００１４】 このブラインド２３の開口の大きさと開口位置とを自由に調整することができ るため、縮小投影露光装置における１回のショットでの描画領域を有効に利用す ることができる。

【００１５】 その後、感光性樹脂を形成した基板を所定の条件で露光する。その後、感光性 樹脂の現像を行い、この感光性樹脂をパターニングする。

【００１６】 その後、このパターニングした感光性樹脂をマスクとして、エッチング処理や イオン注入処理を行う。その後、エッチング処理やイオン注入処理のマスクとし て用いた感光性樹脂を除去する。

【００１７】 次に図２（ｂ）に示すように、縮小投影露光装置の絞りの役割を行うブライン ド２３を、レチクル１１の工程Ｂ１５の位置に合致させ、感光性樹脂を形成した 基板を所定条件で露光する。 工程Ａ１３の領域と工程Ｂ１５の領域との大きさは、同じ大きさなのでブライ ンド２３の開口の大きさは変えなくても良い。

【００１８】 工程Ａ１３の領域と工程Ｂ１５の領域との境界部のレチクル１１には、図１に 示すように、遮光部２１を設けているので、工程Ａ１３の領域を露光していると き、露光光が工程Ｂ１５の領域や、工程Ｃ１７の領域や、工程Ｄ１９の領域に回 り込むことはない。

【００１９】 以下の工程は図示しないが、図２を用いて説明した方法と同じ方法で、工程Ｃ および工程Ｄの露光処理を行えば良い。

【００２０】 なお以上の説明においては、レチクルの分割を４分割した実施例で説明したが レチクルの分割数は、複数であればいくつでも良い。

【００２１】

【考案の効果】

以上の説明で明らかなように、本考案のレチクルを実験用レチクルに使用すれ ば、１回のショットでの描画領域を有効に利用することが可能となる。さらに、 １枚のレチクルに複数工程の回路パターンを設けているので、従来に比較してレ チクルの枚数が削減されるという効果を有する。さらに、１回のショットでの描 画領域が、常に同じ大きさであるために、回路パターン設計が容易になる。さら に各々の工程の領域に形成する位置合わせのためのアライメントマークは、１つ の工程のために設計したアライメントマークのデータを他の工程の領域に移し変 えば良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案における半導体装置のレチクルを示す平
面図である。

【図２】本考案における半導体装置のレチクルを用いた
露光方法を説明するための平面図である。

【符号の説明】

１１ レチクル ２１ 遮光部 ２３ ブラインド

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 縮小投影露光装置に用いるレチクルは、
   この１枚のレチクルに複数の工程の回路パターンを有す
   ることを特徴とする半導体装置のレチクル。
2. 【請求項２】 請求項１記載のレチクルは、複数の工程
   の境界部に遮光部を備えることを特徴とする半導体装置
   のレチクル。