JPH01234850A - 半導体集積回路用フォトマスク - Google Patents
半導体集積回路用フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH01234850A JPH01234850A JP63062561A JP6256188A JPH01234850A JP H01234850 A JPH01234850 A JP H01234850A JP 63062561 A JP63062561 A JP 63062561A JP 6256188 A JP6256188 A JP 6256188A JP H01234850 A JPH01234850 A JP H01234850A
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- JP
- Japan
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- photomask
- wafer
- patterns
- circuit
- pattern
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- Pending
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に縮小投影露
光機を用いてウェハー上に回路パターンを形成するため
のフォトマスクに関する。
光機を用いてウェハー上に回路パターンを形成するため
のフォトマスクに関する。
従来、この種のフォトマスクは同一種類の回路パターン
からなり部分的にあるいは全面的に異種の回路パターン
を変更するためには別種類のフォトマスクを用いて回路
パターンを形成する方法が行なわれていた。
からなり部分的にあるいは全面的に異種の回路パターン
を変更するためには別種類のフォトマスクを用いて回路
パターンを形成する方法が行なわれていた。
近年、回路パターンの多様化および製造プロセスの複雑
化が進み、回路パターンの部分的変更や製造プロセス用
の検査パターンをウェハー上に非反復的に形成する要求
が高まってきている。しかしながら従来方法では同一パ
ターンをウェハー上にくり返し転写することしかできな
いので、上記要求に対し、では多大なムダな工程を追加
して対処せざるを得なかった。
化が進み、回路パターンの部分的変更や製造プロセス用
の検査パターンをウェハー上に非反復的に形成する要求
が高まってきている。しかしながら従来方法では同一パ
ターンをウェハー上にくり返し転写することしかできな
いので、上記要求に対し、では多大なムダな工程を追加
して対処せざるを得なかった。
例えば、第３図に示すようにウェハー２２上にＦ、Ｇ、
Ｈ３種類の回路パターンを形成するためにはまず第４図
に示すようなフォトマスク２１で所望領域に縮小投影露
光機（図示しない）を用いてパターンｒＦＪを転写する
。次に回路バタｒンＧのみが挿入されているフォトマス
クに変更し、所望領域にパターンｒＧＪを転写する。次
に回路パターンＨのみが挿入されているフォトマスクに
変更し、所望領域にパターンｒＨＪを転写する方法が用
いられていた。
Ｈ３種類の回路パターンを形成するためにはまず第４図
に示すようなフォトマスク２１で所望領域に縮小投影露
光機（図示しない）を用いてパターンｒＦＪを転写する
。次に回路バタｒンＧのみが挿入されているフォトマス
クに変更し、所望領域にパターンｒＧＪを転写する。次
に回路パターンＨのみが挿入されているフォトマスクに
変更し、所望領域にパターンｒＨＪを転写する方法が用
いられていた。
しかしながら、フォトマスクの交換には通常数分間を要
し、又マスクのセット位置の絶対値も同一になるとは限
らないため、転写状態に微妙な違いが生じる。
し、又マスクのセット位置の絶対値も同一になるとは限
らないため、転写状態に微妙な違いが生じる。
このように、従来のフォトマスクを用いた場合には
（１）回路パターン変更のたびにフォトマスクを変更し
て転写し直すというムダな工程１時間を必要とする （２） フォトマスクの交換による異種ハターン間の
相対的な転写状態が変化することによる重ね合せ精度の
低下 という欠点がある。
て転写し直すというムダな工程１時間を必要とする （２） フォトマスクの交換による異種ハターン間の
相対的な転写状態が変化することによる重ね合せ精度の
低下 という欠点がある。
本発明のフォトマスクは同一マスク内に異種パターンを
配列させかつ、異種パターン間には露光用の光を遮へい
するための領域を有している。
配列させかつ、異種パターン間には露光用の光を遮へい
するための領域を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るためのフォトマスクとウェハーの平面図である。第１
図（ａ）においてフォトマスクｌには回路パターンＡ、
Ｂ、Ｃが挿入されている。さらに、露光用の光を遮へい
するための領域Ｓｌ、Ｓ２が設けられている。また、Ｃ
１は回路パターンＡとＢの中心間距離、Ｃ２は回路パタ
ーンＡとＣの中心間距離である。
るためのフォトマスクとウェハーの平面図である。第１
図（ａ）においてフォトマスクｌには回路パターンＡ、
Ｂ、Ｃが挿入されている。さらに、露光用の光を遮へい
するための領域Ｓｌ、Ｓ２が設けられている。また、Ｃ
１は回路パターンＡとＢの中心間距離、Ｃ２は回路パタ
ーンＡとＣの中心間距離である。
第１図＜’ｏ＞は回路パターンＡのみをウェノ１−上に
転写する時の遮へい板（Ｂ ＋ 、 Ｂ ２ 、 Ｂ
３ 、 Ｂ ４）の状態を示したものであり、他の領域
には露光用の光が当たらないようになっている。このよ
うな状態で縮小投影露光機（図示しない）を用いてウェ
ハー上に回路パターンＡのみを転写する。その後、遮へ
い板（Ｂｌ〜Ｂ４）の状態を変更させて回路パターンＢ
以外を遮へいして、同様の方法でウェハー上に転写する
。この時回路パターンＢの転写位置は任意に、かつ正確
に決めることができる。なぜならば、フォトマスクの交
換を行なっていないため、フォトマスクのセット位置の
変化がないこと、および回路パターンＡとＢの相対的位
置関係（Ｃ１）がわかっているので、この情報をウェハ
ー駆動部（図示しない）に伝えることにより、転写位置
を正確に決めることが可能となる。
転写する時の遮へい板（Ｂ ＋ 、 Ｂ ２ 、 Ｂ
３ 、 Ｂ ４）の状態を示したものであり、他の領域
には露光用の光が当たらないようになっている。このよ
うな状態で縮小投影露光機（図示しない）を用いてウェ
ハー上に回路パターンＡのみを転写する。その後、遮へ
い板（Ｂｌ〜Ｂ４）の状態を変更させて回路パターンＢ
以外を遮へいして、同様の方法でウェハー上に転写する
。この時回路パターンＢの転写位置は任意に、かつ正確
に決めることができる。なぜならば、フォトマスクの交
換を行なっていないため、フォトマスクのセット位置の
変化がないこと、および回路パターンＡとＢの相対的位
置関係（Ｃ１）がわかっているので、この情報をウェハ
ー駆動部（図示しない）に伝えることにより、転写位置
を正確に決めることが可能となる。
第１図（Ｃ）は回路パターンＢを回路パターンＡの一部
分に転写した時のウェハー状態を示したものである（た
だし実際には露光用の光を照射しただけであるので、こ
の段階では回路パターンを観察することはできない）。
分に転写した時のウェハー状態を示したものである（た
だし実際には露光用の光を照射しただけであるので、こ
の段階では回路パターンを観察することはできない）。
次に再び遮へい板（Ｂｌ〜Ｂ４）の状態を変更し、回路
パターンＣ以外を遮へいしてウェハー２上の２ケ所のみ
に転写する。この時も回路パターンＣとＡとの相対的位
置関係（Ｃ２）がわかっているので転写位置を正確に決
めることが可能となる（第１図（ｄ）に示す）。なお、
遮へい板（Ｂｌ〜）３４）の状態を変更させるのに要す
る時間は通常１秒以下である。又遮へい領域（ｓ＋、ｓ
ｉ）は通常１００μｍ以上が望ましい。
パターンＣ以外を遮へいしてウェハー２上の２ケ所のみ
に転写する。この時も回路パターンＣとＡとの相対的位
置関係（Ｃ２）がわかっているので転写位置を正確に決
めることが可能となる（第１図（ｄ）に示す）。なお、
遮へい板（Ｂｌ〜）３４）の状態を変更させるのに要す
る時間は通常１秒以下である。又遮へい領域（ｓ＋、ｓ
ｉ）は通常１００μｍ以上が望ましい。
このようにして、複数の回路パターンをウェハー上の任
意の位置に、転写精度を低下させることなしに、短時間
で形成することができる。
意の位置に、転写精度を低下させることなしに、短時間
で形成することができる。
第２図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第２の実施例を説明
するためのフォトマスクとウェノ１−の平面図である。
するためのフォトマスクとウェノ１−の平面図である。
第２図（ａ）においてフォトマスク１１は回路パターン
Ｄとプロセス検討用パターンＥかうなる。
Ｄとプロセス検討用パターンＥかうなる。
第１の実施例と同様に遮へい板の状態のみを変更させて
第２図（ｂ）に示すようにパターンＤとＥをウェハー１
２上に転写させる。このようにして回路パターンとはま
ったく異なるパターンもウェハー上の任意の位置に高精
度でかつ短時間で形成することができる。
第２図（ｂ）に示すようにパターンＤとＥをウェハー１
２上に転写させる。このようにして回路パターンとはま
ったく異なるパターンもウェハー上の任意の位置に高精
度でかつ短時間で形成することができる。
以上、説明したように、本発明は複数の異種パターンを
同一のフォトマスク内に配列させることにより、この異
種パターンをウェノ１−上の任意の位置に転写精度を低
下させることなく短時間で形成できる効果がある。
同一のフォトマスク内に配列させることにより、この異
種パターンをウェノ１−上の任意の位置に転写精度を低
下させることなく短時間で形成できる効果がある。
従って、同一ウェハー上においても異種の回路パターン
の形成が容易にできるだけでなくプロセス検討用パター
ンや自動化のためのパターンの形成も容易にできる。
の形成が容易にできるだけでなくプロセス検討用パター
ンや自動化のためのパターンの形成も容易にできる。
第１図は本発明の第１の実施例を示したもので、同図（
ａ）はフォトマスクの平面図、同図（ｂ）はこのフォト
マスクの利用状態を示した平面図、同図（Ｃ）および（
ｄ）はこのフォトマスクを用いた製法を示したウェハー
の平面図である。第２図は本発明の第２の実施例を示し
たもので、同図（ａ）はフォトマスクの平面図、同図（
ｂ）はこのフォトマスクを用いたウェハーの平面図であ
る。 第３図は従来の方法でパターン形成されたウェハーの平
面図、第４図は従来のフォトマスクの平面図である。 １．１１．２１・・・・・・フォトマスク、２，１２゜
２２・・・・・・ウェハー％Ｂｌ〜Ｂ４・・・・・・遮
へい板。 代理人 弁理士 内 原 音
ａ）はフォトマスクの平面図、同図（ｂ）はこのフォト
マスクの利用状態を示した平面図、同図（Ｃ）および（
ｄ）はこのフォトマスクを用いた製法を示したウェハー
の平面図である。第２図は本発明の第２の実施例を示し
たもので、同図（ａ）はフォトマスクの平面図、同図（
ｂ）はこのフォトマスクを用いたウェハーの平面図であ
る。 第３図は従来の方法でパターン形成されたウェハーの平
面図、第４図は従来のフォトマスクの平面図である。 １．１１．２１・・・・・・フォトマスク、２，１２゜
２２・・・・・・ウェハー％Ｂｌ〜Ｂ４・・・・・・遮
へい板。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 半導体集積回路用のフォトマスクにおいて、複数個の
パターンを同一フォトマスク内に配列させ、かつ前記複
数個のパターン間に遮へい領域を設けたことを特徴とす
る半導体集積回路用フォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63062561A JPH01234850A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体集積回路用フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63062561A JPH01234850A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体集積回路用フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234850A true JPH01234850A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13203817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63062561A Pending JPH01234850A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 半導体集積回路用フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234850A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058935U (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | シチズン時計株式会社 | 半導体装置のレチクル |
| US6421111B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
| JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
| JP2009088549A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-04-23 | Kawasaki Microelectronics Kk | 露光方法 |
| WO2010090018A1 (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | 凸版印刷株式会社 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP63062561A patent/JPH01234850A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058935U (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | シチズン時計株式会社 | 半導体装置のレチクル |
| US6421111B1 (en) | 1997-08-19 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6563568B2 (en) | 1997-08-19 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| US6646722B2 (en) | 1997-08-19 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Multiple image reticle for forming layers |
| JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
| JP4481561B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2010-06-16 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体デバイス用マスク |
| JP2008224754A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 分割逐次近接露光方法及び分割逐次近接露光装置 |
| JP2009088549A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-04-23 | Kawasaki Microelectronics Kk | 露光方法 |
| WO2010090018A1 (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | 凸版印刷株式会社 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
| CN102308259A (zh) * | 2009-02-05 | 2012-01-04 | 凸版印刷株式会社 | 曝光方法、彩色滤光片的制造方法及曝光装置 |
| JP5403286B2 (ja) * | 2009-02-05 | 2014-01-29 | 凸版印刷株式会社 | 露光方法、カラーフィルタの製造方法及び露光装置 |
| US8697319B2 (en) | 2009-02-05 | 2014-04-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Exposure method, color filter manufacturing method, and exposure device |
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