JP2545431B2 - リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 - Google Patents
リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法Info
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- JP2545431B2 JP2545431B2 JP6180888A JP6180888A JP2545431B2 JP 2545431 B2 JP2545431 B2 JP 2545431B2 JP 6180888 A JP6180888 A JP 6180888A JP 6180888 A JP6180888 A JP 6180888A JP 2545431 B2 JP2545431 B2 JP 2545431B2
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- Japan
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- reticle
- pattern
- main pattern
- area
- lithography
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置のリソグラフィー用レチクルに関し、 単一のレチクルでレチクルパターン転写を行なうこと
ができる半導体装置のリソグラフィー用レチクルを提供
することを目的とし、 半導体装置のリソグラフィー用レチクルにおいて、四
角形状の主パターン領域以外の領域に、指標パターン
と、該四角形状の主パターン領域の少なくとも角部を囲
むレチクルカバーとが形成されており、該指標パターン
と該レチクルカバーとは、何も形成されていない空領域
を介して離間しているように構成する。
ができる半導体装置のリソグラフィー用レチクルを提供
することを目的とし、 半導体装置のリソグラフィー用レチクルにおいて、四
角形状の主パターン領域以外の領域に、指標パターン
と、該四角形状の主パターン領域の少なくとも角部を囲
むレチクルカバーとが形成されており、該指標パターン
と該レチクルカバーとは、何も形成されていない空領域
を介して離間しているように構成する。
本発明は、半導体装置のリソグラフィー用レチクルお
よびそれを使用するレチクルパターン転写方法に関す
る。
よびそれを使用するレチクルパターン転写方法に関す
る。
半導体装置を製造するリソグラフィーにおいて、レチ
クルを用いてウェハーやマスターマスクに主パターン
（半導体装置自体のパターン）および各種の指標パター
ン（プロセスモニターパターン、設計モニターパター
ン、位置合せターゲットパターン等）を転写する（焼付
ける）場合、従来はそれぞれ主パターン用レチクルと指
標パターン用レチクルとを別個に作製し、それぞれを別
個の工程で焼付けていた。
クルを用いてウェハーやマスターマスクに主パターン
（半導体装置自体のパターン）および各種の指標パター
ン（プロセスモニターパターン、設計モニターパター
ン、位置合せターゲットパターン等）を転写する（焼付
ける）場合、従来はそれぞれ主パターン用レチクルと指
標パターン用レチクルとを別個に作製し、それぞれを別
個の工程で焼付けていた。
従来の例として、ウェハーに半導体装置自体の主パタ
ーンと位置合せターゲットとしての指標パターンとをス
テップアンドリピート操作で焼付ける場合について、用
いるレチクルと焼付けの手順を説明する。第３図（ａ）
〜（ｄ）において、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ主パ
ターン用レチクル301および指標パターン用レチクル311
を示し、（ｃ）および（ｄ）はウェハー320上にそれぞ
れ主パターン「Ｆ」を焼付けた状態および主パターン焼
付け後に指標パターン「＋」を焼付けた状態を示す。
ーンと位置合せターゲットとしての指標パターンとをス
テップアンドリピート操作で焼付ける場合について、用
いるレチクルと焼付けの手順を説明する。第３図（ａ）
〜（ｄ）において、（ａ）および（ｂ）はそれぞれ主パ
ターン用レチクル301および指標パターン用レチクル311
を示し、（ｃ）および（ｄ）はウェハー320上にそれぞ
れ主パターン「Ｆ」を焼付けた状態および主パターン焼
付け後に指標パターン「＋」を焼付けた状態を示す。
用いるレチクルは上記のように２種類を別個に作成す
る。主パターン用レチクル301は、中央部の主パターン
領域303に主パターン「Ｆ」がCr蒸着等により形成され
ており、主パターン領域303以外の領域305（以下場合に
より「外囲領域」と略称する）には何もパターンは形成
されていない。外囲領域305はステッパー（縮小投影露
光装置）にレチクルを装着するため等の取扱いのために
一部が用いられる。指標パターン用レチクル311は、主
パターン領域313に主パターンの代りに指標パターン
「＋」が形成されている以外は、主パターン用レチクル
と同様の構成である。
る。主パターン用レチクル301は、中央部の主パターン
領域303に主パターン「Ｆ」がCr蒸着等により形成され
ており、主パターン領域303以外の領域305（以下場合に
より「外囲領域」と略称する）には何もパターンは形成
されていない。外囲領域305はステッパー（縮小投影露
光装置）にレチクルを装着するため等の取扱いのために
一部が用いられる。指標パターン用レチクル311は、主
パターン領域313に主パターンの代りに指標パターン
「＋」が形成されている以外は、主パターン用レチクル
と同様の構成である。
焼付け工程は、次のように別個の２工程から成る。
第１工程では、主パターン「Ｆ」のみの焼付けを以下
の手順で行なう。まずステッパーに主パターン用レチク
ル301を装着する。ステッパーによる露光を、第３図
（ｃ）のウェハー320の最上列左端のフレーム（レチク
ルの主パターン領域に対応して１回の露光で焼付けられ
るウェハー上の領域）から開始し、矢印ｘに沿って右方
向へ順次繰返し、最上列右端のフレームを露光して最上
列の露光が完了したら、矢印ｙに沿って下の列に露光位
置を移動させ（必要ならばｘ方向にも移動させ）、以下
同様のステップアンドリピート操作でウェハー320上の
所定領域に主パターン「Ｆ」を複数個（たとえば第３図
（ｃ）のようにモザイク状あるいは格子状に）焼付け
る。その際、後に指標パターンを焼付けるべきフレーム
329では露光を行なわずブランク状態で残しておく。
の手順で行なう。まずステッパーに主パターン用レチク
ル301を装着する。ステッパーによる露光を、第３図
（ｃ）のウェハー320の最上列左端のフレーム（レチク
ルの主パターン領域に対応して１回の露光で焼付けられ
るウェハー上の領域）から開始し、矢印ｘに沿って右方
向へ順次繰返し、最上列右端のフレームを露光して最上
列の露光が完了したら、矢印ｙに沿って下の列に露光位
置を移動させ（必要ならばｘ方向にも移動させ）、以下
同様のステップアンドリピート操作でウェハー320上の
所定領域に主パターン「Ｆ」を複数個（たとえば第３図
（ｃ）のようにモザイク状あるいは格子状に）焼付け
る。その際、後に指標パターンを焼付けるべきフレーム
329では露光を行なわずブランク状態で残しておく。
第２工程では、指標パターン「＋」のみの焼付けを行
なう。まず、ステッパーから主パターン用レチクル301
を取りはずし、代りに指標パターン用レチクル311をス
テッパーに装着する。ステッパーをｘ方向、ｙ方向にそ
れぞれ必要変位量だけ移動させ、第１工程でブランク状
態にした未露光のフレーム329のみで露光を行ない指標
パターン「＋」を焼付ける（第３図（ｄ））。
なう。まず、ステッパーから主パターン用レチクル301
を取りはずし、代りに指標パターン用レチクル311をス
テッパーに装着する。ステッパーをｘ方向、ｙ方向にそ
れぞれ必要変位量だけ移動させ、第１工程でブランク状
態にした未露光のフレーム329のみで露光を行ない指標
パターン「＋」を焼付ける（第３図（ｄ））。
このように、従来のレチクルおよびレチクルパターン
転写方法においては、レチクルを２枚以上必要とするた
めレチクル作製コストが高く、焼付工程もレチクル交換
操作を含む２工程以上を要するため生産性が低いという
問題があった。
転写方法においては、レチクルを２枚以上必要とするた
めレチクル作製コストが高く、焼付工程もレチクル交換
操作を含む２工程以上を要するため生産性が低いという
問題があった。
本発明は、単一のレチクルおよび単一の焼付工程でレ
チクルパターン転写を行なうことができる半導体装置の
リソグラフィー用レチクルおよびこのレチクルを使用す
るレチクルパターン転写方法を提供することを目的とす
る。
チクルパターン転写を行なうことができる半導体装置の
リソグラフィー用レチクルおよびこのレチクルを使用す
るレチクルパターン転写方法を提供することを目的とす
る。
上記の目的は、本発明にしたがえば、半導体装置のリ
ソグラフィー用レチクルにおいて、四角形状の主パター
ン領域以外の領域に、指標パターンと、該四角形状の主
パターン領域の少なくとも角部を囲むレチクルカバーと
が形成されており、該指標パターンと該レチクルカバー
とは、何も形成されていない空領域を介して離間してい
ることを特徴とするリソグラフィー用レチクルによって
達成される。
ソグラフィー用レチクルにおいて、四角形状の主パター
ン領域以外の領域に、指標パターンと、該四角形状の主
パターン領域の少なくとも角部を囲むレチクルカバーと
が形成されており、該指標パターンと該レチクルカバー
とは、何も形成されていない空領域を介して離間してい
ることを特徴とするリソグラフィー用レチクルによって
達成される。
また、上記の目的は、上記のレチクルを使用して主パ
ターンと指標パターンとを同時に焼付ける工程を含むこ
とを特徴とするレチクルパターン転写方法によっても達
成される。
ターンと指標パターンとを同時に焼付ける工程を含むこ
とを特徴とするレチクルパターン転写方法によっても達
成される。
本発明のリソグラフィー用レチクルによれば、単一の
レチクルで主パターンと指標パターンとを有するので、
レチクル交換操作なしに１回の露光でこれら両パターン
を同時に焼付けることができる。
レチクルで主パターンと指標パターンとを有するので、
レチクル交換操作なしに１回の露光でこれら両パターン
を同時に焼付けることができる。
また、本発明のレチクルパターン転写方法によれば、
上記のレチクルを使用してウェハーやマスターマスク上
の必要箇所で主パターンと指標パターンとを同時に焼付
けることによって単一の焼付工程でレチクルパターン転
写を行なうことができる。
上記のレチクルを使用してウェハーやマスターマスク上
の必要箇所で主パターンと指標パターンとを同時に焼付
けることによって単一の焼付工程でレチクルパターン転
写を行なうことができる。
以下に図面を参照して、実施例によって本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図（ａ）に、本発明にしたがったリソグラフィー
用レチクルの一例を示す。
用レチクルの一例を示す。
レチクル101は主パターン領域103とそれ以外の領域
（外囲領域）105とから成る。主パターン領域103には主
パターン「Ｆ」が形成されている。外囲領域105には、
主パターン領域103の左右両側にそれぞれ指標パターン
「＋」が形成されている。
（外囲領域）105とから成る。主パターン領域103には主
パターン「Ｆ」が形成されている。外囲領域105には、
主パターン領域103の左右両側にそれぞれ指標パターン
「＋」が形成されている。
第１図（ｂ）〜（ｅ）に、上記第１図（ａ）のレチク
ル101を使用してウェハー上にレチクルパターン転写を
行なう焼付工程の一例を示す。
ル101を使用してウェハー上にレチクルパターン転写を
行なう焼付工程の一例を示す。
ステッパー（図示せず）にレチクル101を装着する。
ステッパーは、レチクル101を主パターン領域103の上下
両側の外囲領域105で保持し、主パターン領域103の左右
両側の外囲領域105は、主パターン領域103と同様に露光
光線を必要に応じて照射可能な状態に維持されている。
ステッパーは、レチクル101を主パターン領域103の上下
両側の外囲領域105で保持し、主パターン領域103の左右
両側の外囲領域105は、主パターン領域103と同様に露光
光線を必要に応じて照射可能な状態に維持されている。
ステッパーによる露光を、第１図（ｂ）のウェハー12
0の最上列左端のフレームから開始する。その際、ステ
ッパーのブレード（絞り）は、レチクル101の主パター
ン領域103のみに露光光線が照射されるような開口度に
しておく。すなわち、この状態で露光すると第１図
（ｃ）に斜線で示した主パターン領域103の主パターン
「Ｆ」のみがウェハー上に焼付けられる。この開口状態
で露光を矢印ｘに沿って右方向へ順次繰返し、最上列右
端のフレームを露光して最上列の露光が完了したら、矢
印ｙに沿って下の列に露光位置を移動させる（必要なら
ばｘ方向にも移動させる）。以下同様のステップアンド
リピート操作でウェハー120上の第３列までの全フレー
ムに主パターン「Ｆ」を焼付ける。第４列の露光を開始
する前に、ステッパーのブレードの開口度を拡大して、
第１図（ｄ）に斜線で示したようにレチクルの主パター
ン領域103と外囲領域105の一部105Aとに露光光線が照射
されるような開口度にする。この開口状態で第４列左端
のフレーム123Aの位置で露光を行なうと、フレーム123A
にはレチクル101の主パターン領域103の主パターン
「Ｆ」が焼付けられ、同時に右隣のフレーム125Aにはレ
チクル101の外囲領域105の一部105Aの指標パターン
「＋」が焼付けられる。次に露光位置を右へ２フレーム
分すなわちフレーム123Pまで移動させる。ステッパーの
ブレードの開口度を、最初と同様に、レチクル101の主
パターン領域103（第１図（ｃ）の斜線部）のみに露光
光線が照射されるように縮小する。この開口状態で右へ
順次繰返して露光を行ない、フレーム123Pからフレーム
123Qまでのフレームに主パターン「Ｆ」を焼付ける。次
に露光位置を右へ２フレーム分すなわち第４列右端のフ
レーム123Bまで移動させる。この段階では、フレーム12
5Bは未露光状態である。ステッパーのブレードの開口度
を、第４列左端の場合とは逆向きに拡大して、第１図
（ｅ）に示したようにレチクル101の主パターン領域103
と外囲領域105の一部105Bとに露光光線が照射されるよ
うにする。この開口状態で第４列右端のフレーム123Bの
位置で露光を行なうと、フレーム123Bにはレチクル101
の主パターン領域103の主パターン「Ｆ」が焼付けら
れ、同時に左隣のフレーム125Bにはレチクル101の外囲
領域の一部105Bの指標パターン「＋」が焼付けられる。
ステッパーのブレードの開口度を、最初と同様に、レチ
クル101の主パターン領域103（第１図（ｃ）の斜線部）
のみに露光光線が照射されるように縮小する。以下、第
１列（最上列）〜第３列までと同様にステップアンドリ
ピート操作を行って、第５列および第６列の各フレーム
に主パターン「Ｆ」を焼付け、焼付工程を完了する。
0の最上列左端のフレームから開始する。その際、ステ
ッパーのブレード（絞り）は、レチクル101の主パター
ン領域103のみに露光光線が照射されるような開口度に
しておく。すなわち、この状態で露光すると第１図
（ｃ）に斜線で示した主パターン領域103の主パターン
「Ｆ」のみがウェハー上に焼付けられる。この開口状態
で露光を矢印ｘに沿って右方向へ順次繰返し、最上列右
端のフレームを露光して最上列の露光が完了したら、矢
印ｙに沿って下の列に露光位置を移動させる（必要なら
ばｘ方向にも移動させる）。以下同様のステップアンド
リピート操作でウェハー120上の第３列までの全フレー
ムに主パターン「Ｆ」を焼付ける。第４列の露光を開始
する前に、ステッパーのブレードの開口度を拡大して、
第１図（ｄ）に斜線で示したようにレチクルの主パター
ン領域103と外囲領域105の一部105Aとに露光光線が照射
されるような開口度にする。この開口状態で第４列左端
のフレーム123Aの位置で露光を行なうと、フレーム123A
にはレチクル101の主パターン領域103の主パターン
「Ｆ」が焼付けられ、同時に右隣のフレーム125Aにはレ
チクル101の外囲領域105の一部105Aの指標パターン
「＋」が焼付けられる。次に露光位置を右へ２フレーム
分すなわちフレーム123Pまで移動させる。ステッパーの
ブレードの開口度を、最初と同様に、レチクル101の主
パターン領域103（第１図（ｃ）の斜線部）のみに露光
光線が照射されるように縮小する。この開口状態で右へ
順次繰返して露光を行ない、フレーム123Pからフレーム
123Qまでのフレームに主パターン「Ｆ」を焼付ける。次
に露光位置を右へ２フレーム分すなわち第４列右端のフ
レーム123Bまで移動させる。この段階では、フレーム12
5Bは未露光状態である。ステッパーのブレードの開口度
を、第４列左端の場合とは逆向きに拡大して、第１図
（ｅ）に示したようにレチクル101の主パターン領域103
と外囲領域105の一部105Bとに露光光線が照射されるよ
うにする。この開口状態で第４列右端のフレーム123Bの
位置で露光を行なうと、フレーム123Bにはレチクル101
の主パターン領域103の主パターン「Ｆ」が焼付けら
れ、同時に左隣のフレーム125Bにはレチクル101の外囲
領域の一部105Bの指標パターン「＋」が焼付けられる。
ステッパーのブレードの開口度を、最初と同様に、レチ
クル101の主パターン領域103（第１図（ｃ）の斜線部）
のみに露光光線が照射されるように縮小する。以下、第
１列（最上列）〜第３列までと同様にステップアンドリ
ピート操作を行って、第５列および第６列の各フレーム
に主パターン「Ｆ」を焼付け、焼付工程を完了する。
以上のように、単一のレチクルを使用してレチクル交
換操作のない単一の焼付工程でウェハー120上には所定
の配列で主パターンおよび指標パターンが焼付けられ
る。
換操作のない単一の焼付工程でウェハー120上には所定
の配列で主パターンおよび指標パターンが焼付けられ
る。
次に、本発明に従ったリソグラフィー用レチクルの望
ましい実施態様の一例を説明する。
ましい実施態様の一例を説明する。
第２図において、レチクル201は主パターン領域203と
それ以外の外囲領域とから成る。この例では、外囲領域
には、指標パターンとしてプリアラインメント用の位置
合せターゲットパターン207、レチクルカバー212、およ
びスクライブ214が形成されている。216は外囲領域のう
ち、何も形成されていない空領域である。レチクルカバ
ー212は、ウェハー上で１つのフレームの露光中に隣り
のフレームに露光光線の影響を及ぼさないためのパター
ンである。スクライブ214はダイシングラインとも呼ば
れ、最終的にリソグラフィー処理後のウェハーから各フ
レームをチップとして切り出すための切断線（もしくは
切り代）を規定するパターンである。
それ以外の外囲領域とから成る。この例では、外囲領域
には、指標パターンとしてプリアラインメント用の位置
合せターゲットパターン207、レチクルカバー212、およ
びスクライブ214が形成されている。216は外囲領域のう
ち、何も形成されていない空領域である。レチクルカバ
ー212は、ウェハー上で１つのフレームの露光中に隣り
のフレームに露光光線の影響を及ぼさないためのパター
ンである。スクライブ214はダイシングラインとも呼ば
れ、最終的にリソグラフィー処理後のウェハーから各フ
レームをチップとして切り出すための切断線（もしくは
切り代）を規定するパターンである。
レチクル201は石英等の通常レチクル用として用いら
れる材質であり、その表面上に主パターン、指標パター
ンその他上記のような必要な各種のパターンがCr蒸着膜
等として形成される。
れる材質であり、その表面上に主パターン、指標パター
ンその他上記のような必要な各種のパターンがCr蒸着膜
等として形成される。
本発明のリソグラフィー用レチクルおよびこのレチク
ルを使用するレチクルパターン転写方法は、単一のレチ
クルおよび単一の焼付工程で主パターンおよび指標パタ
ーンを同時に焼付けることができるので、レチクル作製
コストを従来のほぼ1/2以下に低減しかつ生産性を最大3
0％高めることができるという効果を奏する。
ルを使用するレチクルパターン転写方法は、単一のレチ
クルおよび単一の焼付工程で主パターンおよび指標パタ
ーンを同時に焼付けることができるので、レチクル作製
コストを従来のほぼ1/2以下に低減しかつ生産性を最大3
0％高めることができるという効果を奏する。
第１図（ａ）は、本発明のレチクルの例を示す平面図、 第１図（ｂ）〜（ｅ）は、第１図（ａ）のレチクルを使
用する本発明のレチクルパターン転写方法の工程例を説
明するための平面図、 第２図は、第１図（ａ）のレチクルの望ましい態様の例
を示す平面図、 第３図（ａ）および（ｂ）は、従来のレチクルの例を示
す平面図、および 第３図（ｃ）および（ｄ）は、第３図（ａ）および
（ｂ）のレチクルを使用する従来のレチクルパターン転
写方法の工程例を説明するための平面図である。 101,201,301,311……レチクル、 103,203,303,313……主パターン領域、 105,305,315……外囲領域（主パターン領域以外の領
域）、 207……指標パターン、 120,320……ウェハー。
用する本発明のレチクルパターン転写方法の工程例を説
明するための平面図、 第２図は、第１図（ａ）のレチクルの望ましい態様の例
を示す平面図、 第３図（ａ）および（ｂ）は、従来のレチクルの例を示
す平面図、および 第３図（ｃ）および（ｄ）は、第３図（ａ）および
（ｂ）のレチクルを使用する従来のレチクルパターン転
写方法の工程例を説明するための平面図である。 101,201,301,311……レチクル、 103,203,303,313……主パターン領域、 105,305,315……外囲領域（主パターン領域以外の領
域）、 207……指標パターン、 120,320……ウェハー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−144168（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−39075（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−26902（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−12644（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−24942（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−239022（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−124732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−14137（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】半導体装置のリソグラフィー用レチクルに
おいて、四角形状の主パターン領域以外の領域に、指標
パターンと、該四角形状の主パターン領域の少なくとも
角部を囲むレチクルカバーとが形成されており、該指標
パターンと該レチクルカバーとは、何も形成されていな
い空領域を介して離間していることを特徴とするリソグ
ラフィー用レチクル。 - 【請求項２】請求項１記載のレチクルを使用して主パタ
ーンと指標パターンとを同時に焼付ける工程を含むこと
を特徴とするレチクルパターン転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6180888A JP2545431B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6180888A JP2545431B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235954A JPH01235954A (ja) | 1989-09-20 |
| JP2545431B2 true JP2545431B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=13181760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6180888A Expired - Fee Related JP2545431B2 (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | リソグラフィ―用レチクルおよびレチクルパタ―ン転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545431B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002093260A1 (fr) * | 2001-05-11 | 2002-11-21 | Nikon Corporation | Masque et procede de production associe, element optique et procede de production associe, dispositif optique d'eclairage fourni avec ledit element optique et systeme d'exposition |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058576B2 (ja) * | 1976-09-22 | 1985-12-20 | 株式会社日立製作所 | 露光方法及びそれに使用する露光装置 |
| JPH0750328B2 (ja) * | 1985-12-18 | 1995-05-31 | 株式会社日立製作所 | レチクル |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6180888A patent/JP2545431B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01235954A (ja) | 1989-09-20 |
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