JPH0545944B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明はフオトマスクの製造方法に関し、特に
単位パターンをくり返し焼付けて行うマスター・
マスクの製造方法に関する。

(ロ) 従来の技術 従来、フオトマスクの製造においては、半導体
基板の１チツプ分に相当するパターンを形成した
レチクルを作成し、これをくり返し焼付けること
によつてマスター・マスクを製作していた。とこ
ろが、デイスクリートの小信号用トランジスタや
最近の微細化されたICでは１チツプ分に相当す
るパターンの大きさが極めて小さく（0.3×0.3〜
1.0×1.0mm）、マスク基板（４〜６インチφ）に
多数個配列できるので、１枚のマスター・マスク
を製作するのに多大な時間がかかつてしまう。そ
の為、例えば特開昭56−19051号公報に記載され
ている様に複数チツプ分に相当する複数個の同一
パターンから成る単位パターンを形成したレチク
ルを作製し、この単位パターンをステツプ・アン
ド・リピート露光することで製作時間を短縮して
いた。単位パターンを構成する１チツプ分パター
ンの数を増大すれば、ステツプ回数が減るのでマ
スク製作時間はもつと短縮できる。また、基本的
にはマスク基板の表面に縦横に配列したパターン
は半導体ウエハーの周端をはみ出てもかまわない
ものである。

一方、半導体装置を製造するにはチツプ表面へ
の電極形成が不可欠であり、この工程には蒸着技
術又はスパツタ技術が利用されている。ところ
が、これらの技術を用いると半導体ウエハーの周
縁部には電極材料（アルミニウム等）が再現性良
く被着しないので、信頼性を向上する目的で前記
半導体ウエハーの周縁部に形成される半導体チツ
プは意識的に不良にする手法がとられている。そ
の為、半導体装置製造用に数種類用意するマスタ
ー・マスクのうちのいくつかは、半導体ウエハー
の周端から数mm（1.0〜3.0mm）内側のラインより
パターンがはみ出さない様にしてパターンの焼付
けを行う必要がある。

第３図にこの様子を示す。同図おいて、１はマ
スク基板、２は複数個の同一パターンが集合した
単位パターン、３は上述した理由によつてパター
ンの形成が可能な領域を示す限界ラインである。

しかしながら、この様に限界ライン３でスペー
スが制約されたガラス基板１上に単位パターン２
を利用した焼付けを行うと、単位パターン２が複
数個分のパターンを同時露光する為、限界ライン
３付近に無駄な空きスペース４が生じ、ウエハー
１枚当りのチツプ収量が減少する欠点があつた。
単位パターン２を構成するパターンの数を少くす
ればもつと緻密に行えるが、露光回数が増すので
マスク製作時間が増加する。

(ハ) 発明が解決しようとする問題点 本発明は上述した様な単位パターン２を使用す
ることによる空きスペース４の増大とチツプ収量
の減少を解決し、同時にマスク製作時間の増大を
も防止せんとするものである。

(ニ) 問題点を解決するための手段 本発明は斯上した欠点に鑑み、マスク基板５の
中央では単位パターン７を使用して複数チツプ分
のパターン６を一括露光し、その周辺では１チツ
プ分に相当するパターン６を使用して緻密に露光
することを特徴とする。

(ホ) 作用 本発明によれば、マスク基板５の主要部は単位
パターン７を使用することによつて少い露光回数
で迅速にパターン焼付けが行え、余白部分は１個
だけのパターン６を使用することによつて緻密な
焼付けを行うことができる。

(ヘ) 実施例 以下、本発明を図面を参照しながら詳細に説明
する。

第１図は本願発明に供するレチクルの平面図を
示し、５は石英等の透明部材から成るマスク基
板、６はマスク基板５表面にクロム等の金属材料
を被着・加工して形成したチツプ１個分に相当す
るパターン、７は１個分のパターン６を所望の数
だけ縦横に配列した単位パターンである。このレ
チクルを作製するには、先ずパターンジエネレー
タ装置で実際のパターンの１乃至10倍のパターン
を描画した原板となるレチクルを作製し、フオト
リピータ装置を使用してマスク基板５の所望の位
置に１回だけ露光して１個分のパターン６を形成
し、続いて１個分のパターン６とは十分離れた位
置に例えば縦横６×６個分だけステツプ・アン
ド・リピート露光して単位パターン７を形成する
ことにより製作される。ネガテイブ・タイプのレ
ジスト使用を前提としたものならば、このレチク
ルは各パターン６，７の部分だけが白抜きで黒色
部分が大半を占めるパターンとなる。

この様に１個分のパターン６と複数個分の単位
パターン７を１枚のマスク基板５上に焼付けたレ
チクルを用いてマスター・マスクの製作を行う。

第２図は第１図のレチクルを使用して形成した
マスター・マスクの平面図を示し、５はマスク基
板、８はパターン形成が可能な領域を示す限界ラ
イン、９は単位パターン７をステツプ・アンド・
リピート露光することでパターン形成した領域、
１０は１個分のパターン６をステツプ・アンド・
リピート露光することで形成した領域である。

このマスター・マスクを製造するには、先ずフ
オトリピータ装置に第１図のレチクルをセツトす
ると共に、フオトリピータ装置のブレードと呼ば
れる装置によつて１個分のパターン６の部分を遮
光し、単位パターン７の部分だけが光が通過する
状態にしておく。そして、マスク基板５の中央に
単位パターン７だけを位置をずらしてくり返し露
光することでパターンの大多数を焼付ける。続い
て、前記フオトリピータのブレード位置を変更し
て今度は単位パターン７の部分を遮光し、１個分
のパターン６だけが転写されるようにしておく。
この状態で、限界ライン８内側の余白部分にパタ
ーン６を１個づつくり返し露光し、余白部分が残
らない様に緻密に焼付ける。

斯上した本願の製造方法によれば、パターンの
大多数は単位パターン７を使用して露光するの
で、露光回数を少くして迅速に処理できる。その
為、１枚のマスター・マスクを製作するのに要す
る時間が短くて済む。さらに、単位パターン７を
使用できない限界ライン８付近の余白部分では１
個分のパターン６を使用して１個づつ露光するの
で、無駄の無い緻密な焼付けが行なえる。その
為、ウエハー面積を最大限有効に使うことができ
る。

また、本実施例によれば１個分のパターン６と
単位パターン７を１枚の基板５上に形成したので
無駄が無く、フオトリピータ装置にセツトしたま
まで全パターンの露光を終了できる。むろん、第
１図のレチクルを作製した原板のレチクルを用い
て余白部分の露光を行つても良い。

(ト) 発明の効果 以上説明した如く、本発明によれば単位パター
ン７によつて１個分のチツプサイズが極めて小さ
い様なパターンでも迅速にマスク製造ができ、さ
らには１個分のパターン６によつてウエハー面積
を最大限有効に使うことのできる利点を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明を説明する為の平面
図、第３図は従来例を説明する為の平面図であ
る。 １，５はマスク基板、６は１個分のパターン、
２，７は単位パターンである。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基板中央では複数チツプ分に相当する複数個
   の同一パターンから成る単位パターンをステツ
   プ・アンド・リピートで焼付け、この焼付け領域
   の周辺では１チツプ分に相当するパターンをステ
   ツプ・アンド・リピートで焼付け１枚のフオトマ
   スクとすることを特徴とするフオトマスクの製造
   方法。