JPH04155337A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JPH04155337A JPH04155337A JP2280402A JP28040290A JPH04155337A JP H04155337 A JPH04155337 A JP H04155337A JP 2280402 A JP2280402 A JP 2280402A JP 28040290 A JP28040290 A JP 28040290A JP H04155337 A JPH04155337 A JP H04155337A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910025794 LaB6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の写真蝕刻工程に用いられる
フォトマスクの製造方法に関し、特に可変整形電子ビー
ムによるレジストパターン形成方法に関する。
フォトマスクの製造方法に関し、特に可変整形電子ビー
ムによるレジストパターン形成方法に関する。
近年、半導体集積回路の微細化・高集積化が進み、集積
度１Ｍビットを越えるＤＲＡＭが量産される時代となっ
た。これに伴いフォトマスク及びステッパー用レティク
ル（以下レティクルと略す）に要求される品質もかなり
厳しいものとなってきている。
度１Ｍビットを越えるＤＲＡＭが量産される時代となっ
た。これに伴いフォトマスク及びステッパー用レティク
ル（以下レティクルと略す）に要求される品質もかなり
厳しいものとなってきている。
フォトマスクまたはレティクルの描画に用いられる電子
線露光装置は、ビーム形状により大別して２つのタイプ
に分けられる。１つはＷ（タングステン）やＬａＢ６
（ランタンへキサポライド）等の電子銃からの電子ビ
ームを電子光学系によりスポット上に絞った電子ビーム
を用いるラウンドビーム系の露光装置であり、他方は電
子銃からの電子ビームを２枚以上のスリットにより矩形
状に整形して用いる整形ビーム型の露光装置である。
線露光装置は、ビーム形状により大別して２つのタイプ
に分けられる。１つはＷ（タングステン）やＬａＢ６
（ランタンへキサポライド）等の電子銃からの電子ビ
ームを電子光学系によりスポット上に絞った電子ビーム
を用いるラウンドビーム系の露光装置であり、他方は電
子銃からの電子ビームを２枚以上のスリットにより矩形
状に整形して用いる整形ビーム型の露光装置である。
後者の中でも近年は描画遠度等の観点から可変矩形ビー
ム型の電子線露光装置が多く用いられるようになってき
た。
ム型の電子線露光装置が多く用いられるようになってき
た。
この可変矩形ビーム型の電子線露光装置の描伸面上の電
子ビームの照射量分布は、第３図（ａ＞に示すように理
想的な状態であれば第３図（ｂ）に示すように、設計値
通りの正確な寸法のパターンが形成できるが、実際には
、電子光学系の収差等により第４図（ａ）に示すような
照射量分布を有しており、従って形成されたパターンも
第４しくｂ）に示すように、４隅の露光量が不足して丸
みを帯びた形状に形成される。
子ビームの照射量分布は、第３図（ａ＞に示すように理
想的な状態であれば第３図（ｂ）に示すように、設計値
通りの正確な寸法のパターンが形成できるが、実際には
、電子光学系の収差等により第４図（ａ）に示すような
照射量分布を有しており、従って形成されたパターンも
第４しくｂ）に示すように、４隅の露光量が不足して丸
みを帯びた形状に形成される。
上述した従来のフォトマスクの製造方法では、パターン
の隅部が丸みを帯び、これにより設計上所望していたパ
ターン形状とは異なるマスクパターンとなってしまうと
いう問題点があった６特に、半導体製造工程中のコンタ
クト工程と呼ばれる工程では、実際のマスクパターンが
設計データとは異なってコーナーが丸みを帯びることに
より、コンタクトパターンの面積が設計よりも小さくな
ってしまい、出来上りの半導体集積回路の電気特性が設
計値からずれてしまうということが生１ じる。コン
タクト工程のみに限らず、設計データを忠実にパターン
形状に反映することは、フォトマスクまたはレティクル
の製作にあたって、寸法精度向上の観点からも極めて重
要な課題である６〔課題を解決するための手段〕 本発明のフォトマスクの製造方法は、基板上に１ 電
子線レジスト膜を塗布してプリベークする工程と、可変
矩形電子ビームにより前記電子線レジスト膜を選択的に
露光して矩形状パターンの露光領域を設ける工程と、前
記露光領域の４隅部のみに可変矩形電子ビームで前記矩
形状パターンより小さい矩形状パターンを重ねて露光す
る工程と、前記電子線レジスト膜を現像してレジストパ
ターンを形成する工程とを含んで構成される。
の隅部が丸みを帯び、これにより設計上所望していたパ
ターン形状とは異なるマスクパターンとなってしまうと
いう問題点があった６特に、半導体製造工程中のコンタ
クト工程と呼ばれる工程では、実際のマスクパターンが
設計データとは異なってコーナーが丸みを帯びることに
より、コンタクトパターンの面積が設計よりも小さくな
ってしまい、出来上りの半導体集積回路の電気特性が設
計値からずれてしまうということが生１ じる。コン
タクト工程のみに限らず、設計データを忠実にパターン
形状に反映することは、フォトマスクまたはレティクル
の製作にあたって、寸法精度向上の観点からも極めて重
要な課題である６〔課題を解決するための手段〕 本発明のフォトマスクの製造方法は、基板上に１ 電
子線レジスト膜を塗布してプリベークする工程と、可変
矩形電子ビームにより前記電子線レジスト膜を選択的に
露光して矩形状パターンの露光領域を設ける工程と、前
記露光領域の４隅部のみに可変矩形電子ビームで前記矩
形状パターンより小さい矩形状パターンを重ねて露光す
る工程と、前記電子線レジスト膜を現像してレジストパ
ターンを形成する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示したレイアウト図である。
めの工程順に示したレイアウト図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、ガラス基板上にクロ
ム膜を形成した５インチ型のマスク基板のクロム膜状に
東し製のポジ型レジスト液ＥＢＲ−Ｗを塗布して厚さ約
０．５μｍのレジスト膜を形成し、クリーンオーブン中
で２００℃、３０分間のプリベークを行う０次に、レジ
スト膜を可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置の矩形
電子ビームにより照射して例えば４μｍＸ４μｍのコン
タクトパターンを５．５μＣ／−のドーズ量で露光し、
露光領域１を形成する。
ム膜を形成した５インチ型のマスク基板のクロム膜状に
東し製のポジ型レジスト液ＥＢＲ−Ｗを塗布して厚さ約
０．５μｍのレジスト膜を形成し、クリーンオーブン中
で２００℃、３０分間のプリベークを行う０次に、レジ
スト膜を可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置の矩形
電子ビームにより照射して例えば４μｍＸ４μｍのコン
タクトパターンを５．５μＣ／−のドーズ量で露光し、
露光領域１を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、露光領域１の４隅の
みを１μｍＸ１μｍのショットサイズを有する電子ビー
ムで照射し、２重露光領域２を形成す。
みを１μｍＸ１μｍのショットサイズを有する電子ビー
ムで照射し、２重露光領域２を形成す。
次に、第１図（ｃ）に示すように、露光領域１．２を含
むレジスト族を現像してレジストパターン領域３を形成
する。
むレジスト族を現像してレジストパターン領域３を形成
する。
ここで、２重露光領域２を形成するための電子ビームの
ドーズ量は条件を種々変えて検討しな結果、１μＣ／ａ
１１のドーズ量のときに出来上りのコンタクトパターン
の形状が最良であった。
ドーズ量は条件を種々変えて検討しな結果、１μＣ／ａ
１１のドーズ量のときに出来上りのコンタクトパターン
の形状が最良であった。
もしも、２重露光領域２のドーズ量が不足すると４隅の
形状は丸みを帯び、ドーズ量が過大であると第２図に示
すように、４隅の形状が膨らみ変形してしまう。
形状は丸みを帯び、ドーズ量が過大であると第２図に示
すように、４隅の形状が膨らみ変形してしまう。
本発明による露光データの準備は、専用のプログラムに
より設計データから露光データを作成する際にデータ変
換を行えば良いが、データ処理時閉の増加は否めない、
しかしながら、本発明による描画パターン精度の向上は
著しく、本発明を適用した結果、従来４μｍＸ４μｍの
コンタクトパターンで半径０．４μｍ程度の丸みを持っ
ていたものが、半径０．２μｍ以下に改善された。本発
明によるパターン形状の改善は、パターンサイズが小さ
くなるほど有効であり、２μｍＸ２μｍパターンではコ
ンタクト面積計算で１０％以上の改善がｉＩ認できた。
より設計データから露光データを作成する際にデータ変
換を行えば良いが、データ処理時閉の増加は否めない、
しかしながら、本発明による描画パターン精度の向上は
著しく、本発明を適用した結果、従来４μｍＸ４μｍの
コンタクトパターンで半径０．４μｍ程度の丸みを持っ
ていたものが、半径０．２μｍ以下に改善された。本発
明によるパターン形状の改善は、パターンサイズが小さ
くなるほど有効であり、２μｍＸ２μｍパターンではコ
ンタクト面積計算で１０％以上の改善がｉＩ認できた。
また、本発明はポジ型レジストによる明パターン描画ば
かりでなく、ネガ型レジストを用いて暗パターンを描画
する際にも有効な手段となる。
かりでなく、ネガ型レジストを用いて暗パターンを描画
する際にも有効な手段となる。
以上説明したように、本発明はパターンの４隅のみを２
重露光することにより、極めて設計データに近いパター
ン形状を再現できるという特徴があり、これによりフォ
トマスクまたはレティクルの寸法精度を大幅に向上でき
るという効果がある。
重露光することにより、極めて設計データに近いパター
ン形状を再現できるという特徴があり、これによりフォ
トマスクまたはレティクルの寸法精度を大幅に向上でき
るという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した模式的平面図、第２図は本発明の一
実施例の隅部の過大露光時の形成パターンを示す模式的
平面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は可変矩形型電子ビームの理想状態の照射量分布
を示す図及び形成パターンの模式的平面図、第４図（ａ
＞、（ｂ）は可変矩形型電子ビームの実際の照射量分布
を示す図及び形成パターンの模式的平面図である。 １・・・露光領域、２・・・２重露光領域、３・・・レ
ジストパターン領域、４・・・照射量分布曲線、５・・
・パターン。
めの工程順に示した模式的平面図、第２図は本発明の一
実施例の隅部の過大露光時の形成パターンを示す模式的
平面図、第３図（ａ）。 （ｂ）は可変矩形型電子ビームの理想状態の照射量分布
を示す図及び形成パターンの模式的平面図、第４図（ａ
＞、（ｂ）は可変矩形型電子ビームの実際の照射量分布
を示す図及び形成パターンの模式的平面図である。 １・・・露光領域、２・・・２重露光領域、３・・・レ
ジストパターン領域、４・・・照射量分布曲線、５・・
・パターン。
Claims (1)
- 基板上に電子線レジスト膜を塗布してプリベークする
工程と、可変矩形電子ビームにより前記電子線レジスト
膜を選択的に露光して矩形状パターンの露光領域を設け
る工程と、前記露光領域の４隅部のみに可変矩形電子ビ
ームで前記矩形状パターンより小さい矩形状パターンを
重ねて露光する工程と、前記電子線レジスト膜を現像し
てレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴
とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280402A JPH04155337A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2280402A JPH04155337A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155337A true JPH04155337A (ja) | 1992-05-28 |
Family
ID=17624533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2280402A Pending JPH04155337A (ja) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04155337A (ja) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006268934A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Tdk Corp | スタンパーの製造方法および情報記録媒体の製造方法 |
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| US7901850B2 (en) | 2008-09-01 | 2011-03-08 | D2S, Inc. | Method and system for design of a reticle to be manufactured using variable shaped beam lithography |
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-
1990
- 1990-10-18 JP JP2280402A patent/JPH04155337A/ja active Pending
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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