JPH06120102A - 露光方法及び露光装置 - Google Patents
露光方法及び露光装置Info
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- JPH06120102A JPH06120102A JP4285044A JP28504492A JPH06120102A JP H06120102 A JPH06120102 A JP H06120102A JP 4285044 A JP4285044 A JP 4285044A JP 28504492 A JP28504492 A JP 28504492A JP H06120102 A JPH06120102 A JP H06120102A
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- JP
- Japan
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- pattern
- exposure
- patterns
- appropriate
- irradiation
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Exposure In Printing And Copying (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 露光条件を定めるための補正に要する時間を
短縮でき、かつシステム的にも低コストにすることが可
能な露光方法及び露光装置を提供する。 【構成】 複数のパターンを有するパターン群の中のパ
ターンの適正露光量を決めて該パターンの露光を行う
際、該パターンの評価点の蓄積エネルギの平均を照射エ
ネルギとして式を立て、他のパターンから該パターンに
影響する照射量を定数として、前記式に入れて、該パタ
ーンの適正照射量を求め、次いで他のパターンについて
同様の手法で適正照射量を求め、この操作を反復するこ
とにより、各パターンの適正露光量を求めて露光を行
う。
短縮でき、かつシステム的にも低コストにすることが可
能な露光方法及び露光装置を提供する。 【構成】 複数のパターンを有するパターン群の中のパ
ターンの適正露光量を決めて該パターンの露光を行う
際、該パターンの評価点の蓄積エネルギの平均を照射エ
ネルギとして式を立て、他のパターンから該パターンに
影響する照射量を定数として、前記式に入れて、該パタ
ーンの適正照射量を求め、次いで他のパターンについて
同様の手法で適正照射量を求め、この操作を反復するこ
とにより、各パターンの適正露光量を求めて露光を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、露光方法及び露光装置
に関する。本発明は、パターン状に露光を行うことによ
り所望のパターンを形成する各種技術分野において用い
ることができる。例えば、電子材料（半導体装置等）製
造の際のパターン露光のために用いるフォトマスクを製
造するときのマスクパターン形成や、あるいは半導体ウ
ェーハを直接露光するための電子線描画技術に適用して
利用することができる。
に関する。本発明は、パターン状に露光を行うことによ
り所望のパターンを形成する各種技術分野において用い
ることができる。例えば、電子材料（半導体装置等）製
造の際のパターン露光のために用いるフォトマスクを製
造するときのマスクパターン形成や、あるいは半導体ウ
ェーハを直接露光するための電子線描画技術に適用して
利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】電子線、可視・紫外光等、各種のエネル
ギ線を用いてこれを被露光体に照射し、露光することが
行われている。パターン露光の解像度の限界は各種要因
により定まるが、近接効果と称される現象が解像限界を
支配する大きな要因となる場合がある。近接効果とは、
或るパターンに対して、それに近接するパターンからの
照射エネルギの散乱の影響が及ぼされることを言う。
ギ線を用いてこれを被露光体に照射し、露光することが
行われている。パターン露光の解像度の限界は各種要因
により定まるが、近接効果と称される現象が解像限界を
支配する大きな要因となる場合がある。近接効果とは、
或るパターンに対して、それに近接するパターンからの
照射エネルギの散乱の影響が及ぼされることを言う。
【０００３】この近接効果は、電子線描画（ＥＢリソグ
ラフィー）において顕著に見られるので、以下この場合
を例にとって従来技術を説明する。
ラフィー）において顕著に見られるので、以下この場合
を例にとって従来技術を説明する。
【０００４】一般に、ＥＢリソグラフィーにおいては、
近接効果が解像度の限界を支配しており、微細加工を行
うフォトマスク作製やウェーハ直接描画の際に大きな問
題となることが知られている。
近接効果が解像度の限界を支配しており、微細加工を行
うフォトマスク作製やウェーハ直接描画の際に大きな問
題となることが知られている。
【０００５】近接効果現象が起きる原因は、電子が固体
内で散乱することによる。図７は、フォトマスクの構造
における電子の散乱モデルを示したもので、レジスト１
の表面の１点に電子を複数個打込んだ時の散乱の状態を
示している。打込まれた電子は、まず始めに、レジスト
１中の原子と衝突して入射方向に散乱するものがあり、
次に、クロム膜２に達した電子の中には、クロム原子と
衝突し、入射方向と反対方向に散乱し再びレジストを露
光してしまう電子もある。
内で散乱することによる。図７は、フォトマスクの構造
における電子の散乱モデルを示したもので、レジスト１
の表面の１点に電子を複数個打込んだ時の散乱の状態を
示している。打込まれた電子は、まず始めに、レジスト
１中の原子と衝突して入射方向に散乱するものがあり、
次に、クロム膜２に達した電子の中には、クロム原子と
衝突し、入射方向と反対方向に散乱し再びレジストを露
光してしまう電子もある。
【０００６】最初の、入射された方向と同一な方向に広
がった散乱を、前方散乱といい、次の、入射方向と反対
方向に大きく広がった方を、後方散乱という。
がった散乱を、前方散乱といい、次の、入射方向と反対
方向に大きく広がった方を、後方散乱という。
【０００７】これらの散乱の大きさは、レジストの種
類、レジストの膜厚、基板の材質、描画装置の加速電圧
等によって変化するが、一般的に前方散乱による広がり
（前方散乱半径）は小さく、１μｍ以下のオーダーであ
るが、後方散乱による広がり（後方散乱半径）は大き
く、数μｍから数十μｍに達することが知られている。
フォトマスクのパターン寸法はデバイス寸法の一般に５
倍であるが、近年の微細加工の進歩により、既に数ミク
ロンのオーダーになっており、近接効果の影響を受けて
いる。
類、レジストの膜厚、基板の材質、描画装置の加速電圧
等によって変化するが、一般的に前方散乱による広がり
（前方散乱半径）は小さく、１μｍ以下のオーダーであ
るが、後方散乱による広がり（後方散乱半径）は大き
く、数μｍから数十μｍに達することが知られている。
フォトマスクのパターン寸法はデバイス寸法の一般に５
倍であるが、近年の微細加工の進歩により、既に数ミク
ロンのオーダーになっており、近接効果の影響を受けて
いる。
【０００８】また、近接効果はパターンの形状により２
種類に分類することができる。図８に２種類の近接効果
について示した。
種類に分類することができる。図８に２種類の近接効果
について示した。
【０００９】図８（ａ）は孤立微小パターン（近隣にパ
ターンがない）の場合における設計寸法と、実際の出来
上り寸法の違いを比較したものである。図８（ａ）に示
すような微小パターンでは、入射した電子がパターンの
外に散乱してしまうため、設計寸法内での蓄積エネルギ
が所望の値に達することが出来ず、その結果出来上り寸
法が小さくなってしまう。即ち、設計寸法６ａに対し、
図９（ａ）に示すように丁度その角部に入射した電子
は、７ａに示す分布を持ち、よって図から理解できるよ
うに、設計パターン６ａの露光に寄与するのは１／４に
なる。また、辺部に入射した電子は、７ｂに示す分布を
持ち、同じく１／２になる。このため図８（ａ）に６ｂ
に示したように４隅が丸まったパターンが、更には図示
しないが、辺が狙ったようなパターンに形成されてしま
う。このような現象は、内部近接効果、あるいは図形内
近接効果と呼ばれている。
ターンがない）の場合における設計寸法と、実際の出来
上り寸法の違いを比較したものである。図８（ａ）に示
すような微小パターンでは、入射した電子がパターンの
外に散乱してしまうため、設計寸法内での蓄積エネルギ
が所望の値に達することが出来ず、その結果出来上り寸
法が小さくなってしまう。即ち、設計寸法６ａに対し、
図９（ａ）に示すように丁度その角部に入射した電子
は、７ａに示す分布を持ち、よって図から理解できるよ
うに、設計パターン６ａの露光に寄与するのは１／４に
なる。また、辺部に入射した電子は、７ｂに示す分布を
持ち、同じく１／２になる。このため図８（ａ）に６ｂ
に示したように４隅が丸まったパターンが、更には図示
しないが、辺が狙ったようなパターンに形成されてしま
う。このような現象は、内部近接効果、あるいは図形内
近接効果と呼ばれている。
【００１０】一方、図８（ｂ）は、パターンとパターン
が接近している場合の近接効果現象を示している。パタ
ーン同士が接近している場合には、設計パターン寸法６
ｃ，６ｄに対し、このパターンとパターンの間には直接
電子を照射させていないにもかかわらず、図９（ｂ）に
符号７ｃ，７ｄで示すように両側のパターンからの電子
の散乱により蓄積エネルギーが所定の値に達してしま
い、パターニングされてしまって、図８（ｂ）に６ｅ，
６ｆで示すような形状になることがある。
が接近している場合の近接効果現象を示している。パタ
ーン同士が接近している場合には、設計パターン寸法６
ｃ，６ｄに対し、このパターンとパターンの間には直接
電子を照射させていないにもかかわらず、図９（ｂ）に
符号７ｃ，７ｄで示すように両側のパターンからの電子
の散乱により蓄積エネルギーが所定の値に達してしま
い、パターニングされてしまって、図８（ｂ）に６ｅ，
６ｆで示すような形状になることがある。
【００１１】このような接近したパターン同士が接触し
たり、ゆがんでしまう現象を相互近接効果あるいは図形
間近接効果という。以上の２種類の現象を総称して近接
効果という（近接効果の影響については、図１０参
照）。
たり、ゆがんでしまう現象を相互近接効果あるいは図形
間近接効果という。以上の２種類の現象を総称して近接
効果という（近接効果の影響については、図１０参
照）。
【００１２】近接効果を補正する手段として、個々のパ
ターンに与える電子線照射量を数値計算により求めて補
正を行う方法がある。
ターンに与える電子線照射量を数値計算により求めて補
正を行う方法がある。
【００１３】これに従う従来の一般的な照射量補正方法
では、内部近接効果と相互近接効果の両方を補正する。
この従来方法では、図１２に示すように、パターンを矩
形と台形（三角形を含む）の素図形に分け、パターン同
士が接触していない部分の辺の中点に評価点Ｐ1 〜Ｐ7
を設ける。
では、内部近接効果と相互近接効果の両方を補正する。
この従来方法では、図１２に示すように、パターンを矩
形と台形（三角形を含む）の素図形に分け、パターン同
士が接触していない部分の辺の中点に評価点Ｐ1 〜Ｐ7
を設ける。
【００１４】この評価点Ｐ1 〜Ｐ7 での蓄積エネルギを
計算することにより、パターンに与える最適な照射量を
設定する。その計算の過程を次に示す（従来技術につい
ては、例えば、服藤ら「電子ビーム直接描画のための近
接効果補正システム」Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ、Ｖｏｌ．３６Ｎｏ．４Ａｕ
ｇ．、１９９０、参照）。
計算することにより、パターンに与える最適な照射量を
設定する。その計算の過程を次に示す（従来技術につい
ては、例えば、服藤ら「電子ビーム直接描画のための近
接効果補正システム」Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｃｈｎｉ
ｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ、Ｖｏｌ．３６Ｎｏ．４Ａｕ
ｇ．、１９９０、参照）。
【００１５】まずＰ1 地点の蓄積エネルギは、次式のよ
うになる。
うになる。
【００１６】
【数１】
【００１７】（１）式において、積分の項（露光強度）
をＫi , j を使って一般式の形に表すと、次のようにな
る。
をＫi , j を使って一般式の形に表すと、次のようにな
る。
【００１８】
【数２】
【００１９】ここで評価点での蓄積エネルギはパターニ
ングされるのに最低限必要なエネルギであるＥthと等し
くなるという条件を満足させることにより、設計寸法通
りにパターニングされることから次式が得られる。
ングされるのに最低限必要なエネルギであるＥthと等し
くなるという条件を満足させることにより、設計寸法通
りにパターニングされることから次式が得られる。
【００２０】
【数３】Ｅpi−Ｅth＝０ （３）
【００２１】この（３）式を行列式の形に書き改めると
次式のようになる。
次式のようになる。
【００２２】
【数４】
【００２３】（４）式を解くことにより、各パターンに
与える照射量Ｄ1 ，Ｄ2 ，・・・，Ｄm が求められる。
一般に（４）式は未知数に対して方程式の数が多いた
め、最小二乗法を利用した繰り返し計算により求めなけ
ればならない。このため、計算が複雑になってしまい、
演算速度も遅くなってしまう。添付資料１９９１年ＳＰ
ＩＥ、Ｖｏｌ．１４６５，Ｐ１７８以下のＡ．ＭｉＳａ
ｋａ ｅｔ．ａｌ．“ＨＩＥＲＡＲＣＨＩＣＡＬ ＰＲ
ＯＸＩＭＩＴＹ ＥＦＦＥＣＴ ＣＯＲＲＥＣＴＩＯＮ
ＦＯＲ Ｅ−ＢＥＡＭＤＩＲＥＣＴ ＷＲＩＴＩＮＧ
ＯＦ ６４ＭＤＲＡＭ”には、（４）式を簡略化して
解く方法が示されているが、高速性は充分ではない。
与える照射量Ｄ1 ，Ｄ2 ，・・・，Ｄm が求められる。
一般に（４）式は未知数に対して方程式の数が多いた
め、最小二乗法を利用した繰り返し計算により求めなけ
ればならない。このため、計算が複雑になってしまい、
演算速度も遅くなってしまう。添付資料１９９１年ＳＰ
ＩＥ、Ｖｏｌ．１４６５，Ｐ１７８以下のＡ．ＭｉＳａ
ｋａ ｅｔ．ａｌ．“ＨＩＥＲＡＲＣＨＩＣＡＬ ＰＲ
ＯＸＩＭＩＴＹ ＥＦＦＥＣＴ ＣＯＲＲＥＣＴＩＯＮ
ＦＯＲ Ｅ−ＢＥＡＭＤＩＲＥＣＴ ＷＲＩＴＩＮＧ
ＯＦ ６４ＭＤＲＡＭ”には、（４）式を簡略化して
解く方法が示されているが、高速性は充分ではない。
【００２４】上記のように、従来方法では１つのパター
ンに与える照射量を計算する計算時間が、著しく長いも
のである。このためスーパーコンピュータを用いたり、
複数のＣＰＵを並列につないで専用ハードウェアを用い
たりするため、システムにコストがかかる。
ンに与える照射量を計算する計算時間が、著しく長いも
のである。このためスーパーコンピュータを用いたり、
複数のＣＰＵを並列につないで専用ハードウェアを用い
たりするため、システムにコストがかかる。
【００２５】
【発明の目的】本発明は上記従来技術の問題点を解決し
て、露光条件を定めるための補正に要する時間を短縮で
き、かつシステム的にも低コストにすることが可能な露
光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
て、露光条件を定めるための補正に要する時間を短縮で
き、かつシステム的にも低コストにすることが可能な露
光方法及び露光装置を提供することを目的とする。
【００２６】
【問題点を解決するための手段及び作用】本出願の請求
項１の発明は、複数のパターンを有するパターン群の中
のパターンの適正露光量を決めて該パターンの露光を行
う露光方法において、該パターンの評価点の蓄積エネル
ギの平均を照射エネルギとして式を立て、他のパターン
から該パターンに影響する照射量を定数として、前記式
に入れて、該パターンの適正照射量を求め、次いで他の
パターンについて同様の手法で適正照射量を求め、この
操作を反復することにより、各パターンの適正露光量を
求めて露光を行う構成としたことを特徴とする露光方法
であって、これにより上記目的を達成するものである。
項１の発明は、複数のパターンを有するパターン群の中
のパターンの適正露光量を決めて該パターンの露光を行
う露光方法において、該パターンの評価点の蓄積エネル
ギの平均を照射エネルギとして式を立て、他のパターン
から該パターンに影響する照射量を定数として、前記式
に入れて、該パターンの適正照射量を求め、次いで他の
パターンについて同様の手法で適正照射量を求め、この
操作を反復することにより、各パターンの適正露光量を
求めて露光を行う構成としたことを特徴とする露光方法
であって、これにより上記目的を達成するものである。
【００２７】本出願の請求項２の発明は、複数のパター
ンを有するパターン群について、請求項１に記載の手法
により、パターン寸法をパターン関係とに基づいて、各
パターンについての適正照射量を求めておき、露光時に
被露光体のパターン寸法に応じた適正露光量を、該予め
求めた適正照射量から求め、これにより照射を行う構成
とした露光方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
ンを有するパターン群について、請求項１に記載の手法
により、パターン寸法をパターン関係とに基づいて、各
パターンについての適正照射量を求めておき、露光時に
被露光体のパターン寸法に応じた適正露光量を、該予め
求めた適正照射量から求め、これにより照射を行う構成
とした露光方法であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００２８】本出願の請求項３の発明は、複数のパター
ンを有するパターン群の中のパターンの適正露光量を決
めて該パターンの露光を行う露光装置において、該パタ
ーンの評価点の蓄積エネルギの平均を照射エネルギとし
て式を立て、他のパターンから該パターンに影響する照
射量を定数として、前記式に入れて、該パターンの適正
照射量を求め、次いで他のパターンについて同様の手法
で適正照射量を求め、この操作を反復することにより、
各パターンの適正露光量を求めて露光を行う構成とした
ことを特徴とする露光装置であって、これにより上記目
的を達成するものである。
ンを有するパターン群の中のパターンの適正露光量を決
めて該パターンの露光を行う露光装置において、該パタ
ーンの評価点の蓄積エネルギの平均を照射エネルギとし
て式を立て、他のパターンから該パターンに影響する照
射量を定数として、前記式に入れて、該パターンの適正
照射量を求め、次いで他のパターンについて同様の手法
で適正照射量を求め、この操作を反復することにより、
各パターンの適正露光量を求めて露光を行う構成とした
ことを特徴とする露光装置であって、これにより上記目
的を達成するものである。
【００２９】本出願の請求項４の発明は、複数のパター
ンを有するパターン群について、請求項２に記載の構成
により、パターン寸法とパターン関係とに基づいて、各
パターンについての適正照射量を求めておき、露光時に
被露光体のパターン寸法に応じた適正露光量を、該予め
求めた適正照射量から求め、これにより照射を行う構成
とした露光装置であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
ンを有するパターン群について、請求項２に記載の構成
により、パターン寸法とパターン関係とに基づいて、各
パターンについての適正照射量を求めておき、露光時に
被露光体のパターン寸法に応じた適正露光量を、該予め
求めた適正照射量から求め、これにより照射を行う構成
とした露光装置であって、これにより上記目的を達成す
るものである。
【００３０】本発明による解決は、次に挙げる理論
（１）（２）に基づいている。 （１）１つのパターン内に付けられた評価点の蓄積エネ
ルギーは平均値をもってそのパターンの代表の蓄積エネ
ルギーとする。 （２）ある１つのパターンの照射量を決定する際は他の
パターンの照射量は概知であるとする。
（１）（２）に基づいている。 （１）１つのパターン内に付けられた評価点の蓄積エネ
ルギーは平均値をもってそのパターンの代表の蓄積エネ
ルギーとする。 （２）ある１つのパターンの照射量を決定する際は他の
パターンの照射量は概知であるとする。
【００３１】（１）により方程式の数を減らすことが出
来、（２）により式が簡単となる。（２）の中で他のパ
ターンの照射量は実際には未知数なのであるが、最初に
初期値のドーズ量を与え、繰り返し計算をすることで真
の値に近づいていく。
来、（２）により式が簡単となる。（２）の中で他のパ
ターンの照射量は実際には未知数なのであるが、最初に
初期値のドーズ量を与え、繰り返し計算をすることで真
の値に近づいていく。
【００３２】図５において本手法を適用した場合の過程
を次に示す。
を次に示す。
【００３３】パターンの計算を、次のように行う。即
ち、パターンに関する蓄積エネルギーを平均する。
ち、パターンに関する蓄積エネルギーを平均する。
【００３４】
【数５】
【００３５】ＥAVE1がＥthになれば良いので、次の式が
得られる。
得られる。
【００３６】
【数６】ＥAVE1−Ｅth＝０ （６）
【００３７】（６）式を展開し、各パターンに与えるド
ーズ量でくくると、次式が得られる。 Ｄ1 （Ｋ11＋Ｋ12＋Ｋ13）＋Ｄ2 （Ｋ21＋Ｋ22＋Ｋ23）＋Ｄ3 （Ｋ31＋Ｋ32＋ Ｋ33）＝３Ｅth
ーズ量でくくると、次式が得られる。 Ｄ1 （Ｋ11＋Ｋ12＋Ｋ13）＋Ｄ2 （Ｋ21＋Ｋ22＋Ｋ23）＋Ｄ3 （Ｋ31＋Ｋ32＋ Ｋ33）＝３Ｅth
【００３８】Ｄ1 が未知数であるので、
【数７】
【００３９】次にパターン，の照射量も同様にして
計算する。
計算する。
【００４０】更にパターン，，の計算を行い、前
回の計算値と比較して変化がある値を以下になった所で
繰り返し計算をやめる。
回の計算値と比較して変化がある値を以下になった所で
繰り返し計算をやめる。
【００４１】この方法を一般のパターンの場合に表した
のが図１である。この図２はシステムの内補正計算に関
する部分を抜き出したフローである（これは後記する実
施例１の実際のフローでもある）。まず符号４で示す工
程において各パターンに評価点を設定する。次に工程５
において各パターン一律に標準照射量Ｄφを与える。次
に工程６において露光強度Ｋi ，j を求める。この時Ｋ
ijは全ての組み合わせについて計算を行う。次に工程７
において１つのパターンについて照射量を計算する。工
程８において全てのパターンの照射量を計算するまで工
程７の計算を繰り返す指示を行う。
のが図１である。この図２はシステムの内補正計算に関
する部分を抜き出したフローである（これは後記する実
施例１の実際のフローでもある）。まず符号４で示す工
程において各パターンに評価点を設定する。次に工程５
において各パターン一律に標準照射量Ｄφを与える。次
に工程６において露光強度Ｋi ，j を求める。この時Ｋ
ijは全ての組み合わせについて計算を行う。次に工程７
において１つのパターンについて照射量を計算する。工
程８において全てのパターンの照射量を計算するまで工
程７の計算を繰り返す指示を行う。
【００４２】工程９において全てのパターンの内前回の
照射量との差の最大値がε以下になるまで工程７〜８を
繰り返す。この工程４〜９により、補正計算が行える。
照射量との差の最大値がε以下になるまで工程７〜８を
繰り返す。この工程４〜９により、補正計算が行える。
【００４３】本発明によれば、従来は図１１に示すよう
なパターンについて、各パターンを全て同ドーズ量で露
光していたのに対し、図４に示すように、同寸法のパタ
ーン毎に、各々適正露光量で露光を行うことができる。
しかも本発明によれば、従来の手法より更に簡略化を図
ったので、より高速な補正により露光が実現できる。
なパターンについて、各パターンを全て同ドーズ量で露
光していたのに対し、図４に示すように、同寸法のパタ
ーン毎に、各々適正露光量で露光を行うことができる。
しかも本発明によれば、従来の手法より更に簡略化を図
ったので、より高速な補正により露光が実現できる。
【００４４】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は図示
の実施例により限定を受けるものではない。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は図示
の実施例により限定を受けるものではない。
【００４５】実施例１ 本実施例では、図２に示すようなパターン（位相シフト
マスク用パターンとして利用できる）について、実際に
近接効果補正を行った。補正計算に用いたＥＩＤ関数の
パラメータは次の通りである。
マスク用パターンとして利用できる）について、実際に
近接効果補正を行った。補正計算に用いたＥＩＤ関数の
パラメータは次の通りである。
【００４６】
【数８】
【００４７】
【００４８】図２のパターンは、中央部分１２を囲う、
符号１０，１１，１３，１４で示す部分が同一サイズで
あり、Ｌ＝３．０μｍ，Ｄ＝１μｍである。符号１２で
示す中央部分は、３．０μｍ×３．０μｍである。また
図形は左右対称になっており、Ｗ＝１．０μｍである。
これらの図形に対して上記パラメータを用いて本プログ
ラムにて補正計算を行ったところ、パターン１０，１
１，１３，１４に与える電子線照射量は同一の値で、
３．５８３μＣ／ｃｍ2 であった。パターン１２に与え
る照射量は、２．９３６μＣ／ｃｍ2 であった。パター
ン１０，１１，１３，１４の照射量が同一の値であるの
はパターンが左右対称図形だからである。
符号１０，１１，１３，１４で示す部分が同一サイズで
あり、Ｌ＝３．０μｍ，Ｄ＝１μｍである。符号１２で
示す中央部分は、３．０μｍ×３．０μｍである。また
図形は左右対称になっており、Ｗ＝１．０μｍである。
これらの図形に対して上記パラメータを用いて本プログ
ラムにて補正計算を行ったところ、パターン１０，１
１，１３，１４に与える電子線照射量は同一の値で、
３．５８３μＣ／ｃｍ2 であった。パターン１２に与え
る照射量は、２．９３６μＣ／ｃｍ2 であった。パター
ン１０，１１，１３，１４の照射量が同一の値であるの
はパターンが左右対称図形だからである。
【００４９】この計算結果をもとに、マスク基板（ＥＢ
Ｒ−９０．５μｍ／Ｃｒ／ＳｉＯ2）に描画した。露光
材断面を図３に示す。その後ＭＩＢＫ（メチルイソブチ
ルケトン）現像液０．０９リットル／ｍｉｎをスプレー
で２分間現像を行い、次にリンス（ＩＰＡ）０．１１リ
ットル／ｍｉｎをスプレーで２分間行ったのち、ベーキ
ングを７０℃→１４０℃→１４０℃→７０℃→２３℃
（各２分間）で行った。この後顕微鏡にてパターンと確
認したところ、５つのパターンを全て設計値通りにパタ
ーニングされていた。
Ｒ−９０．５μｍ／Ｃｒ／ＳｉＯ2）に描画した。露光
材断面を図３に示す。その後ＭＩＢＫ（メチルイソブチ
ルケトン）現像液０．０９リットル／ｍｉｎをスプレー
で２分間現像を行い、次にリンス（ＩＰＡ）０．１１リ
ットル／ｍｉｎをスプレーで２分間行ったのち、ベーキ
ングを７０℃→１４０℃→１４０℃→７０℃→２３℃
（各２分間）で行った。この後顕微鏡にてパターンと確
認したところ、５つのパターンを全て設計値通りにパタ
ーニングされていた。
【００５０】実施例２ 次にパターン総数２００００個の場合について実際に補
正計算を行った。パラメータについては、実施例１のも
のを使った。この計算に用いたプログラムは小領域毎に
計算を行うようになっており、やみくもに全てのパター
ンの影響を調べる必要がないため、計算速度が速い。
正計算を行った。パラメータについては、実施例１のも
のを使った。この計算に用いたプログラムは小領域毎に
計算を行うようになっており、やみくもに全てのパター
ンの影響を調べる必要がないため、計算速度が速い。
【００５１】５．０ＭＩＰＳのワークステーションにて
補正計算を行わせた所、ＣＰＵタイム３０秒で計算を終
えることができた。従来の計算方法では７分もかかって
いたことを考えると、この計算手法がきわめて高速であ
り、有利であることが分る。
補正計算を行わせた所、ＣＰＵタイム３０秒で計算を終
えることができた。従来の計算方法では７分もかかって
いたことを考えると、この計算手法がきわめて高速であ
り、有利であることが分る。
【００５２】実施例３ 本実施例では、予め各寸法のパターンについて、他のパ
ターンとの近接効果も含めて上記手法で計算しておき、
これをテーブル化して、露光的にパターン寸法と近隣パ
ターンから適正露光量をテーブルで読み出し、これによ
り露光を行うようにした。本例のフローを、図６に示
す。
ターンとの近接効果も含めて上記手法で計算しておき、
これをテーブル化して、露光的にパターン寸法と近隣パ
ターンから適正露光量をテーブルで読み出し、これによ
り露光を行うようにした。本例のフローを、図６に示
す。
【００５３】
【発明の効果】本発明は上記従来技術の問題点を解決し
て、露光条件を定めるための補正に要する時間を短縮で
き、かつシステム的にも低コストにすることが可能な露
光方法及び露光装置を提供することができる。
て、露光条件を定めるための補正に要する時間を短縮で
き、かつシステム的にも低コストにすることが可能な露
光方法及び露光装置を提供することができる。
【図１】実施例１のパターン露光における工程を示すフ
ロー図である。
ロー図である。
【図２】実施例１のパターン露光における計算パターン
を示す図である。
を示す図である。
【図３】実施例１のパターン露光における被露光材断面
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】本発明による露光例の説明図である。
【図５】本発明を適用するパターン構成例を示す。
【図６】実施例３のパターン露光における工程を示すフ
ロー図である。
ロー図である。
【図７】電子の固体散乱モデルである。
【図８】近接効果の説明図である。
【図９】近接効果の説明図である。
【図１０】近接効果の影響を示す図である。
【図１１】従来技術による描画方法の説明図である。
【図１２】従来技術における照射量補正方法の説明図で
ある。
ある。
４〜９ 露光工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１ 9122−2Ｈ
Claims (4)
- 【請求項１】複数のパターンを有するパターン群の中の
パターンの適正露光量を決めて該パターンの露光を行う
露光方法において、 該パターンの評価点の蓄積エネルギの平均を照射エネル
ギとして式を立て、 他のパターンから該パターンに影響する照射量を定数と
して、前記式に入れて、該パターンの適正照射量を求
め、 次いで他のパターンについて同様の手法で適正照射量を
求め、この操作を反復することにより、各パターンの適
正露光量を求めて露光を行う構成としたことを特徴とす
る露光方法。 - 【請求項２】複数のパターンを有するパターン群につい
て、請求項１に記載の手法により、パターン寸法をパタ
ーン関係とに基づいて、各パターンについての適正照射
量を求めておき、 露光時に被露光体のパターン寸法に応じた適正露光量
を、該予め求めた適正照射量から求め、これにより照射
を行う構成とした露光方法。 - 【請求項３】複数のパターンを有するパターン群の中の
パターンの適正露光量を決めて該パターンの露光を行う
露光装置において、 該パターンの評価点の蓄積エネルギの平均を照射エネル
ギとして式を立て、 他のパターンから該パターンに影響する照射量を定数と
して、前記式に入れて、該パターンの適正照射量を求
め、 次いで他のパターンについて同様の手法で適正照射量を
求め、この操作を反復することにより、各パターンの適
正露光量を求めて露光を行う構成としたことを特徴とす
る露光装置。 - 【請求項４】複数のパターンを有するパターン群につい
て、請求項２に記載の構成により、パターン寸法とパタ
ーン関係とに基づいて、各パターンについての適正照射
量を求めておき、 露光時に被露光体のパターン寸法に応じた適正露光量
を、該予め求めた適正照射量から求め、これにより照射
を行う構成とした露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285044A JPH06120102A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285044A JPH06120102A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 露光方法及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120102A true JPH06120102A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17686442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285044A Pending JPH06120102A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120102A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023215A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Nikon Corp | 露光量演算方法、並びに露光方法及び装置 |
| WO2012035892A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 日本コントロールシステム株式会社 | 描画方法及び描画装置 |
| JP2015069983A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | 凸版印刷株式会社 | 近接効果補正方法、近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4285044A patent/JPH06120102A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023215A (ja) * | 2010-07-14 | 2012-02-02 | Nikon Corp | 露光量演算方法、並びに露光方法及び装置 |
| WO2012035892A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | 日本コントロールシステム株式会社 | 描画方法及び描画装置 |
| US8710468B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-04-29 | Nippon Control System Corporation | Method of and apparatus for evaluating an optimal irradiation amount of an electron beam for drawing a pattern onto a sample |
| JP5864424B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2016-02-17 | 日本コントロールシステム株式会社 | 描画用電子ビームの最適照射量を求めるための方法及び描画装置 |
| JP2015069983A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-13 | 凸版印刷株式会社 | 近接効果補正方法、近接効果補正プログラム及び近接効果補正装置 |
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